「alignment pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the resist pattern for the alignment measurement for which the resist pattern is formed and then shrunk by heat flow, the resist pattern is formed of a plurality of line positive type patterns.例文帳に追加

レジストパターン形成後、熱フローによりシュリンクさせる合わせ測定用のレジストパターンにおいて、前記レジストパターンを複数のラインポジ型パターンで形成すること。 - 特許庁

The layer first performed with the pattern formation is a metal electrode pattern layer having an alignment mark to the layer performed with the second and succeeding pattern formation.例文帳に追加

また、前記最初にパターン形成される層が、２番目以降にパターン形成される層に対する位置合わせマークを有する金属電極パターン層である。 - 特許庁

An alignment device uses a pattern formed prior to a preceding a step of aligning the pattern of a current step in the exposure step of the pattern.例文帳に追加

位置合わせ装置は、パターンの露光工程における現行工程のパターンの位置合わせを直前工程よりも前に形成されたパターンを用いて行う。 - 特許庁

ALIGNMENT PATTERN DETECTION SENSOR, IMAGE FORMING APPARATUS, COLOR SHIFT DETECTION METHOD, AND COLOR SHIFT CORRECTION METHOD例文帳に追加

位置合わせパターン検知センサ・画像形成装置・色ずれ検知方法・色ずれ補正方法 - 特許庁

The alignment state of the liquid crystal layer 12 exhibits an extinction pattern having cross grid-shaped lines.例文帳に追加

液晶層１２の配向状態は十字格子状線を有する消光模様である。 - 特許庁

METHOD FOR ACCELERATING ALIGNMENT OF OPTICAL APPEARANCE INSPECTION APPARATUS, AND PATTERN INSPECTION APPARATUS USING SAME例文帳に追加

光学式外観検査装置のアライメント高速化法、これを用いたパターン検査装置 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR SUBSTRATE ALIGNMENT, AND METHOD AND DEVICE FOR PATTERN INSPECTION USING THE SAME例文帳に追加

基板整列方法及び装置、これを用いた基板のパターン検査方法及び装置 - 特許庁

The alignment pattern 10 is formed by arraying fine patterns 8 at predetermined positions.例文帳に追加

アライメントパターン１０は、微細パターン８が所定の位置に配列されて形成されている。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF MULTILAYER THIN FILM PATTERN REQUIRING NO MASK ALIGNMENT NOR PHOTOLITHOGRAPHY PROCESS例文帳に追加

マスク位置あわせ及びフォトリソグラフ工程を必要としない多層薄膜パターンの形成方法 - 特許庁

ALIGNMENT PATTERN SENSOR / IMAGE FORMING APPARATUS / COLOR SHIFT DETECTION METHOD / COLOR SHIFT CORRECTION METHOD例文帳に追加

位置合わせパターン検知センサ・画像形成装置・色ずれ検知方法・色ずれ補正方法 - 特許庁

Rubbing strength originating from the rubbing buff 33 is uniformized throughout the entire alignment layer pattern 26.例文帳に追加

ラビングバフ33によるラビング強度を配向膜パターン26の全体に亘って均一化できる。 - 特許庁

PHOTOMASK, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR EXPOSING SEMICONDUCTOR CHIP PATTERN AND CHIP ALIGNMENT ACCURACY INSPECTING DEVICE例文帳に追加

フォトマスク、半導体装置、半導体チップパターンの露光方法、チップアライメント精度検査装置 - 特許庁

Therefore, the alignment marker 5 and the pattern 3 can be simultaneously manufactured in the same manufacturing process, a risk of poor alignment between both can be reduced, and lighting of the alignment marker 5 can be executed independently of lighting of the pattern 3 with an inexpensive light source 7, thereby achieving alignment in situ by providing the alignment sensor 1 in a lithographic apparatus.例文帳に追加

それで整列マーカ５とパターン３を同じ製造プロセスで同時に製造することができ、両者間の整列不良のリスクが少なく、整列マーカ５の照明を安い光源７でパターン３の照明と独立に行えるので、この整列センサ１をリソグラフィ装置内に設け、その場での整列ができる。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for a material having low transmittance for alignment light with high alignment accuracy in a fewer number of processes.例文帳に追加

高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method for a material having low transmittance of light for alignment with high alignment accuracy and less number of processes.例文帳に追加

高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Based on the displacement quantity of both patterns to be obtained by measuring an alignment mark for a light shielding pattern and an alignment mark for the phase shift pattern, displacement quantity of pieces of design data of both patterns is compensated and pattern defect inspection of a pattern to be inspected is performed on the basis of a reference pattern obtained by compensation of the displacement quantity.例文帳に追加

遮光パターン用のアライメントマークと位相シフトパターン用のアライメントマークを計測して得られる両パターンの位置ずれ量に基づき、両パターンの設計データの位置ずれ量を補正し、それにより得られた参照パターンを基準として披検査パターンのパターン欠陥検査を行う。 - 特許庁

To provide a production method of an original plate for a pattern alignment layer for three-dimensional display, the method aiming at easy and mass production of a pattern alignment layer with which a high-quality pattern retardation film for three-dimensional display can be formed.例文帳に追加

高品質な３次元表示用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、容易かつ大量に作製する３次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法を提供する。 - 特許庁

To accurately detect a position of an alignment mark on a base pattern of a substrate by clearly obtaining an image of the alignment mark on the base pattern of the substrate, when an opaque film is coated on the base pattern of the substrate.例文帳に追加

基板の下地パターンの上に不透明な膜が塗布されている場合に、基板の下地パターンのアライメントマークの画像を鮮明に取得して、基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出する。 - 特許庁

To provide an original plate for a pattern alignment layer for three-dimensional display, the original plate allowing easy and mass production of a pattern alignment layer with which a high-quality pattern retardation film for a three-dimensional display device can be formed.例文帳に追加

高品質な３次元表示装置用パターン位相差フィルムを形成することが可能なパターン配向膜を、容易かつ大量に作製することができる３次元表示用パターン配向膜用原版を提供する。 - 特許庁

Further, in the exposure of a superimposed layer, the alignment is performed with respect to the alignment mark for exposing each divided pattern region provided with high arrangement accuracy by using a die-by-die alignment method.例文帳に追加

さらに、重ね合わせ層の露光において、高配置精度で設けた各分割パターン領域露光用アライメントマークに対して、ダイ・バイ・ダイ・アライメント法を用いて位置合せを行なう。 - 特許庁

To perform highly accurate alignment between a mask and a substrate in a short time by quickly and highly accurately detecting a position of an alignment mark on the mask and a position of an alignment mark on a base pattern of the substrate.例文帳に追加

マスクのアライメントマークの位置及び基板の下地パターンのアライメントマークの位置を迅速に精度良く検出して、マスクと基板との位置合わせを短時間で高精度に行う。 - 特許庁

The fine adjustment alignment target 31 formed at a cross part with the scribe line 29Y in the Y-direction is used for alignment, after a metal pattern 30 is formed at the edge part of each chip pattern 21.例文帳に追加

各チップパターン２１のエッジ部にメタルパターン３０を形成した後のアライメントには、Ｙ方向のスクライブライン２９Ｙとの交差部に形成する微調アライメントターゲット３１を使用する。 - 特許庁

To quickly and accurately detect the center position of an alignment pattern to shorten the read time as the result in the case of read of a two-dimensional code having the alignment pattern.例文帳に追加

アラインメントパターンを有する２次元コードの読取に際して、アラインメントパターンの中心位置を迅速且つ正確に検出できるようにし、結果的に読取時間の短縮を実現する。 - 特許庁

The printing pattern 20 and the alignment mark 22 are formed by that the emulsion layer 16 for a printing pattern and the emulsion layer 14 for an alignment mark are batch-exposed through a photomask F, and developed.例文帳に追加

印刷パターン２０およびアライメントマーク２２は、印刷パターン用乳剤層１６およびアライメントマーク用乳剤層１４を、フォトマスクＦを介して一括露光、現像して形成されている。 - 特許庁

A pattern of an alignment mark 16 at a substrate side is photographed at timing wherein the slant lighting is turned off, and a pattern of an alignment mark 17 at a mask side is photographed at timing wherein the slant lighting is turned on.例文帳に追加

斜照明が消灯するタイミングで、基板側アライメントマーク１６のパターンを撮像し、斜照明が点灯するタイミングで、マスク側アライメントマーク１７のパターンを撮像する。 - 特許庁

Further, the method includes a step for causing a moire pattern to be generated from the alignment mark and determining the relative position of the first and second alignment marks (10, 11) on the basis of the periodicity of the moire pattern.例文帳に追加

さらに、方法は、位置合せマークからモアレ縞を発生させ、第１及び第２の位置合せマーク（１０、１１）の相対位置をモアレ縞の周期性に基づいて決定するステップを含む。 - 特許庁

A rubbing buff 33, whose configuration is changed with the array pattern 7, can be disordered on the disorder part 28, before the rubbing of the alignment layer pattern 26.例文帳に追加

アレイパターン７にて配列が変化したラビングバフ33を無秩序部28で配向膜パターン26のラビング前に無秩序化できる。 - 特許庁

At this point, when each alignment pattern is inserted, it is checked whether a circuit pattern is present already at the position (S12).例文帳に追加

その際、個々の位置合わせ用パターンの挿入に当たって、その位置に既に回路パターンが存在するかどうかを調べる（Ｓ12）。 - 特許庁

ALIGNMENT-MARK POSITION MEASURING METHOD, PATTERN EXPOSURE SYSTEM, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PLANT, AND PATTERN EXPOSURE SYSTEM MAINTAINING METHOD例文帳に追加

アライメントマーク位置計測方法、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 - 特許庁

In an alignment method, a beam with a first pattern is irradiated to a first target portion of a substrate to form the first pattern on the substrate.例文帳に追加

基板の第１ターゲット部分に第１パターン付きビームを照射して、基板上に第１パターンを形成する工程を含む。 - 特許庁

To improve precision of alignment when forming an upper layer pattern by overlaying it on a lower layer pattern using a scanning exposure apparatus.例文帳に追加

スキャン露光装置を用いて、下層のパターンに重ね合わせて上層のパターンを形成する際、重ね合わせ精度向上を図る。 - 特許庁

To provide a stencil mask and an alignment apparatus used for the alignment of the stencil mask whereby the alignment marks of a wafer can be sensed even when Si is used in its pattern portion for depictions, and the large improvement of the accuracy of the alignment can be achieved.例文帳に追加

描画用のパターン部にＳｉを使用しても、ウエハの位置合わせマークが検出可能であり、位置合わせ精度の大幅な向上が達成できるステンシルマスク、及びその位置合わせに使用されるアライメント装置を提供する。 - 特許庁

By forming the first and second alignment marks 1, 2 in respective two electronic members requiring alignment, a simple and accurate alignment is performed by visually observing a Moire fringe pattern generated by overlapping of the two alignment marks.例文帳に追加

位置合わせを必要とする２つの電子部材に、第１，第２アライメントマーク１，２をそれぞれ形成しておくことで、両者の重なりから生じるモアレ縞模様を観察して、目視でも正確かつ簡単に位置合わせを行うことができる。 - 特許庁

The alignment film of the counter substrate, the protruding pattern 40 for the alignment division and the columnar spacer 42 are formed from one material into one body.例文帳に追加

対向基板の配向膜、配向分割用の突起パターン４０、および柱状スペーサ４２は、同一材料により一体に形成されている。 - 特許庁

By use of the alignment information, a testing position is derived on the basis of the alignment information of the electrode pattern included in the model data.例文帳に追加

次に、このアライメント情報を用いて、上記機種データに含まれる電極パターン部の配列情報に基づき、検査位置が導出される。 - 特許庁

The pattern image of the work mark is imaged by an alignment microscope and the image is transmitted to a control unit.例文帳に追加

アライメント顕微鏡によりワークマークのパターンの画像を受像し、この画像を制御部に送る。 - 特許庁

The mask 10 is provided with blocks, where an alignment pattern in common to plural semiconductor devices, is formed.例文帳に追加

マスク１０は、複数の半導体装置に共通する露光パターンが形成されたブロックを有する。 - 特許庁

METHOD OF ALIGNING BETWEEN PATTERN LAYERS, ALIGNMENT PROCESSING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

パターンレイヤ間の位置合わせ方法、位置合わせ処理装置、および半導体装置の製造方法 - 特許庁

The alignment pattern 7A includes a plurality of linear portions 13 having a width (b) (b>a, e.g., 6 μm).例文帳に追加

アライメントパターン７Ａは、幅がｂ（ｂ＞ａ、たとえば、６μｍ）の直線部１３を複数含んでいる。 - 特許庁

Alignment using the recessed part 17 is performed to form a recessed pattern 19 comprising an opening part 18.例文帳に追加

凹部１７を用いたアライメントを行い、開口部１８を有するレジストパターン１９を形成する。 - 特許庁

A micromirror 85 has an alignment pattern 82 formed on a surface different from the reflection surface.例文帳に追加

また、反射面とは異なる面に位置合わせ用パターン８２が形成されたマイクロミラー８５である。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PHOTOMASK AND RESIST PATTERN, ALIGNMENT PRECISION MEASURING METHOD, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

フォトマスク、レジストパターンの形成方法、アライメント精度計測方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

DEVICE (PATTERN-LOCKING SYSTEM) USED IN PARTICLE PROJECTION LITHOGRAPHIC PRINTING SYSTEM IN ALIGNMENT SYSTEM例文帳に追加

位置合わせシステムにおいて粒子投影平版印刷システムに使用する装置（パターンのロックシステム） - 特許庁

To form a pattern by imprinting without causing a decrease in throughput nor deterioration in alignment precision.例文帳に追加

スループットの低下およびアライメント精度の劣化を起こすことなく、インプリントによるパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, a photo mask, and an alignment inspection mark which matches an alignment inspection pattern with the design of a semiconductor integrated circuit to eliminate the pattern dependence of the superposition of aberration, the pattern size dependence, etc.例文帳に追加

合わせ検査のパターンを半導体集積回路の設計に合わせることで、収差の乗りのパターン依存性、パターン寸法依存性等を除去する半導体装置の製造方法、フォトマスク、合わせ検査マークを提供する。 - 特許庁