| 例文 |
alignment patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 811件
In this case, the horizontal alignment layers 42 are formed by performing a rubbing process on an alignment layer 42a on a substrate 10A and by modifying a surface thereof using a resist pattern R as a mask, a material of the vertical alignment layers 41 is formed.例文帳に追加
このとき、基板10A上の配向膜42aにラビング処理し、レジストパターンRをマスクにして表面改質して、水平配向膜42を形成し、垂直配向膜41の材料を形成する。 - 特許庁
To provide a method for forming a pattern by which film thickness uniformity of the pattern consisting of droplets is improved, a droplet ejection apparatus, an electro-optic device, a method for forming an alignment film, an apparatus for forming the alignment film and a liquid crystal display.例文帳に追加
液滴からなるパターンの膜厚均一性を向上させたパターン形成方法、液滴吐出装置、電気光学装置、配向膜形成方法、配向膜形成装置及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁
Consequently, the pattern drawing device 1 can record a regularity pattern by the optical head and alignment marks AM1 to AM4 by the alignment drawing heads 41, 42, 43, and 44 on the substrate 9 in suitable positional relationship.例文帳に追加
このため、パターン描画装置1は、光学ヘッド32による規則性パターンとアライメント描画ヘッド41,42,43,44によるアライメントマークAM1〜AM4とを、基板9上に適正な位置関係で記録することができる。 - 特許庁
To quickly and automatically detect a high precision target pattern based on reference coordinates of alignment by setting the reference coordinates for alignment in a region near the target pattern in the device-forming region.例文帳に追加
デバイス形成領域内において、ターゲット・パターンの近傍領域中にアライメント基準座標を設定し、そのアライメント基準座標に基づいて高精度にターゲット・パターンを迅速かつ自動的に検出すること。 - 特許庁
A long pattern alignment film includes a long alignment layer containing an optical alignment material, and the alignment layer includes a first alignment region for aligning a rod-shaped compound having refractive index anisotropy in a given direction and a second alignment region for aligning the rod-shaped compound in a direction different from that of the first alignment region.例文帳に追加
本発明は、長尺状であり、かつ光配向材料を含む配向層を有し、上記配向層が、屈折率異方性を有する棒状化合物を一定の方向に配列させる第1配向領域および上記棒状化合物を上記第1配向領域とは異なる方向に配列させる第2配向領域を含むことを特徴とする長尺パターン配向膜を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁
First original glass 10 has a circuit pattern 14, formed in its first exposure region 12 and an alignment pattern 15 formed in its second exposure region 13.例文帳に追加
第1の原板10は、その露光用の第1領域12に回路パターン14を形成し、露光用の第2領域13に位置合わせパターン15を形成する。 - 特許庁
To form an alignment layer having a desired pattern with good productivity without lowering pattern precision even when the substrate size of a liquid crystal display element is made large.例文帳に追加
液晶表示素子の基板サイズが大型になった場合にも、パターン精度が低下することなく、所望パターンの配向層を生産性よく形成すること。 - 特許庁
At a position apart from a mesa part where an imprinting pattern is formed, a minute mesa, having the same height as an imprinting pattern part, is provided for forming an alignment mark on a template side.例文帳に追加
押印パターンの形成されたメサ部から離れた位置に、テンプレート側のアライメントマーク形成用で押印パターン部と同じ高さの微小メサを設ける。 - 特許庁
To provide a pattern inspection device and a method capable of detecting with high accuracy defects of an opening pattern, even if there remain adjustment residues of alignment.例文帳に追加
アライメントの合わせこみ残差があっても、開口パターンの欠陥を高精度に検出することが可能なパターン検査装置及び方法を提供する。 - 特許庁
An alignment test signal having an alternating pattern of frequencies is generated and transmitted over a communication link 108 that carries the alignment test signal in a sequence of frames.例文帳に追加
周波数の交互パターンを持つ位置調整検査信号が生成され、フレームのシーケンスで位置調整検査信号を搬送する通信リンク108を通じて送信される。 - 特許庁
The layout data of alignment marks on each layer are arranged so that the layout data about the alignment marks on the first and fifth layers may overlap each other in the transversal and longitudinal directions of a chip 1 of an IC pattern.例文帳に追加
ICパタ−ンであるチップ1の横方向及び縦方向に各層におけるアライメントマ−クのレイアウトデ−タを例えば1層と5層と重なるように配置する。 - 特許庁
An alignment test signal having an alternating pattern of frequencies is generated and transmitted over a communication link that carries the alignment test signal in a sequence of frames.例文帳に追加
周波数の交互パターンを持つ位置調整検査信号が生成され、フレームのシーケンスで位置調整検査信号を搬送する通信リンクを通じて送信される。 - 特許庁
A direction where the interference fringe pattern appears (the grating alignment direction of the diffraction grating) nearly coincides with the linear alignment direction of a photodetector means 61.例文帳に追加
この干渉縞パターンの現れる方向(回折格子の格子配列方向)と受光素子手段61の直線状の配列方向とがほぼ一致するようになっている。 - 特許庁
A foreign matter inspection device including analysis means which can measure the pattern width and can acquire the luminance distribution for image data of an alignment mark, and image processing means which enables integration processing, subtraction processing, binarization processing, expansion processing and contraction processing includes processing the image data to make the alignment mark clear, and then pattern-matching the alignment mark.例文帳に追加
アライメントマークの画像データのパターン幅計測、輝度分布取得が可能な解析手段と、積算処理、減算処理、2値化処理、膨張処理、収縮処理が可能な画像処理手段を備え、画像データに処理を加えて、アライメントマークを明瞭にした後にパターンマッチングを行うようにする。 - 特許庁
The liquid crystal device has an alignment layer and a conductive pattern on a substrate, where the substrate is subjected to rubbing treatment in a prescribed directions and the conductive pattern existing resent in an alignment layer absent region, where alignment layer has not been formed on the substrate, is embedded in the substrate surface.例文帳に追加
基板上に配向膜及び導電パターンを備える液晶装置において、基板にはそれぞれ所定方向からラビング処理が施してあり、基板における配向膜が形成されていない配向膜非形成領域に存在する導電パターンが、基板表面に埋設してある。 - 特許庁
This mask holder 1 holds the aligning mask 2 used for the alignment of the pattern forming resin of a printed wiring board at an aligning time.例文帳に追加
プリント配線板のパターン形成用樹脂の露光に用いる露光マスク2を,露光時に保持するマスクホルダー1。 - 特許庁
To provide a drawing device capable of quickly drawing a test pattern for adjusting alignment, and a drawing method.例文帳に追加
アライメント調整用のテストパターンを高速に描画可能な描画装置、および描画方法を提供すること。 - 特許庁
A grid-like alignment pattern, for example, is displayed on each of two display panels 1, 2 to be laminated.例文帳に追加
積層対象となる2枚の表示パネル1,2のそれぞれに、例えば格子状のアライメントパターンを表示させる。 - 特許庁
That is, the recognized pattern for the NEXT/FEXT frame in the hyperframe considers the hyperframe alignment.例文帳に追加
ハイパーフレームの中のNEXT/FEXTフレームのための識別されたパターンは、ハイパーフレーム整列を考慮する。 - 特許庁
The distal end side of the conductive pattern 2 is turned to a terminal part 5, and an alignment mark 8 is provided around the terminal part 5.例文帳に追加
導電パターン2の先端側は端子部5となり、この端子部5の周囲にアライメント用マーク8を備える。 - 特許庁
DETECTION METHOD OF ALIGNMENT MARK BY INTERFERENCE PATTERN USING INTERFERENCE OPTICAL SYSTEM TAKEN IMAGE, AND DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
干渉光学系撮像画像を用いた干渉縞によるアライメントマーク検出方法およびそれを用いた装置 - 特許庁
The positioning when a mask pattern is exposed on a substrate is performed using the alignment information obtained when the exposing operation is performed.例文帳に追加
露光中に得られたアライメント情報を使用して、基板にマスクパターンを露光するときの位置決めを行なう。 - 特許庁
The method comprises a step of forming alignment marks 1 together with a device pattern on a semiconductor wafer, a step of coating the semiconductor wafer with resist, a step of aligning exposure positions according to the alignment marks 1, and a step of exposing specified regions to form alignment deviation measuring marks 2 at specified positions near the alignment marks 1 together with a resist pattern.例文帳に追加
半導体ウエーハ上に、デバイスパターンとともに、アライメントマーク1を形成する工程と、半導体ウエーハ上にレジストを塗布する工程と、前記アライメントマーク1により、露光位置合わせを行う工程と、所定領域を露光し、レジストパターンとともに、前記アライメントマーク1近傍の所定位置に、合わせずれ計測用マーク2を形成する工程を備える。 - 特許庁
A substrate side alignment part 515 is provided which enables alignment of the wiring pattern 510 to the first conductive connecting part 81 at the bottom face part of the recess 250 by alignment to a body side alignment part 285 formed at the outside of the recess 250 in the base 280.例文帳に追加
基体280における凹部250の外側に設けられた基体側位置合わせ部285に対して、これに位置合わせすることで、凹部250の底面部における第1導電接続部81に対する配線パターン510の位置合わせを可能にする、基板側位置合わせ部515を有している。 - 特許庁
A reference elapsed time is calculated when the pattern for alignment is formed on a conveying belt so as to correct positional deviation, the pattern for alignment of basic color is formed on each of a plurality of photoreceptor drums, and the pattern for alignment on the photoreceptor drum is detected, then the positional deviation is corrected based on a result of the detection and the reference elapsed time.例文帳に追加
搬送ベルト上に位置合わせ用パターンを形成して位置ずれを補正した際に基準経過時間を算出し、基本色の位置合わせ用パターンを複数の感光体ドラムの夫々に形成し、その感光体ドラム上の位置合わせ用パターンを検出し、その検出結果と基準経過時間とに基づいて、位置ずれを補正する。 - 特許庁
The patterning method includes a step of forming a pattern by using a plurality of patterning steps by use of a photolithographic process on the same substrate, and the method includes steps of preparing a substrate on which an alignment mark to be used for alignment is formed, drawing a first pattern by aligning using the above alignment mark, and drawing a second pattern by aligning using the above alignment mark.例文帳に追加
同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成する工程を有するパターン形成方法において、位置合わせに用いるアライメントマークが形成された基板を準備する工程と、上記アライメントマークを用いて位置合わせを行い第1のパターンを描画する工程と、さらに上記アライメントマークを用いて位置合わせを行い第2のパターンを描画する工程とを含む。 - 特許庁
A hole-type mark being used for alignment of a mask pattern is provided on a solid pattern formed on a semiconductor substrate and the solid pattern is formed to cover a region including the opening of the mark after it is used.例文帳に追加
マスクパターンの位置合わせに使用するホールタイプのマークを半導体基板に形成したベタパターン上に設け、該マークの使用後にはマークの開口部を含む領域を被覆するようにベタパターンを形成する。 - 特許庁
Even if the mask is exchanged, the pattern shape having the alignment mark may be extracted from the photographed image only when there is no pattern which coincides with the candidate pattern group, thereby reducing the working hours required for mask exchange.例文帳に追加
マスクを交換しても、候補パターン群に一致するパターンが無かった場合だけ、撮影画像からアラインメントマークのパターン形状を抽出すればよいから、マスク交換のための作業時間が短縮する。 - 特許庁
When a resist pattern that covers areas c and d is formed, a resist pattern 22 is formed by displacing a mask pattern such that the groove of the area c is completely covered even in the case that a alignment error occurs (step 3).例文帳に追加
領域c,dを覆うレジストパターンを形成する場合、位置合わせ誤差が生じても領域cの溝が完全に覆われるように、マスクパターンの位置をずらしてレジストパターン22を形成する(工程3)。 - 特許庁
In each photolithography process, an alignment error of a photo resist pattern generated in the photolithography process is measured and then an exposure correction value (alignment correction value) for the photolithography process is calculated from the measured alignment error.例文帳に追加
各フォトリソグラフィ工程を行った際には、当該フォトリソグラフィ工程で形成されるフォトレジストパターンの重ね合わせ誤差を測定し、測定した重ね合わせ誤差から当該フォトリソグラフィ工程での露光補正値(アライメント補正値)を算出する。 - 特許庁
A manufacturing method of a patterned retarder includes a light alignment stage to position, on an alignment layer, a polarization filter 20 with light shielding parts 21 and wire grid pattern parts 22 repeatedly formed and to apply light from above the polarization filter 20 for alignment.例文帳に追加
配向膜の上部に光遮断部21とワイヤーグリッドパターン部22が繰り返し形成された偏光フィルター20を位置させ、偏光フィルター20の上部から光を照射して配向させる光配向段階を含む。 - 特許庁
The pattern drawing device 1 photographs at least a part of the alignment marks AM1 to AM4 by using alignment cameras 41 to 44 respectively, and calculates coordinates of an intersection of the cross pattern from a circular arc included in image data D1 to D4.例文帳に追加
パターン描画装置1は、アライメントカメラ41〜44によりそれぞれアライメントマークAM1〜AM4の少なくとも一部を撮影し、画像データD1〜D4中に含まれる円弧から、十字パターンの交点の座標を算出する。 - 特許庁
To provide a production method of an original plate for a pattern alignment layer for three-dimensional display, the original plate allowing easy and mass production of an alignment layer with which a high-quality pattern retardation film for a three-dimensional display device can be formed.例文帳に追加
高品質な3次元表示装置用パターン位相差フィルムを形成することが可能な配向膜を、容易かつ大量に作製することができる3次元表示用パターン配向膜用原版製造方法を提供する。 - 特許庁
The shape or alignment pattern of the through-holes 5 constituting the through-hole group 9 is made different in each rigid nozzle plate 4.例文帳に追加
透孔群9を成す透孔5の形状または配列パターンを、各リジッドノズルプレート4においてそれぞれ異ならせる。 - 特許庁
To provide an exposure apparatus that can reduce alignment errors or focus errors, thus achieving a pattern form and a line width as targets.例文帳に追加
アライメント誤差又はフォーカス誤差を低減し、目標とするパターン形状、線幅を達成する露光装置を提供する。 - 特許庁
To provide an exposure drawing device, forming an alignment mark required for drawing a circuit pattern on both sides of a substrate.例文帳に追加
回路パターンの描画に必要なアライメントマークを基板の両面に形成するようにする露光描画装置を提供する。 - 特許庁
To provide a process capable of connecting a semiconductor chip having an alignment pattern to a substrate, with accurate positional relationship being maintained.例文帳に追加
位置合わせパターンを有する半導体チップを、正確な位置関係を保って基板と接続できるプロセスを提供する。 - 特許庁
The exposure is performed whenever a pattern is formed on a substrate, and a film formed on the alignment mark is removed.例文帳に追加
この露光処理を基板上にパターンを形成する毎に行い、アライメントマーク上に形成される膜を除去する。 - 特許庁
EXPOSING METHOD OF CIRCUIT PATTERN OF CHIP-PERIPHERY PORTION, AND EXPOSING METHOD OF ALIGNMENT MARK, AND SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE EXPOSING METHOD例文帳に追加
チップ周辺部の回路パターン及びアライメントマークの露光方法とそれを用いた半導体デバイスの製造方法 - 特許庁
After that, the element isolation film is etched to a specified depth to form an alignment mark, and finally the pad nitride film pattern is removed.例文帳に追加
さらに、素子分離膜を所定の深さでエッチングして整列マークが形成され、最後にパッド窒化膜パターンを除去する。 - 特許庁
A pre-alignment process in which automatic pattern recognition is used decides the position and direction of the object from the measured edge position.例文帳に追加
自動パターン認識を用いるプレアライメントプロセスが測定したエッジ位置から物体の位置及び方向を判定する。 - 特許庁
A difference between the size of the transparent portion and that of the colorless transparent resin pattern is to be equal to accuracy of alignment of the aligner.例文帳に追加
透明部の寸法と無色透明樹脂パターンの寸法の差が、露光装置の合わせ精度と同一であること。 - 特許庁
A selection means 11 selects the block, where the alignment pattern corresponding to the semiconductor device which is to be exposed is formed.例文帳に追加
選択手段11は、露光しようとする半導体装置に対応する露光パターンが形成されたブロックを選択する。 - 特許庁
The first alignment mark 1 includes a line pattern 1L containing lines 1L_1, 1L_2, ..., 1L_9, the width of which increase in one direction.例文帳に追加
第1アライメントマーク1は、幅が一方向に増大する線1L_1,1L_2,…,1L_9を含むラインパターン1Lを有している。 - 特許庁
The second alignment mark 2 includes a space pattern 2S containing gaps 2S_1, 2S_2, ..., 2S_9, the width of which increase in one direction.例文帳に追加
第2アライメントマーク2は、幅が一方向に増大する間隙2S_1,2S_2,…,2S_9を含むスペースパターン2Sを有している。 - 特許庁
To realize high accuracy of alignment by surely operating pattern detection in a semiconductor wafer to which a photoresist film is applied.例文帳に追加
フォトレジスト膜を塗布した半導体ウエハにおけるパターン検出を確実に行い、アライメントの高精度化を実現する。 - 特許庁
To provide a belt driving system for a photoconductor drum effectively suppressing the occurrence of a stripe pattern and an error in alignment.例文帳に追加
縞模様発生および位置合わせ誤差を効果的に減らす光伝導体ドラムのベルト駆動システムを提供する。 - 特許庁
When the substrate W2 is exposed in the mask pattern, the substrate W2 is positioned by using the alignment information obtained, while the substrate W1 is exposed.例文帳に追加
露光中に得られたアライメント情報を使用して、基板にマスクパターンを露光するときの位置決めを行なう。 - 特許庁
The alignment mark structure has a scribe line of wafer or an alignment mark 102 formed in the region of a nonconstitutional part, and a protective dummy pattern 114 for protecting it against CMP.例文帳に追加
アライメントマーク構造は、ウェハのスクライブ線又は非構成部品領域に形成されるアライメントマークと、このアライメントマークの周辺に位置し、これをCMPから保護する保護ダミーパターンとを有する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|