「alignment pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a lenticular lens sheet by which the boundary of a light shielding pattern is prevented from getting irregular in a method for forming a light shielding pattern layer in a self-alignment system.例文帳に追加

セルフアライメント方式の遮光パターン層の形成方法において、遮光パターンの境界がムラになるのを防止できるレンチキュラーレンズシートの製造方法等を提供すること。 - 特許庁

A brazing-material pattern 13, which is used as an alignment pattern with the optical element 2 and whose width is narrower than the width of an electrode 12 for bonding, is formed on the surface of the electrode 12 at a submount substrate 11.例文帳に追加

サブマウント基体１１の接合用電極１２上面に、光素子２の位置合わせパターンとして使用される、接合用電極１２幅より狭幅のロウ材パターン１３を設ける。 - 特許庁

To prevent picture quality deterioration due to a bright defect caused by disordered alignment of liquid crystal molecules in the vicinity of a protruding pattern resulting from surface energy interaction between the surface of the protruding pattern and the liquid crystal molecules.例文帳に追加

突起パターン近傍の液晶分子が、突起パターン表面と液晶分子との表面エネルギーの作用により配向が乱れ、光抜けをおこすことによる、画質劣化を防止する。 - 特許庁

Plural cells are set on a pattern base plate, and a thin film bearing member 3 where plural pattern thin films and alignment marks are formed is set on a x-y-0 stage 4 in each cell.例文帳に追加

パターン基板上に複数のセルを設定し、各セル内に複数のパターン薄膜、および位置合わせマークを形成した薄膜担持体３をｘ−ｙ−θステージ４上にセットする。 - 特許庁

When the pattern matching is completed successfully; the global alignment is conducted in order to obtain amount of deviation and amount of rotation, by utilizing coordinates of the position at which the pattern is found and the coordinates designated from the CAD data.例文帳に追加

パターンマッチングが成功すれば、パターンが見つかった位置の座標と、CADデータから指定された座標を使用してグローバルアライメントを行い、ずれ量と回転量を求める。 - 特許庁

In a step 512, a pattern is transferred to respective wafers in a lot, and prior to the transfer, alignment marks formed on the wafers through precedent exposure together with the pattern are detected (step 506).例文帳に追加

ステップ５１２でロット内のウエハのそれぞれにパターンが転写されるが、その転写に先だって、そのウエハに先の露光でパターンとともに形成されたアライメントマークが検出される（ステップ５０６）。 - 特許庁

To provide an exposure device which is capable of detecting positions of a plurality of pattern forming regions set up on the surface of a substrate, carrying out an alignment process with high accuracy, and performing an exposure process accurately for the pattern forming regions.例文帳に追加

基板上に設定された複数のパターン形成領域の位置検出及びアライメント処理を精度良く行って精度良い露光処理ができる露光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method which allows pattern formation without developing process, is improved with respect to the problem due to rubbing process and the like, and is most suitable for a liquid crystal alignment film or the like.例文帳に追加

現像処理を行うことなくパターン形成ができ、また、ラビング処理等による問題も改善され、液晶配向膜等に最適なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The ink jet printer 10 performs printing of a pattern twice, reads out the pattern of print results by means of an alignment sensor and calculates an average print interval, and then records the results in an NVRAM.例文帳に追加

インクジェットプリンタ１０は２回のパターン印字を行ない、その印字結果のパターンをアライメントセンサで読取って平均印字間隔を計算し、その結果をＮＶＲＡＭに記録する。 - 特許庁

In this method for forming a resist pattern, after a positive resist is applied on a substrate 1, a first alignment is performed, thereby obtaining a resist pattern 2a which is patterned in a manner such that lines are arrayed at equal width and intervals.例文帳に追加

基板１の上にポジ型レジストが塗布された後に、第１の露光が行われることにより、等幅かつ等間隔で配列する線列にパターニングされたレジストパターン２ａが得られる。 - 特許庁

To detect an alignment mark from a second surface side, even if a semiconductor substrate becomes thicker than 800 nm, when exposing a pattern on a second surface in accordance with a circuit pattern of a first surface.例文帳に追加

第１面の回路パターンに合わせて第２面にパターンを露光する場合半導体基板が８００ｎｍより厚くなっても第２面側からアライメントマークを検出できるようにする。 - 特許庁

In the alignment processing method for radiating optical energy to an alignment film formed on a substrate through a photomask to provide alignment characteristics on a surface of the alignment film, the photomask is relatively moved along a linear pattern formed on the substrate, and a deviation is detected by a positional relation between the linear pattern and a reference pattern formed on the photomask, and the photomask is moved in a direction orthogonal to a movement direction of the substrate to correct the deviation.例文帳に追加

基板上に形成した配向膜に、フォトマスクを介して光エネルギを照射して前記配向膜表面に配向特性を与える配向処理方法であって、前記フォトマスクを、前記基板に形成された線状パターンに沿って相対的に移動させると共に、前記線状パターンと、前記フォトマスクに形成された基準パターンとの位置関係からズレ量を検出し、前記フォトマスクを、前記基板の移動方向と直交する方向に移動させてズレ量を補正させる。 - 特許庁

In the proximity of the outside of an outer periphery edge of a display region 12a having a pixel pattern formed in a grid shape, a dummy pattern 11a having the same structure as that of the pixel pattern formed in the grid shape is formed as alignment marks.例文帳に追加

絵素のパターンが格子状の形成される表示領域１２ａの外周の辺の外側の直近に、格子状に形成される絵素のパターンと同じ構造を有するダミーパターン１１ａをアライメントマークとして形成する。 - 特許庁

To provide a pattern sewing machine which forms disruptive lines, which have a predetermined width in alignment with the sewing line of a pattern design, in a template negative plate such as pasteboard and can simply, quickly, and inexpensively create a template at time of sewing a pattern seam.例文帳に追加

厚紙等のテンプレート原板にパターン模様の縫製ラインに沿った所定幅を有する分断ラインを形成し、パターン縫目を縫製する際のテンプレートを簡単且つ迅速に、しかも安価に作成できるようにすることである。 - 特許庁

An x-y-θ stage 9 is moved to implement the alignment so that the opposing substrate 62 faces the thin films 30 on the pattern substrate 31.例文帳に追加

ｘ−ｙ−θステージ９を移動させて、対向基板６２とパターン基板３１の薄膜３０が対向するように位置合わせする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the substrate, initially, a pattern is formed on a front surface of the main substrate 1 and an alignment mark 7 is formed.例文帳に追加

本発明の基板の製造方法は、まず、本体基板１の表面側にパターンを形成すると共に、アライメントマーク７を形成する。 - 特許庁

The alignment camera corrected with a reference pattern of a reference scale is used to image 1st to 3rd marks formed on a member for correction.例文帳に追加

基準スケールの基準パターンにて校正されたアライメントカメラで校正用部材に形成された第１〜第３のマークを撮像する。 - 特許庁

The initial deviation amount measurement mark M2 is preferred to be composed of a basic mark M21 constituting a slide caliper pattern and an alignment mark M22.例文帳に追加

初期位置ずれ量測定マークＭ２は、好適にはノギスパターンを構成する基本マークＭ２１及びアライメントマークＭ２２で構成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine pattern with high accuracy and high alignment accuracy in a fewer number of processes.例文帳に追加

本発明は、工程数が少なく、高精度かつ高アライメント精度で微細パターンを形成できる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then with the alignment pattern (106, 107) used as an etching mask, a base material member is etched to form micro steps (H1, H2).例文帳に追加

次に、アライメントパターン（１０６，１０７）をエッチングマスクとして用いて、下地部材をエッチングして微小な段差（Ｈ１，Ｈ２）を形成する。 - 特許庁

To provide a technique that improves accuracy of alignment for an object having a repetition pattern and a similar line segment.例文帳に追加

繰り返しパターンや類似した線分を有する物体に対する位置合わせの精度を向上させる為の技術を提供すること。 - 特許庁

To obtain an excellent image composition result by improving matching degree among a plurality of images and improving pattern alignment accuracy.例文帳に追加

複数画像間の絵柄の一致度を高め、かつ絵柄の位置合わせ精度を高める工夫によって、良好な画像合成結果を得る。 - 特許庁

A behavior evaluation part 33 evaluates a difference between events included in the event data series and the standard pattern series in the optimal alignment.例文帳に追加

行動評価部３３は、最適アラインメントにおけるイベントデータ系列と基準パターン系列に含まれるイベント間の相違を評価する。 - 特許庁

The ceramic base 102 has the pattern of contact pads 106 and 108 connected with the IC and a plurality of alignment blade 800 on the bottom.例文帳に追加

セラミックベース１０２は底面に、ＩＣと接続する接触パッド１０６、１０８のパターンと、複数のアライメントブレット８００とを有する。 - 特許庁

The degree of the light control function of the optical film changes within a plane of the optical film corresponding to an alignment pattern of the plurality of light emitters.例文帳に追加

光学フィルムの光制御機能の強さは、複数の発光体の配列パターンに応じて、当該光学フィルムの面内で変化する。 - 特許庁

To eliminate occurrence of display unevenness by preventing a projecting and recessing part remaining on an alignment layer of a liquid crystal display device and a pixel pattern from interfering with each other.例文帳に追加

液晶表示装置の配向膜に残存する凹凸と画素パターンとが干渉するのを防止し、表示ムラの発生を無くす。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color filter substrate by which patterning processes such as pattern exposure and development are performed to form alignment controlling protrusions by using an exposure mask having a pattern exposure region where transmittance is changed stepwise in an alignment controlling protrusion forming step for forming the alignment controlling protrusions by performing the patterning processes such as pattern exposure and development to a transparent photosensitive resin layer.例文帳に追加

透明感光性樹脂層をパターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成する配向制御突起形成工程において、段階的に透過率が変化するパターン露光領域を有する露光マスクを用いて、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A photoresist 8 is patterned so as to cover a prescribed pattern, other than the alignment marks 40 and to expose the marks 40.例文帳に追加

アライメントマーク４０以外の所定のパターンを被覆し、かつアライメントマーク４０は露出させるように、フォトレジスト８のパターンを形成する。 - 特許庁

To enhance a judging precision of an adjustment test pattern in adjustment of a tilting amount or alignment of an ink delivering section in a printing apparatus.例文帳に追加

印刷装置におけるインク吐出部の傾き量又はアライメントの調整において、調整用テストパターンの判定精度を高める。 - 特許庁

The pad nitride film pattern is used as a mask for etching the semiconductor substrate to a specified depth, thereby forming a trench for an alignment mark.例文帳に追加

このパッド窒化膜パターンをマスクとして半導体基板を所定の深さでエッチングすることにより整列マーク用トレンチが形成される。 - 特許庁

This makes it easy to debug server code for stipples and tiles...if the pattern looks ugly, you've got alignment problems. -repeatn例文帳に追加

このオプションを使うと、パターンの表示がおかしく、位置合わせの問題があるときにサーバのスティプルやタイル等のコードのデバッグが容易になる。 - XFree86

The iris pattern in an image is viewed from time to time at the time of alignment for the measurement with the iris pattern of each previously registered subject when the eyelids are sufficiently opened as a reference image, and the state of opening of the eyelids is determined based on the degree of matching of the iris pattern with the iris pattern in the reference image.例文帳に追加

あらかじめ、登録された個々の被検者の十分に開瞼された状態での虹彩パターンを参照画像とし、計測でのアライメント時に、画像中の虹彩パターンを随時視認し、参照画像中の虹彩パターンとの合致度合いから、開瞼状態を判断する。 - 特許庁

To obtain an alignment mark used for alignment of a mask pattern in a semiconductor device manufacturing process, in which high diffraction efficiency and alignment of high accuracy can be obtained, even if a conductive film is as thick as a gate electrode film whose thickness is determined by the process conditions of a MOS semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるマスクパターンの位置合わせに使用するアライメントマークにおいて、ＭＯＳ半導体装置のプロセス条件より決定されるゲート電極膜と同一の導電膜の膜厚でも、高い回折効率を得、高精度のアライメントを可能にする。 - 特許庁

When press-fitting the mold 3 to a transfer object substrate 1, position coordinates of an alignment mark 8 arranged on the mold 3, are measured by an alignment mark detector 12, and a strain quantity of a transfer pattern area on the mold 3 is calculated by performing a recursive analysis from a displacement quantity of the alignment mark 8 in press-fitting.例文帳に追加

被転写基板１にモールド３を圧着させる際に、モールド３上に設けたアラインメントマーク８の位置座標をアラインメントマーク検出器１２により測定し、圧着時のアラインメントマーク８変位量から回帰解析を行いモールド３上の転写パターン領域の歪み量を算出する。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus for a large substrate to align a large coating substrate by use of an alignment pin to perform pattern exposure, wherein a local suction unit is disposed for each alignment pin to suck scattered dust (foreign matter) produced on aligning the substrate with the alignment pin.例文帳に追加

アライメントピンを用いて大型塗布基板を位置決めしてパターン露光する大型基板露光装置において、アライメントピン毎に局部吸引ユニットを設けて、アライメントピンで位置決めする際に発生する飛散塵埃（異物）を吸引するようにした大型基板露光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

An alignment mark 86 in a mask to be photographed by an alignment camera 36 is disposed outside an effective exposure area of the mask, while an alignment mark in a substrate includes a pixel Pw of a black matrix BM disposed outside an area, where a pattern of the mask M is to be transferred by exposure.例文帳に追加

アライメントカメラ３６によって撮像される、マスク側アライメントマーク８６はマスクの有効露光エリアの外側に設けられており、基板側アライメントマークは、マスクＭのパターンが露光転写される領域の外側に設けられたブラックマトリクスＢＭのピクセルＰｗを含む。 - 特許庁

In the liquid crystal display device 1 in which the alignment films 40, 40a are formed by the alignment film printing system which is noncontact with respect to the substrate 11, wetting and spreading of an alignment material are controlled to permit formation of the alignment films 40, 40a having uniform thickness by providing a printing control pattern 60 between a seal member 50 and a display area.例文帳に追加

基板１１に対して非接触な配向膜印刷方式により配向膜４０、４０ａを形成した液晶表示装置１において、シール材５０と表示領域の間に印刷制御パターン６０を設けることにより、配向材の濡れ広がりを制御し膜厚を均一にできる配向膜４０、４０ａを形成する。 - 特許庁

A photomask 101 is provided with a main pattern part 101A for forming a main pattern on a resist film, and an alignment mark part 101B for forming the alignment accuracy measuring mark with a cross section not passing through the resist film when the resist film is developed on the resist film.例文帳に追加

フォトマスク１０１は、レジスト膜にメインパターンを形成するためのメインパターン部１０１Ａと、レジスト膜に、該レジスト膜が現像されたときに該レジスト膜を貫通しない断面形状を有するアライメント精度計測マークを形成するためのアライメントマーク部１０１Ｂとを備えている。 - 特許庁

An alignment mark 13 as a positional reference for trimming is provided in a resistive body 11, having a resistive pattern which can be trimmed, and an alignment mark 14 serving both as a laser passing confirming mark which does not affect the electrical characteristics is provided in a margin near parts 12a, 12b which can trim the resistive pattern, respectively.例文帳に追加

トリミング可能な抵抗パターンを有する抵抗体１１にそれぞれトリミングするための位置基準となるアライメントマーク１３および、抵抗パターンのトリミング可能な部分１２ａ、１２ｂの近傍余白に、電気特性上影響のないレーザー通過確認マークを兼ねるアライメントマーク１４を設ける。 - 特許庁

When a pattern formed on a specimen is tested by using a scanned electron microscope, and optically aligning the specimen put on a specific position of the scanned electron microscope, light used for alignment is obliquely cast on the specimen and alignment is performed by using the obtained image information of the pattern.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡を用いて試料に形成されたパターンを検査において、試料を走査型電子顕微鏡の所定の位置に載置する光学的なアライメントを行う際に、アライメントに用いる光を試料に斜めから照射して、これにより得られたパターンの画像情報を用いて行う。 - 特許庁

The second gate electrode 39 is formed by accumulating an electrode material on the first gate electrode 38 and polishing the electrode material with the cover pattern 47 as a stopper film, and patterned in highly accurate alignment with reference to the alignment mark 45 kept in an easy-to-observe condition by the cover pattern 47.例文帳に追加

第２ゲート電極３９は、第１ゲート電極３８等の上に電極材料を堆積し、カバーパターン４７等をストッパ膜として電極材料を研磨し、カバーパターン４７によって観察し易い状態に保たれたアライメントマーク４５を参照して高精度に位置合わせされてパターニングされる。 - 特許庁

In the method for forming a pattern, a process of preliminarily forming an alignment marker is included in the process of forming a first thick film, and then the alignment marker is referred to, in the process of exposing a second thick film.例文帳に追加

第１厚膜形成工程において、あらかじめアライメントマーカーを形成する工程を有し、第２厚膜の露光工程において、前記アライメントマーカーを参照することを特徴とするパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a step that is required for a mask alignment is secured in one pattern process, and the step serves as an alignment mark even after the step is substituted to a high temperature diffusion process.例文帳に追加

１回のパターン工程で、マスクアライメントに必要な段差を確保し、該段差が高温の熱拡散工程を経た後にもアライメントマークとして機能する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a mask and an exposure method capable of aligning unit exposure regions of the mask according to a die-by-die alignment scheme in all regions of an exposed body and realizing high precision alignment and pattern transfer.例文帳に追加

被露光体の全ての領域に、マスクの単位露光領域をダイバイダイアライメント方式でアライメントすることができ、高精度なアライメントおよびパターン転写を実現することができるマスクおよび露光方法を提供する。 - 特許庁

An offset between alignment marks and an alignment pattern transferred to a photosensitive resist is measured in advance with respect to some 10 to 20 wafers to obtain a correlation between the thickness of an interlayer insulating film and a wafer scaling value.例文帳に追加

予め、１０乃至２０枚程度のウェハについて、アライメントマークと感光性レジストに転写されたアライメントパターンとの位置ずれ量を測定し、層間絶縁膜の厚さとウェハスケーリングの値との相関関係を求めておく。 - 特許庁