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alignment patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 811件
After an epitaxial growth process is carried out, line widths Dx and Dy become nearly equal to each other or approximate Dx=Dy, and the sensitivity difference becomes small when the pattern is detected, so that alignment operation can be improved in alignment accuracy.例文帳に追加
エピタキシャル成長後の線幅は、(b)に示すように、DX=DYに近くなり、パターン検出の際の感度の違いが小さくなり、位置合せの精度を向上させることができる。 - 特許庁
Also an L shaped bank pattern 32 of which the height is higher than that of the alignment mark 31 is arranged on a position separated toward the upstream side of a rubbing direction 100 when seen from the alignment mark 31.例文帳に追加
また、アライメントマーク31から見てラビング方向100の上流側に離隔した位置に、L字形状でありその高さがアライメントマーク31よりも高い土手パターン32を設ける。 - 特許庁
An alignment pattern of the barrier rib layers 340 with attention paid to a certain column in the matrix alignment, is to be different from that of the barrier ribs 340 with attention paid to another column.例文帳に追加
そして、前記マトリクス状の配列における、ある列に着目した隔壁層340の配列パターンは、他の列に着目した隔壁層340の配列パターンとは異なる。 - 特許庁
A control system plays roles to perform an initial alignment of these detectors on the alignment mark pattern on the substrate and to dynamically align the frame and substrate during a lithograph process.例文帳に追加
制御システムは、基板上の位置合わせマーク・パターンの上でこれらの検出器の初期位置決めを行うことと、リソグラフィ工程中にフレームと基板を動的に位置合わせする役割を担う。 - 特許庁
The pattern drawing device 1 picks up images of not only alignment marks formed on four corners of a substrate 9 but a plurality of alignment marks formed in each exposure region and extracts coordinates of the marks.例文帳に追加
パターン描画装置1は、基板9の四隅に形成されたアライメントマークだけではなく、露光領域ごとに形成された複数のアライメントマークを撮像し、その座標を抽出する。 - 特許庁
In the method of operating the boxing apparatus 100, an operation pattern of an alignment conveyor 2 is divided depending on a treating capacity of an article on the alignment conveyor 2 in delivering the article 1.例文帳に追加
箱詰め装置100の運転方法は、整列コンベア2の運転パターンが、物品1の受け渡しにおける整列コンベア2での物品の処理能力に応じて区分けされている。 - 特許庁
Further, the exposed release layer 22 is removed and after the alignment layer 26 is etched with the mask metal pattern 24 as a mask, the mask metal pattern 24 is removed.例文帳に追加
さらに、露出した剥離層22を除去すると共に、マスク金属パターン24をマスクにして配向膜26をエッチングした後に、マスク金属パターン24を除去する。 - 特許庁
The alignment mark 1 has a main pattern 1m being used for detecting a position, and a plurality of subpatterns 1s provided around the main pattern 1m in proximity thereto.例文帳に追加
本発明のアライメントマーク1は、位置検出に使用されるメインパターン1mと、メインパターン1mの周囲に近接して設けられた複数のサブパターン1sを備える。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an original plate for pattern alignment layers for stereoscopic display for highly accurately, easily, and massively manufacturing pattern retardation films for stereoscopic display devices.例文帳に追加
3次元表示装置用パターン位相差フィルムを高精度で容易かつ大量に製造するための3次元表示用パターン配向膜用原版の製造方法を提供する。 - 特許庁
To precisely align a relative position between an object to be transferred with a mark or pattern and a stamper without forming any alignment marks on the object to be transferred with a mark or pattern in an imprinting method and apparatus.例文帳に追加
インプリント方法及び装置において、被転写体にアライメントパターンを設けることなく、被転写体とスタンパとの相対位置を高精度に合わせることを可能にする。 - 特許庁
Deposition of nickel on a diffraction grating pattern produces magnetic needles along the grating pattern that allow magnetic alignment of the resulting diffractive pigment flakes.例文帳に追加
特定の実施形態では、回折格子パターン上にニッケルを堆積すると、格子パターンに沿った磁針を生じ、得られる回折顔料フレークを磁気的に整列させることができる。 - 特許庁
When the generated recipe is executed first with the pattern inspection apparatus, pattern matching is conducted using the matching patterns in the priority sequence after movement to the global alignment point (801 to 803).例文帳に追加
作成したレシピを最初にパターン検査装置で実行する際、グローバルアライメント点へ移動した後、優先度順にマッチング用パターンを使用してパターンマッチングを行う(801〜803)。 - 特許庁
An auxiliary film is formed on a side wall of the pattern and etched to form a second etching mask pattern 121a between first etching mask patterns in an automatic alignment manner.例文帳に追加
このパターンの側壁に補助膜を形成し、これをエッチングすることにより、第1のエッチングマスクパターン間に第2のエッチングマスクパターン121aを自動整列方式で形成する。 - 特許庁
An annular light shielding pattern P1, which is a circular light shielding pattern having a diameter of ≤12 μm and has a light transmissive part TO at the center part of the circular light shielding pattern, is formed in a light transmissive area of a photomask as a light shielding pattern for forming the projections for controlling alignment.例文帳に追加
配向制御用突起を形成する遮光パターンとして、フォトマスクの光透過領域中に、径の寸法が12μm以下の円形の遮光パターンで、その中心部に光透過部T0を有する環状遮光パターンP1を形成した。 - 特許庁
A pattern inspection device is provided with: an optical image acquiring unit to acquire the optical image of the pattern of an inspection sample; an alignment processing unit to carry out an alignment process including correction processing of the optical image by a reference image; and a comparing unit to compare optical images different from each other subjected to the alignment process.例文帳に追加
被検査試料のパターンの光学画像を取得する光学画像取得部と、光学画像を参照画像により補正処理を含むアライメント処理するアライメント処理部と、アライメント処理部で処理された異なった光学画像同士を比較処理する比較処理部と、を備える、パターン検査装置。 - 特許庁
A belt-like work W is carried and moved, the work mark on the belt-like work W is detected by the alignment microscopes of two alignment units AU, the alignment of the mask M and the work W is performed, and a mask pattern is exposed on the work W.例文帳に追加
帯状ワークWを搬送移動して、帯状ワーク上のワークマークWAMを、2台のアライメントユニットAUのアライメント顕微鏡により検出しマスクMとワークWの位置合わせを行ってマスクパターンをワークW上に露光する。 - 特許庁
The micromirror array comprises a substrate 20, at least one alignment pattern 20a formed on one surface of the substrate 20, and a micromirror 30 seated in the alignment pattern 20a and having a first surface 31a and a second surface 31b.例文帳に追加
基板20と、基板20の一面に形成された少なくとも一つ以上の整列パターン20aと、整列パターン20a内に整列されるように固定され、第1面31aと第2面31bを有するマイクロミラー30と、を備えるマイクロミラーアレイである。 - 特許庁
When the phase shifter pattern is formed by patterning a transparent film 4a, the formation and alignment of the phase shifter pattern with respect to a metallic layer 3 for forming the light shielding film of a mask substrate 2 are executed by using alignment mark patterns disposed at the metallic layer 3.例文帳に追加
透明膜4aをパターニングして位相シフタパターンを形成する際に、マスク基板2の遮光膜形成用の金属層3に設けられた位置合わせマークパターンを用いて、金属層3に対する位相シフタパターンの形成位置合わせを行う。 - 特許庁
To provide a method for forming a resist pattern such that the accuracy of a photomask or alignment accuracy do not influence the position accuracy of the resist pattern to be formed, and to provide a method for manufacturing a color filter by using the above method for forming the resist pattern.例文帳に追加
フォトマスクの精度やアライメント精度が、形成されるレジストパターンの位置精度に影響しないレジストパターンの形成方法、およびそのレジストパターンの形成方法を用いたカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁
In a process of forming a photosensitive resin pattern on a substrate, a portion except for a pattern forming portion is first exposed and developed to obtain an alignment mark, and then the pattern portion is exposed and developed.例文帳に追加
基板上に感光性樹脂のパターンを形成する工程において、パターン形成部以外の部分を露光し、現像したアライメントマークが存在た後で、パターン部に対し露光、現像を行なうことにより解決した。 - 特許庁
To provide a mask pattern imaging apparatus capable of continuously carrying out alignment between a substrate and a mask on a substrate plane and alignment of a mask mark and an image plane position on the basis of light diffraction by an alignment mark provided on the substrate and an alignment mark provided on the mask arranged to be separated from the substrate.例文帳に追加
基板上に設けたアライメントマークと上記基板から離間して配置したマスク上に設けたアライメントマークによる光回折に基き、基板平面における基板とマスク間の位置合わせと、上記マスクマークの像面位置合わせとを連続的に履行可能とする、マスクパターン画像形成装置を提供すること。 - 特許庁
To provide an alignment mark, a forming method of the alignment mark and the detecting method of the alignment mark by accurately detecting the edge part of the alignment mark by suppressing the asymmetry of the intensity distribution of a reflected signal caused by the difference of the thickness of a metal film formed on the side wall surface of a mark pattern.例文帳に追加
マークパターンの側壁面に形成される金属薄膜の膜厚の差に起因する、反射信号の強度分布の非対称性を抑制して、アライメントマークのエッジ部を精度良く検出することができるアライメントマーク及びアライメントマークの形成方法並びにアライメントマークの検出方法を提供する。 - 特許庁
In a series of sequential aligning operation (alignment sequence) for forming a pattern on a sensitive substrate, replacing time of a wafer, moving time of a stage between alignment of respective chips, and wafer alignment time using an off-axis alignment sensor are an allowable carrying system operation time for opening/closing a gate valve, operating a robot, and the like.例文帳に追加
感応基板上にパターンを形成するための、順序づけられた一連の露光動作(露光シーケンス)において、ウェハの交換時間、各チップの露光の間のステージ移動時間、及び、オフアクシスアライメントセンサを使用したウェハアライメント時間を搬送系動作許可時間とし、ゲートバルブの開閉やロボット動作等の搬送系を作動させる。 - 特許庁
An alignment layer 1 is provided on a transparent substrate 5 on which a transparent electrode 4 is formed, an optical mask 6 wherein a light transmission part and a light shielding part with respect to UV are disposed in a prescribed pattern is covered on the alignment layer and the alignment layer is irradiated with UV 7 to remove the alignment layer 1 positioned in a region corresponding to the UV light transmission part ((a) of Fig.).例文帳に追加
透明電極4が形成された透明基板5上に、配向膜1を設け、その上に、紫外線に対する透光部と遮光部が所定のパターンで配されてなる光学マスク6を被せ、紫外線7を照射し、紫外線透光部に対応する領域に位置する配向膜1を除去する(図1(a))。 - 特許庁
Referring to design information, a coordinate expected to have the same pattern as a corresponding coordinate and an alignment coordinate are selected.例文帳に追加
設計情報を参照して該当座標と同一のパターンが期待できる座標と位置合わせ用の座標を選定する。 - 特許庁
To provide a self-alignment technique capable of forming a fine pattern regardless of the overlay error between first and second exposure masks.例文帳に追加
第1の露光マスクと第2の露光マスクのオーバーレイ誤差によらず、微細なパターンを形成できる自己整合技術を提供する。 - 特許庁
The alignment pattern 11 has a shape whose length W1 in the first direction is longer than the length L1 in the second direction.例文帳に追加
位置合わせパターン11は、第1方向の長さW1が第2方向の長さL1に比べて長い形状をしている。 - 特許庁
To register a template image to be used for an alignment in an optimum method to reduce a time required for error and evaluation in pattern matching.例文帳に追加
アライメンに使用するテンプレート画像を最適な方法で登録し、パターンマッチングのエラー、及び評価に要する時間を低減する。 - 特許庁
To provide a method capable of aligning a repeated pattern even without setting a marker point for alignment in a laser beam machining device.例文帳に追加
レーザ加工装置において、アライメント用のマーカー点を設定せずとも繰り返しパターンをアライメントできる方法を提供する。 - 特許庁
To correctly detect the pattern position of a work alignment mark (work mark) which can be seen in various manners by edge detection.例文帳に追加
エッジ検出により、見え方が多種多様なワーク・アライメントマーク(ワークマーク)のパターンの位置を、正しく検出できるようにすること。 - 特許庁
To provide a patterning method in which alignment between layers is performed precisely when a pattern is formed using imprint lithography.例文帳に追加
インプリントリソグラフィを用いてパターン形成する際のレイヤ間の位置合わせを精度良く行なうパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
The center position AMO of the alignment pattern AP is identified from the positions of the four centers to acquire a parallel displacement amount of the substrate.例文帳に追加
4つの中心の位置からアライメントパターンAPの中心位置AMOを特定し、基板の平行ずれ量を取得する。 - 特許庁
The recognized pattern related to the NEXT/FEXT frame boundary considers the FEXT frame alignment.例文帳に追加
NEXT/FEXTフレーム境界と関連した識別されたパターンは、NEXT/FEXTフレーム整列を考慮する。 - 特許庁
To provide an exposure drawing device wherein an alignment mark required to draw a circuit pattern is formed on a second surface of a substrate.例文帳に追加
回路パターンの描画に必要なアライメントマークを基板の第2面に形成するようにする露光描画装置を提供する。 - 特許庁
The alignment mark 31 and the lower layer 32BM of the bank pattern 32 are formed with the same material and in the same step as those of a black matrix.例文帳に追加
アライメントマーク31及び土手パターン32の下層32BMはブラックマトリクスと同じ材料により同じ工程で形成する。 - 特許庁
Alignment marks AM1 to AM4 including a cross pattern and a plurality of concentric circular patterns are formed on an upper surface of the substrate 9.例文帳に追加
基板9の上面に、十字パターンと複数の同心円パターンとを含むアライメントマークAM1〜AM4が形成されている。 - 特許庁
In a step for dividing the aggregate 22 into elements, the alignment pattern 14a is positioned and the aggregate 22 is cut.例文帳に追加
集合体22をエレメント素子に分割する工程では、アライメントパターン14aを位置決めとして集合体22を切断する。 - 特許庁
At a surface layer portion of the semiconductor layer 2, a first annular pattern 8 is formed which surrounds respective alignment patterns 7A and 7B.例文帳に追加
半導体層2の表層部には、各アライメントパターン7A,7Bを取り囲む第1環状パターン8が形成されている。 - 特許庁
An alignment pattern AP formed on a substrate mounted on a stage is imaged by a camera to acquire picked up image data.例文帳に追加
ステージ上に載置された基板上に形成されたアライメントパターンAPをカメラにより撮像して撮像画像データを取得する。 - 特許庁
In this case, a metal pattern 30 will not be formed in an area 31a which is within 75 μm from the center of the fine adjustment alignment target 31.例文帳に追加
微調アライメントターゲット31の中心から75μm以内のエリア31a内には、メタルパターン30を形成しない。 - 特許庁
To form an alignment mark capable of improving superposition accuracy, and of reducing an exposure and superposition measurement processing time when a new pattern is formed by superposing a new pattern on a pattern formed by a double pattern to be exposed to light.例文帳に追加
ダブルパターンで形成されたパターンに新たなパターンを重ね合わせて露光して、新たなパターンを形成する際、重ね合わせ精度を向上させると共に、露光及び重ね合わせ計測処理時間を短縮することができるアライメントマークを形成できるようにする。 - 特許庁
To provide a method of forming thin film pattern by which a thin film pattern can be formed by a droplet discharging method by which a higher-quality thin film pattern can be formed by accurately forming alignment marks, and to provide a mask used for the method and an electrooptic device and electronic equipment formed with the high-quality thin film pattern.例文帳に追加
液滴吐出法によって薄膜パターンを形成する方法において、アライメントマークを精度よく形成することによって、より高品質な薄膜パターンを形成することができる薄膜パターンの形成方法及びそれに使用するマスクを提供する。 - 特許庁
After an alignment information 610 of a semiconductor chip having an alignment pattern is scanned and stored (620), the semiconductor chip in which a bump formation surface is coated with a curable under fill coating is generated.例文帳に追加
位置合わせパターンを有する半導体チップの位置合わせ情報610をスキャンし記憶620した後、硬化可能アンダーフィル・コーティングがバンプ形成面にコーティングされた半導体チップを生成する。 - 特許庁
The resist 2 is then photo-sensed through the mask 5 with an alignment mark pattern 5a formed (g), and the resist 2 is developed, then, the resist 2 on a part 2a corresponding to the alignment mark is removed (h).例文帳に追加
そして、アライメントマークのパターン5aが形成されたマスク5を通してレジスト2を感光させ(g)、レジスト2を現像することにより、アライメントマークに対応する部分2aのレジスト2を除去する(h)。 - 特許庁
When the alignment printing is performed after replacing an ink cartridge by the user (S1), a longitudinal line is printed on the paper in its fore and aft direction of the paper together with a print pattern for alignment regulation (S2).例文帳に追加
ユーザによるインクカートリッジの交換(S1)後、アライメント印刷が実行されるとき、用紙にはアライメント調整のための印刷パターンと共に用紙の前後方向に沿って縦線が印刷される(S2)。 - 特許庁
The interval of the pattern of the alignment mark 15A is devised, thus inhibiting abnormal growth for obtaining a film growth layer with a flat surface even if the crystal is grown on the alignment mark 15A.例文帳に追加
アライメントマーク15Aのパターンの間隔を工夫したので、アライメントマーク15Aの上に結晶を成長させても、異常成長が抑制されて平坦な表面の被覆成長層を得ることができる。 - 特許庁
A mask alignment mark of a reflector mask is formed on the opposite side from a circuit pattern-formed side of the mask, and an alignment detection system is installed on the opposite side of the illumination optical system and the projection optical system with respect to the mask.例文帳に追加
反射型マスクのマスクアライメントマークを回路パターン面の反対面側に形成し、アライメント検出系をマスクに対して照明光学系、投影光学系の反対側に設置する。 - 特許庁
The second wiring pattern 22 is formed so that orthographic projection 122 to the first face 11 can be overlapped with the alignment mark 14 interposed between a pair of parts 13 and 15 of the alignment mark 14.例文帳に追加
第2の配線パターン22は、第1の面11への正射影122が、アライメントマーク14の一対の部分13,15に挟まれる状態でアライメントマーク14とオーバーラップするように形成されている。 - 特許庁
Thus, alignment processing is performed by estimating the coordinates of the intersection even if the intersection itself of the cross pattern is not included in the image data D1 to D4 acquired by the alignment cameras 41 to 44.例文帳に追加
このため、アライメントカメラ41〜44により取得された画像データD1〜D4中に十字パターンの交点自体が含まれていなくても、交点の座標を推定してアライメント処理を行うことができる。 - 特許庁
The alignment mark being used for optical alignment in a charged particle beam aligner is formed of a level-difference pattern divided into a plurality of level-difference patterns.例文帳に追加
荷電粒子線露光装置での光学アライメントに用いられる、段差パターンで形成されるアライメントマークであって、 前記段差パターンは、複数の段差パターンに分割されていることを特徴とするアライメントマークとした。 - 特許庁
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