「ashing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To dispense with a large-scale evacuator, to obtain a big discharge space and to effectively utilize plasma in an ashing device and in an ashing method.例文帳に追加

アッシング装置及びアッシング方法において、大掛かりな真空排気装置を必要としないこと、大きな放電空間を得ること、プラズマを有効利用することを目的とする。 - 特許庁

In an ashing method, an ashing processing is performed on a substrate to be processed W, which has the organic low dielectric film and the resist film formed as the upper layer.例文帳に追加

有機系低誘電体膜とその上層として形成されたレジスト膜とを有する被処理基板Ｗに対してアッシング処理を施すためのアッシング方法である。 - 特許庁

To provide a cleaning composition and method for removing residues such as, for example, remaining photoresist and/or residues resulting from etching and/or ashing.例文帳に追加

フォトレジスト等の残渣、および／又はエッチング／アッシング後の残渣等の残渣が除去できる。 - 特許庁

To improve a plasma ashing method so as to compensate ununiformity of removing speed for a photoresist better.例文帳に追加

ホトレジスト除去速度の不均一性を一層よく補正するようにプラズマ灰化法を改良する。 - 特許庁

To provide an ashing method and an ashing device capable of preventing occurrence of popping, and removing fragments of an altered layer which is scattered when the popping occurs.例文帳に追加

ポッピングの発生を抑制するとともに、ポッピングが発生してしまった場合には飛散した変質層の破片をも除去することができるアッシング方法およびアッシング装置を提供する。 - 特許庁

The resist processing apparatus and a resist processing method are constituted in such a way that processing is implemented by a first process of ashing chiefly taking oxygen ion and a second process of ashing chiefly taking oxygen radical.例文帳に追加

酸素イオンを主体としたアッシングの第一の工程と酸素ラジカルを主体としたアッシングの第二の工程によって処理を行うレジスト処理装置およびレジスト処理方法。 - 特許庁

To provide an ashing method and an ashing device capable of preventing a porous Low-K film exposed on a wafer from the deterioration of film quality and surely removing resist from the wafer.例文帳に追加

ウェーハ上に露出した多孔質Ｌｏｗ−Ｋ膜に対して、膜質の劣化を防ぎ、ウェーハからレジストを確実に除去することのできるアッシング方法及びアッシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resist ashing method and a device, where a resist film that is loaded with a dopant and modified into an ashing retardant film is very efficiently removed by ashing without leaving any residues of the resist film, and corrosion or the like having an adverse effect on the surface of a wafer as an object of processing can be reduced to an irreducible minimum.例文帳に追加

ドーパントの混入により変質し難灰化性となったレジスト膜を残渣を残すことなく高効率に灰化除去することが可能であり、その際に被処理物であるウェハ表面への悪影響となる腐食等を最低限に抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can reduce contamination of metal generated in the ashing process.例文帳に追加

アッシング工程において発生する金属汚染を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method may include an ashing stage (B) of cleaning the surface exposed by the dry etching before the stage (A).例文帳に追加

工程（Ａ）の前にドライエッチングにより露出した面の清浄化を行なうアッシング工程（Ｂ）を設けてもよい。 - 特許庁

The substrate manufacturing method performs primary plasma ashing processing, after a first heating of the substrate, on which a photoresist is formed.例文帳に追加

基板製造方法は、まず、フォトレジストが形成される基板を加熱させた後に、１次プラズマアッシング処理する。 - 特許庁

The cleaning method for the ashing residual uses an aqueous solution containing ammonium carbonate and having pH of >7 and <8.6.例文帳に追加

炭酸アンモニウムを含有し、ｐＨが７以上８．６未満である水溶液を用いるアッシング残渣の洗浄方法。 - 特許庁

To provide a cleaning method which suppresses occurrence of corrosion, without depending on ashing condition of a resist film.例文帳に追加

レジスト膜のアッシング条件に依存せず、かつコロージョンの発生を抑制する洗浄方法が望まれている。 - 特許庁

To provide an ashing device and an ashing method in which oxygen gas in a chamber can be exhausted efficiently and a work to be processed can be irradiated with UV-rays effectively.例文帳に追加

チャンバー内の酸素ガスを効率良く排気できるとともに、処理されるワークに対し、効果的に紫外線を照射することのできるアッシング処理装置およびアッシング処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide ashing apparatus and method for reducing foreign objects that remain on an object to be treated, and to provide a method for manufactur ing a semiconductor device.例文帳に追加

被処理体上に残される異物を低減できるアッシング装置、アッシング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma stripping method, having a high selective ratio and a high processing capacity and a dry ashing process.例文帳に追加

高選択比で、高処理能力を有したプラズマストリッピング処理方法および乾式アッシングプロセスを提供すること。 - 特許庁

To provide an efficient method and apparatus for ashing through a convenient arrangement wherein a stabilized discharge state can be realized under conditions of atmospheric pressure in the ashing step of a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるアッシング工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置でアッシングをすることができる効率的な方法及び装置の提供。 - 特許庁

In the ashing processing method of a semiconductor wafer for making resist on a semiconductor wafer react with reaction gas in plasma for ashing elimination, the mixed gas of O_2, N_2 and H_2O is used as the reaction gas.例文帳に追加

半導体ウェハ上のレジストをプラズマ中で反応ガスと反応させて灰化除去するための半導体ウェハのアッシング処理方法において、上記反応ガスとして、Ｏ_２と、Ｎ_２と、Ｈ_２Ｏとの混合ガスを用いる。 - 特許庁

The method also includes ashing by using a mixture gas 12 containing hydrogen and helium gas at 200-400°C, and removing of the resist pattern 8.例文帳に追加

水素とヘリウムガスとを含む混合ガス１２を用いて、２００℃〜４００℃の温度でアッシングを行い、レジストパターン８を除去する。 - 特許庁

To provide a plasma process device, a temperature control device, and its control method used in ashing for removing a photoresist or residue.例文帳に追加

フォトレジストや残留物を取り去るアッシング処理に用いるプラズマ処理装置、温度制御装置及びその制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing method which minimizes charge-up damage on the substrate surface and facilitates high speed ashing of resist.例文帳に追加

基板表面のチャージアップダメージを抑制し、かつ、より高速度でレジストをアッシングすることが容易となる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

In this method, after the insulation film on the barrier layer is etched, the treatment vessel is cleaned before ashing the resist.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理方法は、バリア層上の絶縁膜をエッチングした後で、レジストのアッシング前に、処理容器内のクリーニングを行う。 - 特許庁

To provide a method for peeling a resist capable of improving the peelability of the resist existing on the surface of a substrate without requiring an ashing process, particularly the method for peeling the resist having the excellent peelability of the ion-implanted resist.例文帳に追加

灰化工程を必要とせず、基板の表面に存在するレジストの剥離性能を向上させることができるレジスト剥離方法を提供すること。 - 特許庁

In a step of ashing a resist mask used for etching the layer having a low dielectric constant included in this method of manufacturing the semiconductor element, the ashing is performed so as to suppress the arrival of oxygen radicals at the surface of the layer having the low dielectric constant.例文帳に追加

半導体素子の製造方法における低誘電率層のエッチングに用いたレジストマスクをアッシングする工程であって、前記低誘電率層表面への酸素ラジカルの到達を抑制するようにアッシングすることを特徴とする。 - 特許庁

As a method for projecting the CNT on the surface, polishing is used here, but dry etching, ashing, or processing using chemicals is applicable.例文帳に追加

ＣＮＴを表面に突出させる方法としては、ここでは研磨を用いたが、その他、ドライエッチングやアッシング、薬液による処理でもかまわない。 - 特許庁

In the method for removing a resist film applied to the surface of a substrate, the resist film is removed from the surface of the substrate by ashing.例文帳に追加

基板表面に塗布されたレジスト膜の除去方法であって、酸素プラズマによるアッシングにより基板表面のレジスト膜の除去を行なう。 - 特許庁

To provide a method for peeling resist by which such a resist not removable completely by dry ashing can be removed surely and efficiently.例文帳に追加

この発明はドライアッシングでは除去しきれないレジストを効率よく確実に除去できるようにしたレジスト剥離方法を提供することにある。 - 特許庁

In the method for ashing an organic resist pattern formed on an interlayer insulation film which is formed on an article being processed, while at least partially including an organic low permittivity film, an mixed gas plasma of oxygen gas and nitrogen gas is used for ashing.例文帳に追加

被処理体上の少なくとも一部に有機低誘電体膜を含む層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜上に形成された有機レジストパターンをアッシングする方法において、酸素ガスと窒素ガスの混合ガスのプラズマを用いてアッシングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing film carrier in which a resist pattern is stably formed using a batch type vacuum laminator for adhesion of dry film and a batch type vacuum ashing device for the ashing process and plating failure and adhesion failure in the mounting process are never generated.例文帳に追加

ドライフィルムの貼り合わせにバッチ式の真空ラミネータ装置、アッシングにバッチ式の真空アッシング装置を用いて、レジストのパターンを安定して形成し、まためっき不良や実装時の密着不良を発生させないフィルムキャリアの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a cleaning method for an ashing residual in which a cleaning property for the ashing residual is improved and not only metal wiring is hardly corroded but also removability from a semiconductor wafer after cleaning is improved even when a porous film is used as an insulating film.例文帳に追加

アッシング残渣の洗浄性に優れ、かつ金属配線の腐食を生じにくいだけでなく、絶縁膜として多孔質膜を用いた場合にも、洗浄後の半導体用基板からの除去性に優れたアッシング残渣の洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a vacuum-treatment method by which ashing treatment can be carried out satisfactorily, even when deposits adhere to a substrate as a result of plasma treatment and the occurrence of residual resists can be prevented.例文帳に追加

エッチング処理で基板に付着物が生じても良好にアッシング処理することができ、残留レジストを防止できる真空処理方法を提供する。 - 特許庁

Further, the heat-treatment method in this invention is not limited to the ashing-treatment in the tail cylinder 1, but also, can be applied to the whole product needing the heat-treatment.例文帳に追加

尚、本発明の熱処理方法は尾筒１における灰化処理だけに限らず、熱処理を必要とする製品全般に適用することができる。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine pattern by which an original reflectance reducing effect can be obtained even if a resist film is subjected to ashing and resist coating is performed again.例文帳に追加

レジスト膜をアッシングして再度レジスト塗布を行っても、当初の反射率低減効果を得ることができる微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a halftone mask for utilizing single photoresist in patterning of a light shielding layer and a semi-light transmitting layer without requiring ashing treatment.例文帳に追加

アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること - 特許庁

To provide a semi-aqueous formulation for removing bulk photoresists, residues after etching, residues after ashing, and impurities and a method of using the same.例文帳に追加

本発明は、バルクのフォトレジスト、エッチング後の残渣、アッシング後の残渣、及び不純物を除去するための半水性の配合物及びその使用方法に関する。 - 特許庁

To obtain a system and a method for ashing, in which the interface between the hardened surface layer and the unhardened inner layer of resist can be detected by implanting ions.例文帳に追加

アッシング装置およびアッシング方法において、イオン注入によってレジストの表面硬化層と内部の非硬化層との界面を検知できるようにする。 - 特許庁

To provide a new, useful method of manufacturing electronic device that prevents Si digging defects due to an ashing process after phosphorus ion implantation.例文帳に追加

燐のイオン注入後のアッシング工程に起因するＳｉ掘られ欠陥の発生を抑制する新規で有用な電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photoresist stripper formulation and a method for removing photoresist, an etching residue or an ashing residue from a semiconductor device surface.例文帳に追加

半導体デバイスの表面からフォトレジスト、エッチング残留物又はアッシング残留物を除去するためのフォトレジスト剥離剤配合物及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rinsing solution used particularly for rinsing a substrate after the treatment of residue on ashing with a removing solution in the treatment of the substrate subjected to ashing after dry etching through a photoresist pattern formed on the substrate as a mask and a method for treating a substrate with the rinsing solution.例文帳に追加

特に、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチング、アッシングが施された基板の処理において、該アッシング後の残渣物を剥離液で処理した後の基板の洗浄（リンス）に用いられるリンス液およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for regeneration of a filter of a coal gasifier which enables complete ashing of char captured with the filter in a safe state by controlling the concentration of oxygen of the ashing gas and the temperature of the filter always at appropriate values and reduction of the time for regeneration of the filter.例文帳に追加

灰化ガスの酸素濃度及びフィルタの温度を常時適正値に制御して、該フィルタに捕獲されたチャーを安全な状態でかつ完全に灰化せしめるとともに、フィルタ再生時間を短縮し得る石炭ガス化装置におけるフィルタの再生方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

This method for peeling the resist left on a substrate 5 after dry etching includes a step of dry ashing the resist left on the substrate 5 and a step of wet-peeling the resist left on the substrate 5 after dry ashing with ozone water excited by ultraviolet rays.例文帳に追加

ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離方法において、上記基板５に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optic device which is capable of efficiently performing an etching process step and an ashing process step, an electro-optic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

エッチング工程およびアッシング工程を効率よく行うことのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device, which suppress film characteristics of a low-dielectric-constant film from deteriorating when resist removal is carried out in an ashing process.例文帳に追加

アッシング処理によりレジスト除去を行う場合に、低誘電率膜の膜特性が劣化することを抑制する半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device without any risk that a gate oxide film is contaminated by a resist and that the gate oxide film is affected by ashing damage.例文帳に追加

ゲート酸化膜がレジストによる汚染を受ける虞がなく、またゲート酸化膜がアッシングダメージの影響を受ける虞もない半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide an ashing method capable of efficiently suppressing the rise of the level of dielectric constant film without increasing a manufacturing cost.例文帳に追加

製造コストの増大を招くことなく、低誘電率膜の誘電率の上昇を効率的に抑制することができるアッシング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁