「ashing method」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a device and a method for manufacturing an information recording disk to effectively prevent production of particles in a PCVD chamber for formation of a carbon film and to improve the productivity, and to provide a method for plasma ashing to efficiently remove a carbon deposition film.例文帳に追加

本発明は、カーボン膜形成用ＰＣＶＤ室のパーティクル発生を効果的に防止し、生産性を向上させる情報記録ディスク製造装置及び方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming copper wiring excellent in pattern shape and ashing a resist film without damaging a low-k film.例文帳に追加

パターン形状の良好な銅配線を形成するとともに、Ｌｏｗ−ｋ膜にダメージを与えずにレジスト膜をアッシングすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser element that can reduce damage to a semiconductor laminate caused by ashing by reducing production of deposits produced when a mask made of an insulating silicone compound is formed.例文帳に追加

絶縁性シリコン化合物からなるマスクを形成する際の堆積物の発生を低減し、アッシングによる半導体積層へのダメージを抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having high separability by which a chlorine component remaining on a substrate is positively eliminated without deteriorating an ashing rate and corrosion preventing performance, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

アッシングレートや防食性能を低下させることなく、基板上に残留する塩素成分が確実に除去され、剥離性の高い半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for recovering and reducing relative dielectric constant of an interlayer insulating film which has been deteriorated and raised, being influenced by preceding etching, ashing or the like treatment, with a comparatively simplified arrangement.例文帳に追加

先行するエッチング、アッシング処理等の影響で劣化上昇した層間絶縁膜の比誘電率を比較的簡易な構成で回復低下させる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method manufacturing for a liquid crystal display device, by which the expansion of a channel length by ashing can be suppressed and the channel length can be controlled, when a TFT is manufactured using a halftone mask at the channel part of the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴのチャンネル部にハーフトーンマスクを使用して製造する際に、アッシングによるチャンネル長の広がりを抑制し、チャンネル長を制御することが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing device capable of removing a predetermined part of a layer on a substrate without carrying out a complicated step such as etching, ashing, cleaning or the like.例文帳に追加

基板上の層の所定部分をパターニング、エッチング、アッシング、洗浄等の煩雑な工程を経ることなく除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a dry distillation gasification incineration method of wastes capable of shortening the time required for ashing the wastes without making the combustion state of a combustion furnace unstable in switching two gasification furnaces.例文帳に追加

２台のガス化炉の切換の際に燃焼炉の燃焼状態を不安定にせず、廃棄物の灰化に要する時間を短縮できる廃棄物の乾留ガス化焼却処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing popping of a layer altered by ion implantation when removing a resist film by ashing, and suppressing oxidation and a hollow of a semiconductor substrate.例文帳に追加

レジスト膜をアッシングにより除去する際に、イオン注入による変質層のポッピングを防止できるとともに、半導体基板の酸化や掘れを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element by which the occurrence of poisoned via holes can be suppressed at the time of ashing a resist provided with an interlayer insulating film including a film having a low dielectric constant as a base layer.例文帳に追加

下地層として低誘電率膜を含む層間絶縁膜を設けたレジストをアッシングするとき、ポイズンドビアの発生を抑制する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a composition for surface hydrophobing which aims at restoring a damage of a siloxane series insulating layer after etching/ashing used for an electronic device such as a semiconductor device is performed, and to provide a method of hydrophobing a surface, a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁

To realize effects of great cost reduction and step simplification as compared with a conventional photolithography step by forming a pad electrode etc., in a relatively simple method of ashing conductive photoresist.例文帳に追加

導電性フォトレジストをアッシング処理という比較的簡単な方法で処理しパッド電極などを形成することによって、従来フォトリソグラフィ工程に比べて抜群の費用節減及び工程簡素化の効果を実現する。 - 特許庁

To provide a method for treating a large-area substrate using hollow cathode plasma, which can execute processes such as ashing, cleaning and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.例文帳に追加

半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a carbonization method which makes it possible to prevent the ashing and excessive heat loss of a carbon material not maintained in a constant state, such as flammable wastes, caused by igniting the carbon material in the un-dried state to form the largely heterogeneous distribution of the inner temperature of a carbonization furnace.例文帳に追加

可燃性廃棄物などのように一定の状態にない炭材が未乾燥の状態で着火され、炭化炉内の温度が大きく偏ることによる炭材の灰化や過度な熱損失を防止すること。 - 特許庁

To provide a detergent solution and a cleaning method which can effectively remove a resist, a residue of etching, a residue of ashing and particles, while preventing dissolution and the deterioration of the surface of a metal film with low-resistance and a film with low dielectric constant.例文帳に追加

低抵抗金属膜および低誘電率膜の溶解および表面の変質を防止しつつレジスト、エッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルを効果的に除去できる洗浄液および方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.例文帳に追加

低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide an ashing method, in which the quality of an organic low permittivity film will not deteriorate when a used organic resist pattern is removed, even if an underlying interlayer insulation film includes the organic low permittivity film.例文帳に追加

使用済みの有機レジストパターンを除去するときに、その下地が有機低誘電率膜を含む層間絶縁膜である場合にも、該有機低誘電率膜の膜質が劣化することのないアッシング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of removing photoresist, by which residual photoresist on side faces and a bottom face as well as a top face of a wafer can be removed efficiently, by ashing without time delays, after the wafer has been properly heated.例文帳に追加

ウエハーが適宜加熱された後、時間の遅延なしでウエハーの上面に加えて、ウエハーの側面及びウエハーの底面の残存フォトレジストを効率よくアッシングにより除去できるフォトレジスト除去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and method for removing a resist, more concretely, removing only the resist called edge beads formed to the periphery of a substrate by ashing, regarding the removal of the resist applied to the substrate.例文帳に追加

本発明は基板に塗布したレジスト除去に関し、より詳細には基板の周辺部に形成されたエッジビードと呼ばれるレジストのみをアッシング除去するレジスト除去装置およびレジスト除去方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solid-state image pickup element by which a pad opening can be formed after forming an organic material layer without damaging the organic material layer, and a residue on an electrode pad can be removed by ashing after forming the organic material layer.例文帳に追加

有機材料層にダメージを与えることなく、該有機材料層形成後にパッド開口を形成したり、該有機材料層形成後に電極パッド上の残渣をアッシングによって除去したりといったことが可能にする。 - 特許庁

This treatment method for paper waste includes: (a) a process of burning paper waste for ashing; (b) a process of heating the ash generated in the process (a) to generate a molten body; and (c) a process of quenching the molten body to form a glass solid matter.例文帳に追加

紙廃棄物の処理方法は、（ａ）紙廃棄物を燃焼させ、灰化する工程と、（ｂ）工程（ａ）で生じた灰を加熱して、溶融体を生じさせる工程と、（ｃ）前記溶融体を急冷し、ガラス固形物とする工程と、を含む。 - 特許庁

The method of forming the mask comprises forming the first layer 102 by a material which is dissolved by a developing solution used in development of the resist and is higher in a removal rate in ashing than the resist on a ground surface 101.例文帳に追加

マスク形成方法では、まず、下地１０１の上に、レジストの現像時に使用される現像液によって溶解され、且つレジストよりもアッシングにおける除去速度が大きい材料によって第１の層１０２を形成する。 - 特許庁

To provide an organic substance removing method for removing a hardened resist film generated after dry etching, a BARC film remaining on a lower layer of the resist film, and a residue or the like after dry etching present on a semiconductor substrate without executing ashing treatment.例文帳に追加

半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method wherein, when a resist pattern is removed by an ashing process of a low temperature RIE system, it is possible to remove a polymer in a side wall around a substrate and a bevel with a simple configuration.例文帳に追加

レジストパターンを低温ＲＩＥ方式のアッシング処理で除去する際、基板周辺の側壁部やベベル部のポリマーの除去を、簡単な構成により可能にするプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning composition which can suppress corrosion of tungsten constituting a semiconductor substrate and excels in removing a plasma etching residue and/or an ashing residue on the semiconductor substrate, and to provide a semiconductor device manufacturing method and cleaning method using the same.例文帳に追加

半導体基板のタングステンの腐食を抑制でき、かつ、半導体基板上のプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣の除去性に優れた洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a master disk of an optical disk in which a land pre-pit(LPP) and its adjacent grooves have a shape not affecting reproduced signals when pits and grooves of different depths are formed on the same master disk by using plasma etching and ashing processes.例文帳に追加

プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグルーブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット(LPP)及びその隣接グルーブが再生信号に影響を与えることない形状の光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device which performs ashing processing for a resist film which is cured after high concentration ion implantation under a vacuum at a higher temperature without a popping phenomenon, and therefore does not cause a scattered residue of a degeneration layer etc.例文帳に追加

高濃度イオン注入後の硬化したレジスト膜を温度を上げて真空中でアッシング処理してもポッピング現象がなく、そのため飛散した変質層等の残渣の発生のない半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a passive element of a semiconductor device in which a fault of bringing about a decrease in etching rate or ashing rate by storing a charge between a lower layer electrode and an upper layer electrode in the case of plasma working, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

プラズマによる加工の際に、電荷が下層電極と上層電極間にチャージされてエッチングレートや、アッシングレート等の低下が生じるといった不具合が生じることのない半導体装置の受動素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The polarizing layer can be washed on a substrate 6 with a polarizing layer without using water or a washing solution by removing impurities 42 or residues 40 stuck on the surface altogether with the surface layer region of the polarizing layer by a dry ashing method.例文帳に追加

偏光層付き基板６に対して、ドライアッシング法により偏光層の表層領域ごと表面に付着した不純物４２や残渣４０を取り除くことで、水ないし洗浄液を用いずに偏光層の洗浄を行うことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufactured by using a photoresist polymer removing detergent composition which can effectively remove a photoresist residue or the like produced in an etching process and in an ashing process in the process of a photoresist pattern for manufacturing the semiconductor device, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device, a method for cleaning a photoresist pattern and a photolithographic method.例文帳に追加

半導体素子を製造するためのフォトレジストパターン形成工程中において、エッチング工程及びアッシング工程時に発生するフォトレジスト残留物などを効果的に除去できるフォトレジストポリマー除去用洗浄剤組成物を用いた半導体素子及び半導体素子の製造方法、フォトレジストパターン洗浄方法、フォトリソグラフィー方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same.例文帳に追加

Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin composition for pattern reverse, the resin composition capable of being suitably embedded in a resist pattern formed on a substrate without mixing the resist pattern and showing excellent durability against oxygen ashing and storage stability, and to provide a method for forming a reversed pattern.例文帳に追加

基板に形成されたレジストパターンとミキシングすることがなく、且つこのパターン間に良好に埋め込むことができると共に、酸素アッシング耐性及び保存安定性に優れるパターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A method of forming a via using the dual damascene process can include removing an object material layer from a recess portion in a low dielectric constant material layer using an ashing process while maintaining a protective spacer on an entire side wall of the recess portion to cover the low dielectric constant material layer in the recess portion.例文帳に追加

デュアルダマシン工程を利用したビア形成方法は、リセス部内に低誘電率物質層を覆うようにリセス部の全体側壁上に保護スペーサを保持しつつ、アッシング工程を利用し、低誘電率物質層内のリセス部から対象物質層を除去する。 - 特許庁

To provide a photoresists removing solution excellent in ability to remove residue such as a degenerated photoresist film produced after ashing and residue on etching (metal deposition) and excellent in property of preventing the corrosion of a substrate in rising with water and to provide a method for removing a photoresist using the removing solution.例文帳に追加

アッシング処理後に生じるホトレジスト変質膜、エッチング残渣物（金属デポジション）等の残渣物の剥離性に優れ、かつ、水でのリンス処理時、基板の防食性に優れるホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁

After first-layer wiring L1 having a conductor film 16d using aluminum as a main constituent is subjected to patterning by a dry etching method, a sidewall protection film 18 of the machining sidewall and a photoresist pattern 17a used as an etching mask are removed by plasma ashing treatment.例文帳に追加

アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning the contact holes of a semiconductor substrate, polymer residues inside the via holes after ashing, and an oxide layer on a barrier metal surface, without the use of a halogen gas, which is chemically active or a plasma generating apparatus which is expensive and gives plasma damage to an element.例文帳に追加

半導体基板のコンタクトホール、ビアホール内部のアッシング後のポリマーかすやバリアーメタル表面の酸化層を、化学的に活性なハロゲン系のガスや高価で素子にプラズマダメージを与えるプラズマ発生装置を使わずにクリーニングする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resin composition for pattern reverse, which can be suitably embedded in resist patterns without mixing with the resist patterns formed on a substrate, shows excellent adhesion property with the patterns, and is excellent durability against oxygen ashing and storage stability; and to provide a method for forming a reversed pattern.例文帳に追加

基板に形成されたレジストパターンとミキシングすることがなく、このパターン間に良好に埋め込むことができ、且つパターンとの密着性に優れると共に、酸素アッシング耐性及び保存安定性に優れるパターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fabrication method by which a fine wiring structure is formable without using dry etching or ashing process of a wiring trench for a multiple layer fine wiring in a semiconductor device, at the same time the simplification of wiring process, the improvement of wiring reliability, and cost reduction are achieved.例文帳に追加

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and the device capable of realizing a stable discharge state under an atmospheric pressure condition in a peeling process in a semiconductor manufacturing process, and performing ashing by using a simple device and a discharge plasma processing capable of a processing with the small amount of processing gas.例文帳に追加

半導体製造工程における剥離工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理ガスで処理の可能な放電プラズマ処理を用いて、アッシングをすることができる方法及びその装置を提供。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device having a borderless wiring structure forms a borderless via-hole in which two different types of metals are exposed in an aperture, wherein prior to the wet processing for stripping a resist mask used to form the via hole, ashing is done using plasma including H_2O.例文帳に追加

ボーダレス配線構造を有する半導体装置の製造方法において、開口内で２種類の異なる金属が露出するボーダレスビアホールを形成し、前記ビアホールの形成に用いたレジストマスクを剥離する際のウェット処理に先立って、Ｈ2Ｏを含むプラズマでアッシングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical disk substrate and an optical master disk having a shape with which a land prepit(LPP) and neighboring grooves thereof do not affect groove recording quality when pits and grooves having different depths are formed in the same master disk by using plasma etching and an ashing process.例文帳に追加

プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグル−ブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット（ＬＰＰ）及びその隣接グル−ブがグル−ブ記録品質に影響を与えることない形状の光ディスク基板および光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for analyzing aluminum by flameless atomic absorption spectrometry analyzes aluminum contained in a hydrogen fluoride-containing aqueous solution, and includes introducing the hydrogen fluoride-containing aqueous solution and a strontium salt into an atomization reactor, and atomizing them by ashing to analyze the aluminum.例文帳に追加

フッ化水素を含有する水溶液中に含まれるアルミニウムを分析する方法であって、フッ化水素を含有する水溶液およびストロンチウム塩を、原子化炉に導入して、灰化して原子化させ、アルミニウムを分析することを特徴とするフレームレス原子吸光法によるアルミニウムの分析方法。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁

The analysis method of the trace constituent in the polymer material includes a step of heating and ashing the polymer material in the presence of oxygen; and a step of irradiating an electron beam to the ashed sample, and performing elemental analysis by a generated characteristic X-ray.例文帳に追加

高分子材料中の微量成分の分析法であって、前記高分子材料を酸素存在下、加熱して灰化する工程、及び前記灰化後の試料に電子線を照射し、発生する特性Ｘ線による元素分析をする工程、を有することを特徴とする高分子材料中の微量成分の分析法。 - 特許庁

To provide semiconductor substrate cleaning solution capable of surely removing residues existing on a semiconductor substrate after dry etching and/or ashing at semiconductor production, and suppressing corrosion on a semiconductor substrate having a Low-k film deterioration layer, and the like, and to provide a semiconductor substrate cleaning method that uses the solution.例文帳に追加

半導体製造におけるドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Ｌｏｗ−ｋ膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁