「bonded interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, annealing is conducted at a temperature at least equal to a bonded interface strengthening temperature (Tr) used in a following process but less than 450°C.例文帳に追加

次に、その後の結合界面強化温度（Ｔｒ）に少なくとも等しいが４５０℃未満の温度でアニーリングする。 - 特許庁

Because of this, a copper oxide film 6 previously formed at the bonded interface between the first electrode 3 and the second electrode 5 can be removed, and an oxide film is prevented from being formed at the bonded interface in connection with execution of ultrasonic bonding.例文帳に追加

これにより、第１電極３と第２電極５との接合界面に既に形成されている銅の酸化膜６を除去できるとともに、超音波接合の実施に伴って接合界面に酸化膜が形成されることを抑制することができる。 - 特許庁

At the bonded interface between bonded products made of ceramic essentially comprising aluminum nitride, aluminum nitride particles are mutually sintered employing yttrium aluminum oxide as a grain boundary phase.例文帳に追加

窒化アルミニウムを主成分とするセラミックスからなる被接合体同士の接合界面における窒化アルミニウム粒子が酸化イットリウムアルミニウムを粒界相として互いに焼結されている。 - 特許庁

To improve bondability around a bonding interface between a bonding material and a material to be bonded while improving heat resistance of a bonding layer.例文帳に追加

接合層の耐熱性を向上させつつ、接合材と被接合材の接合界面付近の接合性を向上させること。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride ceramic bonded product which yields a complex-shaped product and shows a bond strength and thermal conductivity at a bonded interface which are comparable to those of an ordinary aluminum nitride ceramic.例文帳に追加

複雑形状品を得ることができると共に、接合界面での接合強度及び熱伝導率を通常の窒化アルミニウムセラミックスとほぼ同等とし得る窒化アルミニウムセラミックス接合体の提供。 - 特許庁

Because of this, an oxide film 6 is prevented from being formed at a bonded interface.例文帳に追加

これにより、超音波接合の実施に伴って第１電極と第２電極との接合界面に酸化膜６が形成されることを抑制できる。 - 特許庁

When a center plate 301 made of stainless steel and a nozzle plate 303 made of nickel are bonded by using a thermosetting adhesive 501, a square slit part 302 is provided at the bonded interface of the center plate 301.例文帳に追加

ステンレス鋼製の中心板３０１とニッケル製のノズルプレート３０３とを熱硬化製の接着剤５０１を用いて接合する場合、中心板３０１の接合界面の端部に、スクエア状のスリット部３０２を設ける。 - 特許庁

To provide an ink jet recording head high in reliability by easily reducing the stress generated at the bonded interface of a nozzle plate and a base plate after bonding.例文帳に追加

接合後のノズルプレートとベースプレートの接合界面に生じる応力を容易に低減し、信頼性の高いインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

In addition, the longitudinal bonded interface of the flat conductor end part 2 and the insulating film 3 may be covered so as not to expose them, as an another configuration.例文帳に追加

また、他の構成として、平型導体端部２と絶縁フィルム３との長手方向の接着界面が露出しないように覆われたものとする。 - 特許庁

The upper surface of the isolation insulating film 4 is located higher than a bonded interface between the first conductive region 2 and the second conductive region 11b.例文帳に追加

分離絶縁膜４の上部表面は、第１導電型領域２と第２導電型領域１１ｂとの接合界面よりも上に位置する。 - 特許庁

To obtain a bonded structure that relaxes a stress occurring at a bonded interface and has improved adhesion reliability and durability and to provide a bonding method, a liquid droplet discharge head and a method for producing a liquid droplet discharge head.例文帳に追加

接着界面において発生する応力を緩和して、接着の信頼性や耐久性を向上させた接着構造及び接着方法並びに液滴吐出ヘッド及び液滴吐出ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a dissimilar metal bonded member having high joint strength while being provided with an intermetallic compound layer on the bonding interface, and to provide a method of bonding dissimilar metals by which the bonded member can be efficiently produced.例文帳に追加

接合界面に金属間化合物層を有しながら、高い継手強度を備えた異種金属接合部材と、このような接合部材を効率的に製作することができる異種金属接合方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, even if the first and second substrates to be bonded have any inclination, gaps formed on the bonding interface is reduced, peeling from the plating growth interface is suppressed, and a sufficient bonding strength be ensured while an optional bonding shape is kept as it is.例文帳に追加

さらに、接合する第１基板と第２基板に傾きがあっても接合界面に生じる空隙を減らし、メッキ成長界面からの剥離を抑制して、所望の接合形状で十分な接合強度を確保できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method in which a substrate and the like and a semiconductor element and the like are bonded via a solder layer, which has excellent solderability and high strength at a bonded interface between the substrate and the like, and the solder layer.例文帳に追加

基板等と半導体素子等がはんだ層を介して接合された半導体装置に関し、はんだ付け性が良好であり、かつ、基板等とはんだ層の間の接合界面強度も高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an inkjet recording head which enables a recording element board to be bonded to a supporting member without an air path or the like on the bonded interface by temporarily solidifying an adhesive which efficiently and stably bonds the recording element board to the supporting member within a short time.例文帳に追加

効率良く短時間に安定的に記録素子基板を支持部材に接着する接着剤を仮硬化させて、接着界面にエアパス等がなく接着することが可能なインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

By this constitution, the shearing stress generated in the bonded interface end part is absorbed and relaxed from a difference in the coefficient of thermal expansion and stress relaxation of about 20-30% can be realized.例文帳に追加

これにより、熱膨張率の相違から接合界面端部に生じるせん断応力が吸収緩和され、約２０〜３０％の応力緩和が実現できる。 - 特許庁

The optical member may be bonded to the first semiconductor light emitting device by a bond at an interface disposed between the optical element and the semiconductor light emitting device.例文帳に追加

光学部材は、光学部材と半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部により、第１の半導体発光素子に結合することができる。 - 特許庁

The optical element may be bonded to the first semiconductor light emitting device by a bond at an interface disposed between the optical element and the semiconductor light emitting device.例文帳に追加

光学部材は、光学部材と半導体発光素子との間に配置された境界面での結合部により、第１の半導体発光素子に結合することができる。 - 特許庁

To solve a problem that a lead with solder material is broken at the interface of the lead pin and a solder material when the lead pin is pulled after it is bonded to a ceramic package thus causing deficient bonding strength.例文帳に追加

ろう材付きリードピンをセラミックパッケージへ接合した後、リードピンを引っ張ると、リードピンとろう材との接合の界面で破壊し、接合強度が不足する。 - 特許庁

The second semiconductor part includes a second electrode 26 bonded to the first electrode 16 at the junction interface and extending in a second direction crossing the first direction.例文帳に追加

そして、第２半導体部には、接合界面で第１電極１６と接合されかつ第１の方向と交差する第２の方向に延在する第２電極２６を設ける。 - 特許庁

The interface between the piezoelectric element 21 and the first acoustic matching layer 22a is bonded with grease 31 which is softened to decrease the viscosity thereof when the autoclave sterilization is carried out.例文帳に追加

圧電素子２１と第１音響整合層２２ａとの界面の接合はオートクレーブ滅菌時には軟化して粘性が低下するグリース３１によって行っている。 - 特許庁

The Ir-based conductive coating material having excellent characteristic in resistance to deterioration with time is characterized in that an interface thin layer containing an Ir-Sn-based intermetallic compound is formed to the bonding or pressing interface where Sn or the Sn-based alloy is bonded or pressed.例文帳に追加

Ｓｎ又はＳｎ基合金が接合又は押圧された接合界面又は押圧界面に、Ｉｒ−Ｓｎ系金属間化合物を含む界面薄層が形成されていることを特徴とする耐経年劣化特性に優れたＩｒ基導電性被覆材料。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI substrate, which effectively and efficiently makes an interface of an ion-implanted layer brittle without bringing about exfoliation of surfaces bonded to each other and breakage of the substrate.例文帳に追加

貼り合わせ面の剥離や、基板の破損を生じることなく、イオン注入界面を効果的かつ効率的に脆化することができるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor substrate is formed by bonding a plurality of counterpart semiconductor substrates (10, 12) together, and a nitride film or an oxynitride film (11) is formed at the bonded interface between them.例文帳に追加

半導体基板は、複数の半導体基板(10,12)同士を互いに張り合わせて形成した半導体基板であって、張り合わせ界面に、窒化膜或いは酸窒化膜(11)が形成されている。 - 特許庁

Since the shot blast treatment is applied to the soundproof cover, and the sound absorbing part and the sound insulating part are bonded together integrally, the peeling between the two parts can hardly occur on the interface.例文帳に追加

本発明の防音カバーは、ショットブラスト処理が施されており、かつ吸音部と遮音部とが一体に固着していることで、両者の界面での剥離が生じなくなっている。 - 特許庁

When the substrate 100 and the nozzle plate 200 are bonded temporarily through the intermediate bonding layer 300 and then applied with an electric field, SiO_2 is formed on the interface of the nozzle plate 200 and the substrate 100 which are thereby bonded by the electrostatic force of SiO_2.例文帳に追加

基板１００とノズルプレート２００とを中間接合層３００を介在して仮接合した後電界を加えると，ノズルプレート２００と基板１００との界面でＳｉＯ_２が形成され，ＳｉＯ_２の静電力によりノズルプレート２００と基板１００とが接合される。 - 特許庁

In the ceramics circuit board, a metal plate that mainly consists of aluminum is bonded to at least one main surface of a ceramics substrate, and Mg is unevenly distributed at the junction interface between the metal plate and a brazing material layer or near the junction interface.例文帳に追加

セラミックス基板の少なくとも一主面にアルミニウムを主成分とする金属板をろう材層を介して接合してなるセラミックス回路基板であり、前記金属板とろう材層との接合界面或いはその近傍にＭｇを偏在させてなることを特徴とするセラミックス回路基板である。 - 特許庁

To manufacture a thermoplastic resin pipe having a foamed layer whose foaming magnification is 2-7 times the average foaming magnification as an intermediate layer, and which shows a high interface strength between a non-foamed skin layer and a foamed layer and a high interface strength between fusion-bonded faces and therefore, is not peelable.例文帳に追加

中間層に平均発泡倍率の２〜７倍の発泡層を有する熱可塑性樹脂管の製造することができ、また、非発泡の表皮層と発泡層との界面強度と、融着面の界面強度とが大きく、剥離しない熱可塑性樹脂管を得ることができる。 - 特許庁

To reduce crystal defect (slip) in a bonded interface, which is produced at the time of a bonding heat treatment in manufacturing of a thick BOX-SOI wafer, and to reduce warp occurring in the SOI wafer.例文帳に追加

厚ＢＯＸ−ＳＯＩウェーハの製造において、貼合せ熱処理の際に生じていた貼合せ界面の結晶欠陥（スリップ）を低減するとともに、ＳＯＩウェーハに生じる反りを低減する。 - 特許庁

To manufacture a large-sized hollow fiber membrane module having a large membrane area by potting molding without generating the non- penetration of a resin between membranes, the crack of a bonded and fixed part or the non-uniformity of the interface of the fixed part.例文帳に追加

膜面積の大きい大型中空糸膜モジュールを、膜間の樹脂不浸透、接着固定部のクラックあるいは固定部界面の不均一等を生じることなくポッティング成型する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with high packaging strength capable of suppressing defective connection because of cracks generated at the solder bonded interface when drop impact is applied, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

落下衝撃時に半田接合界面において発生するクラックによる接続不良を抑制し、実装強度が高い半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a direct bonded wafer capable of inexpensively manufacturing the direct bonding wafer of high quality which has a thin-film layer with high uniformity in film thickness, without generating voids or blisters on bonding interface.例文帳に追加

接合界面にボイドやブリスターが発生せず、膜厚均一性が高い薄膜層を有する良質の直接接合ウエーハを低コストで製造できる直接接合ウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a bonded wafer having an oxide film with a uniform thickness of approximately several nanometers nm in which an oxide residue does not locally remain on a bonding interface by heat treatment in a bonding process.例文帳に追加

貼り合わせ工程の熱処理によって貼り合わせ界面に局所的な酸化物が残留しない、数nm程度の均一な厚みの酸化膜を有する、貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The first/second semiconductor substrates are directly bonded to each other by a silicon-to-silicon atomic bond at a bond interface, thereby configuring a sharp transition from the first substrate to the second substrate.例文帳に追加

前記第１及び第２半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第１基材から第２基材へシャープな遷移を提供する。 - 特許庁

The partition wall 1012 is formed on the substrate 100, the insulation layer 124 is formed on the diaphragm 121, and the substrate 100 and the diaphragm 121 are bonded with the insulation layer 124 as an interface.例文帳に追加

基材１００に隔壁部１０１２が形成され、振動板１２１に絶縁層１２４が形成され、絶縁層１２４を界面として基材１００と振動板１２１とが接合される。 - 特許庁

Since only the material 2 is plastically fluidized, but the material 3 is not plastically fluidized, the materials 2 and 3 are not mixed with each other, and production of any intermetallic compound on the bonded interface can be suppressed.例文帳に追加

材料２のみを塑性流動させ、材料３は塑性流動させないので、材料２，３が混ざり合うことがなく、したがって、結合された界面に金属間化合物が生成するのを抑制できる。 - 特許庁

The titanium oxide layer contains particles of anatase titanium oxide and the particles of titanium oxide bond to their adjacent particles of titanium oxide so that the crystal lattice of the bonded particles of titanium oxide is matched at an interface between the particles.例文帳に追加

酸化チタン層は、アナターゼ型酸化チタン粒子を含み、隣接する酸化チタン粒子が結合し、結合した酸化チタン粒子の結晶格子が粒子間の界面にて整合している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a SOI wafer, in which an organic substance that is a gettering site source can be absorbed onto a bonding interface between bonded SOI wafers in an in-plane uniform and stable manner.例文帳に追加

貼り合わせＳＯＩウェーハの貼り合わせ界面にゲッタリングサイト源となる有機物を面内均一且つ安定的に吸着させることが可能なＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a component in which residual stress and a new phase are not formed at a bonding interface between different compositions in a multiple composition component and a bonded surface containing little impurities is formed.例文帳に追加

多組成の構成部品の異なる組成物間の接合界面に残留応力や新たな相が形成されず、不純物に少ない接合面を形成する部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a laminated semiconductor board where no oxide film is present by a method, wherein a natural oxide film is formed and is bonded stably on a bonding surface at a room temperature, and an oxide film present at a bonding interface is removed, when two semiconductor boards are laminated and bonded together into a laminated semiconductor board.例文帳に追加

２枚の半導体基板を接着して貼り合わせ半導体基板を形成する場合に、接合面に自然酸化膜を形成して室温で安定に接着させ、接着界面に介在する酸化膜を除去することにより、全く酸化膜が存在しない貼り合わせ半導体基板を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The metal wirings 5 are bonded to the electrode pads 2 by applying heat and load and transverse ultrasonic vibrations of a frequency of 100 kHz and an amplitude of 1.5 μm or less so that an intermetallic compound made of bonded both metals is formed at the outer peripheral portion and the center portion of the connection interface between the metal wirings 5 and the electrode pads 2.例文帳に追加

金属配線５と電極パッド２との接続界面の外周部及び中央部に接合両金属による金属間化合物が形成されるよう、熱と荷重を加えながら周波数が100ｋＨｚ以上、振幅が1.5μm以下での横方向の超音波振動を与えて接合する。 - 特許庁

To effectively prevent cracking from occurring in the vicinity of a bonding interface between a heating base 11 and a support member 13, where a heating device has the heating base 11 and the support member 13 bonded to the heating base 11.例文帳に追加

加熱基体１１と、この加熱基体１１に接合された支持部材１３とを有する加熱装置において、加熱基体１１と、支持部材１３との接合部近傍にクラックが発生することを効果的に防止する。 - 特許庁

To provide a method for producing a substrate for a power module with a heat sink wherein the heat sink and a second metal plate can be tightly bonded with each other while void formation on a bonding interface between the heat sink and second metal plate is suppressed.例文帳に追加

ヒートシンクと第二の金属板との接合界面におけるボイドの発生を抑制してヒートシンクと第二の金属板とを強固に接合できるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a bonding section on the secondary bonding side where the Al pad 21 and the Au wire 40 are bonded, an interface between Au and an Au-Al alloy layer 60 extended in the thickness direction of the wire 40 stays inside the wire 40.例文帳に追加

２次ボンディング側におけるＡｌパッド２１とＡｕワイヤ４０との接合部にて、ワイヤ４０の厚さ方向に延びるＡｕ−Ａｌの合金層６０とＡｕとの界面６５が、ワイヤ４０の内部にとどまっている。 - 特許庁

To reduce variation in the in-plane distribution of an organic matter on the bonding interface in the method of manufacturing a bonding semiconductor-on-insulator (SOI) wafer where a gettering site is formed by making a wafer to be bonded adsorb the organic matter.例文帳に追加

貼り合わせ前のウェーハに有機物を吸着させてゲッタリングサイトを形成する貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法において、貼り合わせ界面における有機物の面内分布にばらつきを低減する。 - 特許庁