「c source」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A signal delaying a build up of a reference clock signal is formed by a variable constant current source 1, a capacitor C, a switching circuit SW, and a comparator 2.例文帳に追加

可変定電流源１とコンデンサＣ、スイッチ回路ＳＷ、コンパレータ２により、基準クロック信号の立ち上がりが遅延された信号が形成される。 - 特許庁

Next, the n- source region 6, the n- drain region 7, and a selective oxide film 10 are formed in a self-aligned manner by using the nitride film 4 as a mask (see FIG. (c)).例文帳に追加

つぎに、窒化膜４をマスクとして、前記のｎ^- ソース領域６、ｎ^- ドレイン領域７と選択酸化膜１０をセルフアライン（自己整合）で形成する（同図（ｃ））。 - 特許庁

The drain of the third transistor TR 3 is connected to the intermediate node B, the source is connected to the low level Vss, and the gate is connected to the input node C.例文帳に追加

第３トランジスタＴｒ３は、ドレインが中間ノードＢに接続し、ソースが低電位Ｖｓｓ側に接続し、ゲートが入力ノードＣに接続している。 - 特許庁

On the lower face of the light transmission plate 22, flat planes 31 and deflection planes 32 having about 45°C inclination are alternately and concentrically formed with the light source 25 as the center.例文帳に追加

導光板２２下面には、光源２５を中心として、平坦面３１と角度約４５度の偏向面３２を同心状に、かつ交互に設ける。 - 特許庁

After an electrode material is laminated in Fig (c), the material is etched to the moment just before the gate insulating film underlying the material is exposed by only using the inductive plasma source of an ICP device.例文帳に追加

電極材料積層後、ＩＣＰ装置の誘導プラズマ源のみを用いて、下地のゲート絶縁膜が露出する直前までエッチングする（図１（ｃ））。 - 特許庁

c. The effective intensity at a level 1 degree below the horizontal plane comprising the light source shall be 75,000 candela or more to 112,500 candela or less. 例文帳に追加

ｃ　光源の中心を含む水平面下一度における実効光度は、七万五千カンデラ以上十一万二千五百カンデラ以下であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

c. The effective intensity at a level 1 degree below the horizontal plane comprising the light source shall be 7,500 candela or more to 11,250 candela or less. 例文帳に追加

ｃ　光源の中心を含む水平面下一度における実効光度は、七千五百カンデラ以上一万千二百五十カンデラ以下であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Article 284 (1) The tools specified by a Cabinet Order prescribed in Article 161(vii)(c) (Domestic Source Income) of the Act shall be vehicles, carriers, industrial tools, apparatus and equipment. 例文帳に追加

第二百八十四条　法第百六十一条第七号ハに規定する政令で定める用具は、車両、運搬具、工具、器具及び備品とする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A section of the piping 12 to be closed is heated by a high frequency power source 40 and heating coils 24A, 24B so as to be kept around 900-1,100°C.例文帳に追加

そして高周波電源４０及び加熱コイル２４Ａ、２４Ｂにより配管１２の閉止すべき部位を９００〜１１００℃前後に保つように加熱する。 - 特許庁

A drain of a transistor TR 5 is connected to the gate of the transistor TR 1, a source is connected to the low level Vss, and a gate is connected to the input node C.例文帳に追加

トランジスタＴｒ５は、ドレインがトランジスタＴｒ１のゲートに接続し、ソースが低電位Ｖｓｓに接続し、ゲートが入力ノードＣに接続している。 - 特許庁

When the power source switch 46 is moved to an instructed position, and the key 42A is not depressed, only the power signal is validated, and power supply or power interruption can be instructed (C).例文帳に追加

電源スイッチ４６が指示位置に移行されキー４２Ａが非押圧では、Power信号のみ有効で、電源投入または電源遮断を指示できる（Ｃ）。 - 特許庁

When the operation condition can be set by the combination of the switches A, B, C, the lighting state of the light source is controlled by the preset operation condition.例文帳に追加

スイッチＡ，Ｂ，Ｃの組み合わせが設定可能な動作条件のときには、設定された動作条件で光源の点灯状態を制御する。 - 特許庁

A reflector 12a constituting the outer periphery part of the light source lamp 12 is composed of metallic material whose thermal expansion coefficient is 2×10^-6 to 10×10^-6/°C.例文帳に追加

また、光源ランプ１２の外周部を構成するリフレクタ１２ａを、熱膨張率が２×１０^-6〜１０×１０^-6／℃の金属材料で構成した。 - 特許庁

In a refresh mode, the transistor circuits 1A, 1B hold second gate-source voltages of FG-MOSFET 11A, 11B in the two capacitors C.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ回路１Ａ，１Ｂでは、リフレッシュモードにおいて、２つのキャパシタＣにＦＧ−ＭＯＳＦＥＴ１１Ａ，１１Ｂの第２ゲート・ソース間電圧が保持される。 - 特許庁

The wavelength from the long arc light source LAL through the wavelength cut filter F2 in the late period P3 is 280 to 330 nm and the heat H to be applied is specified to 200°C.例文帳に追加

そして、後期Ｐ３では波長カットフィルタＦ２を通したロングアーク光源ＬＡＬからの波長は２８０〜３３０ｎｍで、与える熱Ｈは２００℃とする。 - 特許庁

A mesh generation part 24 determines mesh areas, which surround the nodes, for each power source island, and an impedance computation part 25 computes impedances (L, R, C) between the nodes (S24).例文帳に追加

メッシュ生成部２４が、電源島毎にノードを囲むメッシュ領域を決定し、インピーダンス計算部２５が、ノード間のインピーダンス（Ｌ、Ｒ，Ｃ）を計算する（Ｓ２４）。 - 特許庁

Gas c is separated from the carbonized product, and the separated gas is burned to produce combustion gas j1, j2, which is preferably used as a heat source of carbonization.例文帳に追加

乾留生成物からガスｃを分離し、該分離したガスを燃焼した燃焼ガスｊ１、ｊ２を乾留の熱源として用いることが好ましい。 - 特許庁

The server 110 compiles or makes the uploaded Java(R) source 138 to generate a Java(R) applet as shown by the figure (c).例文帳に追加

サーバ１１０では、図４（ｃ）に示すように、アップロードされたＪａｖａ（Ｒ）ソース１３８のコンパイルやメイクを行なってＪａｖａ（Ｒ）アプレットを生成する。 - 特許庁

This power source for the plasma reactor is constituted so as to generate superimposed voltage (c) having a DC voltage component (a) and a pulse voltage component (b).例文帳に追加

本発明のプラズマリアクター用電源は、直流電圧成分（ａ）とパルス電圧成分（ｂ）とを有する重畳電圧（ｃ）を発生させることを特徴とする。 - 特許庁

The switches A, B, C set an operation condition for controlling lighting state of a light source depending on the detection of the human body sensor 35 and the luminance sensor 37.例文帳に追加

スイッチＡ，Ｂ，Ｃは、人感センサ35および照度センサ37の検知に基づいて光源の点灯状態を制御するための動作条件を設定する。 - 特許庁

The motive power of a driving source M is always connected to a fixing driving roller 5 and also connected to a fixing driven roller 4 through a clutch C.例文帳に追加

駆動源Ｍの動力は定着駆動ローラ５に常時接続されているとともに、クラッチＣを介して定着従動ローラ４にも接続されている。 - 特許庁

Both of the transmission of a power source voltage from the low potential area A to the high potential area C and the transmission of a video signal are allowed to pass through the middle potential area B.例文帳に追加

低電位領域Ａから高電位領域Ｃへの電源電圧の伝送と、映像信号の伝送とは、全て中間電位領域Ｂを経由する。 - 特許庁

(C) The rest of the side light is reflected at the inner side face 2 of the reflecting plate 3 to be converted into a light 10 directed toward front of the light source 4.例文帳に追加

（Ｃ）前記側方光の残部は前記反射板３の内側面２にて反射されて前記光源４の前方に向う光１０に変換される。 - 特許庁

The wave length conversion nano particles (ZnSe:Mn) are produced by mixing an aqueous solution containing a Zn ion source and NAC with an aqueous solution containing a Mn ion source and NAC, adjusting the pH, adding a Se ion source, adjusting the pH, and then heating at 200°C under a high pressure.例文帳に追加

Ｚｎイオン源とＮＡＣとを含む水溶液と、Ｍｎイオン源とＮＡＣとを含む水溶液とを混合し、ｐＨ調整後にＳｅイオン源を添加し、更にｐＨを調整した後、高圧下で２００℃に加熱することによって、波長変換ナノ粒子（ＺｎＳｅ：Ｍｎ）を製造した。 - 特許庁

In the method for growing the gallium nitride single crystal in a vapor phase by supplying a gas containing a gallium source and a gas containing a nitrogen source, the single crystal is grown in the (000-1) direction at a partial pressure of the gallium source of ≤3×10^-4 atm and at a growth temperature of ≥950°C in the presence of hydrogen gas.例文帳に追加

反応容器内にガリウム源含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、窒化ガリウム単結晶を気相成長させる方法であって、水素ガス存在下、ガリウム源の分圧を３×１０^−４ａｔｍ以下、成長温度９５０℃以上とし、〈０００−１〉方向に成長させる。 - 特許庁

At an angle, where the optical axis R1 of light irradiated from the LED (light source) 13a and the optical axis R2 of the light irradiated from the LED (light source) 13b intersect with each other in the vicinity of substantially the center part C of an emission surface 15, the LEDs (light source) 13a, 13b are arranged.例文帳に追加

ＬＥＤ（光源）１３ａから照射される光の光軸Ｒ１と、ＬＥＤ（光源）１３ｂから照射される光の光軸Ｒ２とが、出射面１５の略中央付近Ｃで互いに交差するような角度で、ＬＥＤ（光源）１３ａ，１３ｂは配されている。 - 特許庁

In an existing refrigerating cycle device, a heat source machine A and an indoor machine B are newly exchanged and a means 13 to capture a foreign matter from a refrigerant flowing through a connection piping is situated in a refrigerant piping on the heat source machine side without exchanging connection pipings C and D connected to the heat source machine A and the indoor machine B.例文帳に追加

既設の冷凍サイクル装置について、熱源機Ａと室内機Ｂのみを新規に交換し、熱源機と室内機とを接続する接続配管Ｃ，Ｄを交換しないで、熱源機側の冷媒配管に、接続配管に流通する冷媒から異物を捕捉する手段１３を設ける。 - 特許庁

The method for producing the crystalline aluminosilicate having the AFI structure is characterized by reacting a mixture comprising (i)β-zeolite, (ii) an alkali metal source, (iii) a silicon source, (iv) an aluminum source, (v) a structure defining organic substance and (vi) water at a temperature of 50-200°C under pressure.例文帳に追加

ＡＦＩ構造を有する結晶性アルミノシリケートの製造方法において、（ｉ）ベータゼオライト、（ii）アルカリ金属源、（iii）ケイ素源、（iv）アルミニウム源、（ｖ）構造規制有機物質及び（vi）水からなる混合物を、５０〜２００℃の温度で加圧下で反応させることを特徴とする前記方法。 - 特許庁

In a method for producing an oxide sintered body by calcining raw powder comprising a strontium source and a ruthenium source, pulverizing and molding the calcined powder, and sintering it at 1,550-1,750°C, the method uses metallic ruthenium powder having a maximum particle diameter of 105 μm or smaller and a D50 of 5-25 μm as the ruthenium source.例文帳に追加

ストロンチウム源とルテニウム源からなる原料粉を仮焼成し、仮焼粉を粉砕成形し、１５５０〜１７５０℃で焼結する方法において、上記ルテニウム源として、最大粒子径が１０５μｍ以下、Ｄ５０が５〜２５μｍの金属ルテニウム粉末を用いる。 - 特許庁

A power generating system 6 consists of a Fresnel lens 1 collecting solar light and heat, optical fiber 3 leading heat source of about 600°C to 2000°C collected by the Fresnel lens 1, a starling engine 4 driven by the heat source from the optic fiber 3, and a generator 5 driven by the starling engine 4.例文帳に追加

太陽光熱を集光熱するフレネルレンズ１と、フレネルレンズ１で集光熱した約６００℃から約２０００℃の熱源を導く光導ファイバー３と、この光導ファイバー３からの熱源により駆動されるスターリングエンジン４と、このスターリングエンジン４にて駆動される発電機５とで発電装置６を形成する。 - 特許庁

A power source voltage V, the capacity of the capacitor C and the resistance of the resistor R are set so that a high voltage higher than a punch-through voltage and breaking an abnormal gate oxide film can be applied instantaneously when the capacitor C charged with the power source V is discharged.例文帳に追加

電源電圧Ｖ，コンデンサＣの容量および抵抗Ｒの抵抗は、電源Ｖによって充電されたコンデンサＣを放電させた際に、テストの対象となるＭＯＳＦＥＴ２２のゲート電極Ｇに、パンチスルー電圧よりも高く異常ゲート酸化膜を破壊できる高電圧を瞬間的に印加できるように設定する。 - 特許庁

Recessed grooves 63, 64 for accommodating a power source cable 22 extended from the finishing heater panel A2 are formed on a rear face of a conventional peripheral panel, and this peripheral panel B1 for floor heating is adhered to the concrete slab C while accommodating the power source cable 22 running on the concrete slab C, in the recessed grooves.例文帳に追加

従来用いられている周辺パネルの裏面に貼りじまい用ヒーターパネルＡ２から延出する電源ケーブル２２を収容できる凹溝６３、６４を形成し、コンクリートスラブＣの上を走る電源ケーブル２２を凹溝内に収容しながら、当該床暖房用周辺パネルＢ１をコンクリートスラブＣに貼り付ける。 - 特許庁

In an oscillator including a resonant circuit L, C, RCU and an amplifier circuit V, R1, R2, R3 connected as a virtual negative resistance, a direct current source I1 is connected in series with the resonant circuit L, C, RCU.例文帳に追加

共振回路Ｌ，Ｃ，ＲCUと仮想負性抵抗として接続される増幅器回路Ｖ，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を含む発振器において、直流電流源Ｉ１は、共振回路Ｌ，Ｃ，ＲCUと直列に接続されている。 - 特許庁

C-V measurement is performed using a C-V measuring apparatus 10, while irradiating a semiconductor sample 15 with a single-wavelength light 18 produced by spectral diffraction of the light from a white light source, and the level of a deep trap is evaluated from the measurement result.例文帳に追加

白色光源からの光を分光した単一波長光１８を半導体試料１５に照射しつつ、Ｃ−Ｖ測定装置１０を用いてＣ−Ｖ測定を行い、その測定結果から深いトラップ準位を評価する。 - 特許庁

Zero-cross detection sections for detecting a zero-cross point of an AC power source AC are provided in respective lighting devices A, B, C forming the lighting system, and the respective lighting devices A, B, C are synchronized each other on the basis of the zero-cross point.例文帳に追加

照明システムを構成する各照明装置Ａ，Ｂ，Ｃには、交流電源ＡＣのゼロクロス点を検出するゼロクロス検出部が備えられており、各照明装置Ａ，Ｂ，Ｃは、このゼロクロス点を基準として同期している。 - 特許庁

The cooling member 50 for cooling a power element of a power source by a refrigerant of a refrigerant circuit performing a refrigerating cycle, is thermally kept into contact with the power element 56, and a plurality of refrigerant flow channels C are formed in a state of penetrating therethrough to circulate the refrigerant.例文帳に追加

冷凍サイクルを行う冷媒回路の冷媒によって電源のパワー素子を冷却する冷却用部材50は、パワー素子56と熱的に接触されると共に、冷媒が流通する複数の冷媒流路Cが貫通形成される。 - 特許庁

The method for synthesizing the resin involves regulating the boiling point of (D) an organic solvent so as to be ≥120°C in the polymerization of a system comprising (A) an ethylenically unsaturated monomer, (B) a radical source, (C) a molecular weight regulator of a thiocarbonylthio compound, and (D) the organic solvent.例文帳に追加

（Ａ）エチレン性不飽和モノマー、（Ｂ）ラジカル発生源、（Ｃ）チオカルボニルチオ化合物の分子量制御剤、および（Ｄ）有機溶媒を含んだ系の重合において、（Ｄ）有機溶媒の沸点が１２０℃以上である、樹脂の合成法。 - 特許庁

The exhaust member of a heat source apparatus such as a hot water supply apparatus comprises a thermoplastic resin molding having a glass transition temperature of 180°C or above or a thermosetting resin (a phenol resin or the like) molding having a thermal decomposition temperature of 180°C or above.例文帳に追加

給湯器などの熱源機の排気部材を、ガラス転移温度が１８０℃以上の熱可塑性樹脂の成形体又は熱分解温度が１８０℃以上の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）の成形体で構成する。 - 特許庁

This invention features that plastic contacting the surface of the resistor melts at 100°C-130°C and when only part of it loses its insulating property, leak current flows into a nonflammable material instantly and an electric source is interrupted with a controller by way of a lead wire.例文帳に追加

本発明は抵抗体面に接する樹脂が１００℃〜１３０℃で溶解し一部分でも絶縁性がなくなると寸時に不燃素材に漏洩電流が流れリード線を通じてコントローラーで電源遮断させる構成にした。 - 特許庁

(I won'tdwell on how to call the Python parser with a particular string as input -- if you're interested, have a look at the implementation of the -c command line option in Python/pythonmain.cfrom the Python source code.)Calling a Python function is easy.例文帳に追加

(Python パーザを特定の入力文字を使って呼び出す方法について詳説するつもりはありません -- この方法に興味があるなら、Python ソースコードの Python/pythonmain.c にある、コマンドラインオプション-c の実装を見てください)Python 関数の呼び出しは簡単です。 - Python

When a power source is turned on, an MPU operates a drive motor 36 for facing the flat part 33b of the carriage roller 33 to the optical card C, and for rotating the carriage roller 33 when the sensor 41 for the card detects the optical card C.例文帳に追加

ＭＰＵは電源がオンになったときに駆動モータ３６を作動させて搬送ローラ３３の平坦部３３ｂを光カードＣに対向させ、カード用センサ４１が光カードＣを検出したときに搬送ローラ３３を回転させる。 - 特許庁

From an initial period P1 to a middle period P2 of an alignment process, the wavelength from a long arc light source LAL through a wavelength cut filter F1 is 230 to 270 nm and the heat H to be applied in the initial period is specified to 100°C and in the middle period to 100 to 150°C.例文帳に追加

配向プロセスの初期Ｐ１と中期Ｐ２にかけては、波長カットフィルタＦ１を通したロングアーク光源ＬＡＬからの波長は２３０〜２７０ｎｍで、与える熱Ｈは初期では１００℃、中期では１００〜１５０℃とする。 - 特許庁

This unit U can be attachably/detachably fixed to a mobile telephone K with a built-in camera C, and the unit U incorporates a magnifying lens 20, a light source 30 for the magnifying lens 20 and a battery 40 for the light source 30.例文帳に追加

このユニットＵは、これをカメラＣ内蔵の携帯電話Ｋに着脱可能に固定できるようになっており、拡大レンズ２０と、この拡大レンズ２０用の光源３０と、この光源３０用の電池４０とを内蔵している。 - 特許庁

A main heating element 2a and an auxiliary heating element 2b are provided to a heating part 2, and power is supplied to the main heating element 2a from a main power source device 3, and power is supplied to the auxiliary heating element 2b from the auxiliary power source device 4 using the capacitor C.例文帳に追加

加熱部２に主発熱体２ａと補助発熱体２ｂを設け、主発熱体２ａには主電源装置３から、補助発熱体２ｂにはキャパシタＣを用いた補助電源装置４から電力を供給する。 - 特許庁

Ni is introduced to the growth source region 1, and heat treatment is carried out at a temperature of 550 to 650°C, thus allowing a crystal grain generated in the growth source region 1 to be subjected to crystal growth to the element formation region 2 via the path 3.例文帳に追加

成長源領域１にＮｉを導入した後、５５０〜６５０℃の温度で熱処理を施すと、成長源領域１で発生した結晶粒が経路３を経由して素子形成領域２まで結晶成長する。 - 特許庁