「c source」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the cold-iron source is worked so that a typical length L satisfies the formula L=exp(A×√T) and A=0.10C+0.30 according to the molten iron receiving time T and carbon content C (mass%) contained in the cold-iron source.例文帳に追加

ここで，冷鉄源は，代表長さＬが，受銑時間Ｔおよび冷鉄源中に含まれる炭素濃度Ｃ（質量％）に応じて式Ｌ＝ｅｘｐ（Ａ×√Ｔ）およびＡ＝０．１０Ｃ＋０．３０を満たすように加工される。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon nitride film includes a step of depositing the silicon nitride film at a film depositing temperature lower than 200°C by a plasma chemical vapor deposition method using a silicon source gas, a nitrogen source gas and a raw material gas containing a hydrogen on a substrate.例文帳に追加

基体上に、珪素源ガス、窒素源ガス及び水素を含む原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法により、２００℃未満の成膜温度で、窒化シリコン膜を成膜する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The steam generation system A includes a heat pump 10 as a first steam generation source B, a boiler 20 which is a second steam generation source composing a middle-pressure steam manufacturing means C, and an ejector 30 as a steam boosting device.例文帳に追加

蒸気発生システムＡは、第１蒸気発生源Ｂとしてのヒートポンプ１０と、中圧蒸気製造手段Ｃを構成する第２蒸気発生源であるボイラ２０と蒸気昇圧装置としてのエゼクター３０とを備える。 - 特許庁

Further, the distance between the substrate and a material source is controlled to 100 to 2,000 mm, film deposition pressure is controlled to 5x10-4 to 5x101 Pa, and the substrate temperature is controlled to ≤600°C.例文帳に追加

さらに基板と材料源との距離を１００〜２０００ｍｍとし、成膜圧力を５ｘ１０-4〜５ｘ１０1Ｐａとし、基板温度を６００℃以下に制御する。 - 特許庁

A program interpreting device 100 converts a source program 1 described in a C++ language into an execution format program 3 through an intermediate format program 2 for intermediately performing processing.例文帳に追加

プログラム翻訳装置100は、Ｃ＋＋言語にて記述されるソースプログラム1を、中間的に処理を行うための中間形式プログラム2を介して実行形式プログラム3に変換する。 - 特許庁

A liquid crystal display device includes: TFTs (TFT-A, B, C), source bus-lines, gate bus-lines and CS bus-lines (CS-A, B) that are respectively correlated with each of plural pixels; and the pixels.例文帳に追加

液晶表示装置は、複数の画素と、各画素に関連付けられた、ＴＦＴ（ＴＦＴ−Ａ、Ｂ、Ｃ）と、ソースバスラインと、ゲートバスラインと、ＣＳバスライン（ＣＳ−Ａ、Ｂ）とを有する。 - 特許庁

Output stage semiconductor switches SWO1, SWO2 convert a power source voltage V by their on-off operations to output it as an output current Io of one end of a capacitor C.例文帳に追加

出力段半導体スイッチＳＷＯ１，ＳＷＯ２は、電源電圧Ｖをオン・オフ動作により変換し、コンデンサＣの一端の出力電流Ｉｏとして出力する。 - 特許庁

A formed precursor film is heat-treated in a heat-treatment chamber 5 at a substrate temperature of approximately 550°C while pouring Se vapor on the precursor film using a Se evaporation source 25.例文帳に追加

形成した前駆体膜を、熱処理室５にて、Ｓｅ蒸着源２５を用いてＳｅ蒸気を前駆体膜上へ照射しながら、基板温度約５５０℃で熱処理する。 - 特許庁

A capacitor C capable of supplying the peak current to coils 11a, 12a is connected in parallel with a power feeding path to the coils 11a, 12a from a DC power source B.例文帳に追加

ピーク電流をコイル１１ａ，１２ａに供給可能なコンデンサＣが、直流電源Ｂからコイル１１ａ，１２ａへの給電経路に対して並列に接続されている。 - 特許庁

Solenoid-operated control valves 76-90 for boosting and decompression are installed between a power liquid pressure source 32 including a low pressure 66, a high pressure pump 66, etc., and wheel cylinders(W/C) 10-16.例文帳に追加

低圧，高圧ポンプ６４，６６等を含む動力液圧源３２とホイールシリンダ（Ｗ／Ｃ）１０〜１６との間に増圧，減圧用の各電磁制御弁７６〜９０を設ける。 - 特許庁

A capacitor heater H2 which is an auxiliary heater of a fixing roller of the fixing device 10 heats the fixing roller, using the charging electric power of the capacitor C charged by a charger 54 as a heat source.例文帳に追加

定着装置１０の定着ローラの補助ヒータとなるキャパシタヒータＨ２は、充電器５４で充電されたキャパシタＣの充電電力を熱源として加熱する。 - 特許庁

On condition that heat-load is heavier than a prescribed value, the ECU 40 controls the compressor C to allow a maximum discharge-capacity, and simultaneously selects the engine E as its driving source.例文帳に追加

エアコンＥＣＵ４０は、熱負荷が所定よりも大きいことを条件として、ハイブリッドコンプレッサＣを最大吐出容量とするとともにその駆動源をエンジンＥとする。 - 特許庁

The method generates software components that include an outer shape for each hardware unit, a fixing method, interface specifications, dynamic simulation software, a source of supply, and a price (S301), and registers them in a distribution server C (S201).例文帳に追加

各ハードウェアユニットの外形，固定方法，インタフェース仕様，動作模擬ソフトウェア，購入先，価格を含むソフトウェア部品を作成し(S301)、配布サーバＣに登録する（S201）。 - 特許庁

A fixing roller 32 has a heat source 6 inside and has a rubber layer 35 on the outer periphery of a metallic pipe 34, and its hardness is set within 70-85 by ASKER C.例文帳に追加

定着ローラ３２は内部に熱源６を有し、金属パイプ３４の外周にゴム層３５を有し、定着ローラの硬度はアスカーＣで７０°—８５°の範囲に設定される。 - 特許庁

A first SiC crystal is formed as a buffer layer, and further a SiC crystal is layered thereon by using a source gas having a C/Si ratio adjusted to be higher than that when forming the buffer layer.例文帳に追加

更にＳｉＣ結晶をバッファー層とし、さらに、Ｃ／Ｓｉ比をバッファー層を形成するときのＣ／Ｓｉ比よりも増加方向に調整された原料ガスを用いた。 - 特許庁

In the method for manufacturing ceramics, the source material of ceramics added with a glass/resin powder material is compacted and calcined at ≥1,000°C.例文帳に追加

本発明に係る陶磁器の製造方法は、陶磁器原料にガラス樹脂粉粒体を添加して成形し、１０００℃以上の温度で焼成することを特徴とする。 - 特許庁

The brewer's sludge of around 50-70°C just after discharged from a brewer's sludge generating source is thrown in a temperature-controlled storage tank which is loaded on a vehicle and kept under normal or reduced pressure.例文帳に追加

発生源から排出された直後の50度Ｃから70度Ｃ前後の高温の醸造汚泥を、車輌に積載した常圧もしくは減圧の恒温貯溜タンクに投入する。 - 特許庁

Then, the generation of a photoconductive current is suppressed by expanding the distance between the channel part C of the thin film transistor TFT and the side wall of the semiconductor layer ASI climbing-over part of the source electrode SD1.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル部Ｃとソース電極ＳＤ１の半導体層ＡＳＩ乗り越え部側璧の距離を拡大してホトコン電流の発生を抑制した。 - 特許庁

A gate electrode 10 is formed so as to oppose to the -c axial side inclination face 9, and a source electrode 11 is electrically connected to the n^+-type AlGaN layer 6.例文帳に追加

ゲート電極１０は、−ｃ軸側傾斜面９に対向して形成され、ソース電極１１は、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６と電気的に接続されている。 - 特許庁

A fundamental frequency f of a voltage Vin of the alternating power source 1 is set so as to become higher than series resonance frequency of the inductor L and the capacitor C.例文帳に追加

そして、交流電源１の電圧Ｖinの基本周波数ｆがインダクタＬおよびキャパシタＣの直列共振周波数ｆ_0 よりも高くなるように設定する。 - 特許庁

To obtain a high-performance thermoelectric module which can perform heat exchange with a heat source of a high temperature exceeding 300°C by electrically connecting thermoelectric elements together by thermally spraying copper.例文帳に追加

銅の溶射によって熱電素子どうしを電気的に接続し、３００℃を越える高温の熱源との熱交換を可能とした高性能の熱電モジュールを提供する。 - 特許庁

A heat source-side heat exchanger 8 shared by the first heat pump C and the second heat pump D is disposed at the air inlet side of the desiccant rotor 2 in the second air distribution passage B.例文帳に追加

第２送風路Ｂにおいて、デシカントロータ２の空気入口側に第１ヒートポンプＣと第２ヒートポンプＤで共用する熱源側熱交換器８を配置する。 - 特許庁

The signal source 9 is arranged at one end node (A) of the signal wiring 6 to be connected with the gate terminals of a plurality of switches 8 and the other end node (C) thereof at an equal distance.例文帳に追加

信号源９は、複数のスイッチ８のゲート端子に接続される信号配線６の一端ノード（Ａ）と、他端ノード（Ｃ）に対して等距離に配置される。 - 特許庁

c. In the case of said lamps other than those prescribed under sub-item "a" and "b", the intensity at levels 6 degrees and 10 degrees above the horizontal plane comprising the light source center shall be 10 candela or more. 例文帳に追加

ｃ　ａ及びｂに規定するもの以外のものにあつては、光源の中心を含む水平面上六度及び十度における光度は、十カンデラ以上であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Article 181 (1) The tools specified by a Cabinet Order prescribed in Article 138(vii)(c) (Domestic Source Income) of the Act shall be vehicles, carriers, industrial tools, apparatus and equipment. 例文帳に追加

第百八十一条　法第百三十八条第七号ハ（国内源泉所得）に規定する政令で定める用具は、車両、運搬具、工具、器具及び備品とする。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide a heat source system that can efficiently output cold and/or warm air by recollection of heat supplied from the low-temperature exhaust heat made to be 50 to 60°C.例文帳に追加

５０〜６０℃とされた低温排熱からの供給熱より熱回収して効率良く冷熱および／または温熱を出力できる熱源システムを提供する。 - 特許庁

When the HOE satisfies the conditional expression, the reference light source R during exposure is located in a prescribed range between a turning center C and an iris I during video observation.例文帳に追加

上記の条件式を満足する場合、露光時の参照光源Ｒは、映像観察時の回旋中心Ｃと虹彩Ｉとの間の所定範囲に位置することになる。 - 特許庁

When the main power source is turned off by operating the B switch 88 or C switch 89, the operation of an operator 6 of the fader device 10 is monitored even in a power-off state.例文帳に追加

Ｂスイッチ８８またはＣスイッチ８９の操作で主電源オフとしたとき、電源オフの状態でもフェーダ装置１０の操作子６の操作を監視する。 - 特許庁

A medium supply pump 12 is connected to the hot water source of power equipment and hot water having, for example, a predetermined temperature of 150°C is sent out from the medium supply pump 12.例文帳に追加

原動設備の温水源に媒体供給ポンプ１２が接続され、媒体供給ポンプ１２から予め定められた例えば１５０℃の温度の温水が送り出される。 - 特許庁

Fullerene whiskers as a carbon source are subjected to pressure sintering (0.1 MPa to 10 GPa) at high temperature (800 to 1,200°C), thus the fullerene construction is changed to a construction similar to that of glassy carbons.例文帳に追加

フラーレンウィスカーを炭素源とし、これを高温（８００〜1２００℃）で加圧焼結（０．１ＭＰａ〜１０ＧＰａ）し、フラーレン構造をガラス状炭素類似構造に変化させる。 - 特許庁

The coupling lens 1 makes the luminous flux from a light source 2 incident on the convergence point C of the fiber 3 at prescribed convergence angle α and incidence angle β.例文帳に追加

前記結合レンズ１は、光源２からの光線束を、所定の集光角α及び入射角βで、前記ファイバ３の前記集光点Ｃに入射させる。 - 特許庁

A rotating blood vessel photographing device for a blood vessel photographing apparatus has an evaluation unit (8) in addition to a radiation source (6) attached to a C arm (4) and a detector (7).例文帳に追加

血管撮影装置のための回転血管撮影装置が、Ｃアーム（４）に取付けられた放射線源（６）および検出器（７）のほかに評価ユニット（８）を有する。 - 特許庁

A microorganism belonging to the genus Bacillus and having an ability to produce the D-lactic acid having an optical purity of ≥90% from an assimilable carbon source is cultured at 31 to 45°C.例文帳に追加

資化可能な炭素源から光学純度９０％以上のＤ−乳酸を生産する能力を有するバシラス属（Bacillus）に属する微生物を３１〜４５℃で培養する。 - 特許庁

The ink droplet deflection amplifying system 32 comprises a gas source 66 for controlling the stream furthermore between the print direction (path A) and the nonprint direction (path B or path C).例文帳に追加

インク小滴偏向量増幅システム３２は、印刷方向（パスＡ）と非印刷方向（パスＢ又はパスＣ）との間で、ストリームを更に制御する気体源６６を含む。 - 特許庁

This composition for forming an electron emitting source contains the carbon nanotube, a glass frit, an organic binder resin, and an organic solvent, and the softening point of the glass frit is not more than 500°C.例文帳に追加

電子放出源形成用組成物は、カーボンナノチューブと、ガラスフリットと、有機バインダー樹脂と、有機溶剤とを含有し、ガラスフリットの軟化点は５００℃以下である。 - 特許庁

Preferably, the amount of the metal ion source (C) is equal to or greater than 0.1 part by weight and equal to or less than 10 parts by weight, per total 100 parts by weight of the resin (A) and the resin (B).例文帳に追加

好ましくは、樹脂（Ａ）及び樹脂（Ｂ）の合計１００質量部に対して、上記金属イオン源（Ｃ）は０．１質量部以上１０質量部以下である。 - 特許庁

Thus, since the C/V conversion circuit 21 is less likely to be influenced by the noise superimposed on the source voltage Vdd, the detection accuracy of a physical quantity can be improved.例文帳に追加

したがって、電源電圧Ｖddに重畳したノイズの影響をＣ／Ｖ変換回路２１が受け難いため、物理量の検出精度を向上することができる。 - 特許庁

The integration tool generates InstanceA.c500-InstanceC.c520 that are property source codes corresponding to A-C instances except the D, E instances of instances in the first instance configuration model 400.例文帳に追加

そして、統合ツールは、第一のインスタンス構成モデル４００におけるインスタンスのうち、Ｄ，Ｅインスタンスを除いたＡ〜Ｃインスタンスに対応するプロパティソースコードであるＩｎｓｔａｎｃｅＡ．ｃ５００〜ＩｎｓｔａｎｃｅＣ．ｃ５２０を生成する。 - 特許庁

This system includes an imaging device 100 which photographs a surface of the coil C formed by winding a steel plate, from the radial direction of the coil, and a light source 200 which irradiates the surface of the coil C with light from almost the same direction as that of photographing of the imaging device 100.例文帳に追加

鋼板を巻き取ってなるコイルＣの表面をその径方向から撮影する撮像装置１００と、撮像装置１００の撮影方向と略同方向からコイルＣの表面に光を照射する光源２００とを備える。 - 特許庁

A laser irradiation part 10 including a laser light source 11, and lenses 12, 13, 14 is arranged on the center axis C at a position further away from the detection part 9 as the farthest site from the sample S, and a light axis of the laser light matches the center axis C.例文帳に追加

レーザ光源１０、レンズ１２、１３、１４を含むレーザ照射部１０は中心軸Ｃ上で、サンプルＳから最も離れた部位である検出部９よりもさらに離れた位置に配置され、レーザ光の光軸と中心軸Ｃとも一致させる。 - 特許庁

The source and drain electrodes are formed by setting the ratio of lamination film thickness of tantalum and aluminum (aluminum film thickness/tantalum film thickness) to 10 or above, and annealing the laminate at a temperature of 510°C or more and less than 600°C after laminating.例文帳に追加

前記ソース電極および前記ドレイン電極は、前記タンタルと前記アルミニウムの積層膜厚の比（前記アルミニウム膜厚／前記タンタル膜厚）を１０以上にし、積層後のアニール処理温度が５１０℃以上、６００℃未満で処理されて成る。 - 特許庁

Simultaneously, an IC power source fluctuation detecting circuit G formed of resistors (R1-R3), a capacitor C1 and a comparator P lowers the voltage in a voltage converting circuit J and performs the feedback of the signal to the microcomputer C, and the microcomputer C detects the ignition abnormality.例文帳に追加

この時、同時に抵抗器（Ｒ１〜Ｒ３）、コンデンサＣ１、コンパレータＰで構成されるＩＧ電源変動検出回路Ｇにより、電圧変換回路Ｊで電圧を低減させてマイコンＣへ信号をフィードバックし、点火異常を検出する。 - 特許庁

The coin depositing/dispensing device has an interference mechanism displacing an interference body between a fall prevention position wherein the fall of the coin C from the coin selection hole 10 is restricted and an evacuation position wherein the fall of the coin C is permitted by drive of a drive source.例文帳に追加

この硬貨入出金装置は、硬貨選別穴１０からの硬貨Ｃの落下を規制する落下防止位置及び硬貨Ｃの落下を許容する退避位置の間で駆動源の駆動によって干渉体を変位させる干渉機構を備える。 - 特許庁

When the detection part 87 does not detect the coin C of the distinguished denomination within a prescribed time after a denomination distinction part distinguishes the denomination of the coin C, the interference body 89 is positioned in the fall prevention position from the evacuation position by the drive of the drive source.例文帳に追加

金種判別部が硬貨Ｃの金種を判別してから所定時間内に検出部８７が判別した金種の硬貨Ｃを検出しない場合、干渉体８９は、駆動源の駆動によって退避位置から落下防止位置に位置付けられる。 - 特許庁

One end in source and drain diffusion layers for a transistor Tr is connected to a bit line BL and the other end at one end of a ferroelectric capacitor C, and both a gate for the transistor Tr and the other end of the ferroelectric capacitor C are joined with a word line WL.例文帳に追加

強誘電体メモリのセルの構成として、強誘電体キャパシタの一端をワード線に接続することで、従来必要であったプレート線を排除し、ワード線及びビット線のみの制御で書き込み及び読み出しを可能とする。 - 特許庁