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complementary typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 167件
Two N type transistors N1, N2 for inputting complementary signals are constituted of elements on the low voltage side having a low threshold voltage.例文帳に追加
相補信号入力用の2個のN型トランジスタN1、N2は、低い閾値電圧を有する低電圧側の素子で構成される。 - 特許庁
The grounding arm has a contact portion 50 to be engaged with a conductive grounding portion 14 of the other electronic component 12 of complementary type.例文帳に追加
接地アームは、相補型の相手方電子部品12の導電性接地部14に係合するコンタクト部50を有している。 - 特許庁
In a complementary TFT constituting an X shift register of a data line driving circuit, a P-channel type TFT is structured as a self-aligning type and an N-channel type TFT as an LDD structure.例文帳に追加
データ線駆動回路のXシフトレジスタを構成する相補型TFTのうち、Pチャネル型TFTについては自己整合型構造とし、Nチャネル型TFTについてはLDD構造とする。 - 特許庁
In a bit line precharge/equalizing circuit, a bit line precharge transistor P3 and bit line equalizing transistors N7, N8 are configured with complementary transistors of a P-type and an N-type.例文帳に追加
ビット線プリチャージ・イコライズ回路において、ビット線プリチャージトランジスタP3と、ビット線イコライズトランジスタN7及びN8とを、P型及びN型の相補なトランジスタで構成する。 - 特許庁
When the input terminal 100 is closed, the P type MOS transistor is turned off, the N type MOS transistor is turned on, and an input of the complementary transistor circuit 105 is pulled down to ground potential GND.例文帳に追加
入力端子100がクローズ状態となったときに、P型MOSトランジスタ101はOFF、N型MOSトランジスタ104はONになり、相補型トランジスタ回路入力をグランド電位GNDへプルダウンする。 - 特許庁
A complementary type ratcher regulating a displacement of the plumb bob 36 in the horizontal direction and a potential fixing device for fixing the potential to the complementary ratcher is prepared to both the plumb bob 36 and the substrate 35.例文帳に追加
重錘体36と基板35の双方に重錘体36の水平方向の変位を規制する相補型係止手段と、この相補型係止手段に電位を固定するための電位固定手段とを設ける。 - 特許庁
To achieve complementary writing and voltage sense type reading by adopting 1T-2MTJ configuration in a spin injection MRAM.例文帳に追加
スピン注入MRAMにおいて、1T−2MTJ構成を採用して相補的な書き込みと、電圧センス方式の読み出しを実現する。 - 特許庁
METHOD OF DETECTING COMPLEMENTARY STRAND NUCLEIC ACID MOLECULE SEQUENCE AND METHOD OF DETECTING SNP USING π-CONJUGATION TYPE ELECTROCHEMICALLY ACTIVE NONNATURAL NUCLEOSIDE例文帳に追加
π共役型電気化学活性非天然ヌクレオシドを用いる相補鎖核酸分子配列検出方法及びSNP検出方法 - 特許庁
a type of complementary and alternative medicine that uses plant oils that give off strong pleasant aromas (smells) to promote relaxation, a sense of well-being, and healing. 例文帳に追加
強く心地よいアロマ(芳香)を放つ植物油を用いて、リラックスや、幸福感や、治癒を促進するための補完代替医療の1つ。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
The complementary type filamentary element having the plastic property combining the p-type and n-type filamentary element having the plastic property functions as an element having resonance property which can freely select resonance voltage or resonance width only with the element itself.例文帳に追加
p型及びn型可塑特性細線素子を組み合わせた相補型可塑特性細線素子は、本素子1個で、共鳴電圧または共鳴幅が任意に選択可能な共鳴特性素子として機能する。 - 特許庁
A drift path 2 between two electrodes 3, 4 comprising an electrode 3 and a counter electrode 4 has drift zones 5 of a first conduction type and charge compensation zones 6 of a complementary conduction type with respect to the first conduction type.例文帳に追加
電極3と対向電極4とから成る2つの電極3,4間のドリフト経路2は、第1の伝導型のドリフトゾーン5と、第1の伝導型に対して相補的な伝導型の電荷補償ゾーン6とを有する。 - 特許庁
A groove having a cross section shape complementary to the cross section shape of the female side protrusion is provided on the lower surface 51d of a male type housing 50, and a male side protrusion 62 having a cross section shape complementary to the cross section shape of the female side recessed part 27 is provided on the sides 51e, 51f of the male type housing.例文帳に追加
雄型ハウジング50の下面51dには、雌側突起の断面形状と相補的な断面形状を有する溝を設け、雄型ハウジングの側面51e,51fに、雌側凹部27の断面形状と相補的な断面形状を有する雄側突起62を設ける。 - 特許庁
From the crystalline silicon film, a complementary TFT comprising a P-channel TFT and N-channel type TFT comprising an LDD region is manufactured.例文帳に追加
結晶性珪素膜からPチャネル型TFTとLDD領域を有するNチャネル型TFTからなる相補型TFTを作製する。 - 特許庁
The nonvolatile latch circuit comprises a complementary inverter circuit 107 in which an n-ype MFSFET 101 having a ferroelectric thin film at a gate section is combined with a p-type MOSFET 102; and a complementary inverter circuit 108 in which an n-type MFSFET 103 having a ferroelectric thin film at a gate section is combined with a p-type MOSFET 104.例文帳に追加
この発明は、ゲート部に強誘電体薄膜を有するN型MFSFET101と、P型MOSFET102とを組み合わせた相補型のインバータ回路107と、ゲート部に強誘電体薄膜を有するN型MFSFET103と、P型MOSFET104とを組み合わせた相補型のインバータ回路108と、を備えている。 - 特許庁
The first type memory spare corresponds to one of a row and a column portion of memory, the second complementary memory spare corresponds to the other of row and column portions of memory.例文帳に追加
第1のタイプのメモリスペアはメモリのローおよびカラム部の一方に対応し、第2の相補型メモリスペアはメモリのローおよびカラム部の他方に対応する。 - 特許庁
To provide an arm wearing type terminal, a time notification function complementary system, and a program for automatically complementing an alarm function of external equipment to be executed.例文帳に追加
外部機器のアラーム機能を自動的に補完して実行することの出来る腕装着型端末、時刻報知機能補完システム、及び、プログラムを提供する。 - 特許庁
To provide a driver circuit which avoids the change of the intermediate voltage of complementary type output signals outputted from two output terminals as much as possible.例文帳に追加
2つの出力端子から出力される相補型の出力信号の中間電圧が変動するのを極力回避したドライバ回路を提供する。 - 特許庁
Two kinds of FETs, n- and p-type FETs, are achieved with these electrodes, and a complementary MOS (CMOS) is provided.例文帳に追加
それらの電極によりn型チャネルFETとp型チャネルFETの2種類のFETを実現し、さらに、相補型MOS(CMOS)トランジスタを提供する。 - 特許庁
HYBRID CARRY VISION TYPE/CARRY SELECTION ADDER INCLUDING CARRY LOGIC FOR GENERATING COMPLEMENTARY HOT CARRY SIGNAL, AND ITS METHOD FOR CREATING CARRY LOGIC例文帳に追加
相補的なホット桁上げ信号を生成する桁上げ論理を含んだハイブリッド桁上げ先見型/桁上げ選択加算器およびその桁上げ論理を作る方法 - 特許庁
To reduce an average transmission signal power while keeping the transmission characteristic of a conventional complementary sequence repetitive modulation type comb-line spectrum communication system the same.例文帳に追加
従来の相補系列繰返し変調形櫛の歯状スペクトル通信方式における伝送特性はそのままに、平均送信信号電力を低減する。 - 特許庁
The device has a memory cell array having a plurality of CMOS static type memory cells provided at the intersections of a plurality of word lines and a plurality of complementary bit lines.例文帳に追加
複数のワード線と複数の相補ビット線の交差部に設けられた複数のCMOSスタティック型メモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁
A balance weight in a complementary type is inserted into the groove 80 through a loading aperture to be positioned in a balance adjusting position by having it slipped circumferentially.例文帳に追加
相補形状のバランスウェイトを装填用アパーチャ(76)を通して溝に挿入し、円周方向にすべらせてバランス調節位置に位置決めする。 - 特許庁
An axial insertion type dovetail 16 on a bucket 14 is axially installed in a female dovetail of a complementary form provided in the circumference of a rim of a turbine wheel.例文帳に追加
バケット(14)上の軸方向挿入式ダブテール(16)が、タービンホイールのリムの周りに設けられたほぼ相補形の雌ダブテール内に軸方向に取付けられる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with an output latch circuit outputting complementary type data as an output signal at high speed.例文帳に追加
本発明は、高速に相補型データを出力信号として出力する出力ラッチ回路を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
As a mid- to long-term solution, besides of course requiring that each country strengthen its fiscal management, it may be necessary to consider establishing this type of complementary institution.例文帳に追加
中長期的には、各国が財政規律を強化することはもちろん、このように補完的なシステムを設けることも検討されるべきだろう。 - 経済産業省
To provide an electrooptical device which improves stability of the operation of a complementary circuit by optimizing the threshold voltage of an electric field effect type transistor constituting the complementary circuit corresponding to a driving voltage, and to provide electrooptical equipment equipped with the same.例文帳に追加
相補回路を構成する電界効果型トランジスタのしきい値電圧を駆動電圧に対応させて最適化することにより、相補回路の動作の安定性を向上した電気光学装置、およびそれを備えた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁
In comparison of a gate insulating film 8 of an n-type transistor in a complementary transistor with a gate insulating film 9 of a p-type transistor, at least one of film thickness and composition is different.例文帳に追加
相補型のトランジスタのうちのn型トランジスタのゲート絶縁膜8とp型トランジスタのゲート絶縁膜9との対比において、膜厚および組成のうち少なくともいずれか一方が異なる。 - 特許庁
In addition, a complementary CNT can be incorporated into a device by two adjacent CNTFETs configured such that one is an n-type CNTFET and the other is a p-type CNTFET.例文帳に追加
また、一方がn型CNTFETに、他方がp型CNTFETに設定された隣接する2つのCNTFETにより、相補型CNTFETをデバイス内に組み込むことができる。 - 特許庁
A common back gate electrode 9 is formed beneath an n-type field effect transistor 1 and a p-type field effect transistor 2 constituting a complementary switch circuit through an insulation layer.例文帳に追加
相補型スイッチ回路を構成するn型の電界効果トランジスタ1とp型の電界効果トランジスタ2の下側に絶縁層を介して両トランジスタに共通のバックゲート電極9を形成する。 - 特許庁
As a result, he concluded that the vowels that were previously considered to have the distinction between A-type and B-type indicated complementary distribution and thus these vowels were not distinguished from each other but their phonemes were identical. 例文帳に追加
その結果、従来甲乙2種の使い分けがあるとされてきた母音は相補的な分布を示すなどしており、母音の使い分けを行なっていたわけではなく音韻的には同一であったとした。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
A complementary MOS of the semiconductor integrated circuit device is composed of a horizontal P-type MOSFET 36 and an N-type MOSFET 37, and the output driver is composed of a P-type vertical MOSFET 38 in a trench structure, and the conductivity types of the gate electrodes of the respective MOSFETs are set as a P-type.例文帳に追加
半導体集積回路装置における、相補型MOSを横型P型MOSFET36とN型MOSFET37で構成し、出力ドライバーを、トレンチ構造のP型縦型MOSFET38で構成し、それぞれのMOSFETのゲート電極の導電型をP型とした。 - 特許庁
A latch type sensing amplifier (10) differentially amplifies complementary input signals (IN, IN_-B) in response to the activation of a sense-amplifier activating signal (SEN) and drives sense output signals (So, So_-B) from pre-charge voltage levels to voltage levels corresponding to the complementary input signals and latches them.例文帳に追加
ラッチ型センスアンプ(10)は、センスアンプ活性化信号(SEN)の活性化に応答して相補入力信号(IN,IN_B)を差動増幅し、センス出力信号(So,So_B)をプリチャージ電圧レベルから、相補入力信号に応じた電圧レベルへ駆動しラッチする。 - 特許庁
As for drains of the N type transistors N1, N2 for inputting the complementary signals, voltage values applied to them are restricted to below the voltage of the low voltage source VDD (below withstand pressure of the N type transistors N1, N2) by a protection circuit A.例文帳に追加
前記相補信号入力用のN型トランジスタN1、N2のドレインは、そのかかる電圧値が、保護回路Aにより、低電圧源VDDの電圧以下(N型トランジスタN1、N2の耐圧以下)に制限される。 - 特許庁
The horizontal HEMT further includes a second conduction type semiconductor substance which is complementary to the first conductive type, and a third layer 13 disposed at least partially in the first layer 11.例文帳に追加
さらに、上記横型HEMTは、上記第1導電型に対して相補的な第2導電型の半導体物質を有し、少なくとも部分的に上記第1層11の中に配置された第3層13を有する。 - 特許庁
To provide a complementary type cam which is formed to cooperate with the rollers of a tracking lever in the weaving mechanism of a loom and controls two composite tracks (21, 22).例文帳に追加
織機の織成機構におけるトラッキングレバーのローラーと協働するように構成された二つの複合トラック(21,22)を規定する相補形カム(20)を提供することである。 - 特許庁
a type of complementary and alternative medicine that uses rubbing and kneading of the skin with plant oils that give off strong, pleasant aromas (smells) to promote relaxation, a sense of well-being, and healing. 例文帳に追加
強く心地よいアロマ(芳香)を放つ植物油で皮膚をこすったり揉んだりして、リラックスや、幸福感や、治癒を促進するための補完代替医療の1つ。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
The dopant mask layer 102 has a usual opening to form a n type tab suitable for a complementary p type device and the dopant mask layer 102 has at least one additional opening 100 close to a drain area of a selected n type power device.例文帳に追加
前記ドーパントマスク層102が、相補型p型デバイスに適応したn型タブ形成のための通常の開口部を有し、前記ドーパントマスク層102は、選択されたn型パワーデバイスのドレインエリアの近傍に少なくとも一つの追加の開口部100を有する。 - 特許庁
Thereby, even in such a case, P-channel type MOS transistor biased by the constant current to N-channel type MOS transistor of a complementary type source follower circuit 15 of an output stage can realize an equivalent circuit, matched with a configuration which is connected as a load element.例文帳に追加
これにより、上記のような場合でも、出力段の相補型ソースフォロア回路15のNチャネル型MOSトランジスタに、定電流バイアスされたPチャネル型MOSトランジスタが負荷素子として接続される構成と同等の等価回路を実現することができる。 - 特許庁
In the logic circuit domain, a third gate electrode film 40 and a first gate electrode film 37 are laminated to form a complementary MOS logic circuit including the surface channel domain in both n-type transistor and p-type transistor.例文帳に追加
論理回路領域において、第3のゲート電極膜40と第1のゲート電極膜37を積層し、N型トランジスタ及びP型トランジスタ共に表面チャネル領域を持つような相補型MOS論理回路を構成する。 - 特許庁
Trench-type or stack-type three-dimensional structure source capacitors Capp and Capn, as an auxiliary capacity, are connected to the common source of PMOSs Q1 and Q2 as well as NMOSs Q3, and Q4 contained in a complementary F/F of a sense amplifier circuit.例文帳に追加
センスアンプ回路の相補型F/Fに含まれるPMOS、Q1、Q2及びNMOS、Q3、Q4の共通ソースに、補助容量として3次元構造のトレンチ型又はスタック型ソースキャパシタCapp及びCapnをそれぞれ接続する。 - 特許庁
An oligonucleotide for detecting emetic type Bacillus cereus has a sequence containing a part or all of a specific region or its complementary sequence in a strain of a chromosomal DNA of the food poisoning emetic type Bacillus cereus.例文帳に追加
食中毒嘔吐型Bacillus cereus菌の染色質DNAの該菌株に特異的な領域の一部あるいは全部を含む配列又はその相補配列を有する嘔吐型セレウス菌検出用オリゴヌクレオチド。 - 特許庁
In the reflection type liquid crystal display device having a plurality of data line pairs consisting of two pieces of wiring each, scanning lines, and pixels, a pair of complementary inverters consisting of P-channel type thin film transistors and N-channel type thin film transistors is arranged for the pixels, to make the device to be of low power consumption.例文帳に追加
2本の配線でなるデータ線対と、走査線と、画素をそれぞれ複数有する反射型液晶表示装置において、画素には、Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタとでなる相補型インバータを1対設け、低消費電力とする。 - 特許庁
When a complementary MOS transistor is formed in a P-type semiconductor substrate 1, the need for implanting the ion of an N-type impurity deep into a gate electrode 9 at a high concentration is eliminated by introducing in advance the N-type impurity over the full film thicknesses of gate electrodes 8 and 9.例文帳に追加
P型半導体基板1に相補型MOSトランジスタを形成する場合、予めゲート電極8、9の全膜厚にわたってN型不純物を導入することにより、ゲート電極9にN型不純物を濃くかつ深くイオン注入する必要がなくなる。 - 特許庁
To provide a method for forming a film containing SnO, inexpensively obtaining a high-performance p-type oxide semiconductor film, and eliminating the necessity of separately forming an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, to thereby reduce manufacturing costs in manufacturing a complementary element using the oxide semiconductor.例文帳に追加
高性能なp型酸化物半導体膜を安価に得られ、また酸化物半導体を用いた相補型素子を作製する際には、n型半導体とp型半導体を別々の工程で成膜しなくてもよくコスト低減可能なSnOを含む膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
The conductive member 4 is constructed of a crown type body 4a having a recess part with an inside diameter complementary to the base body 3 outside diameter and a lead wire 4b protruded from the crown type body 4a, and the base body 3 and the conductive member 4 are connected together when the base body 3 end part is crowned with the crown type body 4a.例文帳に追加
導通部材4を基体3外径と相補的な内径の凹部を有する冠状体4aと冠状体4aから突出するリード線4bにより構成し、かつ、冠状体4aの基体3端部への冠着により基体3と導通部材4とを接合する。 - 特許庁
To provide a connector mounted in a hole in a panel and capable of being jointed to a mating connection device of a complementary type with a fixed joint force in a fixed joint direction.例文帳に追加
所定の接合力で所定の接合方向(A)に相補型の相手方接続装置と接合可能であって、パネル(14)の孔(12)に取り付けられるコネクタ(10)を提供する。 - 特許庁
While N type MOS transistors M7 and M8 for control are turned off by turning control input VS1 to an L level (a switch off period), two pieces of complementary data input Vin1 and Vin2 are shifted.例文帳に追加
制御入力VS1をLレベルにすることで制御用のN型MOSトランジスタM7,M8をオフさせている間(スイッチオフ期間)に、相補データ入力Vin1,Vin2を遷移させる。 - 特許庁
Further, by disposing a selection circuit and a non-selection circuit which is turned on by the use of complementary address signals, the formation of a decoder using the same type transistor is permitted too.例文帳に追加
また、相補的なアドレス信号によってオンする選択回路および非選択回路を設けることによって、同一型のトランジスタを用いてデコーダを形成することも可能になる。 - 特許庁
To enable to perform surely latch of complementary signals having minute potential difference even when threshold voltage of a pair of field effect transistors being a driving element are unbalanced, with respect to a latch type sense amplifier incorporated and used in a semiconductor device requiring a circuit for amplifying a complementary signal having minute potential difference.例文帳に追加
微小電位差の相補信号を増幅するための回路を必要とする半導体装置に搭載して使用されるラッチ型センスアンプに関し、駆動素子をなす一対の電界効果トランジスタのスレッショルド電圧にアンバランスがある場合であっても、微小電圧差の相補信号のラッチを確実に行うことができるようにする。 - 特許庁
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