1153万例文収録!

「constant capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > constant capacitanceに関連した英語例文

セーフサーチ:オフ

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

constant capacitanceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 227



例文

Between both end portions in a circumferential direction, the ornamental metals 8, 10 have electrostatic capacitance corresponding to a distance between both the end portions, areas of counter surfaces 8c, 10c of both the end portions confronted in the circumferential direction while being spaced apart just by the distance, and a dielectric constant between both the end portions.例文帳に追加

該加飾金属8,10は、その周方向の両端部間に、該両端部間の距離と、その距離だけ隔てられて周方向において対向する両端部の対向面8c,10cの面積と、両端部間の誘電率とに応じた静電容量を有している。 - 特許庁

To provide a capacitance type level gauge capable of stably detecting a level of an object to be measured even when the level changes due to vibration or the like, and also capable of accurately detecting a level of an object even when a dielectric constant thereof changes depending upon temperatures.例文帳に追加

被測定物の液面が振動などにより変動しても安定して液面レベルを検出できると共に、被測定物の誘電率が温度に依存して変化しても精度良く液面レベルを検出することができる静電容量式液面レベル計を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent critical dimension loss of trenches or holes, reduce dielectric constant to minimize parasitic capacitance, suppress RC delay and cross talk, and enhance operating speed by forming a spacer made of SiC_xH_y or SiOC_xH_y having a low dielectric constant on the sidewall of the trenches or holes made in an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜に設けられたトレンチ又はホールの側壁に、誘電率の低いSiCxHyまたはSiOCxHyからなるスペーサーを形成することにより、トレンチ又はホールの臨界寸法損失を防止し且つ誘電率を減少させて寄生キャパシタンスを最小化し、RC遅延とクロストークを抑えて素子の動作速度を向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain an ink jet head ejecting ink by deforming a diaphragm with an electrostatic force in which ink ejection characteristics are prevented from deteriorating, by avoiding increase of a time constant determined by the resistance of a semiconductor substrate and the capacitance of a capacitor constituted of the diaphragm and a discrete electrode facing the diaphragm.例文帳に追加

静電気力によって振動板を変形させ、インクを吐出するインクジェットヘッドにおいて、半導体基板の抵抗値と振動板とこれに対向する個別電極で構成されるコンデンサの容量から決定される時定数の増大を避け、このために生じるインク吐出特性の悪化を防止する。 - 特許庁

例文

At this time, a pulse is input to the gate of a transistor 315 connected to a constant current source 314 in parallel in synchronism with the transfer pulse ϕTG to enhance the capability of drawing electric charges from parasitic capacitance at the beginning of a period H1, and the ϕVN 313 becomes stable in an early stage, and a waveform 3 is obtained.例文帳に追加

この時、転送パルスφTGに同期する形で、定電流源314に並列に接続したトランジスタ315のゲートにもパルスを入力することで、期間H1の初期での寄生容量から電荷を引き抜く能力を高め、早期にφVn313が安定状態になり、波形3を得られる。 - 特許庁


例文

In the active matrix liquid crystal display device, shapes and dimensions of a drain electrode 40" and a source electrode 50" are formed so that a channel width W and a channel gap L of each TFT element are made constant although the gate-source parasitic capacitance Cgs of a TFT element disposed apart from the position of a gate driver is larger than that of a TFT element disposed near.例文帳に追加

ゲートライバの位置から遠くに配置されたTFT素子のゲート・ソース寄生容量Cgsが近くに配置されたTFT素子のそれよりも大きくするが、TFT素子各々のチャネル幅WとチャネルギャップLが一定となるようドレイン電極とソース電極の形状・寸法を形成している。 - 特許庁

To provide a composition for forming a ferroelectric thin film suitable for the application to a thin film capacitor of high capacitance density, which can remarkably improve a relative dielectric constant compared with the case of the conventional ferroelectric thin film by a simple means, a method for forming the ferroelectric thin film, and a ferroelectric thin film formed by the method.例文帳に追加

簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁

A fixed electrostatic capacity is surely induced between the other capacitor electrode layer 3 and the one capacitor electrode layer 2 to make the electrostatic capacitance of the built-in capacitor constant, and the wiring board equipped with the built-in capacitor can be easily reduced in size and thickness.例文帳に追加

他方の容量素子電極層3と一方の容量素子電極層2との間に確実に一定の静電容量を生じさせて内蔵容量素子の静電容量の値を常に一定に維持することができるとともに、容量素子内蔵配線基板の小型化・低背化を容易とすることができる。 - 特許庁

The area of the coupling sheet metal 112 disposed oppositely to the feeding plate 113 if the upper housing 101 opens at an aperture angle of 180° is almost the same as that of the coupling sheet metal 112 disposed oppositely to the feeding plate 113 if the upper housing 101 opens at an aperture angle of 90° and also the capacitance value becomes constant.例文帳に追加

上筐体101が開き角度180度開いた場合の給電板金113と対向する結合板金112の面積と、上筐体101が開き角度90度開いた場合の給電板金113と対向する結合板金112の面積とは略同一であり、容量値も一定となる。 - 特許庁

例文

The liquid crystal display element is provided with a liquid crystal layer interposed between substrates and having negative dielectric constant anisotropy and comprises first and second dielectric layers 20 and 21 provided on an upper part of pixel electrodes 27A and 27B and an upper part of a common electrode 11 to be opposed to each other for electrically forming capacitance.例文帳に追加

基板間に挟持された負の誘電率異方性を有する液晶層を具備し、画素電極27A、27B上部及び共通電極11の上部に、各々電気的に容量を形成するために対向して設けられた第1の誘電体層20および第2の誘電体層21からなる。 - 特許庁

例文

To provide a pinching detector for an electric sliding door, which employs a capacitance sensor, which prevents false detection near a full-closing position and a malfunction caused by an increase in the change of level of detection determination, and which enables detection sensitivity to be set at a constant and high level throughout an operating range.例文帳に追加

静電容量センサを用いた電動スライドドアの挟み込み検知装置であって、全閉付近での誤検知と、検知判定におけるレベル変化の増大による不具合が防止され、動作範囲全体にわたって検知感度を一定かつ高感度に設定することが容易な挟み込み検知装置を提供する。 - 特許庁

To enable semiconductor device to be lessened in inter-wiring and inter-wiring layer effective dielectric constant and inter-wiring and inter-wiring layer capacitance.例文帳に追加

セルフアラインデュアルダマシン法では、配線層間と配線間の各絶縁膜に有機材料を用い、配線間の絶縁膜をエッチング加工する際に、これらの絶縁膜の層間の全面に有機材料よりも誘電率の高いエッチングストッパ層を用いるため、実効的な誘電率の低減が十分にできないという問題の解決を図る。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic composition for compensating nonreducing temperatures which is stably burnable even in a reducing atmosphere heated at 1,100 to 1,300°C, and has little variation in characteristics such as capacitance Cap, a specific dielectric constant ε_s, temperature characteristics TC, a Q value, and specific resistance ρ, and in which the aggregation of glass components can be prevented.例文帳に追加

1100℃〜1300℃の還元性雰囲気中でも安定な焼成が可能で、静電容量Cap、比誘電率ε_s、温度特性TC、Q値、比抵抗ρなどの特性ばらつきが小さく、且つガラス成分の凝集を防ぐことが可能な非還元性温度補償用の誘電体磁器組成物を提供する。 - 特許庁

By varying an area of a pressure sensor, without making the distance between two electrodes constituting a capacitor by inputs change, whereby the output for an input is changed linearly; in addition, by using hafnium oxide having a high dielectric constant and superior insulation properties as the insulating material of the capacitor, a method with the electrostatic capacitance and sensitivity enhanced is provided.An electrostatic capacitance sensor that is manufactured using this method is provided.例文帳に追加

入力によってキャパシタを構成する二つの電極間の距離を変化させずに、圧力センサの面積を変化させることで、入力に対する出力が線形的に変化するとともに、キャパシタの絶縁物質として、高い誘電常数及び優れた絶縁性を有するハフニウム酸化物を用いることで、静電容量及び感度を高められる静電容量型圧力センサの製造方法、及びこれによって製造された静電容量型圧力センサを提供する。 - 特許庁

Since a metallic material film is formed on a semiconductor layer such as Si substrate, a material for constituting a semiconductor layer, such as a silicon oxide film, is tends to be difficult to formed, so a dielectric film with a large capacitance per unit area, which comprises a base material layer such as MgO layer with high dielectric constant as well as crystalline CeO2 layer, is provided.例文帳に追加

つまり、Si基板などの半導体層の上に、金属材料の膜が形成されていることで、シリコン酸化膜等の半導体層を構成する材料の酸化膜が形成されにくいので、比誘電率の高いMgO層などの下地層及び結晶性CeO_2 層を含む単位面積当たりの容量の大きい誘電体膜が得られる。 - 特許庁

A thin film transistor 10 comprises a substrate 10, a gate electrode 30, gate dielectric layer 40, a source electrode 50, a drain electrode 60, and an organic semiconductor layer 70, wherein the gate dielectric layer 40 comprises a poly(4-vinylphenol-co-acrylonitrile)-based polymer which has a high dielectric constant and a high capacitance and is formed by coating or printing.例文帳に追加

基板10、ゲート電極30、ゲート誘電体層40、ソース電極50、ドレイン電極60及び有機半導体層70の薄膜トランジスター10において、ゲート誘電体層40を、高い誘電率と高いキャパシタンスを有し、かつコーティング法やプリンティング法で形成されるポリ(4−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーで構成する。 - 特許庁

To provide a dielectric porcelain composition which permits sintering in a reductive environment, has reduced quantity of electrostriction upon voltage application, allows a capacitance temperature characteristic to satisfy X6S characteristic of EIA standard (-55 to 105°C, ΔC/C22% or less), moreover materializes high dielectric constant and has an improved high temperature accelerated life.例文帳に追加

還元性雰囲気中での焼成が可能であり、電圧印加時における電歪量が低減されており、容量温度特性がEIA規格のX6S特性(−55〜105℃、ΔC/C=±22%以内)を満足でき、しかも高い比誘電率を実現しつつ、高温加速寿命が改善された誘電体磁器組成物を提供すること。 - 特許庁

To execute feedback control value of the current of a reference current source by using a clock, a reference voltage, and a reference capacitor in order to maintain constant settling characteristics, without depending on change of a clock period and production variations or the like of a capacitor capacitance value in a circuit accompanied with charge/discharge of a capacitor such as a switched capacitor circuit.例文帳に追加

本発明は、スイッチトキャパシタ回路等のキャパシタの充放電を伴う回路において、クロック周期の変化やキャパシタ容量値の製造ばらつき等に依存することなく、セトリング特性を一定に保つため、基準電流源の電流値をクロック、基準電圧、基準キャパシタを用いてフィードバック制御することを目的とする。 - 特許庁

If the electric power supplied by electromagnetic coupling caused between the power receiving antenna coil 11 and a power transmitting antenna coil 6 provided to the external device (reader writer) 2 becomes excessive, an internal temperature rises especially due to heating inside the constant voltage circuit 14, which changes a capacitance value of the capacitive element 13, resulting in changes in resonance frequency of the resonance circuit.例文帳に追加

外部装置(リーダライタ)2が備える送電用アンテナコイル6と受電用アンテナコイル11との間で生じる電磁結合により供給される電力が過剰になると、特に定電圧回路14内における発熱に起因して内部温度が上昇し、これによって容量性素子13のキャパシタンス値が変化して、共振回路の共振周波数が変化する。 - 特許庁

A conductive well different from a substrate is formed to a region under the element of a semiconductor substrate front surface, and a constant voltage which biases the bonding between the well and the substrate to a reverse direction is applied in the frequency of a signal applied to the element through a resistor having a higher impedance than the impedance of the capacitance of the bonding between the reverse biased well and the substrate.例文帳に追加

半導体基板表面の、素子の下方の領域に、基板と異なる導電型のウエルを形成し、ウエルと基板との間の接合を逆方向にバイアスする一定の電圧を、素子に印加される信号の周波数において、逆バイアスされたウエルと基板との間の接合の容量のインピーダンスに比較して高いインピーダンスを有する抵抗を介して、印加する。 - 特許庁

To easily obtain an electrolytic capacitor with a large capacitance, which suppresses insulation drop of a dielectric layer being crystallized at anodizing, and the anodization is easily performed in a short time, in an electrolytic capacitor which is designed to anodize the positive electrode using a titanium and a titanium alloy to form a dielectric layer with a high dielectric constant on the surface of this positive electrode.例文帳に追加

チタン又はチタン合金を用いた陽極を陽極酸化させて、この陽極の表面に誘電率の高い誘電体層を形成するようにした電解コンデンサにおいて、陽極酸化時に誘電体層が結晶化して絶縁性が低下するのを抑制し、陽極酸化が短時間で簡単に行えて、高容量の電解コンデンサが容易に得られるようにする。 - 特許庁

The time constant τ2AL defined by the value of the product of the sheet resistance value RAL of the liquid crystal alignment layers and film capacitance CAL, is ≤4000 seconds.例文帳に追加

対向する一対の基板と、該一対の基板の内側に配設された一対の液晶配向膜と、該液晶配向膜の内側に配設された構造体および該構造体に接する液晶領域からなる液晶層とを有する液晶パネルを含む液晶表示装置であって、該液晶配向膜のシート抵抗値R_ALと膜容量C_ALとの積の値で定義される時定数τ_ALが、4000秒以下である、液晶表示装置。 - 特許庁

Thereby, since the residual brazing material 3a can be prevented from spreading to the front end part 10a of the anode vane 10 when each anode vane 10 is brazed, dispersion in thickness of the anode vanes 10 caused by the residual brazing material 3a is suppressed, and capacitance between the anode vanes 10 adjacent to each other becomes substantially constant, and thus, the stable resonant frequency can be obtained.例文帳に追加

これにより、各陽極ベイン10のろう付けした際に生じた余剰ろう材3aが陽極ベイン10の先端部分10aに展延するのを防止することができるので、余剰ろう材3aが原因となる各陽極ベイン10の厚みのばらつきが無くなり、隣接する陽極ベイン10間の静電容量が略一定になって、安定した共振周波数が得られる。 - 特許庁

An output from a single-phase amplifier circuit 20, to which an output from a differential amplifier circuit 10 is input, is input to a clamp circuit 41 using a source follower consisting of an N channel MOS transistor MN5, and the charging time of the capacitance Cp can be shortened narrowing a necessary charging voltage width without providing a new constant voltage source, by limiting an input of the single-phase amplifier circuit 20 using the clamp circuit 41.例文帳に追加

差動増幅回路10の出力が入力される単相増幅回路20の出力をNチャネルMOSトランジスタMN5からなるソースフォロワによるクランプ回路41に入力し、当該クランプ回路41により単相増幅回路20の入力を制限することにより、新たに定電圧源を設けることなく必要な充電電圧幅を狭めて容量Cpの充電時間を短くすることができる。 - 特許庁

To improve a grain storage level detector detecting the storage level of grain quantity by capacitance so as to solve a trouble resulted from formation of a pair of electrodes of a grain quantity detection means with a constant opposed distance, a trouble resulted from the equal widths of the electrodes, and a trouble resulted from adaptation of an electric circuit to apply oscillation signals to both the electrodes.例文帳に追加

穀粒量の貯留レベルを静電容量により検出する穀粒貯留レベル検出装置において、穀粒量検出手段の一対の電極の対向距離を一定間隔に保持して形成させているために発生する不具合、及び一対の電極の幅が同一であることによる不具合、並びに一対の電極に共に発振信号を加える電気回路としたことによる不具合等の改善を行う。 - 特許庁

The noncontact voltage measuring device provided with a probe for measuring the noncontact voltage impressed on the insulated conductors, and the detection probe is provided with a stationary electrode and a movable electrode which is connected with the stationary electrode through a connection member, wherein the connection member is constituted such that it makes the stray capacitance among earths changing with the diameter of the conductor keep constant.例文帳に追加

絶縁被覆された導体に印加される電圧を非接触で測定するための検出プローブを有する非接触電圧測定装置において、 前記検出プローブは固定電極と、この固定電極に接続部材を介して電気的に接続された可動電極を備えており、前記接続部材は前記導体の径の大小に応じて変化するアース間の浮遊静電容量が一定となるように構成した。 - 特許庁

例文

The moisture sensor 1 includes a humidity-sensitive film 60 formed from an inorganic material, having a number of pores of which dielectric constant changes by adsorbing moisture; a first sensor element 10 having interdigital electrodes 10a, 10b; and a second sensor element 20 having interdigital electrodes 20a, 20b; of which capacitance value does not change through relative humidity which includes these components in the same semiconductor substrate.例文帳に追加

湿度センサ1は、多数の細孔を有する無機材料から形成されて、水分を吸着することによってその誘電率が変化する感湿膜60、並びに、誘電率の変化を検出するための櫛歯電極10a及び10bを有する第1センサ素子10と、櫛歯電極20a及び20bを有するとともに、相対湿度によってその容量値が変化しない第2センサ素子20とを、同一の半導体基板30に備える。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS