「crystal growth system」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND CRYSTAL GROWTH SYSTEM例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法および結晶成長装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, APPLICATION SYSTEM, CRYSTAL GROWTH METHOD, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体レーザ素子、応用システム、結晶成長方法、及び化合物半導体素子 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING CRYSTAL GROWTH, CRYSTALLIZATION, STRUCTURE AND PHASE IN MATERIAL AND SYSTEM例文帳に追加

物質及びシステムにおける結晶成長、結晶化、構造及び相をコントロールする方法 - 特許庁

RESIN CRYSTAL GROWTH TYPE FLUX RECOVERY SYSTEM, AND METHOD OF RECOVERING FLUX例文帳に追加

樹脂結晶成長型のフラックス回収装置及びフラックス回収方法 - 特許庁

III-GROUP NITRIDE CRYSTAL, METHOD FOR CRYSTAL GROWTH THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND SYSTEM例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶およびＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法および半導体デバイスおよびシステム - 特許庁

To provide a single crystal substrate for sharply improving the growth property of a gallium nitride system compound semiconductor.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の成長性を大幅に改善することができる単結晶基板を提供すること。 - 特許庁

CRYSTAL GROWTH METHOD OF GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT, AND APPLICATION SYSTEM例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、半導体レーザ素子、および応用システム - 特許庁

To provide a GaN system semiconductor having a low dislocation area with few crystal defects by epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長により結晶欠陥の少ない低転位領域を有するＧａＮ系半導体を提供する。 - 特許庁

To provide a system and a method for continuous and quick growth of single crystal silicone having ultrahigh purity and long extreme minority carrier life.例文帳に追加

超高純度、極小数キャリア寿命の単結晶シリコンの連続的かつ急速な成長用のシステム及び方法に関する。 - 特許庁

GROWTH METHOD OF SINGLE-CRYSTAL OXYCHALCOGENIDE SYSTEM THIN FILM, SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法、半導体積層構造体、半導体装置の製造方法および半導体装置 - 特許庁

To provide a crystal growth system in which a polycrystalline semiconductor thin film having a large grain size can be obtained easily and stably.例文帳に追加

大きな結晶粒を有する多結晶半導体薄膜が容易にかつ安定的に得られる結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

In the middle stage (step S22) of the growth of the silicon carbide single crystal, the argon gas is introduced in the reaction system at the standard flow rate A.例文帳に追加

工程Ｓ２２では、炭化ケイ素単結晶の成長中期において、基準流量Ａのアルゴンガスが反応系内に導入される。 - 特許庁

In the early stage (step S21) of the growth of the silicon carbide single crystal, the argon gas is introduced in the reaction system at a higher flow rate than the standard flow rate A.例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶の成長初期において、基準流量Ａよりも多い流量のアルゴンガスが反応系内に導入される。 - 特許庁

To provide a light emitting element including a light emitting layer improved in the crystal growth thereof for ensuring an easier mass-production system, and also provide a method of manufacturing the light emitting element.例文帳に追加

結晶性が改善された発光層を有し量産化が容易な発光素子及び発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the sublimation/growth step S2, the rate of argon gas introduced in a reaction system is altered according to early, middle and final stages of growth of the silicon carbide single crystal.例文帳に追加

昇華・成長工程Ｓ２では、炭化ケイ素単結晶の成長初期、成長中期、成長後期と変わるに連れて、反応系内に導入するアルゴンガスの流量を変化させる。 - 特許庁

To provide a vapor growth system and a vapor growth method which can improve the uniformity of a temperature distribution in the plane of a heated wafer and can evenly generate a crystal film.例文帳に追加

加熱されるウェハ面内の温度分布の均一性を向上させ、結晶膜を均一に生成させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of ZnTe system compound semiconductor single crystal capable of growth of the ZnTe system compound semiconductor single crystal with high carrier density.例文帳に追加

高キャリア濃度のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の成長を可能にするＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A crystal growth setup within a physical vapor transport growth furnace system for producing an AlN monocrystal boule 8 at high temperatures includes a crucible 6 effective to contain an AlN source material 7 and a growing AlN crystal boule 8.例文帳に追加

高温でＡｌＮ単結晶ブール８を生成するための物理的気相輸送成長炉システム内部の結晶成長セットアップが、ＡｌＮ原材料７及び成長するＡｌＮ結晶ブール８を含むのに効果的な坩堝６を含む。 - 特許庁

An improved CZ system based on the Czochralski method for continuous growth of a single crystal ingot includes an essentially flat crucible having a small aspect ratio and large diameter and having a selective weir encircling the crystal.例文帳に追加

単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。 - 特許庁

A crystal oxychalcogenide thin film 104 is grown on the single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 by the solution vaporization CVD method from an early phase of the epitaxial growth.例文帳に追加

この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium oxide single crystal, by which a gallium oxide single oxide having a larger size is mass-produced efficiently by a batch production system comprising bringing a seed crystal into contact with a melt and growing a crystal by using an existing growth furnace without remodeling the furnace.例文帳に追加

既存の育成炉を改造することなく用いて、融液に種結晶を接触させて結晶成長させるバッチ生産方式により、より大きいサイズの酸化ガリウム単結晶を効率良く量産できる酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

An example system, a device or method for forming crystalline bodies may include a crucible for containing molten crystalline material and a support for accommodating a seed on an end thereof, the support being movable along a translation axis in a pull direction to draw the seed crystal from a molten crystal, thereby initiating growth of a crystalline body along a growth path.例文帳に追加

結晶体を形成するための例示的システム、装置、または方法は、溶融結晶材料を収容するためのるつぼと、端部に種を収容するための支持体であって溶融結晶から種結晶を引き上げる引張り方向の並進移動軸に沿って移動可能であることにより成長経路に沿って結晶体の成長を開始させる支持体と、を含むことができる。 - 特許庁

To provide a thermocouple, a reaction system, and a crystal growth device, less deteriorated even when they are used in an environment where substances exist containing alkaline metals and at least nitrogen, like a flux method, etc.例文帳に追加

フラックス法などのように、アルカリ金属と少なくとも窒素を含む物質が存在する環境下で使用される場合にも、劣化の少ない熱電対及び反応系及び結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

A silicon premelting furnace chamber controlled under different standard provides a continuous supply source of molten silicon to the growth crucible while advantageously eliminating necessity of vertical movement and crucible pull-up system during crystal pull-up process.例文帳に追加

異なる基準で制御されたシリコンプレ溶融炉チャンバは、結晶引上処理中の垂直移動及び坩堝引上システムの必要性を有利に除去した、成長坩堝への溶融シリコンの連続的な供給源を提供する。 - 特許庁

The vapor phase growth system 100 is used to heat both surfaces of the single crystal silicon substrate W of a diameter of 300 mm or more and to grow in vapor phase a silicon epitaxial layer on the main surface thereof.例文帳に追加

気相成長装置１００は、直径３００ｍｍ以上のシリコン単結晶基板Ｗを両面から加熱しつつシリコン単結晶基板Ｗの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる装置である。 - 特許庁

To provide a method for eptaxially growing a thin film on a silicon single-crystal substrate by a vertical vapor phase epitaxial growth system, in which the auto dope quantity of the thin film can be suppressed.例文帳に追加

縦型気相成長装置によりシリコン単結晶基板上に薄膜を気相成長させる方法であって、薄膜のオートドープ量を抑制することができる気相成長方法を提供する。 - 特許庁

During the crystal growth of the GaN system semiconductor layer 15, a surface {11-20} that is completely vertical with respect to the surface (0001) of the sapphire substrate 1 is formed on the side surface 101 of the step part 100.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体層１５の結晶成長中に、段差部１００の側面１０１上にサファイア基板１の（０００１）面に対して完全に垂直な｛１１-2０｝面が形成される。 - 特許庁

In the final stage (step S23) of the growth of the silicon carbide single crystal, the argon gas is introduced in the reaction system at a lower flow rate than the standard flow rate A.例文帳に追加

工程Ｓ２３では、炭化ケイ素単結晶の成長後期において、基準流量Ａよりも少ない流量のアルゴンガスが反応系内に導入される。 - 特許庁

To reduce a resistance value of a comb-shaped electrode and to suppress the occurrence and growth of a defect due to the metal material of the comb-shaped electrode, in a lateral electric field system liquid crystal display.例文帳に追加

横電界方式の液晶表示装置において、櫛歯状電極の抵抗値を小さくし、またその金属材料に伴う欠陥の発生、成長を抑制する。 - 特許庁

To provide a method for growing a mono-crystal nitride system group III-V compound semiconductor with low crystal failure density and high quality, and a semiconductor device manufactured by a growth method and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

低結晶欠陥密度の高品質の単結晶の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、この成長方法を用いて製造される半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a first process, the pressure in the inside of a quartz reaction tube 6 is reduced to 6.65×10^3 to 1.33×10^4 Pa by using an exhaust system, and a single crystal is grown on the surface of an SiC seed crystal 2 at a growth rate of ≤0.5 mm/h.例文帳に追加

まず、第１工程として、排気機構を用いて石英反応管６内を減圧し、６．６５×１０^3〜１．３３×１０^4Ｐａにして、ＳｉＣ種結晶２の表面に単結晶を０．５ｍｍ／ｈ以下の成長速度で成長させる。 - 特許庁

Before initiating crystal growth by bringing a seed crystal into contact with a raw metal fluoride molten liquid, the raw metal fluoride is melted under an inert gas and/or fluorine-based gas atmosphere, subsequently the raw material is once solidified and the system is vacuum evacuated.例文帳に追加

原料フッ化金属溶融液に種結晶体を接触させて結晶成長を開始させるに先立ち、不活性ガス及び／又はフッ素系ガス雰囲気下で原料フッ化金属を溶融させた後、一旦、原料を凝固させ、系内の真空排気を行う。 - 特許庁

To provide a quartz substrate with a zinc oxide thin film suitable for growing a good quality hexagonal system nitride semiconductor crystal such as GaN, which has heat resistant properties so that micro cracks are not generated on the zinc oxide thin film, even if it is heated to a temperature of 700-900°C at the time of the growth of the semiconductor crystal.例文帳に追加

ＧａＮなどの良質な六方晶系の窒化物半導体結晶を成長させるのに適した、ＺｎＯ薄膜付き石英基板において、半導体結晶成長時に ７００〜９００ ℃の温度に加熱されても、ＺｎＯ系薄膜にマイクロクラックが発生しないよう、耐熱性を改善する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element that has high quality and high reliability by subjecting a group III-V nitride-based single-crystal compound semiconductor layer to crystal growth on a substrate of a material system different therefrom, and that achieves planar light emission.例文帳に追加

III−Ｖ族窒化物系単結晶化合物半導体層を、これとは異なる材料系の基板上に結晶成長させ、これを用いて高品質及び高信頼性を有し且つ面状発光を実現する半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

This growth method comprises: using an Si-C system melt that has a composition being between the peritectic point and eutectic point in the Si-C two component system phase diagram, as a raw material melt; and bringing the raw material melt into contact with an Si substrate or an SiC film formed on an Si substrate, to perform epitaxial growth of an SiC crystal on the Si substrate or SiC film.例文帳に追加

この液相エピタキシャル成長方法は、Ｓｉ−Ｃの２成分系状態図に示される包晶点と共晶点間の組成を有するＳｉ−Ｃ系融液を原料融液とし、この原料融液とＳｉ基板若しくはＳｉ基板上に設けられたＳｉＣ膜とを接触させて上記Ｓｉ基板上若しくはＳｉＣ膜上にＳｉＣ結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする。 - 特許庁

In an epitaxial growth system 101, a halide vapor-phase epitaxy is performed with a face 10a of a template 10 as a first crystal growth surface, and on a parallel with it and simultaneously, in an etching system 102 a nitrogen (N_2) gas is continuously sprayed on a face 10b (rear face of a silicon substrate A) of the template 10 at a rate of 2slm.例文帳に追加

エピタキシャル成長系統１０１においては、テンプレート１０の面１０ａを最初の結晶成長面とするハライド気相成長を行い、それと並行して同時にエッチング系統１０２においては、テンプレート１０の面１０ｂ（シリコン基板Ａの裏面）に窒素（Ｎ_2 ）ガスを２ｓｌｍの割合で継続的に吹き付けた。 - 特許庁

In the hexagonal system wurtzite type compound single crystal represented by AX (A is a positive element and X is a negative element) obtained by performing crystal growth with respect to at least m surface from a columnar seed crystal, concentrations of a divalent metal and a trivalent metal among other than the positive element A are ≤10 ppm and also dispersion of their concentrations are not more than 100% respectively.例文帳に追加

柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 - 特許庁

A control system is responsive to the stored profile to generate one or more control signals to control one or more output devices such that the melt-solid interface shape follows the target shapes as defined by the profile during crystal growth.例文帳に追加

制御システムは、記録したプロファイルに対応して制御信号を発生させ、結晶成長の間、前記プロファイルによって規定されるようにメルト−固体界面形状を目標形状に従わせて出力デバイスを制御する。 - 特許庁

To provide an orientation growth method for organic semiconductor crystals and an organic laser device utilizing the same, which self-organizes a molecular configuration-controlled organic semiconductor oriented crystal on a substrate, using π-conjugated system oligomer molecules having stable emission characteristics, and constitutes a low-loss waveguide or a resonator structure with the crystal itself, to enable laser oscillation.例文帳に追加

安定な発光特性を有する、π共役系オリゴマー分子を用いて、分子配列を制御した有機半導体配向結晶を基板上に自己組織化するとともに、結晶自身が低損失の導波路や共振器構造を構成することにより、レーザー発振を可能とする有機半導体結晶の配向成長方法とそれを利用した有機レーザーデバイスを提供する。 - 特許庁

An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method.例文帳に追加

ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。 - 特許庁

The purpose can be attained by forming a conductive surface nitride layer of hexagonal GaN system crystal using a GaP substrate so that thermal stability can be attained even at a temperature (1000°C or above) required for epitaxial growth of GaN and hexagonal GaN required for high efficiency element can be fabricated.例文帳に追加

ＧａＮを気相成長させるのに必要な温度（１０００℃以上）でも熱的安定性が獲得でき、また、高効率素子を作製するために六方晶のＧａＮが成長できるようにＧａＰ基板を用いて表面が六方晶ＧａＮ系結晶でなり、導電性を有する表面窒化層を形成することにより上記課題が解決できる。 - 特許庁