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current elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7999件
In a power generation mode where a generator-motor 6 generates power and a diode element 4 rectifies it, a synchronous commutation gate signal generating circuit 12 detects conductive ones out of diode elements 4, based on the output signal of a current sensor 11 loaded in the AC power line of the generator-motor 6, and turns on a switching element 3 connected in parallel with the diode element 4.例文帳に追加
発電電動機6で発電しダイオード素子4で整流する発電モードにおいて、発電電動機6の交流電力線に装荷した電流センサ11の出力信号に基づいて、同期整流ゲート信号発生回路12により、ダイオード素子4のうち導通状態にあるものを検出して、そのダイオード素子4に並列接続されたスイッチング素子3をオンさせる。 - 特許庁
A photoirradiation section including a semiconductor light emitting element 94 for irradiating the surface of the photoreceptor drum with light is disposed along the axial center direction of the photoreceptor drum and pulse voltages are continuously supplied only for the prescribed period to the semiconductor light emitting element 94 of the photoirradiation section such that an inrush current flows to the semiconductor light emitting element 94 during rising of the pulse voltages.例文帳に追加
感光体ドラムの軸心方向に沿って感光体ドラムの表面に光を照射するための半導体発光素子94を含む光照射部を配設し、この光照射部の半導体発光素子94に所定期間だけパルス電圧を連続して供給し、このパルス電圧の立ち上り時に半導体発光素子94に突入電流が流れるようにする。 - 特許庁
This semiconductor device is so constituted as to prevent the insulation breakage of the gate insulating film of an internal DMOS element, by extending the drain region of the DMOS element out of the element so as to make an extension 16, forming a back gate extension 20 extended likewise along the drain extension 16, and bypassing the surge current by static electricity applied to an external connection pad 14.例文帳に追加
DMOS素子のドレイン領域を素子外部に延長して延長部16とし、同様に延長して形成されたバックゲート延長部20をドレイン延長部16に沿って形成し、外部接続パッド14に印加された静電気によるサージ電流をバイパスして流し、内部のDMOS素子のゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止するように構成する。 - 特許庁
The current limiter includes a tubular superconductor element 1 which is connected in electrical parallel with a trigger coil 3, wherein the trigger coil 3 runs from a first end of the tubular superconductor element 1 on one side of the lateral face of the tubular superconductor element 1 in the direction of the second end, is deflected at that point to the other side of the lateral face and runs back in the direction of the first end.例文帳に追加
限流装置は、トリガコイル3に電気的に並列に接続された、管状の超伝導体エレメント1を有しており、トリガコイル3は、管状の超伝導体エレメント1の側面の一方の側において、管状の超伝導体エレメント1の第1の端部から第2の端部の方向に伸び、そこで側面の他方の側に曲げられ、第1の端部の方向に戻る。 - 特許庁
The magnetic element having a sufficiently large inductance value and a low conductor resistance value (an AC resistance) even when the magnetic element is miniaturized, and its height is lowered by inhibiting an eddy current while selecting a magnetic layer 4 having an excellent magnetic characteristics by constituting the magnetic element of the coil conductor 1 and a multilayer magnetic layer 3 formed so as to coat the periphery of the coil conductor 1.例文帳に追加
本発明の磁性素子は、コイル導体1と、前記コイル導体1の周囲を覆うように形成した多層磁性層3とから構成することにより、渦電流を抑えることができるとともに優れた磁気特性をもつ磁性層4を選択することにより、小型低背化しても十分に大きなインダクタンス値、低い導体抵抗値(交流抵抗)の磁性素子を得ることができる。 - 特許庁
The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加
本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Isにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子MTJに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子MTJに対して、磁気抵抗効果素子MTJの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段AL,D1,S1を備える。 - 特許庁
This storage battery is provided with a power generating element formed by laminating a positive electrode plate and a negative electrode plate, an outer can containing the power generating element, a sealing body closing up the outer can and provided with one electrode terminal, and a current collector 6 electrically connecting the one electrode plate of the power generating element to the electrode terminal of the sealing body.例文帳に追加
蓄電池は、正極板2Aと負極板2Bとを積層している発電要素1と、この発電要素1を収納している外装缶4と、外装缶4の閉塞すると共に一方の電極端子7を備える封口体5と、この封口体5の電極端子7に発電要素1の一方の電極板2を電気的に接続している集電体6とを備える。 - 特許庁
Since the constant current is supplied to the Peltier element 101 to make a surface temperature of the cooled face of the Peltier element 101 lower than a surface temperature in an inner side of the window glass, the cooled face of the Peltier element 101 is positively fogged before the window glass 111 is fogged, and a fogging eliminating devive is operated in advance before the window glass 111 is fogged.例文帳に追加
ペルチェ素子101の冷却面の表面温度がウインドウガラス111の室内側の表面温度よりも一定の温度差で低くなるよう、ペルチェ素子101には定電流が供給されているため、ウインドウガラス111よりもペルチェ素子101の冷却面の方が必ず先に曇り、ウインドウガラス111が曇る前に曇り除去装置が事前に働く。 - 特許庁
A resonator is formed of a conductive plate, and a plurality of resonators are arranged while being distributed one-dimensionally or two-dimensionally at a predetermined interval and wireless communications are performed by an electromagnetic wave through high frequency current coupling between the distributed resonators and high frequency current coupling between a resonator and an external communication element.例文帳に追加
導電板により共振器を形成し、複数の共振器を所定間隔を開けて1次元又は2次元に分散配列させ、この分散配列させた共振器間の高周波電流結合、および共振器と外部に設けた通信素子との間の高周波電流結合によって、電磁波による無線通信を行う。 - 特許庁
According to a field current and a field voltage which is detected by a field current detector 91 and an initial excitation voltage detector 92, respectively, field resistance is obtained by field resistance function equipment 93, and the lower limit value of an ignition angle of the silicon control rectifying element of a power converter 31 is obtained by a limiter 94 based on the field resistance.例文帳に追加
界磁電流検出器91及び初期励磁電圧検出器92によって夫々検出された界磁電流及び界磁電圧から、界磁抵抗関数器93によって界磁抵抗を求め、これに基づいてリミッタ94によって電力変換器31のシリコン制御整流素子の点弧角の下限値を求める。 - 特許庁
When a control part 13 receives a control signal for instructing the start of the reproducing operation from an operation input part 14, a drum motor 34 is driven to rotate a rotary drum 31, then, the supply of a sense current to the magnetic head 33 for reproduction furnished with the MR element is started by a sense current supply part 11.例文帳に追加
制御部13は、操作入力部14からの再生動作開始を命令する制御信号を受信すると、ドラムモータ34を駆動させて回転ドラム31を回転させ、MR素子を具備する再生用磁気ヘッド33に対するセンス電流の供給を、センス電流供給部11に開始させる。 - 特許庁
The line filter, corresponding to the regenerative current, has a circuit change-over switch which prevents the destruction of the switching element for the regenerative function with the timing of release of the function for returning the regenerative current to an input power source, for the purpose of preventing the DC power source of an inverter driver from being boosted, in deceleration driving of a motor.例文帳に追加
モーターを減速運転させるときインバータ駆動装置の直流電源の電圧上昇を防ぐ目的で入力電源に回生電流を戻す機能を解除するタイミングで回生機能用開閉素子の破壊を防止するような回路切替スイッチを持つ構造とした回生電流対応ラインフィルタ。 - 特許庁
Since a combustible gas component concentration detecting element 5 changes the output current according to the oxygen quantity change when the oxygen quantity is changed by the combustion in the state where a fixed voltage is applied, the original concentration information of the combustible gas component in the gas to be measured can be obtained from the output current.例文帳に追加
可燃ガス成分濃度検出素子5は、定電圧が印加された状態で上記燃焼により酸素量が変化すると、その酸素量変化に応じて出力電流を変化させるので、該出力電流の値から、もとの被測定ガス中の可燃ガス成分の濃度情報を得ることができる。 - 特許庁
To provide an induction heating cooker capable of improving heating efficiency by reducing loss of a switching element in spite of the magnitude of output and accurately performing heating control by restraining generation of noises to effect to an input current detection circuit and an output current detection circuit.例文帳に追加
出力の大きさに関わらずスイッチング素子の損失を低減して加熱効率を改善すると共に、入力電流検出回路及び出力電流検出回路等に対して影響するノイズの発生を抑制して、正確な加熱制御を実施することができる誘導加熱調理器を提供する。 - 特許庁
The drive transistor Trd includes a pair of current ends connected between a power supply and the light emitting element EL, a channel region between the pair of current ends, a first gate electrode into which a signal is written from a signal line, and a second gate electrode disposed facing the first gate electrode via the channel region.例文帳に追加
駆動トランジスタTrdは、電源と発光素子ELとの間に接続する一対の電流端と、一対の電流端の間にあるチャネル領域と、信号線から信号が書き込まれる第1ゲート電極と、チャネル領域を間にして第1ゲート電極と対向する第2ゲート電極とを有する。 - 特許庁
When a time setting signal indicating the end of a short circuit detection interval is input from time setting means 40, the input time setting signal triggers the output to drive means 60 of a current control signal to increase a driving current applied to a control terminal 11 of a semiconductor switching element 10.例文帳に追加
時間設定手段40から短絡検出区間が終了したことを示す時間設定信号を入力すると、この時間設定信号の入力をトリガとして駆動手段60に対して半導体スイッチング素子10の制御端子11に印加する駆動電流を増加するための電流制御信号を出力する。 - 特許庁
The protecting circuit 51 uses two MOSFET 33 and 40, with which gate threshold voltages are respectively different and the same load current correspondent voltage VC outputted from the load current detecting circuit 50 is impressed to gates, as switches for protection for changing the gate voltage VG of the power switch element 2 on two stages.例文帳に追加
上記の保護回路51は、ゲートしきい値電圧が各々異なり負荷電流検出回路50から出力される同一の負荷電流対応電圧V_Cがゲートに加えられる2つのMOSFET33,40を、パワースイッチ素子2のゲート電圧V__Gを2段階に変化させる保護用スイッチとして用いる。 - 特許庁
When a MOS transistor M1 is in an operational state, the electric potential of a node A is decreased by a current mirror circuits 15 and 14 to turn the other MOS transistor M2 off, by detecting the voltage between the gate and the source of the MOS transistor M1 with a transistor M3 and generating a detection current Idct1 flowing through a resistor element R1.例文帳に追加
MOSトランジスタM1が動作状態にあるときは、そのゲート〜ソース間電圧をトランジスタM3で検出し、抵抗素子R1に流れる検出電流Idct1を生成することで、カレントミラー回路15,14によりノードAの電位を下げて他方MOSトランジスタM2をオフ状態とする。 - 特許庁
The ceramic resistance element 10 has a tip part 11a; and two large diameter rod- shaped parts Ld, Ld forming a current carrying passage to the tip part 11a, extending to the rear part in the shaft line O of the heater body 2, and having the current carrying cross section area larger than that of thee tip part 11a.例文帳に追加
セラミック抵抗体10は、先端部11aと、該先端部11aに対する通電路を形成するとともに、各々ヒータ本体2の軸線O方向後方に延伸する形で配置され、かつ先端部11aよりも通電断面積が大となる2本の径大棒状部Ld,Ldとを有する。 - 特許庁
A motor control section, i.e., a microcomputer, calculates a command value for feedback control from the difference of a target current value being set based on the steering torque and the vehicle speed and the detection value of motor current, and then calculates the duty ratio Dc of a PWM signal for turning on/off the switching element of a motor drive circuit from that command value.例文帳に追加
モータ制御部としてのマイコンは、操舵トルクおよび車速に基づき設定される目標電流値とモータ電流の検出値との偏差からフィードバック制御のための指令値を算出し、この指令値から、モータ駆動回路のスイッチング素子をオン・オフするためのPWM信号のデューティ比Dcを算出する。 - 特許庁
The semiconductor light-emitting element has an active multi-mode interference waveguide 110b and a current control structure 104b which is formed in accordance with light intensity inside the waveguide 110b and controls a current amount inside the waveguide 110b.例文帳に追加
本発明に係る半導体発光素子は、能動多モード干渉導波路110bと、能動多モード干渉導波路110b内の光強度に応じて形成され、能動多モード干渉導波路110b内の電流量を制御する電流制御構造104bと、を有することを特徴とするものである。 - 特許庁
The power source controller 7 controls the output voltage of the variable DC power source 3 based on If-Vf characteristic data D2, voltage drop characteristic data D3, and Vds setting data D4 stored in a memory unit 8 so that the voltage between the terminals of the current driving element 4 is constant regardless of the magnitude of the current If.例文帳に追加
電源制御部7は、メモリ部8に記憶されたIf−Vf特性データD2、電圧降下特性データD3およびVds設定データD4に基づいて、電流駆動素子4の端子間電圧が電流Ifの大きさに関わらず一定となるように、可変DC電源3の出力電圧を制御する。 - 特許庁
An organic EL element 1 includes an electrode layer 13, an electrode layer 14, and a light emitting layer 15 arranged between the electrode layers 13, 14 for emitting light by applying a current between the electrode layers, and is provided with a functional layer 16 for restricting a current flow applied between the electrode layers based on a temperature rise.例文帳に追加
電極層13と、電極層14と、これらの電極層13,14間に配置されこれらの電極層間に電流を流すことにより発光する発光層15と、を備えた有機EL素子1であって、温度上昇に基づいて電極層間を流れる電流量を制限する機能性層16を備えた。 - 特許庁
In the first state, after a current from a first ND1 to a second ND2 flows to a coil L in a state where the coil L and a load 30 are electrically cut off, the coil L and the load 30 are electrically connected, and the current from the first node ND1 to the second node ND2 flows to the load 30 and charged to a capacitive element C.例文帳に追加
第1状態では、コイルLと負荷30とが電気的に切り離された状態で、第1ノードND1から第2ノードND2へ向かう電流がコイルLに流れた後、コイルLと負荷30とが電気的に接続されて、第1ノードND1から第2ノードND2へ向かう電流が負荷30を流れるとともに容量素子Cに充電される。 - 特許庁
Fault detection means of a control portion 50 detects arm short-circuit faults of the element pairs 41, 42 and 43 based upon current values detected by the current detection portions 44, 45 and 46 in the timing at which one FETs of the lower-stage FETs 24, 25 and 26 and the upper-stage FETs 21, 22 and 23 all turn on and the other FETs all turn off.例文帳に追加
制御部50の故障検出手段は、下段FET24、25、26および上段FET21、22、23の一方が全てオンとなり他方が全てオフとなるタイミングで、電流検出部44、45、46により検出する電流値に基づいて、素子対41、42、43のアーム短絡故障を検出する。 - 特許庁
To provide an ultrasonograph that has a low power consumption, can remove switching noise, and can improve the symmetric property of movement because a given bias current can be supplied without increasing the bias current to an output element of a transmission power source generating circuit.例文帳に追加
本発明の課題は、送信用電源発生回路の出力素子へのバイアス電流を大きくすることなく、所定のバイアス電流を流すことができることにより、省電力でスイッチングノイズを無くすことができ、且つ動作の対称性を改善することができる超音波診断装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide a display device and its driving method that realize light emission of a light emitting element with constant luminance without any influence of secular changes, accurate gradation representation, fast writing of a signal current to respective pixels, and suppression of influence of noise such as a leak current.例文帳に追加
本発明は、経時劣化の影響を受けずに一定の輝度で発光素子を発光させることができ、正確な階調表現が可能で、なおかつ各画素に対する信号電流の書き込みを高速化でき、漏れ電流等のノイズの影響を抑制した表示装置及びその駆動方法の提供を提供する。 - 特許庁
In a photoelectric conversion element which has PN junctions in a semiconductor substrate 1 and a P side current collecting electrode 9 and an N side current collecting electrode 10 on the rear of the substrate 1, the peripheral part of the substrate 1 has the PN junction deeper than that in the center part of the substrate 1.例文帳に追加
半導体基板1にPN接合が形成され、基板1の裏面にP側電流収集電極9およびN側電流収集電極10が形成された光電変換素子において、半導体基板1の中心部より周囲部の方が深いPN接合を有することを特徴とする。 - 特許庁
A control unit 15 performs control so as to write a voltage in the capacitor C1 of each pixel 11_ij and then, turn on transistors T1 and T2 and controls an anode circuit 12 so as to supply a test current having a predetermined current value to an organic EL element 111 from the anode circuit 12 through the transistor T3 of each pixel 11_ij.例文帳に追加
制御部15は、各画素11_ijのキャパシタC1に電圧の書き込みを行った後、トランジスタT1,T2がオンするように制御し、アノード回路12から、各画素11_ijのトランジスタT3を介して有機EL素子111に所定の電流値の検定電流を供給するようにアノード回路12を制御する。 - 特許庁
The electronic element has: a memory core 101 in which at least its shape or composition changes with electromigration when current is applied; two electrodes 102,103 for applying current; and an electrode 104 which senses change of surface potential, an electric resistance, or a junction resistance.例文帳に追加
電流を印加した時にエレクトトマイグレーションによって少なくとも形状あるいは組成が変化する記憶コア101を有する電子素子であって、電流印加のための2つの電極102,103と表面電位あるいは電気抵抗あるいは接合抵抗の変化を感知する電極104を有する。 - 特許庁
The capacitance value of the smoothing capacitor 18 is set so that the intensity of the peak value of a ripple overlapped onto the alternating-current output generated in an inverter circuit 4 by switching the switch element 15 at a predetermined period is greater than the intensity of the peak value of noises at a ripple frequency band in the alternating-current output.例文帳に追加
スイッチ素子15を所定の周期で切り替えることによりインバータ回路4で生成される交流出力に重畳させたリップルのピーク値強度が、該交流出力に存在するリップル周波数帯におけるノイズのピーク値強度よりも大きくなるように、平滑用コンデンサ18の容量値が設定される。 - 特許庁
To realize a non-linear current mirror circuit whose temperature characteristics are small wherein any resistance element is not installed, a CMOS reference current circuit for outputting reference currents whose temperature characteristics are small and a CMOS reference voltage circuit for outputting a reference voltage whose temperature characteristics are small by operating the MOS transistor in a linear area.例文帳に追加
MOSトランジスタを線形領域で動作するようにして、抵抗素子を持たない、かつ温度特性の小さな非線形カレントミラー回路や温度特性の小さな基準電流を出力するCMOS基準電流回路、および温度特性の小さな基準電圧を出力するCMOS基準電圧回路の実現を図る。 - 特許庁
When the driver 1 switches from the 5-phase excitation to the 4-phase excitation, a regenerative current flowing to the winding of a phase C connected to the element T5 newly becoming on can be rapidly attenuated by raising the current attenuation ratio, by turning the point S5 into a higher state of the potential.例文帳に追加
駆動装置1が、5相励磁から4相励磁へ切り替える際に、新たにオン状態になるトランジスタ素子T5と繋がるC相の相巻線に流れる回生電流を、接続点S5を高電位状態にして電流減衰率を上昇させることにより、速く減衰させることができる。 - 特許庁
The problem can be solved by providing a second leading back layers (41, 42) at positions of equal distance to the left and right from a leading back layer (40) which is served as an electronic current carrying way and forming these electronic current carrying ways by simultaneous ion implantation using the same mask, so that all the intervals between each channel area within the element is made even.例文帳に追加
電子通電路となる打ち返し層(40)に対して左右等距離の位置に第2の打ち返し層(41,42)を設け、これらの打ち返し層を同じマスクを用いた同時のイオン注入により形成することにより、素子内のチャネル領域の間隔をすべて均一にすることで解決する。 - 特許庁
When the MOS transistor M2 is in an operational state, the electric potential of a node B is decreased by a current mirror circuits 16 and 13 to make the other MOS transistor M1 off state, by detecting the voltage between the gate and the source of the MOS transistor M2 with a transistor M4 and generating a detection current Idct2 flowing through a resistor element R2.例文帳に追加
またMOSトランジスタM2が動作状態にあるときは、そのゲート〜ソース間電圧をトランジスタM4で検出し、抵抗素子R2に流れる検出電流Idct2を生成することで、カレントミラー回路16,13によりノードBの電位を下げて他方MOSトランジスタM1をオフ状態とする。 - 特許庁
A di/dt feedback part 23 of the semiconductor element driving circuit 13 generates a feedback voltage VFB based on temporal change, or a time differential value dIc/dt, of a collector current Ic of the IGBT 11 that is a main current of the electronic circuit 1, and adds the feedback voltage VFB to the gate-emitter voltage Vge of the IGBT 11 as a part of it.例文帳に追加
半導体素子駆動回路13のdi/dt帰還部23は、電子回路1の主電流であるIGBT11のコレクタ電流Icの時間的変化、即ち時間微分値dIc/dtに基づき帰還電圧VFBを生成し、IGBT11のゲート−エミッタ間の電圧Vgeの一部として加算する。 - 特許庁
In this controller calculating a command value of electromagnetic force, on the basis of a difference between an actual velocity and a target velocity of a moving element of an electromagnet estimated by an observer, an initial value s0 is assigned to an integration term of the difference, at the beginning of current carrying through the electromagnet, such that the carrying current proportional to a cylinder inner pressure is obtained.例文帳に追加
オブザーバで推定した電磁石の可動子の実速度と目標速度との偏差に基づいて電磁力の指令値を算出するものにおいて、電磁石の通電開始時に、偏差の積分項に、筒内圧に比例的な通電電流が得られるように初期値s0を与える構成とした。 - 特許庁
In the synchronous rectification DC/DC converter, a current transformer T is provided, a series circuit of a reset resistor R1 and a detection resistor R2 is connected across the secondary winding of the current transformer T, and a unidirectional conduction element D1 is connected in parallel with the reset resistor R1.例文帳に追加
同期整流方式のDC/DCコンバータにおいて、カレントトランスTを設け、カレントトランスTの二次巻線の両端間にリセット抵抗R1と検出抵抗R2との直列回路を接続し、リセット抵抗R1と並列に一方向導通素子D1を接続してあることを特徴とするDC/DCコンバータ。 - 特許庁
To provide a current mirror circuit 40 configured in an integrated circuit that eliminates the effect by a photo current IPD of a parasitic photo diode PD caused between an epitaxial layer and a substrate layer in a structure of the integrated circuit without taking measures of particular light shading while suppressing increase in an element area.例文帳に追加
集積回路内に構成されるカレントミラー回路40において、素子面積の増加を抑えつつ、また特別な遮光のための対策を講じることなく、集積回路の構造上、エピタキシャル層とサブストレート層との間に発生する寄生フォトダイオードPDの光電流IPDによる影響を除去する。 - 特許庁
To improve controllability for an etching process, crystallinity at the time of regrowth and luminous efficiency in a surface emitting laser element of a selective oxidation current constrictive with a controlling system in an oxidation shape by arranging each semiconductor layer with different compositions in a current path and an oxidation area by means of etching and regrowth.例文帳に追加
エッチング及び再成長により電流通路と酸化領域にそれぞれ組成の違う半導体層を設けて酸化形状の制御を行う方式の選択酸化電流狭窄型の面発光型レーザ素子において、エッチング工程の制御性,再成長時の結晶性、および発光効率を向上させる。 - 特許庁
To provide an ESD protection element which protects an LSI by turning on SCR operation in a very short time when a surge current is applied, forming a low-resistance discharge path for safety of circuit elements in the LSI, and discharging an electrostatic discharge current pulse therethrough to minimize the overshoot of a voltage.例文帳に追加
サージ電流が印加されたとき、極短時間でSCR動作をターンオンさせ、LSI内部の回路素子にとって安全で且つ低抵抗の放電経路を形成して静電気放電電流パルスを放電させることにより、電圧のオーバーシュートをできるだけ抑制してLSIを保護するESD保護素子を提供する。 - 特許庁
To surely detect any failure generated in a semiconductor manufacturing process even in a semiconductor integrated circuit in which the current values of the rest time power source currents of each element constituting a semiconductor integrated circuit and the fluctuation of the current values are both large, and the inter-semiconductor integrated circuit fluctuation due to a process parameter is large.例文帳に追加
半導体集積回路を構成する各素子の静止時電源電流の電流値とこの電流値のばらつきとが大きく、さらにプロセスパラメータによる半導体集積回路間のばらつきが大きな半導体集積回路であっても、半導体製造プロセスで発生した不具合を確実に検出すること。 - 特許庁
The current detecting circuit 30 is provided with a reference voltage generating part 31 for generating a reference voltage Vb, and the A/D converter 26 for converting the reference voltage Vb and an interterminal voltage Vi of a current detecting resistance element 24 into digital data to be output as the first and second voltage data D(Vi).例文帳に追加
電流検出回路30は、基準電圧Vbを発生する基準電圧発生部31と、基準電圧Vb及び電流検出用抵抗素子24の端子間電圧Viをデジタルデータに変換し、第1及び第2の電圧データD(Vi)、D(Vb)として出力するA/D変換器26と、を備える。 - 特許庁
The semiconductor light emitting element constituted by including a ZnO semiconductor includes a structure for blocking current by a reversely biased pn junction, in such a manner that a current block region of the reversely biased pn junction has an ionization impurity concentration of 5×10^17 to 5×10^20 cm^-3.例文帳に追加
ZnO系半導体を含んで構成された半導体発光素子であって、逆バイアスされたpn接合によって電流をブロックする構造を有し、前記逆バイアスされたpn接合の電流ブロック領域が5×10^17〜5×10^20cm^−3のイオン化不純物濃度を有する。 - 特許庁
The drive unit includes a data driver 2 which includes one power source (constant power source) for supplying a drive current, provided each in conformation to one display pixel, and selectively supplies the drive current from the one power source to each light-emitting element constituting the one display pixel for every scanning period.例文帳に追加
また、1つの表示画素に対応して駆動電流を供給する1つの電源(定電流源)がそれぞれ設けられると共に、一走査期間ごとに、前記1つの表示画素を構成する各発光素子に対して、前記1つの電源から選択的に駆動電流を供給するデータドライバ2が具備される。 - 特許庁
The correction means is operated in accordance with control signals supplied from scan lines AZ1 and AZ2 and corrects the input voltage Vgs in such a manner as to take out the output current from the drive transistor Trd and make the output current flow to a capacity Coled which a light emitting element EL has, and to the pixel capacity Cs.例文帳に追加
この補正手段は走査線AZ1,AZ2から供給される制御信号に応じて動作し、ドライブトランジスタTrdから出力電流を取り出し、これを発光素子ELの有する容量Coled及び画素容量Csに流し込む様にして入力電圧Vgsを補正する。 - 特許庁
When the measurement of element admittance is performed by detecting a change in the current flowing through the admittance measuring resistor Ra provided to the sensor current detection circuit 6 is detected, a voltage higher than the voltage of a command voltage source 61 is applied to the gate terminals of two MOS type FETs to set two MOS type FETs to a continuity state.例文帳に追加
センサ電流検出回路6に設けたアドミタンス測定用抵抗Raに流れる電流変化を検出して、素子アドミタンスの測定を行う際には、指令電圧源61の電圧よりも高い電圧を、2つのMOS型FETのゲート端子に印加して、2つのMOS型FETを導通させる。 - 特許庁
In this TCD, constituted so that a filament (temperature-sensing element) R1 forms at least one side of a resistance bridge circuit 1 fed from a constant-current source 2, a correction circuit 4 for correcting an output signals S, based on the change of a voltage Vo fed from the constant-current source 2 to the resistance bridge circuit 1.例文帳に追加
フィラメント(感温素子)R1が定電流源2から給電される抵抗ブリッジ回路1の少なくとも一辺を形成するように構成されたTCDにおいて、定電流源2から抵抗ブリッジ回路1に給電される電圧Voの変化に基づいて出力信号Sを補正する補正回路4を設けた。 - 特許庁
To provide a power converter in which power can be regenerated while suppressing input current distortion without increasing the switching frequency, voltage utilization rate of the converter is high, maximum interruption current of a switching element is low, and economical AC/DC power conversion can be performed with high efficiency and high power factor.例文帳に追加
スイッチング周波数を高くすることなく入力電流歪みを小さくし、電力回生可能で、変換器の電圧利用率が高く、スイッチング素子の最大遮断電流が小さく、高効率、高力率で経済的な交流/直流電力変換が行える電力変換装置を提供する。 - 特許庁
When the switching element 36 is turned from ON to OFF, a reflux electric current Id based on the inductance coil 38 flows in the forward direction of the diode 40 through a closed circuit 46 composed of the inductance coil 38, the capacitance 12, and the diode 40, and the capacitor 12 is charged with the reflux electric current Id.例文帳に追加
そして、スイッチング素子36がオン状態からオフ状態になると、インダクタンスコイル38、コンデンサ12およびダイオード40からなる閉回路46内でインダクタンスコイル38に基づく電流Idがダイオード40の順方向に還流し、この還流する電流Idによってコンデンサ12が充電される。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
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