「dielectric element」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

A first through-hole electrode 18, electrically connected to the first inner electrode 14, penetrating through the second inner electrode 16, and a second through-hole electrode 12 electrically connected to the second inner electrode 16 penetrating through the first inner electrode 14, are provided inside the dielectric element 12, in a form which extends so as to cross the inner electrodes 14 and 16 at right angles.例文帳に追加

第２の内部電極１６を貫通して第１の内部電極１４に電気的に接続される第１のスルーホール電極１８及び、第１の内部電極１４を貫通して第２の内部電極１６に電気的に接続される第２のスルーホール電極２０が、これら内部電極１４、１６と直交するように交差してそれぞれ延びる形で、誘電体素体１２に設けられる。 - 特許庁

To provide a high-quality, high-reliability, and high dielectric thin film capacitor which shows the same permittivity as that shown by a capacitor in which a noble metallic element is used for metallic electrodes, through the capacitor uses an inexpensive metallic material for its metallic electrodes and is less in leakage current, and to provide a method by which the capacitor can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

コンデンサの電極材料として安価な金属材料が適応された高誘電体薄膜コンデンサとその製造方法を提供することにより、製造コストが安く、かつ貴金属元素を金属電極に用いたコンデンサと同等の誘電率を示し、かつ漏れ電流の小さな高品質かつ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する。 - 特許庁

The element 2 is constituted by sequentially layering a ground electrode green sheet 12 on the surface of which the ground electrode 4 is formed, a plurality of dielectric green sheets 11 on the surfaces of which capacitor electrodes 10a, 10b are formed, a plurality of magnetic substance green sheets 9 on the surfaces of which conductor patterns 8 are formed and an insulated green sheet 13 on the surface of which nothing is formed.例文帳に追加

素子２は、グランド電極４が表面に形成されたグランド電極グリーンシート１２と、コンデンサ電極１０ａ，１０ｂが表面に形成された複数の誘電体グリーンシート１１と、導体パターン８が表面に形成された複数の磁性体グリーンシート９と、表面に何も形成されていない絶縁グリーンシート１３とが順に積層されて構成されている。 - 特許庁

Crystal having characteristics (dielectric loss tangent: tan δ) better than that of fluororesin, LTCC or the like used conventionally as a substrate of a resonance part 1 and on which a fine metal film pattern can be formed by a photolithographic method is used as a crystal substrate 10, and a conductive line is formed on the crystal substrate 10 to form an inductance element 11 in the resonance part 1.例文帳に追加

従来から共振部１の基板として用いられているフッ素樹脂やＬＴＣＣなどよりも良好な特性（静電正接：ｔａｎδ）を持ち、しかもフォトリソグラフィ法により微細な金属膜のパターンを形成できる水晶を水晶基板１０として用いて、この水晶基板１０上に導電線路を形成して共振部１のインダクタンス素子１１を構成する。 - 特許庁

The liquid crystal device includes a pixel electrode 35, a switching element 34, a counter electrode 82, the liquid crystal layer 28, a first alignment film 71 provided to contact the pixel electrode 35 between the liquid crystal layer 28 and the pixel electrode 35, a second alignment film 83, and a dielectric layer 84 provided between the second alignment film 83 and the counter electrode 82 and made of silicon oxide.例文帳に追加

本発明の液晶装置は、画素電極３５と、スイッチング素子３４と、対向電極８２と、液晶層２８と、液晶層２８と画素電極３５との間に、画素電極３５と当接して設けられた第１配向膜７１と、第２配向膜８３と、第２配向膜８３と対向電極８２との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層８４と、を備える。 - 特許庁

The liquid crystal device includes a pixel electrode 35, a switching element 34, a counter electrode 82, the liquid crystal layer 28, a first alignment layer 71, a dielectric layer 70 provided between the first alignment layer 71 and the pixel electrode 35 and made of silicon oxide, and a second alignment layer 83 provided to contact the counter electrode 82 between the liquid crystal layer 28 and the counter electrode 82.例文帳に追加

本発明の液晶装置は、画素電極３５と、スイッチング素子３４と、対向電極８２と、液晶層２８と、第１配向膜７１と、第１配向膜７１と画素電極３５との間に設けられた酸化シリコンからなる誘電体層７０と、液晶層２８と対向電極８２との間に、対向電極８２と当接して設けられた第２配向膜８３と、を備える。 - 特許庁

The absolute value of the residual DC accumulated on a display layer and the time constant thereof are measured by applying a periodical measuring voltage to the display element composed of the multilayer dielectric before and after residual DC accumulation respectively and measuring a phase change of a peak of a current caused by ions in the display layer brought about in response to the periodical measuring voltage.例文帳に追加

多層誘電体から成る表示素子に対して、残留ＤＣが蓄積する前と蓄積した後にそれぞれ周期的測定電圧を印加し、該周期的測定電圧に応答して発現する表示層中のイオンに由来する電流ピークの位相の変化を計測することによって、表示層に蓄積される残留ＤＣの絶対値および時定数を測定する。 - 特許庁

The dielectric porcelain consists of a grain boundary phase and main crystal particles composed of a perovskite-type compound oxide at least containing Ba, Ti, a rare earth element, Mg, and Mn as metal elements; the content of Al in terms of oxide in the main crystal particles is 0.01 mass% or lower and that in the grain boundary phase is 0.05-2 mass%.例文帳に追加

金属元素として、少なくともＢａ、Ｔｉ、希土類元素、ＭｇおよびＭｎを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、粒界相とからなる誘電体磁器において、酸化物換算したときのＡｌの含有量は、前記主結晶粒子の内部が０．０１質量％以下、粒界相が０．０５〜２質量％であることを特徴とする。 - 特許庁

In the dielectric element assembly 12, first through-hole electrodes 18, which penetrate the second inner electrodes 16 and are electrically connected with the first inner electrodes 14, and second through-hole electrodes 20, which penetrate the first inner electrodes 154 and are electrically connected with the second inner electrodes 16 are arranged into a pillar form, in such a manner that they are stretched intersecting the inner electrodes 14, 16.例文帳に追加

誘電体素体１２内に第２の内部電極１６を貫通して第１の内部電極１４に電気的に接続される第１のスルーホール電極１８及び、第１の内部電極１４を貫通して第２の内部電極１６に電気的に接続される第２のスルーホール電極２０が、これら内部電極１４、１６と交差してそれぞれ延びる形で、柱状に設けられる。 - 特許庁

To provide a method for packaging an electrolytic capacitor capable of repeating unsealing/resealing comparatively simply even by a user having no sealing means such as a heat sealing device when the electrolytic capacitor, in which a capacitor element with an anode member with a dielectric film thereon, is impregnated with a liquid or solid cathode member, is housed in an aluminum laminated bag and forwarded and/or stored.例文帳に追加

誘電体皮膜が形成された陽極部材を備えるコンデンサ素子に、液体又は固体の陰極部材を含浸した電解コンデンサを、アルミラミネート袋に収納して出荷及び／又は保管するに当たり、熱シール装置等の密封手段を持ち合わせていないユーザでも、比較的簡単に開封／再密封を繰り返すことができるような、電解コンデンサの包装方法を提供する。 - 特許庁

The optical element of this invention has one or more compositions provided with a 1st and 2nd crystalline substance films of the same material, and an amorphous film physically 4 nm thick or less between the above 1st and the 2nd films, in a dielectric multilayer film comprising two or more alternating films each different in refractive index on a substrate.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明の光学素子は基板上に屈折率の異なる２種類以上の交互膜から成る誘電体多層膜において、同種の材料から成る第１及び第２の結晶質膜と、前記第１及び第２の結晶質膜の間に物理的膜厚４ｎｍ以下の非結晶質膜を設けた構成を１つ以上含むことを特徴としている。 - 特許庁

The method of fabricating a flash memory element includes steps of: forming an undoped first polysilicon film on a semiconductor substrate; forming on said first polysilicon film an undoped second polysilicon film provided with a high-concentration doped region; implementing processing such that the doping concentration of said second polysilicon film and the doping concentration of said first polysilicon film will be similar; and forming a dielectric film on the resultant product.例文帳に追加

半導体基板上にアンドープト第１ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第１ポリシリコン膜の上部に、高濃度ドーピング領域が備えられたアンドープト第２ポリシリコン膜を形成する段階と、前記第２ポリシリコン膜のドーピング濃度と前記第１ポリシリコン膜のドーピング濃度が類似となるようにしながら、前記結果物上に誘電体膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

This humidity sensor is formed with a humidity sensing part 100 having a humidity sensitive film 50 of which an electrostatic capacitance (dielectric constant) changes by adsorption of moisture, and electrodes 31, 32 covered with the humidity sensitive film 50 and for detecting the change of the electrostatic capacitance, and a circuit element 200 for processing an output signal from the humidity sensing part 100, in an N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

水分を吸着することによって静電容量（誘電率）が変化する感湿膜５０及び該感湿膜５０に覆われて、その静電容量の変化を検出するための電極３１及び３２を有する感湿部１００と、該感湿部１００の出力信号を処理する回路素子部２００とが、Ｎ型の半導体基板１０に形成されている。 - 特許庁

A capacitor element 12 includes a dielectric layer 18 utilizing a porous oxide base material obtained by anodizing a metal, a plurality of first internal electrodes 20 and second internal electrodes 22 formed in pores, a first external electrode 24 connected with the first internal electrode 20, and a second external electrode 32 connected with the second internal electrode 22.例文帳に追加

コンデンサ素子１２は、金属を陽極酸化して得られる多孔質の酸化物基材を利用した誘電体層１８，その孔内に複数形成された第１の内部電極２０及び第２の内部電極２２，第１の内部電極２０と接続する第１の外部電極２４，第２の内部電極２２と接続する第２の外部電極３２により構成される。 - 特許庁

Since the parasitic capacitance is reduced by isolating light receiving elements through an insulator or a dielectric isolating region 6 and direct contact is taken from a P type semiconductor substrate 2 becoming an anode region in a region 11 embedded with a low resistance conductor, series resistance is decreased and the frequency characteristics of a light receiving element can be enhanced.例文帳に追加

受光素子間を絶縁体または誘電体の分離領域６で分離することにより寄生容量が低減され、かつ、低抵抗の導電体を埋め込んだ導電体埋め込み領域１１でアノード領域となるＰ型半導体基板２から直接コンタクトを取ることによりシリーズ抵抗が低減されるため、受光素子の周波数特性を向上することができる。 - 特許庁

The photoelectric conversion device has a semiconductor substrate 2 on which a photoelectric conversion element is formed, a color filter 8 prepared on the semiconductor substrate 2, and a supporting base 21 bonded onto the color filter 8, wherein the supporting base 21 is a photoelectric device having an interference film filter 11 that has multiple dielectric layers laminated and reflects infrared light.例文帳に追加

本発明では、光電変換素子が形成された半導体基板２と、半導体基板２上に設けられたカラーフィルター８と、カラーフィルター８上に接着された支持基体２１とを備え、支持基体２１は、複数の誘電体層が積層された赤外光を反射する干渉膜フィルター１１を有する光電変換装置によって上記課題を解決することができる。 - 特許庁

The capacitor element comprising a large number of electrode layers 1 and ceramic dielectric layers 2 laid in layers alternately has lead-out electrode portions 4 formed by filling a plurality of through holes 3 penetrating the lamination in the laying direction with conductors wherein the lead-out electrode portion 4 projects from the surface of the lamination to the outside.例文帳に追加

多数の電極層１およびセラミック誘電体層２を交互に積層して成る積層体を備えたコンデンサ素子において、前記積層体を積層方向に貫通する複数の貫通孔３に導体が充填されて成る引き出し電極部４を有し、該引き出し電極部４は、前記積層体の表面よりも外側に突出していることを特徴とするコンデンサ素子。 - 特許庁

The liquid crystal display element includes: a TFT substrate 20 having a pixel electrode 20B provided with a plurality of slits 21; a liquid crystal layer 40 containing liquid crystal molecules 41 showing negative dielectric anisotropy; and a CF substrate 30 opposing to the TFT substrate 20 via the liquid crystal layer 40 and having a counter electrode 30B provided in the whole region opposing to the pixel electrode 20B.例文帳に追加

複数のスリット２１が設けられた画素電極２０Ｂを有するＴＦＴ基板２０と、負の誘電率異方性を示す液晶分子４１を含む液晶層４０と、ＴＦＴ基板２０と液晶層４０を介して対向すると共に、画素電極２０Ｂと対向する領域全体に設けられた対向電極３０Ｂを有するＣＦ基板３０とを備えている。 - 特許庁

In the color liquid crystal display element utilizing a coloring phenomenon by a double refraction effect, a liquid crystal material having negative dielectric anisotropy is used, and a chiral material is added, to impart such properties as to present vertical alignment in the non voltage applied state and twisted alignment in the voltage applied state and as to increase the pitch of twisted alignment as temperature rises.例文帳に追加

複屈折効果による着色現象を利用したカラー液晶表示素子であって、誘電異方性が負の液晶材料を用いるとともに、カイラル材を添加して、電圧無印加状態において垂直配向かつ電圧印加状態においてねじれ配向を呈し、温度の上昇とともにねじれ配向のピッチが増加するような性質を与える。 - 特許庁

A variable capacitance element includes a movable electrode 3a including: a substrate 10; a signal line 1 provided on the substrate 10; a fixed electrode 7 provided on the substrate 10; a movable part which straddles the signal line 1 to extend above the fixed electrode 7 and is movable to the fixed electrode 7; and a fixed part which is fixed to the fixed electrode 7 with a dielectric layer 9 in between.例文帳に追加

可変容量素子は、基板１０と、基板１０上に設けられる信号線路１と、基板１０上に設けられる固定電極７と、信号線路１を跨いで固定電極７の上方まで延び、前記固定電極７に対して可動である可動部と、固定電極７に誘電体層９を挟んで固定される固定部と、を含む可動電極３ａとを備える。 - 特許庁

An MIM element 411 comprises an electrode 71a formed in the same layer as the layer of a lower electrode 71 constituting a storage capacitor 70, a power source line 93 formed in the same layer as the layer of a capacitor electrode 300, and an insulating film 75a interposed between the electrode 71a and the power source line 93 and formed in the same layer as the layer of a dielectric film 75.例文帳に追加

ＭＩＭ素子４１１は、蓄積容量７０を構成する下部電極７１と同層に形成された電極７１ａ、容量電極３００と同層に形成された電源線９３並びに電極７１ａ及び電源線９３によって挟持されており誘電体膜７５と同層に形成された絶縁膜７５ａを備えて構成されている。 - 特許庁

This manufacturing method for the laminated ceramic electronic component has a burning process for burning an element main body having dielectric layers and internal electrode layers containing base metal arrayed by turns; and the burning process has a temperature raising process for raising the temperature up to burning temperature and hydrogen is introduced from halfway in the temperature raising process.例文帳に追加

誘電体層と、卑金属を含む内部電極層とが交互に複数配置された焼成前素子本体を焼成する焼成工程を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、前記焼成工程が、焼成温度まで昇温させる昇温工程を有し、前記昇温工程の途中から水素を導入することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。 - 特許庁

The electroluminescent element is equipped with a first electrode and a second electrode arranged to face each other at a regular interval, an inorganic light-emitting layer formed between the first electrode and the second electrode, a dielectric layer formed on an inside face of the second electrode, and a field emission layer consisting of a nano-rod and formed at least on one surface of the inorganic light-emitting layer.例文帳に追加

一定の間隔で互いに対向するように配置された第１電極及び第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された無機発光層と、前記第２電極の内面に形成された誘電体層と、前記無機発光層の少なくとも一方の面に形成された、ナノロッドからなる電界放出層と、を具備する電界発光素子である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with which a dielectric film for forming a capacity element can be prevented from being left as an etching residue in the edge part of a wiring pattern for other non-capacitance elements and the yield of the semiconductor device be improved, in the method for a semiconductor device in which transistors such as bipolar transistors, MOS transistors, etc., and capacitance elements coexist for example.例文帳に追加

たとえば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタ等の種々のトランジスタと容量素子が混在する半導体装置の製造方法において、容量素子を形成するための誘電膜が他の非容量素子の配線パターンのエッジ部にエッチング残渣として残ることを確実に防止でき、半導体装置の歩留りを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the plasma display panel, as the protective film 14 of magnesium oxide (MgO) formed on the dielectric glass layer 13, by forming the protective film 14 of magnesium oxide (MgO) to which oxide containing an element having electric negativity of 1.4 or more is added, adsorption of impure gas to the protective film 14 is suppressed, and stabilization of the discharge sustaining voltage and reduction of the panel brightness deterioration can be realized.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルにおいて、誘電体ガラス層１３上に形成される酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の保護膜１４として、電気陰性度が１．４以上の元素を含む酸化物を添加した酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の保護膜１４を形成することによって、保護膜１４の不純ガス吸着を抑制し、放電維持電圧の安定化と、パネル輝度劣化の低減を図ることができる。 - 特許庁

The semiconductor element consists of a semiconductor substrate 60 including a conductive region and insulating region, a conductive pattern formed on the conductive region of the semiconductor substrate 60, an auxiliary pattern composed of a conductive layer positioned adjacent to the conductive pattern, and an inter-layer dielectric film 66 which is formed on the semiconductor substrate 60 and has a contact hole 68 exposing the conductive pattern and auxiliary pattern at the same time.例文帳に追加

導電領域と絶縁領域とを含む半導体基板６０と、半導体基板６０の導電領域に形成される導電パターンと、導電パターンと隣接して配置される導電層よりなる補助パターンと、半導体基板６０上に形成され、前記導電パターンと補助パターンとを同時に露出させるコンタクトホール６８を有する層間絶縁膜６６とを含む。 - 特許庁

The capacitance element 15 has a foundation insulating layer 11 wherein a recess 11a is formed in the surface thereof, a lower electrode 12 formed along the inner surface of the recess 11a on the foundation insulating layer 11, a capacitance insulating film 13 which is formed on the lower electrode 12 and composed of a high dielectric or a ferroelectric, and an upper electrode 14 formed on the capacitance insulating film 13.例文帳に追加

容量素子１５は、表面に凹部１１ａが形成された下地絶縁層１１と、下地絶縁層１１の上に凹部１１ａの内面に沿って形成された下部電極１２と、該下部電極１２の上に形成され、高誘電体又は強誘電体からなる容量絶縁膜１３と、該容量絶縁膜１３の上に形成された上部電極１４とを有している。 - 特許庁

This dielectric porcelain composition contains at least a rare earth element (Ln), Al, M (M is Ca or/and Sr) and Ti as metal elements and is obtained by crystallizing so that the average particle size of crystals in the crystal phase consisting mainly of oxides of M and Ti is made larger than that of crystals in the crystal phase consisting mainly of oxides of Ln and Al.例文帳に追加

金属元素として少なくとも稀土類元素（Ｌｎ）、Ａｌ、Ｍ（ＭはＣａまたは／およびＳｒ）及びＴｉを含有し、結晶相としてＭおよびＴｉの酸化物からなる結晶相を主相とする結晶の平均粒径を、結晶相として稀土類元素（Ｌｎ）およびＡｌの酸化物からなる結晶相を主相とする結晶の平均粒径よりも大きくする。 - 特許庁

A second conductive impurity area 7 and a first conductive impurity area 6 are separately formed in a first conductive semiconductor active layer 4 formed through an embedded dielectric layer 3 on one main face side of a substrate 2, and element electrodes 10 and 9 are respectively formed on the second conductive impurity area 7 and the contact impurity area 6.例文帳に追加

基板２の一主面側に埋込誘電体層３を介して形成された第１導電型の半導体活性層４に、第２導電型の不純物領域７と、第１導電型のコンタクト不純物領域６とが互いに離れて形成され、第２導電型の不純物領域７およびコンタクト不純物領域６上に、それぞれ素子電極１０，９を有する。 - 特許庁

The semiconductor device for evaluating the contact resistance comprises contact chains 13 where the metal lines 2 of units, each comprising a plurality of capacitors constituted by sandwiching a dielectric film between two metal lines 2, are connected in series, and pads 4 provided at the opposite ends of the contact chains 13 wherein at least one pad 4 is connected with a protective element 14 for absorbing charges.例文帳に追加

誘電絶縁膜を２つのメタル配線２の間に挟んで構成した複数のキャパシタを単位として、それらの単位のメタル配線２同士を直列に接続したコンタクトチェーン１３と、このコンタクトチェーン１３の両端に設けたパッド４とを備えたコンタクト抵抗評価用の半導体装置において、少なくとも一方のパッド４に、電荷吸収用の保護素子１４を接続する。 - 特許庁

By transforming the low input/output impedance of an active element 12 into a little higher impedance by a microstrip line 13 and connecting it to dielectric substrates 15 and 16 provided with remaining matching circuits 18 later while using a wire 19, the influence of the inductance of the wire 19 upon the entire amplifier is reduced and the dispersion in the characteristics of the entire amplifier caused by the dispersion of a wire length is suppressed.例文帳に追加

能動素子１２の低い入出力インピーダンスをマイクロストリップ線路１３によりある程高いインピーダンスに変成した後に、ワイヤ１９を用いて残りの整合回路１８を含む誘電体基板１５，１６に接続することで、ワイヤ１９のインダクタンスの増幅器全体への影響を小さくし、ワイヤ長のばらつきによる増幅器全体の特性のばらつきを抑圧する。 - 特許庁

The thin-film capacitor element 10 comprises the thin-film capacitor 15 having a dielectric layer 13 and two electrodes 12 and 14 sandwiching it, external terminals 23 electrically connected to the electrodes respectively, and resistive layers 30 each being provided between the electrode and the external terminal and adjacent to the electrode and having a resistivity larger than that of the adjacent electrode.例文帳に追加

本発明の薄膜キャパシタ素子１０は、誘電体層１３とそれを挟む２つの電極１２，１４を有する薄膜キャパシタ１５と、前記電極と電気的に接続される外部端子２３とを備え、前記電極と外部端子との間に設けられ、前記電極に隣接するとともに、前記隣接する電極よりも大きな抵抗率を有する材料からなる抵抗層３０を有する。 - 特許庁

When a capacitor element obtained by winding or laminating the metallized film made of a metal vapor-deposited electrode containing zinc as a main component on the dielectric film, the zinc concentration of the vapor-deposited metal of the non-vapor deposited part side is raised, the vapor-deposited metal is thickly vapor-deposited, or the zinc containing quantity of the vapor-deposited metal is increased.例文帳に追加

誘電体フィルムに亜鉛を主体とする金属蒸着電極から成る金属化フィルムを巻回または積層してなるコンデンサ素子を形成する際に、非蒸着部側の蒸着金属の亜鉛濃度を高くすること、蒸着金属を厚く蒸着すること、または蒸着金属の亜鉛含有量を多くすることを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。 - 特許庁

Moreover, the dielectric layer 2 includes a first buried oxide film 10 formed on the surface of the silicon substrate 1, a shield layer 11 formed under the first buried oxide film 10 oppositely to the element region, a second buried oxide film 12 formed in the periphery of the shield layer 11, and a third buried oxide film 13 formed below the shield layer 11 and the second buried oxide film 12.例文帳に追加

誘電体層２は、シリコン基板１の表面に形成された第１の埋込酸化膜１０と、素子領域に対向して第１の埋込酸化膜１０の下に形成されたシールド層１１と、シールド層１１の周りに形成された第２の埋込酸化膜１２と、シールド層１１および第２の埋込酸化膜１２の下に形成された第３の埋込酸化膜１３とを含む。 - 特許庁

Namely, in a triplet structure for holding a strip line which is a high frequency signal transmission line vertically (from both sides) between double configurations of a dielectric and a ground conductor, the high frequency transmission line in the triplet structure composed of the magnetic impedance element 3 is further surrounded with the conductor of the non-magnetic substance, for example, with a metallic case composed of aluminum or copper.例文帳に追加

すなわち、高周波信号伝送線路であるストリップ線路を上下（両側）から誘電体と接地導体との二重構成で挟み込む構造を持ったトリプレート構造とし、さらに上記の磁気インピーダンス素子３によるトリプレート構造の高周波伝送線路を、非磁性体である導体、例えばアルミニウムや銅からなる金属ケースで取り囲む構造とした。 - 特許庁

When performing on a circuit board the input/output impedance matching of approximately lower than 1 Ω relative to the power amplification element for power amplifying the high-frequency signals of 500 MHz or higher, in order to narrow the pattern width of the transmission line being pattern-formed on a pattern wiring layer of the circuit board, a ground layer is additionally formed in a dielectric layer immediately below the pattern concerned.例文帳に追加

５００ＭＨｚ以上の高周波信号を電力増幅する電力増幅素子に対して回路基板上で概ね１Ω未満の入出力インピーダンスマッチングを行う場合に、前記回路基板のパターン配線層にパターン形成される伝送線路のパターン幅が狭まるように、該当パターン直下の誘電体層内にグランド層を追加形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The refractive index change element includes a structural part having a plurality of quantum dots formed of organic molecules each containing a π-conjugated system positioned in a center part and alkane chains arranged around the π-conjugated system and having a divergent energy level and a dielectric matrix in which the quantum dots are dispersed and an electron injecting part injecting electrons into the structural part.例文帳に追加

中心部に位置するπ共役系および前記π共役系の周囲に配置されるアルカン鎖を含む有機分子で形成され離散的なエネルギー準位を持つ複数の量子ドットと、前記量子ドットをその中に分散させる誘電体マトリクスとを有する構造部と、前記構造部に対して電子を注入する電子注入部とを具備することを特徴とする屈折率変化素子。 - 特許庁

To provide a ceramic wiring board in which a semiconductor component and a wiring structure can be formed conveniently with high precision even if the wiring structure is complicated or shrunk due to reduction in size or high integration of the semiconductor component being mounted, a dielectric layer around a conductor element is scarcely deformed, and flatness on the major surface of a substrate for forming component connection pads can be enhanced.例文帳に追加

実装される半導体部品の小型化ないし高集積化に伴い、組み込まれる配線構造が複雑化ないし微細化しても、これらを簡便かつ高精度に形成でき、また、導体要素の周囲にてセラミック誘電体層の変形がほとんど生じず、部品接続用のパッドが形成される基板主表面の平坦性を大幅に向上できるセラミック配線基板を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing this antenna is selected from a group, including tuning a central signal frequency, by installing a conductive or dielectric object at a desired tuner position in the vicinity of the antenna; tuning a radiation direction or a pattern, by installing a conductive reflector at a desired reflector position in the vicinity of the antenna; and correcting a bandwidth by selecting a conductive patch or object as a radiation/detection element.例文帳に追加

アンテナ近傍の所望のチューナー位置に導電性または誘電性の物体を設置して中央信号周波数をチューニングすること、アンテナ近傍の所望の反射子位置に導電性の反射子を設置して放射方向またはパターンをチューニングすること、および放射／検出素子として導電性のパッチまたは物体を選択して帯域幅を修正することからなる群から選ばれるアンテナの製造方法。 - 特許庁

By configuring the metal deposition film capacitor in this way, when the capacitor is used in a lighting circuit, or the like, of a flash lamp, even in tens of thousands of charging and discharging cycles, a dielectric barrier electric discharge generated between the metal deposition films of the capacitor element formed by wounding a metal deposition film arranged inside the metal deposition film capacitor is suppressed, and thus the electrostatic capacitance can be prevented from attenuating.例文帳に追加

金属蒸着フィルムコンデンサーをこのように構成することによって、フラッシュランプの点灯回路等に使用した際、数万回といった充放電の繰り返しによっても、金属蒸着フィルムコンデンサー内部に配置された金属蒸着フィルムを巻回し形成したコンデンサー素子の金属蒸着フィルム間に生じる誘電体バリア放電を抑制し、静電容量の減衰を防止することができる。 - 特許庁

The humidification element is formed using a carbon coagulation formed by sequentially laminating graphite particles having different sizes and sequentially forming small air holes at a lower position and large air holes at an upper position, and is a structure which has a thin film of substance that exhibits hydrophilicity on a surface of the graphite particles forming the air holes to thereby enable water absorption, and has a configuration which enables dielectric heating.例文帳に追加

この発明に係る加湿エレメントは、大きさの異なる黒鉛粒子を順次に積層し、下部位置の小さな気孔から上部位置の大きな気孔を順次に形成して成るカーボン凝結体から成る加湿エレメントであって、気孔を成す黒鉛粒子面に親水性を発現する物質の薄膜を備えて吸水を可能とする構造体であり、誘電加熱が可能な構成とするものである。 - 特許庁

To provide a soot detector constituted so as to effectively utilize the phenomenon that dielectric breakdown is produced between both electrodes of a detection element in a region, where the discharge current in a discharge phenomenon is low, by the soot between both electrodes, to properly detect soot or its concentration regardless of the amount of the soot while minimizing the abrasion of both electrodes.例文帳に追加

放電現象における放電電流の小さい領域において、検出素子の両電極間の煤に起因して当該両電極間に絶縁破壊が生ずるという現象を有効に活用して、当該煤の量の多少にかかわらず、両電極の摩耗を最小限に抑制しつつ、煤或いはその濃度を適正に検出するようにした煤検出装置及び煤検出方法を提供する。 - 特許庁

Two input/ output electrodes 28 and 30 are formed in the dielectric substrate 12, which is linearly symmetrically about the lengthwise center of at least the output-side resonance element 14b between the half wavelength resonance elements 14a and 14b, and those two input/output electrodes 28 and 30 are connected to balanced input/output terminals 32 and 34 of the antenna part 20.例文帳に追加

そして、複数の１／２波長共振素子１４ａ及び１４ｂのうち、少なくとも出力側の共振素子１４ｂの長さ方向中心に対して線対称の位置に配置された２つの入出力用電極２８及び３０を誘電体基板１２内に形成し、これら２つの入出力用電極２８及び３０をアンテナ部２０の平衡入出力端子３２及び３４にそれぞれ接続して構成する。 - 特許庁

In the liquid crystal display element 10 constituted by sealing a liquid crystal 13 with negative dielectric anisotropy between a pair of substrates 11, 15 one of which is a transparent substrate 11 transmitting light, inorganic alignment layers 12, 14 making a pretilt angle α of the liquid crystal 13 to be 3 to 13° are disposed on the respective substrate sides of the pair of substrates sealing the liquid crystal inside.例文帳に追加

一方が光を透過する透明基板１１である一対の基板１１，１５間に負の誘電異方性を有する液晶１３を封止してなる液晶表示素子１０において、前記液晶を封止している前記一対の基板の前記液晶を封止している各基板側にそれぞれ前記液晶１３のプレチルト角αを３度乃至１０度とする無機配向膜１２，１４が設けられている。 - 特許庁

At least the surface of the dielectric layer 12 at the side of the cathode 13 is coated with an electron-donative compound containing an electron-donative element.例文帳に追加

本発明の固体電解コンデンサ１０は、弁金属の多孔質体からなる陽極１１と、陽極１１の表面が酸化されて形成された誘電体層１２と、誘電体層１２上に配置され、π共役系導電性高分子を含む固体電解質層１３ａを誘電体層１２側に備えた陰極１３とを有し、少なくとも誘電体層１２の陰極１３側表面に、電子供与性元素を含む電子供与性化合物が塗布されている。 - 特許庁