「dielectric field」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A field plate member laterally surrounds the drift regions and is insulated from the drift regions by a dielectric layer.例文帳に追加

フィールドプレート部材は、ドリフト領域を横方向に取り囲み、誘電体層によって前記ドリフト領域から絶縁される。 - 特許庁

To improve quality of an interface between a high dielectric gate insulating film and silicon substrate, thereby improving characteristics of MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor module which has high dielectric breakdown electric field strength and is free of a flow of reverse recovery current to a circuit.例文帳に追加

絶縁破壊電界強度が高く、逆回復電流が回路に流れない半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

The metallic layers (1406-1409, 1602, 1604) of this improved field emitting device are separated by the relatively thick dielectric dual layers (1402-1405).例文帳に追加

改善された電界放出デバイスの金属層(1406〜1409、1602、1604）は、比較的厚い誘電体２重層(1402〜1405)によって分離される。 - 特許庁

A gate dielectric material resists a high electric field, or improves the performance of a device by the fact that it can manipulate an electric charge in the conduction channel.例文帳に追加

ゲート誘電体は、高電界に耐え、又は、伝導チャネルにおける電荷を操作できることによって装置の性能を改善する。 - 特許庁

Thus, the apparent effective dielectric constant of the substrate is dropped, and a magnetic field energy filling rate of the ferrite is raised.例文帳に追加

これによって基板の見かけ上の実効誘電率を低下させ、フェライトの磁界エネルギー充填率を上げる。 - 特許庁

Subsequently, an MOS-FET 6 (metal oxide silicon-field effect transistor) is formed on the principal surface of the substrate 1SA, and an interlayer dielectric 8a is deposited on the principal surface of the substrate 1SA.例文帳に追加

続いて、基板１ＳＡの主面にＭＯＳ・ＦＥＴ６を形成した後、基板１ＳＡの主面上に層間絶縁膜８ａを堆積する。 - 特許庁

A ferroelectric material is provided with a memory function of a piezoelectric deformation, a dielectric constant and a refractive index by the imprinting of an electric field.例文帳に追加

電界インプリントにより強誘電体材料に圧電歪み、誘電率、屈折率のメモリ機能を付与した。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING FIELD EFFECT DEVICE PROVIDED WITH THIN FILM DIELECTRIC AND CAPACITOR AND RESULTANT DEVICE例文帳に追加

薄膜誘電体を備えた電界効果デバイスおよびコンデンサを作製する方法およびその結果得られるデバイス - 特許庁

A high dielectric constant material layer is formed on the surface of the substrate 1 and the electric field direction of the interface is shifted from a horizontal direction.例文帳に追加

あるいは、基板１表面に高誘電率物質層を形成して界面の電界方向を水平方向からずらす。 - 特許庁

First and second field plates are disposed in the first and second dielectric regions, respectively.例文帳に追加

第１および第２のフィールドプレートは、それぞれ第１および第２の誘電体領域中に配置されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin fil which is not corrosive and has a dielectric constant and insulation performance suitable as the gate part of an FET (field effect transistor).例文帳に追加

腐食性がなく、かつ、ＦＥＴのゲート部として好適な誘電率と絶縁性能を有する薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A field drain insulating part 120 has a first insulating film 126 and a high dielectric-constant insulating film 124.例文帳に追加

フィールドドレイン絶縁部１２０は、第１絶縁膜１２６及び高誘電率絶縁膜１２４を有している。 - 特許庁

In the layer 12, a dielectric constant is changed when the electric field is applied from the power supply 9 through the layers 13.例文帳に追加

液晶層１２は、電源９から制御電極層１３を介して電界が印加されると、誘電率が変化する。 - 特許庁

To provide a junction field effect transistor which has high dielectric strength and low loss, and can operate at high frequencies, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高耐圧かつ低損失でり、高周波動作が可能な接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this state, a dielectric coil 24 is made to approach the part coated with the coating agent 18, so as to generate a magnetic field.例文帳に追加

この状態で、塗布剤１８を塗布した部位に誘電コイル２４を接近させて磁界を発生させる。 - 特許庁

Consequently, a conventionally unrealizable ferroelectric film having a dielectric constant of 35 and a coercive electric field exceeding 50 kV/cm can be formed.例文帳に追加

こうすることによって，従来実現できなかった比誘電率が３５で，抗電界が５０ｋＶ／ｃｍを超える強誘電体膜が形成される。 - 特許庁

Therefore, a dielectric constant and thickness when the electric field is applied are selected so as to be able to transmit the radio wave of the operating frequency of a radar antenna 2.例文帳に追加

そこで、電界印加時の比誘電率および厚みが、レーダアンテナ２の使用周波数の電波を透過できるように、選択されている。 - 特許庁

The strength distribution of an electric field to be applied by the electrode 20 can be regulated, by moving the dielectric 6.例文帳に追加

誘電体６を移動させることにより、電極２０によって印加される電界の強度分布が調節できる。 - 特許庁

The plasma generating device comprises a container (1), an electromagnetic field generating part (2), a pipe (5), input parts (3, 6, 8, 9), and a dielectric substance (7).例文帳に追加

本発明のプラズマ発生装置は、容器（１）と、磁場発生部（２）と、管（５）と、投入部（３、６、８、９）と、誘電体（７）とを備えている。 - 特許庁

By means of a switch control unit 3, dielectric feedings are carried out to a plurality of switches 1a-1e, and modulation is applied to an electromagnetic field for performing radio communication.例文帳に追加

スイッチ制御ユニット３から複数のスイッチ１ａ〜１ｅに誘導給電を行うとともにその電磁界に変調を行って無線通信する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF FIELD-EFFECT DEVICE AND CAPACITOR USING IMPROVED THIN FILM DIELECTRIC SUBSTANCE AND DEVICE OBTAINED THEREBY例文帳に追加

改良型薄膜誘電体を使用して電界効果デバイスおよびコンデンサを製造する方法および得られるデバイス - 特許庁

To reduce an electric field at the end of insulation coating of winding wire of a section on the inner diameter side of disk winding to improve dielectric strength.例文帳に追加

円板巻線の内径側セクションの巻線絶縁被覆端部の電界を低下させ、絶縁耐力を向上させる。 - 特許庁

By the impression of any given stress electric field Eox, the time TBD that elapses before an oxide film reaches a dielectric breakdown is measured.例文帳に追加

任意のストレス電界Ｅoxを印加することにより、酸化膜が絶縁破壊（ブレークダウン）に至るまでの時間ＴBD（１）を測定する。 - 特許庁

Because the multilayered dielectric layer 3 is formed through stacking, it can be formed with variations in thickness suppressed, and turbulence of the electric field can be prevented.例文帳に追加

多層の誘電体層３を堆積形成するので、厚さのばらつきを抑えて形成でき、電界の乱れを防げる。 - 特許庁

To provide an MOS field effect transistor comprising a gate insulating film of high dielectric constant, while maintaining interface characteristics well maintained satisfactorily.例文帳に追加

高誘電率であるとともに界面特性を良好に保持することが可能なゲート絶縁膜を有するＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To obtain a dielectric separation type semiconductor device for improving a breakdown voltage without losing RESURF (Reduced SURface Field) effect.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦ効果を損なうことなく耐圧を向上させた誘電体分離型半導体装置を得る。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic having high reliability, durable against application of a high electric field for a long period of time in a high temperature environment even when the ceramic has a composition containing Al, to provide a production method of the dielectric ceramic, and to provide a laminated ceramic capacitor produced by using the dielectric ceramic.例文帳に追加

Ａｌを含む組成系であっても、高温雰囲気下、長時間の高電界印加に耐えうる高い信頼性を有する誘電体セラミック及びその製造方法、並びにこの誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサを実現する。 - 特許庁

The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.例文帳に追加

（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic which has a good moisture resistant load characteristic, a desired high dielectric constant, a desired temperature characteristic of capacitance, high breakdown electric field strength and excellent reliability, and to provide a ceramic capacitor for medium/high voltage applications, which is produced by using the dielectric ceramic.例文帳に追加

耐湿負荷特性が良好であり、しかも所望の高比誘電率と静電容量の温度特性を有し、破壊電界強度も高く、信頼性の優れた誘電体セラミック、及び該誘電体セラミックを使用して製造された中高圧用途向けのセラミックコンデンサを実現する。 - 特許庁

The light enhancement element is composed of a substrate, a high reflection layer formed on the substrate, a dielectric layer formed on the high reflection layer, and an enhanced electromagnetic field formation layer including multiple metallic fine particles formed on the dielectric layer, in which the thickness of the dielectric layer is 50 nm and more.例文帳に追加

この光増強素子は、基板と、この基板上に形成された高反射層と、この高反射層上に形成された誘電体層と、この誘電体層上に形成された、多数の金属微粒子による増強電磁場形成層とよりなり、誘電体層の厚みが５０ｎｍ以上とされている。 - 特許庁

To provide a dielectric migration device, having improved collection ability of material, in a device for allowing liquid including the material to be separated to exist in a nonuniform electric field formed by a dielectric migration electrode, and executing by a dielectric migration force applied on the material.例文帳に追加

誘電泳動電極により形成された不均一電界内に分離すべき物質を含む液体を存在させ、該物質に働く誘電泳動力によって分離を行う装置において、物質の捕集能力を向上させた誘電泳動装置を提供する。 - 特許庁

The dielectric layer unit 130 comprises a plurality of dielectric layers 131 arranged along the slice direction, and each dielectric layer 131 applies the weighting in the slice direction to the strength of an electric field exerted to a plurality of piezoelectric elements 111 juxtaposed in the slice direction.例文帳に追加

この誘電体層ユニット１３０は、スライス方向に沿って配設された複数の誘電体層１３１で構成されていて、それぞれの誘電体層１３１は、スライス方向に並設された複数の圧電素子１１１に掛けられる電界の強度に、スライス方向に対する重み付けを行う。 - 特許庁

To provide a process of manufacturing a single gate or multiple gate field plate using consecutive steps of depositing/growing a dielectric material, etching the dielectric material, and evaporating a metal on a surface of a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果型トランジスタの表面に、誘電性材料の堆積／成長させ、誘電性材料をエッチングし、および、メタルを蒸着させる、連続的なステップを用いる、シングルゲートまたはマルチゲートプレートの製造プロセスの提供。 - 特許庁

The variable capacitance element comprises a pair of signal electrodes 24, 25 provided with a dielectric layer 28 interposed therebetween, and a pair of control electrodes 23, 26 provided with the dielectric layer 28 interposed therebetween so as to generate a control electric field in a direction crossing a signal electric field generated between the signal electrodes 24, 25.例文帳に追加

誘電体層２８を挟持して設けられた対の信号電極２４，２５と、信号電極２４，２５間で発生する信号電界と交差する方向に制御電界を発生させるように、誘電体層２８を挟持して設けられた対の制御電極２３，２６とから構成する。 - 特許庁

This electret filter uses an electret material obtained by impressing an electric field on a polymer material, and as the polymer material, the material whose specific dielectric constant (ε25) is 3-180 at 25°C and εE/ε25 is 1-60, is used, when specific dielectric constant at the temperature of the time of impressing the electric field is εE.例文帳に追加

高分子材料に、電界を印加することによって得られるエレクトレット材料を用いたものであり、高分子材料としては、２５℃における比誘電率（ε_25）が３〜１８０であり、電界印加時の温度における比誘電率をε_Eとすると、ε_E／ε_25が、１〜６０のものを用いる。 - 特許庁

The electric field impressing electrode 51 of the plasma surface treating device M1 which treats the surface of an object to be treated by ionizing a treating gas into a plasma by impressing an electric field upon the gas is provided with a main body 56 composed of a conductor, and a dielectric case 57 composed of a dielectric.例文帳に追加

印加電界により処理ガスをプラズマ化し、被処理物の表面処理を行なうプラズマ表面処理装置Ｍ１における電界印加電極５１は、導体からなる電極本体５６と、誘電体からなる誘電ケース５７とを備えている。 - 特許庁

The variable capacitor is constituted of a pair of signal electrodes 3, provided so as to sandwich a dielectric layer 4, and a pair of control electrodes 2, provided to sandwich the dielectric layer 4 so as to generate a control electric field in a direction intersecting with the signal electric field generated between the signal electrodes 3.例文帳に追加

誘電体層４を挟持して設けられた対の信号電極３と、信号電極３間で発生する信号電界と交差する方向に制御電界を発生させるように、誘電体層４を挟持して設けられた対の制御電極２とから、可変容量素子を構成する。 - 特許庁

In the diode 40, the rising voltage of a forward current of the diode is about 0.6 V which is the value of the, energy gap of silicon, and the dielectric breakdown electric field of the diode becomes about 3×106 V/cm which is the dielectric breakdown electric field of silicon carbide.例文帳に追加

ダイオード４０において、ダイオードの順方向電流の立ち上がり電圧は、シリコンのエネルギーギャップの値である約０.６Ｖであり、ダイオードの絶縁破壊電界はシリコンカーバイドの絶縁破壊電界である約３×１０^6Ｖ／ｃｍとなる。 - 特許庁

The tuning member is structural by locating plural dielectric membranes 8 and plural electrodes 9 for impressing electric fields to these dielectric membranes 8 on the surface of a magnetic substance plate 7, which changes permeability corresponding to the impressed magnetic field.例文帳に追加

チューニング部材は、印加磁界により透磁率が変化する磁性体板７の表面に、複数の誘電体薄膜８と、これら誘電体薄膜８に電界を印加するための複数の電極９とを配置した構造である。 - 特許庁

A metallic plasma chamber 100 used along with a toroidal low-electric-field plasma source includes a first dielectric region 108 and a second dielectric region 110.例文帳に追加

トロイダル低電場プラズマソースとともに用いられ得る金属製プラズマチャンバ１００は、第１の誘電体領域１０８および第２の誘電体領域１１０を含む。 - 特許庁

To perform the accurate dielectric migration corresponding to a non-uniform AC electric field on irradiation with induced light without being affected by illumination light for observing the moving state of particulates in a light induced dielectric migration apparatus.例文帳に追加

光誘起誘電泳動装置において、微粒子の移動状態の観察のための照明光の影響を受けることなく、誘起光の照射による不均一交流電場に対応した正確な誘電泳動を行う。 - 特許庁

The high dielectric-constant insulating film 124 is located at least at a portion adjacent to a drain region 142 of edges of the bottom of the field drain insulating part 120 and has a higher dielectric constant than the first insulating film 126.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜１２４は、フィールドドレイン絶縁部１２０の底面の縁のうち少なくともドレイン領域１４２に近接する部分に位置しており、第１絶縁膜１２６よりも誘電率が高い。 - 特許庁

The display apparatus includes: a display pixel provided with: non-charged particles distributed in a dielectric medium that fills a cell area; and a pattern electrode unit to be configured to produce a non-uniform electric field in the dielectric medium.例文帳に追加

セル領域を充填する誘電媒質内に分散された非帯電粒子と、誘電媒質内に不均一な電場を形成できる形態に設けられたパターン電極部とを具備するディスプレイ画素を含むディスプレイ装置である。 - 特許庁

To provide a variable capacitor having a large rate of change in dielectric constant with an electric field application and low dielectric loss in a microwave/millimeter wave band.例文帳に追加

電界印加における誘電率の変化率が大きく、マイクロ波・ミリ波帯域における誘電損失が低い可変容量コンデンサを提供する。 - 特許庁