| 例文 |
dielectric methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4150件
To provide a positive radiation-sensitive composition from which an interlayer dielectric satisfying general requirements in transparency, surface hardness, solvent resistance and a voltage holding ratio may be formed and which is good at radiation sensitivity and has sufficient storage stability, an interlayer dielectric formed by using the composition and a method for forming the interlayer dielectric.例文帳に追加
一般的な要求特性である透明性、表面硬度、耐溶剤性、及び電圧保持率を満足する層間絶縁膜を形成可能であり、かつ放射線感度に優れ、十分な保存安定性を有するポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成される層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法の提供 - 特許庁
To provide a method for peeling a photoresist by which a photoresist film and an etching residue after etching can be effectively removed without using O_2 plasma ashing even in a process of forming a fine pattern on a substrate having at least copper wiring and a low dielectric material layer, no adverse effect is given to the dielectric constant of the low dielectric material layer, and excellent corrosion resistance is obtained.例文帳に追加
少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上の微細パターン形成において、Ｏ_２プラズマアッシング処理を行わないプロセスにおいても、エッチング後のホトレジスト膜、エッチング残渣物を効果的に剥離することができ、しかも低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁
To provide a wiring substrate that it at least the wiring substrate, which is constituted with an electrode and dielectric layer or an insulator layer on the substrate, and even if the dielectric layer or the insulator layer is formed on the electrode, the wiring substrate has the electrode, which has not may edge curls of the electrode, and to provide the manufacturing method of the wiring substrate and dielectric paste or the insulator paste.例文帳に追加
少なくとも基板上に電極および誘電体層または絶縁体層が構成された配線基板であって、電極上に誘電体層または絶縁体層を形成しても、電極のエッジカールが少ない電極を有する配線基板、配線基板の製造方法と誘電体ペーストまたは絶縁体ペーストを提供する。 - 特許庁
This method of manufacturing an electrolytic capacitor has a process of preparing a blank provided with a valve metal base and a dielectric layer formed on the surface of the valve metal base; and a process of immersing a region of the blank where at least the dielectric layer is formed into a polymerization liquid, and then, picking up it to form a solid electrolytic layer on the dielectric layer.例文帳に追加
本発明の電解コンデンサの製造方法は、弁金属基体、及び、この弁金属基体の表面上に形成された誘電体層を備える素体を準備する工程と、素体の少なくとも誘電体層が形成された領域を重合液に浸漬した後、引き上げて、誘電体層上に固体電解質層を形成する工程とを有する。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device equipped with the gate insulating film formed of high-dielectric material comprises processes of forming the insulating film used for nucleation on the semiconductor substrate, forming the high-dielectric film on the insulating film, and processing the insulating film and/or the high-dielectric film in supercritical carbon dioxide.例文帳に追加
高誘電体材料を用いて形成されたゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に核形成のための絶縁膜を形成を形成し、この絶縁膜上に高誘電体膜を形成し、絶縁膜又は／及び高誘電体膜を超臨界二酸化炭素中で処理する工程を有する。 - 特許庁
In a semiconductor laser apparatus including a dielectric material film to at least a part of the compound semiconductor surface, the dielectric material film includes at least silicon nitride and oxygen as the elements, and a ratio of oxygen in the dielectric material film to the number of secondary ions of silicon to be detected by the secondary ion mass analysis method is 0.01 or larger.例文帳に追加
化合物半導体表面の少なくとも一部に誘電体膜を有する半導体レーザ装置において、前記誘電体膜は成分として少なくとも窒化シリコンと酸素を有し、二次イオン質量分析法により検出される前記誘電体膜中の酸素とシリコンの二次イオン数の比が０．０１以上であることを特徴とする。 - 特許庁
The method comprises steps of forming a radiator (106), forming a dielectric with ferroelectric material proximate to the radiator (104), applying a voltage to the ferroelectric material, generating a dielectric constant in response to applying the voltage, and communicating electromagnetic fields at a resonant frequency in response to the dielectric constant.例文帳に追加
放射体（１０６）を形成するステップと、放射体（１０４）に近接する強誘電体材料を有する誘電体を形成するステップと、強誘電体材料に電圧を印加するステップと、電圧の印加に応答して誘電率を発生させるステップと、誘電率に応じて共振周波数で電磁場に伝達するステップとを含む。 - 特許庁
Further, a method of manufacturing a BEOL interconnection structure includes (i) a method of forming a high-density TDL in an opening of the ULK dielectric bored by etching, and (ii) a method of arranging the ULK dielectric in a process chamber on a cold chuck, putting a seal agent into the process chamber and further performing an activating step.例文帳に追加
また、後工程相互接続構造の作製方法が開示され、この方法は、（ｉ）超低Ｋ誘電体のエッチングされた開口に高密度薄膜誘電体層を生成する方法、および（ｉｉ）超低Ｋ誘電体を低温チャック上でプロセス・チャンバ中に配置し、封止剤をプロセス・チャンバに加え、さらに活性化ステップを行なう方法を含む。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a dielectric device which is satisfactorily electrically connectable with an external apparatus at a low cost.例文帳に追加
外部装置との電気的接続を良好になし得る誘電体デバイスが簡易且つ低コストに得られる誘電体デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a plasma display panel including a new forming process that enables to efficiently form a dielectric layer having a thicker film.例文帳に追加
膜厚の大きい誘電体層を効率的に形成することができる新規な形成工程を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for sealing the via sidewall of a porous low k dielectric layer with high reliability at a low cost without requiring an additional manufacturing device.例文帳に追加
新たに製造装置を必要としない多孔質低ｋ誘電体層のブァイア側壁を封止する高信頼度、低コストの方法を提供する。 - 特許庁
To provide a film, or a dielectric material having R-Ge-Ti-O where R is selected from Zr and Hf, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a high-k dielectric layer that may be utilized to form a metal gate structure in TANOS charge trap flash memories.例文帳に追加
ＴＡＮＯＳ電荷トラップフラッシュメモリにおいて金属ゲート構造を形成するために用いることができる高ｋ誘電体層を形成する方法の提供。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a dielectric ceramic composition which is microfine, has high crystallinity, and moreover can suppress the grain growth in a firing process.例文帳に追加
微細で、かつ、結晶性が高く、しかも、焼成工程における粒成長を抑制することが可能な誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an insulated wire and a cable having low dielectric constant and stable porosity over the longitudinal direction which can be produced by a simple and easy method.例文帳に追加
誘電率が低く、かつ、長手方向にわたって空隙率が安定していると共に、簡易な方法で生産できる絶縁電線及びケーブルを提供する。 - 特許庁
To provide a method to generate a FinFET with a back gate, which has dielectric layers whose thicknesses are different on its front gate side and back gate side.例文帳に追加
フロント・ゲート側とバック・ゲート側で厚さが互いに異なる誘電体層を有するバック・ゲート付きＦｉｎＦＥＴを生成する方法を提供すること。 - 特許庁
To maintain a surface of a protection film, which protects a dielectric in a substrate for an AC type plasma display panel, in a clean state by a simple method.例文帳に追加
ＡＣ型プラズマディスプレイパネル用基板における誘電体を保護する保護膜の表面を、簡便な方法で清浄状態に保てるようにする。 - 特許庁
To provide a method which has compatibility with the existing CMOS components manufacturing process in manufacturing a capacitor, having little possibility of causing the dielectric breakdown.例文帳に追加
絶縁破壊を起こす危険の少ないキャパシタを製造するにおいて、既存のＣＭＯＳ部品製造工程と互換性を有する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a polyphenylene ether resin composition excellent in fluidity, heat resistance and dimensional stability while retaining dielectric characteristics, and a method for producing the same.例文帳に追加
誘電特性を維持したまま、流動性、耐熱性及び寸法安定性の優れた樹脂組成物、及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The dielectric layer is formed by an aerosol deposition method using a raw material including aluminum oxide particles of a purity of 98% or more by weight as the principal ingredient.例文帳に追加
純度９８重量％以上である酸化アルミニウム粒子を主成分とする原料を用いて、エアロゾルデポジション法により誘電体層を形成する。 - 特許庁
To provide a plasma display panel and a manufacturing method thereof, suppressing occurrence of cracks in a dielectric layer and capable of enhancing a yield.例文帳に追加
誘電体層のクラックの発生を抑制するとともに、歩留まりを向上させることができるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a treating method using a dielectric barrier discharge lamp, by which various treatments are performed with high quality, high speed and high efficiency.例文帳に追加
各種の処理を高品位で行い、かつ、高速度、高効率で行うことができる誘電体バリア放電ランプを利用した処理方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a nitride semiconductor device capable of suppressing dielectric breakdown and shrinking the chip area, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
絶縁破壊を抑制することができ、チップ面積の縮小化を実現することができる、窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which a film having a high dielectric constant is formed at a high film deposition rate, and to provide a substrate processing apparatus.例文帳に追加
高誘電率膜を高い成膜レートをもって形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which forms a lining layer with good coverage in a trench and a via of a porous low-dielectric constant insulator film.例文帳に追加
多孔性低誘電率絶縁膜のトレンチおよびビア内にカバレージ良くライニング層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a plasma display panel capable of forming a dielectric substance layer in a laminated structure with a high accuracy and a less number of processes.例文帳に追加
工程数が少なくしかも高い精度で誘電体層を多層に積層して形成することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide the method for manufacturing a liquid crystal display device which reduces defect of a two-terminal nonlinear device such as an MIM device caused by dielectric breakdown.例文帳に追加
ＭＩＭ素子等の２端子非線形素子の静電破壊による不良を低減することのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a dielectric filter capable of equalizing an input/output coupling at a pair input/output terminals and a method for compensating the input/output coupling.例文帳に追加
一対の入出力端子における入出力結合を等しくできる誘電体フィルタ及びその入出力結合の補償方法を提供する。 - 特許庁
To provide a highly productive forming method of a display dielectric layer which has a small variation of voltage resistance even if a membrane thickness is thin and has a high transmission ratio.例文帳に追加
膜厚が薄くても耐電圧のばらつきが小さく、透過率が高いディスプレイ用誘電体層の生産性に優れた形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a simulation method mathematically and statistically incorporating quality states of a silicon wafer surface into a stochastic process of dielectric breakdown in the evaluation of the reliability of an insulator thin film.例文帳に追加
絶縁体薄膜の信頼性評価において、絶縁破壊の確率過程にシリコンウェーハ表面の品質状態を数理統計的に組み込ませる。 - 特許庁
The method can further include alternatingly repeating the deposition of the first and second portions until the high-k dielectric film has a desired thickness.例文帳に追加
当該方法は、前記high-k誘電膜が所望の厚さを有するまで、前記第1及び第2部分の堆積を交互に繰り返す手順をさらに有して良い。 - 特許庁
To provide a method and a device for manufacturing a semiconductor device excellent in an embedding property and an electric characteristic with using an insulating film having a small dielectric constant.例文帳に追加
埋め込み性に優れ、誘電率の小さい絶縁膜を用い、電気的特性の優れた半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a composition for forming a film having a low relative dielectric constant and exhibiting excellent chemical resistance and adhesion, and the composition for forming the film.例文帳に追加
低い比誘電率を有し、薬液耐性および密着性に優れた膜形成用組成物の製造方法および膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an organic resin-based insulating film maintaining excellent thermal characteristics and electrical characteristics and permitting lowering of dielectric constant in semiconductor applications.例文帳に追加
半導体用途において、優れた熱特性、電気特性を維持し、低誘電率化を可能とする、有機樹脂系絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a structure of a semiconductor laser that suppresses variations in film thickness of a dielectric film on a light emitting edge, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
発光端面上の誘電体膜の膜厚がバラつくことを抑制できる半導体レーザの構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and instrument for measuring the dielectric characteristics of the surface of a sample corresponding to a temperature change in an environment.例文帳に追加
本発明は、環境での温度変化に対応した試料表面の誘電特性を測定できる方法と装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a piezoelectric element which has superior uniformity of piezoelectric characteristics and dielectric property in a substrate plane, a method of manufacturing the same, and a piezoelectric device.例文帳に追加
圧電特性や誘電性の向上を図り、これらの基板面内での均一性に優れた圧電体素子、その製造方法、及び圧電体デバイスを提供する。 - 特許庁
To provide a method which forms a conformal dielectric film having Si-N bonds on a semiconductor substrate by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).例文帳に追加
プラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により、半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can improve crystallinity of a capacitor dielectric film that a ferroelectric capacitor has.例文帳に追加
強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の結晶性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide an inorganic EL element and a method for manufacturing the inorganic EL element, which reduce the number of manufacturing processes and enhance the reliability of a dielectric layer.例文帳に追加
製造工程数を減らすとともに誘電体層の信頼性を高めることが可能な無機ＥＬ素子および無機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a dielectric separation type semiconductor device capable of improving breakdown voltage and preventing warpage of a semiconductor substrate.例文帳に追加
耐圧を向上させることができ、かつ半導体基板が反るのを防ぐことができる誘電体分離型半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁
To provide a method for forming a transparent dielectric thin film by which a Si-based thin film showing a desired refractive between 1.5 and 2.0 can be stably obtained.例文帳に追加
１．５〜２．０の間で所望の屈折率を示すＳｉ系薄膜を、安定的に得ることが可能な透明誘電体薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a piezoelectric ceramic composition which can be subjected to low temperature firing, has an improved dielectric constant and has a high piezoelectric strain constant, and to provide its production method.例文帳に追加
低温焼成を可能とし、比誘電率を向上させた高い圧電歪定数を有する圧電磁器組成物及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a high reliability and excellent electric characteristics by using a low dielectric constant insulation film having a hydrophobic property.例文帳に追加
疎水性の低誘電率絶縁膜を用いて、信頼性および電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁
There is provided the dielectric material having a film of R-Ge-Ti-O where R is selected from Zr and Hf, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加
本発明は、ＲがＺｒとＨｆから選択される、Ｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏのフィルムを備えた誘電材料に関し、また、その製造方法に関連する。 - 特許庁
To provide a method of fabricating a flash memory element which allows reserving an effective thickness of a dielectric film to be formed over the floating gate electrode.例文帳に追加
フローティングゲート電極の上部に形成される誘電体膜の有効厚さを確保可能にするフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a dielectric capacitor, a memory and their manufacturing method by which deterioration of characteristics can be prevented, while keeping adhesion of a lower electrode.例文帳に追加
下部電極の密着性を確保しつつ、特性の劣化を改善することができる誘電体キャパシタ，メモリおよびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a dielectric resonator device which is easily manufactured, has small temperature dependence and is also light in weight and the manufacturing method of its conductive casing.例文帳に追加
製造が容易で、温度依存性が小さく、しかも軽量な誘電体共振器装置及び、その導電性ケーシングの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for having a large switching charge amount based on the presence of a dielectric film having superior orientation, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
配向が優れた誘電体膜の存在に基づいて高いスイッチング電荷量を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
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