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dielectric methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4150件
To provide a method for forming a porous insulating film, which is capable of forming the porous insulating film that has a low dielectric constant and a superior mechanical strength, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
機械的強度に優れ、かつ低誘電率の多孔質絶縁膜を形成し得る多孔質絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of fabricating a semiconductor device that allows preventing occurrence of steps on an interlayer dielectric film due to the pattern difference in the underlying structure, by forming the interlayer dielectric film through many-time simultaneous vapor deposition and etching processes.例文帳に追加
多数回の同時蒸着及びエッチング工程によって層間絶縁膜を形成することにより、下部構造物のパターン差による層間絶縁膜の段差発生を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a measuring method for an electrode resistance of a capacitor and a loss of a dielectric in which a resistance in an electrode of the capacitor and a loss in a dielectric part are separated and grasped, and which is applied when the capacitor is designed and sorted.例文帳に追加
コンデンサの電極部分における抵抗と誘電体部分における損失とを分離して把握することができ、コンデンサの設計や選別に応用することができる、コンデンサの電極抵抗および誘電体の損失の測定方法を得る。 - 特許庁
To provide a semiconductor device wherein a capacity among wiring portions is reduced and the dispersion of wiring metal to a low dielectric-constant film is prevented in a wiring structure having a combination of copper wiring and a low dielectric-constant interlayer insulating film, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
銅配線と低誘電率層間絶縁膜とを組み合わせた配線構造において、配線間容量を低減すると共に、配線金属の低誘電率膜への拡散を防止する半導体装置及びその製造方法を提供。 - 特許庁
To provide a substrate processing method capable of pre-cleaning the front surface of a low dielectric constant film and effecting further hydrogen termination without giving damage to the low dielectric constant film, without inviting the increase of a specific inductive capacity, and, further, without generating the spatter of a metallic film.例文帳に追加
低誘電率膜にダメージを与えることなく、また比誘電率の増大を招くことなく、さらに金属膜のスパッタを生じることなく、低誘電率膜表面をプレクリーンし、さらに水素終端できる基板処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a dielectric resonator which prevents a baked layer from breaking on the junction surface of the resonator with a stabilized quality and characteristics in the process of baking a green dielectric resonator mounted on a baking base board.例文帳に追加
未焼成の誘電体共振器を焼成台板上に載置して焼成する際に誘電体共振器の接合面における焼成キレの発生を防止して安定した品質及び特性をもつ誘電体共振器の製造法を提供する。 - 特許庁
To provide a porous film-forming composition capable of forming a porous film having a low dielectric constant and a relatively small pore diameter, a method for forming the porous film and the porous film having the low dielectric constant and the relatively small pore diameter.例文帳に追加
誘電率が低く、孔径の比較的小さい多孔質膜を形成することが可能な多孔質膜形成用組成物および多孔質膜形成方法、ならびに、誘電率が低く、孔径の比較的小さい多孔質膜を提供すること。 - 特許庁
To provide a dielectric film laminate with excellent heat shielding performance in an infrared ray region, with easy hue adjusting, with excellent clack resistance and impact resistance of the dielectric film laminate, with low haze, and with excellent durability (light resistance), and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
赤外線領域での遮熱性能に優れ、色味調整が容易で、誘電体膜積層膜のクラック耐性、耐衝撃性に優れ、低ヘイズで、耐久性(耐光性)に優れた誘電体膜積層体と、その製造方法を提供する。 - 特許庁
A method forms the structure that has a substrate having at least one semiconductor channel region, a gate dielectric layer on the upper surface of the substrate over the semiconductor channel region, and a gate conductor on the gate dielectric layer.例文帳に追加
本発明の方法は、少なくとも1つの半導体チャネル領域を有する基板と、半導体チャネル領域を覆うように基板の上面に設けられたゲート誘電体層と、ゲート誘電体層上のゲート導電体とを有する構造を形成する。 - 特許庁
To obtain a high-dielectric-constant composite material composition for obtaining a capacitor element having high volume precision and reduced dispersion, a dielectric transfer sheet, a multilayer circuit board having a built-in passive element and to provide a method for producing the multilayer circuit board.例文帳に追加
容量精度が高く、且つバラツキの少ないキャパシタ素子を得るための高誘電率複合材料組成物及び誘電体転写シート並びに受動素子内蔵の多層回路板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
In a step of ashing a resist mask used for etching the layer having a low dielectric constant included in this method of manufacturing the semiconductor element, the ashing is performed so as to suppress the arrival of oxygen radicals at the surface of the layer having the low dielectric constant.例文帳に追加
半導体素子の製造方法における低誘電率層のエッチングに用いたレジストマスクをアッシングする工程であって、前記低誘電率層表面への酸素ラジカルの到達を抑制するようにアッシングすることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a plasma treatment method capable of effectively restraining abnormal discharge by dielectric breakdown of a solid dielectric without changing treatment conditions such as impression voltage, in applying plasma treatment on a matter to be treated containing a conductor.例文帳に追加
導電体を含有する被処理物にプラズマ処理を施す際に、印加電圧等の処理条件を変更することなく、固体誘電体の絶縁破壊による異常放電を効果的に抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus of a plasma display, in which a high quality plasma display having no bubbles or gaps in the dielectric layer can be manufactured in forming a thick membrane of the dielectric layer or the like on the glass substrate using a paste.例文帳に追加
ガラス基板にペーストを用いて誘電体層などの厚膜を形成する場合に、誘電体層に気泡や空隙のない高品質なプラズマディスプレイパネルを製造することのできるプラズマディスプレイの製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁
To provide a dielectric ceramic composition capable of improving the specific permittivity without deteriorating other electric characteristics (for example, a temperature characteristic of the capacitance, insulation resistance, accelerated lifetime of the insulation resistance and dielectric loss), and to provide its production method.例文帳に追加
他の電気特性(たとえば、静電容量の温度特性、絶縁抵抗、絶縁抵抗の加速寿命、誘電損失)を悪化させることなく、比誘電率の向上が可能な誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for producing efficiently and economically a fine perovskite-type composite oxide having high crystallinity, and usable suitably for a dielectric layer of a thinned multilayer ceramic capacitor having the large number of laminates of the dielectric layer.例文帳に追加
誘電体層の積層数が多く、薄層化された積層セラミックコンデンサの誘電体層などに好適に用いることが可能な、微細で、結晶性の高いペロブスカイト型複合酸化物を効率よく、しかも経済的に製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a dielectric antenna the resonance frequency of which can match a desired frequency band even when the resonance frequency is too high through adjustment or when the dielectric antenna is assembled with a set and to provide an adjustment method for its resonance frequency.例文帳に追加
調整により、またはセットに組み込んだ状態で共振周波数が高過ぎる場合でも、その共振周波数を所望の周波数帯に合せ込むことができる誘電体アンテナおよびその共振周波数の調整方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step (a) of forming a barrier metal film on the wiring groove formed on an interlayer dielectric on a semiconductor substrate and the whole surface of the interlayer dielectric; and a step (b) of depositing a metal film on the barrier metal film after the step (a).例文帳に追加
半導体基板上の層間絶縁膜に形成された配線溝及び層間絶縁膜全面にバリアメタル膜を形成する工程(a)と、この工程(a)の後に、前記バリアメタル膜上に金属膜を堆積する工程(b)とを有している。 - 特許庁
The method comprises calculating the dielectric properties of a biological substance based on the balance between dielectrophoretic force generated in an asymmetric electric field, gravitational force and buoyancy, and based on the relationship between the dielectric properties and the biological activity, instantaneously analyzing the activity of the biological substance.例文帳に追加
非対称電場中に生じる誘電泳動力と重力・浮力のバランスにより、生物物質の誘電特性を算出し、誘電特性と生物活性の関係より、生物物質の活性解析を瞬時に行うことができるようにする。 - 特許庁
After a dielectric isolation oxide film 14 is formed with the oxidization heat treatment on the surface of a silicon wafer 10 having the dielectric isolation groove, a seed polysilicon layer 15 is grown on this film 14 by the 130 Pa, low pressure and low temperature CVD method at about 600°C.例文帳に追加
誘電体分離溝13を有するシリコンウェーハ10表面に、酸化熱処理で誘電体分離酸化膜14を形成後、この膜14上に130Pa、約600℃の減圧・低温CVD法で種ポリシリコン層15を成長させる。 - 特許庁
In a formation process of the crystalline MgO protective layer 34, printing paste containing a single crystal MgO 34A is applied to a dielectric layer 33 by using a screen printing method and baked at a temperature above a strain point of the dielectric layer 33.例文帳に追加
結晶MgO保護層34の形成工程において、スクリーン印刷法を用いて単結晶MgO34Aを含有する印刷用ペーストを誘電体層33上に塗工して、誘電体層33の歪み点以上の温度で焼成する。 - 特許庁
In this method of manufacturing a thin-film electronic component, a dielectric layer 16 having first through holes 16a, 16b is formed on a base material 10, and a first conductive layer 31 for covering at least one part of the dielectric layer is formed.例文帳に追加
本発明に係る薄膜電子部品の製造方法は、第1の貫通孔16a、16bを有する誘電体層16を基材10上に設け、その誘電体層の少なくとも一部を覆う第1の導電層31を設ける。 - 特許庁
To provide a piezoelectric ceramic composition having a high coefficient of mechanical quality, a large piezoelectric strain constant, low dielectric loss and excellent stability of the dielectric loss with time and to provide a method for manufacturing the composition, and a piezoelectric element by using the above piezoelectric ceramic composition.例文帳に追加
機械的品質係数が高く,圧電歪定数が大きく,誘電損失が小さく,かつ該誘電損失の経時安定性に優れた圧電磁器組成物及びその製造方法,また,上記圧電磁器組成物を利用した圧電素子を提供すること。 - 特許庁
The method comprises the steps of providing a substrate 12, depositing a thin-film dielectric layer 24 on the substrate, forming a channel in the thin-film dielectric layer, and providing a second silicon layer 20 in the channel.例文帳に追加
本発明の方法は、基板12を提供する段階と、薄膜誘電体層24を基板上に堆積させる段階と、薄膜誘電体層内にチャネルを形成する段階と、チャネル内に第2シリコン層20を設ける段階と、で構成されている。 - 特許庁
To provide a photosetting high molecular insulating material having excellent electric properties, for example, dielectric constant, dielectric loss tangent, electric insulation and the like, solvent resistance, heat resistance, heat shock resistance, a method of producing the same, electronics-related substrates and electronic parts.例文帳に追加
誘電率、誘電正接、電気絶縁性等の電気特性、耐溶剤性、耐熱性及び耐熱衝撃性に優れた光硬化系高分子絶縁材料及びその製造方法並びに電子関連基板及び電子部材を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a dielectric ceramic composition used as a dielectric layer of a laminated ceramic capacitor, formed from fine particles and having excellent electric characteristics or temperature characteristics even when the capacitor is formed into a thin layer.例文帳に追加
積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用し、微細な粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有する誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a structure for positioning dielectric separation wafer and an inspection method using the same, with which mask alignment can be always performed at a high accuracy and a high working efficiency be kept, even if there is a variance in the production of dielectric separation wafers.例文帳に追加
誘電体分離ウェハの生産バラツキがあっても常に高精度のマスク合わせを容易に行うことができ、高い作業効率を維持することができる誘電体分離ウェハの位置合わせ構造およびそれを用いた検査方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a dielectric layer having high adhesion even to a resin substrate or a substrate having a complicated surface shape or the like, and to provide an electrowetting device or a liquid lens having the dielectric layer formed thereon.例文帳に追加
樹脂基材や複雑な面形状を有する基材等に対しても密着力の高い誘電体層を形成する方法、及びこの誘電体層の形成されたエレクトロウェッティング装置や液体レンズを提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for producing dielectric ceramic particles capable of improving the properties, mainly such as permittivity and piezoelectric constant, of the dielectric layer of a ceramic electronic component and capable of improving insulation properties and reliability.例文帳に追加
セラミック電子部品の誘電体層の誘電率や圧電定数を主とした特性を向上させることができ、かつ絶縁性、信頼性を向上させることができる誘電体セラミックス粒子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a plasma display substrate having a dielectric layer having high total reflectance and a highly accurate barrier wall with high aspect ratio at high yield, by forming the dielectric layer and the barrier wall on a glass substrate having an electrode.例文帳に追加
電極が形成されたガラス基板上に誘電体層および隔壁を形成して、高い歩留まりで、高い全反射率を有する誘電体層と高アスペクト比かつ高精細の隔壁を有するプラズマディスプレイ用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a dielectric multilayer film used for an optical device whereby the characteristics of the dielectric multilayer film is easily and precisely controlled and the optical device having excellent characteristics is obtained.例文帳に追加
光学素子に用いられる誘電体多層膜の製造方法において、誘電体多層膜の特性を容易に精度よく管理することができ、優れた特性の光学素子を得ることができる誘電体多層膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
The composite dielectric contains an aromatic liquid crystalline polyester, and a dielectric ceramic powder compounded in the aromatic liquid crystalline polyester, and has >650 Q-value at 1 GHz by a vibration method.例文帳に追加
本発明の複合誘電体は、芳香族液晶ポリエステルと、この芳香族液晶ポリエステル中に配された誘電体セラミック粉末とを含有しており、摂動法による周波数1GHzにおけるQ値が650よりも大きいものである。 - 特許庁
To provide a capacitor which enables the miniaturization of a device provided with the capacitor by having a dielectric film of high dielectric constant, a method of manufacturing the capacitor for manufacturing the capacitor at low costs, and a semiconductor device provided with the capacitor like this.例文帳に追加
高誘電率の誘電体膜を有することでこれを備える装置の小型化を可能にしたキャパシタと、このキャパシタを低コストで製造することのできるキャパシタの製造方法と、このようなキャパシタを備えた半導体装置とを提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a semiconductor device manufacturing method that suppress the oxide film growth of a semiconductor crystal substrate interface and include a high dielectric constant crystal thin film and a high dielectric constant epitaxial thin film of high quality.例文帳に追加
半導体結晶基板界面の酸化膜成長を抑制するとともに、高品質な高誘電率結晶薄膜、高誘電率エピタキシャル薄膜を有する半導体装置の製造方法並びに半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
The manufacturing method of the plasma electrode 12 forms a dielectric body 7 by coating a first electrode body 2 with glass by dip coating in the plasma electrode 12 having the first electrode body 2, a second electrode body 32, and the dielectric body 7.例文帳に追加
プラズマ電極12の製作方法は、第1電極本体2、第2電極本体32及び誘電体7を有するプラズマ電極12において、ディップコーティングによってガラスを第1電極本体2に被覆して誘電体7を形成するものである。 - 特許庁
In this method, the dielectric powder is made into the flaky (flat) shape, thus interfacial polarization is generated in the material, thereby improving its dielectric constant.例文帳に追加
従来は、球状の誘電体粉と樹脂を複合することにより、誘電体複合材料を製作していたが、その誘電体粉を鱗片状(扁平状)に変えることにより材料内に界面分極が発生し誘電率を向上させることができた。 - 特許庁
To provide a capacitor capable of obtaining a large capacitance even when miniaturizing a half pitch, while having a dielectric film having a high dielectric constant and a small leakage current, to provide a manufacturing method of the capacitor, to provide a manufacturing apparatus of the capacitor, and to provide a semiconductor memory device.例文帳に追加
誘電率が高く、且つ、リーク電流の小さい誘電体膜を有し、ハーフピッチの縮小化を図った場合でも、大きな容量が得られるキャパシタ、キャパシタの製造方法、キャパシタの製造装置及び半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a dielectric composition satisfying an X5R characteristic and capable of sintering at a lower temperature and having a small variation in dielectric constant, a multilayer ceramic capacitor using the same, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
本発明は積層セラミックコンデンサに関するもので、X5R特性を満足し低温焼成が可能で誘電率の変化が少ない誘電体組成物及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a dielectric ceramic powder by which a core-shell structure effective to improve the temperature stability of the capacitance of a multilayer ceramic capacitor can be surely achieved in a sintered body constiting of the dielectric ceramic layer.例文帳に追加
積層セラミックコンデンサの静電容量の温度安定性を良好にするのに有効なコアシェル構造を、誘電体セラミック層を構成する焼結体においてより確実に実現できる誘電体セラミック原料粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing a dielectric ceramic composition capable of being used suitably as the dielectric ceramic composition for a laminated chip capacitor, suppressing the precipitation of a different phase other than its main composition, in which its volume temperature characteristic satisfies the X8R characteristic.例文帳に追加
積層チップコンデンサ用誘電体磁器組成物として好適に用いることができ、かつ、主組成以外の異相の析出を抑制し、容量温度特性がX8R特性を満足する誘電体磁器組成物を製造する方法を提供する。 - 特許庁
In a manufacturing method of an electronic component, a laminate 10 is formed in a formation process, where the laminate has a dielectric layer 13, and a first electrode layer 15 and a second one 17 that oppose each other, while the dielectric layer 13 is sandwiched by them.例文帳に追加
本発明に係る電子部品の製造方法では、形成工程において、誘電体層13と誘電体層13を挟んで対向する第1の電極層15と第2の電極層17とを有する積層体10を形成する。 - 特許庁
The method for forming the dielectric film contains the formation of a dielectric-film precursor film by using a coating liquid comprising at least one of (A) an organometallic compound, or (B) the hydrolytic condensate of the organometallic compound and the formation of the dielectric film by irradiating the precursor film with light by using a flash lamp 1.例文帳に追加
本発明の誘電体膜の形成方法は、(A)有機金属化合物および(B)有機金属化合物の加水分解縮合物の少なくとも一方を含む塗布液を用いて誘電体前駆体膜を形成し、フラッシュランプ1を用いて前記誘電体前駆体膜に対して光照射を行なうことにより、誘電体膜を形成すること、を含む。 - 特許庁
This method for manufacturing the capacitor of a semiconductor element comprises a step for forming a lower electrode 33 on a semiconductor substrate 21, a step for forming a dielectric film configured of a dual dielectric film formed of an Al_2O_3 thin film 37a and a Ta_2O_5 thin film 37b on the lower electrode, and a step for forming an upper electrode 39 on the dielectric film.例文帳に追加
半導体基板21上に下部電極33を形成する段階と、前記下部電極上にAl_2O_3薄膜37aとTa_2O_5薄膜37bの二重誘電体膜で構成された誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極39を形成する段階とを含んで構成される。 - 特許庁
To provide a plasma display device and a method for manufacturing the plasma display device which can flatten a dielectric layer irrespective of a step of sustaining electrodes and/or a bus electrode, provide a dielectric layer of small film thickness and excellent dielectric characteristic, suppress the electrostatic capacity between the sustaining electrodes, and realize excellent reliability, highly fine and large screen.例文帳に追加
維持電極および/またはバス電極の段差にかかわらず誘電体層の平坦化を図り、しかも膜厚が小さく耐電圧特性に優れた誘電体層を実現して維持電極間の静電容量を抑制し、信頼性に優れ、高微細化および大画面化に適したプラズマ表示装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The method includes the step of providing a substrate which has at least one layer of a porous dielectric material containing a contaminant, the contaminant including at least one entrapped liquid, having a surface tension, wherein the porous dielectric material including the at least one contaminant has a first dielectric constant.例文帳に追加
この方法は基材を提供することを含み、該基材は多孔性誘電材料の少なくとも一の層を含み、該誘電材料は混入物質を含み、該混入物質は表面張力を有する少なくとも一の取り込まれた液体を含み、ここでその少なくとも一の混入物質を含む多孔性誘電材料は第一の誘電率を有する。 - 特許庁
A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor comprises the steps of: forming a dielectric layer 3 on an anode 2; subjecting the dielectric layer 3 to ozone treatment; forming conductive polymer layers 5a and 5b on the dielectric layer 3 which has been subjected to the ozone treatment; and forming a cathode layer 6 on the conductive polymer layers 5a and 5b.例文帳に追加
陽極2の上に誘電体層3を形成する工程と、誘電体層3にオゾン処理を施す工程と、オゾン処理を施した前記誘電体層3の上に導電性高分子層5a及び5bを形成する工程と、導電性高分子層5a及び5bの上に陰極層6を形成する工程とを備えることを特徴としている。 - 特許庁
To provide a laminated dielectric element that uses an inexpensive base metal material such as Cu as an electrode, can sufficiently join an electrode material such as the Cu to a ceramic material, and can fully show characteristics in a dielectric ceramic layer, to provide a method for manufacturing the laminated dielectric element, and to provide a paste material for electrodes.例文帳に追加
Cu等の低価格の卑金属材料を電極として使用して,Cu等の電極材料とセラミック材料とを十分に接合させることができると共に誘電セラミック層の特性を十分に発揮させることができる積層型誘電素子及びその製造方法,並びに電極用ペースト材料を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a dielectric ceramic composition capable of enhancing relative permittivity without deteriorating other characteristics by improving the relative permittivity of a raw material itself of a main component (the dielectric oxide having a perovskite type crystal structure expressed by general formula ABO_3) constituting the dielectric ceramic composition.例文帳に追加
誘電体磁器組成物を構成することとなる主成分(一般式ABO_3 で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体酸化物)の原料自体の比誘電率を向上させ、これにより、他の特性を劣化させることなく、比誘電率の向上が可能な誘電体磁器組成物の製造方法を提供すること。 - 特許庁
This inhibiting method comprises: providing a semiconductor having a conductive pattern for conductive busbars and current collecting lines and a dielectric layer coating spaces between the conductive pattern on a front side of the semiconductor, the dielectric layer including one or more defects; contacting at least the dielectric layer with one or more oxidizing agents; and selectively depositing a metal layer on the conductive pattern.例文帳に追加
導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを有し、当該誘電層が1以上の欠陥を含有する半導体において、少なくとも誘電層を1種以上の酸化剤と接触させ、並びに、導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる。 - 特許庁
The method of manufacturing a solar cell includes a first step to form a dielectric film on the main surface of a semiconductor substrate, a second step to screen-print a masking paste containing a titanium oxide precursor on the dielectric film, and a third step to etch the exposed dielectric film after the screen-printing and make the main surface of the semiconductor substrate expose partly.例文帳に追加
半導体基板の主面に誘電体膜を形成する第1工程と、誘電体膜上に酸化チタン前駆体を含むマスキングペーストをスクリーン印刷する第2工程と、スクリーン印刷後に露出している誘電体膜の部分をエッチングして半導体基板の主面の一部を露出させる第3工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。 - 特許庁
The manufacturing method and structure of a semiconductor chip comprises a plurality of interconnecting metallization layers, at least one deformable dielectric material layer covering the interconnecting metallization layers, at least one I/O bonding pad, and a support structure including a fairly rigid dielectric in supporting relation with the pads and avoiding crushing of the deformable dielectric material layer.例文帳に追加
半導体チップの製造方法および構造は、複数の相互接続メタラジ層と、相互接続メタラジ層をおおう変形可能な少なくとも1層の誘電材料層と、少なくとも1つの入出力ボンディング・パッドと、パッドと支持関係にあって、変形可能誘電材料層の圧壊を回避する相当に剛性な誘電体を含む支持構造とを含む。 - 特許庁
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