「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a micro wiring forming method for forming a micro wiring in which adhesive strength is improved by using a metal thin film sacrifice layer and the diffusion of an ink can be controlled.例文帳に追加

金属薄膜犠牲層を用いて接着力が向上され、かつ、インクの拡散性を抑制できる微細配線を形成することができる微細配線形成方法を提供する。 - 特許庁

Light entering in the normal direction of the light diffusion sheet 16 from the rear surface 172 of the first refraction layer 17 is refracted on the front surface 171 as a boundary surface between the first and second refraction layers.例文帳に追加

第１屈折層１７の裏面１７２から光拡散シート１６の法線方向に入射した光は、第１及び第２屈折層の境界面である表面１７１で屈折する。 - 特許庁

The MOSFETs each comprise a gate electrode 34 and 54 formed on the semiconductor layer via a gate insulation film 32 and 52 and impurity diffusion regions 42 and 62.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、半導体層上にゲート絶縁膜３２及び５２を介して設けられているゲート電極３４及び５４と、不純物拡散領域４２及び６２とを備えている。 - 特許庁

To provide a nano porous recording sheet which has an improvement in cohesion of ink by decreasing a thickness of an ink accepting layer indicating a good flatness and in cohesion of ink by lowering a diffusion of dye.例文帳に追加

良好な平面度を示すインク受容層の厚みを減少させ、且つ染料の拡散を低下させインクの凝集を改良したナノ多孔性記録シートを提供する。 - 特許庁

Transistors, word lines 3 and bit lines 6 are formed on a silicon substrate 1 and a conductive plug 5 formed by polysilicon is drawn out from one side of a diffusion layer 15 of each transistor.例文帳に追加

トランジスタとワード線３、ビット線６がシリコン基板１上に形成されており、そのトランジスタの拡散層１５の片側から、ポリシリコンで形成された導電性プラグ５が引き出されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of easily forming a diffusion isolation layer whose depth reaches a rear face of a thick semiconductor substrate for a high breakdown voltage from its surface.例文帳に追加

高耐圧用の厚い半導体基板の表面から裏面に達する程度の深さの拡散分離層を容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The generation of the shape (111) facet can be restrained, by means of forming the peripheral area of the junction face of the elevated source/drain diffusion layer and the semiconductor substrate to the orientation <;010>; of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、エレベーテッド・ソース／ドレイン拡散層と半導体基板との接合面の周辺部分を半導体基板の<010>方向に形成することで、形(111)ファセットの生成を抑制できる。 - 特許庁

The drain region 45 composed of the n-type diffusion layer is formed to the surface section of the p-type substrate/well 20 on the reverse side to the first storage 41 side of the gate electrode 44.例文帳に追加

このゲート電極４４の第１の蓄積部４１側とは反対側のｐ型基板／ウェル２０の表面部にｎ型拡散層からなるドレイン領域４５が設けられている。 - 特許庁

Using an ink jet head 26, the diffusion prevention layer 10 made of nickel/gold, nickel/palladium, etc. is formed on top of the columnar electrodes 9 inside openings 12 formed in a sealing film 11.例文帳に追加

インクジェットヘッド２６を用いて、封止膜１１の開口部１２内における柱状電極９の上面にニッケル／金、ニッケル／パラジウム等からなる拡散防止層１０を形成する。 - 特許庁

Herewith, a catalyst layer of high gas permeability is formed, so that the energy efficiency of an electrochemical device using such a gas-diffusion electrode can be enhanced.例文帳に追加

これによりガス透過性の高い触媒層を形成することができるので、このようなガス拡散電極を用いた電気化学デバイスのエネルギー効率を高めることが可能となる。 - 特許庁

The membrane-electrode joined body for the solid polymer fuel cell can be manufactured by laminating the gas diffusion electrodes on both sides of a polymer electrolyte membrane through a catalyst layer.例文帳に追加

このガス拡散電極を高分子電解質膜の両面に触媒層を介して積層して、固体高分子型燃料電池用膜−電極接合体を作製することができる。 - 特許庁

An end face of the incident side of a light-transmissive medium 1 is provided with a light diffusing layer 2 for controlling a spread angle of a diffusion characteristic according to an end face of the output side.例文帳に追加

導光媒体１の入射側の端面には、出射側の端面の形状に合わせて拡散特性における広がり角を制御する光拡散層２が設けられている。 - 特許庁

The second barrier layer 7 is made of conductive TaN capable of suppressing the diffusion of copper and oxidation, and is formed continuously to cover the upper face and side faces of the copper interconnection 6.例文帳に追加

第２バリア層７は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なＴａＮからなり、銅配線６の上面と側面とを覆うように連続して形成されている。 - 特許庁

The gate insulating film 32 is present below the side-end lower part, so no electric connection with the drain diffusion layer 21d is made and only a contact area 21dc is connected thereto.例文帳に追加

この側端下部の下側にはゲート絶縁膜３２が存在するため、ドレイン拡散層２１ｄとは電気的に接続しておらず、接続しているのはコンタクト領域２１ｄｃだけである。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell capable of exhibiting a stable performance even at a high current density, and a gas diffusion layer electrode base material suited for obtaining the same, as well as its manufacturing method.例文帳に追加

高電流密度でも安定した性能が発揮できる高分子電解質型燃料電池、これを得るに好適なガス拡散層電極基材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, an impurity is introduced through the opening to form a plurality of bit line diffusion layers 108 extending in the column direction on a surface layer part of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

次に、開口部を介して不純物を導入することにより、半導体基板１００の表層部に、列方向に延伸する複数のビット線拡散層１０８を形成する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus which can be made compact while suppressing a decline in conversion efficiency due to an increase in capacity of a floating diffusion layer and the occurrence of white blemish due to concentration of electrolysis.例文帳に追加

浮遊拡散層の容量増大による変換効率の低下と、電解集中による白傷の発生とを抑制しながらも、小型化が可能な固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

In a salicide process, a means for suppressing the progress of salicide reaction in the source drain diffusion layer of the memory transistor is adopted and, thereafter, a metal film is deposited to cause the salicide reaction.例文帳に追加

サリサイド工程において、メモリトランジスタのソース・ドレイン拡散層におけるシリサイド反応の進行を抑制する手段を講じてから、金属膜を堆積してシリサイド反応を起こさせる。 - 特許庁

A fuel cell diffusion layer D is sandwiched under pressure between a water-guiding plate 40 provided with a mounting means 10 and a pressuring plate (a separator equivalent body) 100 provided on the lower face of a sandwiching means 60.例文帳に追加

燃料電池拡散層Ｄを載置手段１０に備えた誘水プレート４０と挟持手段６０の下面に備えた押圧板（セパレータ相当体）１００の間で加圧挟持する。 - 特許庁

A gate structure 6 and a low-concentration diffusion layer that becomes LDD regions 15, 21 are formed in a high breakdown voltage MOS transistor formation region and a high-drive MOS transistor formation region.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタ形成領域と高駆動ＭＯＳトランジスタ形成領域とにゲート構造６と、ＬＤＤ領域１５，２１となる低濃度拡散層を形成する。 - 特許庁

In the case of implanting the holes to the lamination film 15, voltage pulses for implanting the holes to the lamination film 15 are applied to the memory gate 17 and the impurity diffusion layer 20 for a plurality of number of times.例文帳に追加

積層膜１５にホールを注入する際には、積層膜１５へのホール注入のための電圧パルスをメモリゲート１７および不純物拡散層２０に複数回印加する。 - 特許庁

To form a light diffusion layer, composed of projecting and recessed parts with a nearly ideal wave-shape on a substrate such as glass, by using a heat-resistant negative photosensitive resin without changing the fundamental process.例文帳に追加

基本的な工程を変更することなく、耐熱性ネガ型感光性樹脂により、ガラスなどの基板上にほぼ理想的な波形の凹凸からなる光拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which can be lessened in chip size and enhanced in operation speed by lessening a diffusion layer in junction capacitance, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

チップサイズを縮小でき且つ拡散層の接合容量を低減して動作速度の高速化が図れる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing Cu damascene wiring which suppresses a diffusion of Cu spreading on the interface between a Cu wiring pattern and a cap layer, and simultaneously suppresses an increase in resistance of the Cu wiring pattern.例文帳に追加

Ｃｕ配線パターンとキャップ層との界面を伝うＣｕの拡散を抑制し、同時にＣｕ配線パターンの抵抗の増大を抑制するＣｕダマシン配線の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell capable of suppressing a plasma from damaging a wafer light-receiving surface and suppressing a scraping amount of a diffusion layer by reducing etching more than necessary.例文帳に追加

必要以上のエッチングを減少させることで、プラズマが与えるウェハ受光の面損傷の抑制、拡散層の削り量の抑制が可能な太陽電池の製造方法を得る。 - 特許庁

The gate electrode 106 and the shallow well 104 are electrically connected by means of a high melting point silicide film 112 via the high concentration diffusion layer 111 of the contact region 120.例文帳に追加

、ゲート電極１０６と浅いウェル１０４とが、コンタクト領域１２０の高濃度拡散層１１１を介して高融点シリサイド膜１１２により電気的に接続されている。 - 特許庁

Since the width of a low-concentration impurity region for securing a withstand voltage can be adjusted with the thickness of a semiconductor layer, a conventional low-concentration impurity region by diffusion of impurities can be omitted.例文帳に追加

半導体層の厚みで耐圧を確保する低濃度不純物領域の幅を調整できるので、従来の不純物の拡散による低濃度不純物領域を省くことができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high accuracy, high sensitivity solid state image sensor in which the loss of light utilization efficiency due to the absorption or diffusion of light in an intermediate layer can be reduced.例文帳に追加

中間層での光の吸収や拡散による光利用効率のロスを低減できる高精度、高感度の固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A PMOSFET is equipped with a compressive strain Si-Ge channel layer 19 which is sandwiched in between P+ drain/source diffusion layers 18 is formed on the surface of the Si substrate 10.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴはＳｉ基板１０の表面にトランジスタのソース又はドレインであるｐ^+ 拡散層１８に挟まれて圧縮歪みＳｉ−Ｇｅチャネル層１９が形成されている。 - 特許庁

The second well 3 is formed on the substrates 1 and 10, is provided on the other side of the high-concentration diffusion layer region 11, and has a second conductivity type that is the reverse conductivity type with respect to the first conductivity type.例文帳に追加

第２ウェル３は基板１、１０上に形成され、高濃度拡散領域１１の他方側に設けられ、第１導電型と逆導電型となる第２導電型である。 - 特許庁

An opening 14 for exposing the diffusion layer 13 and an interconnection trench 15 are made and filled with an interconnection material principally comprising a Cu interconnection member 16.例文帳に追加

この拡散層１３が露出する開孔１４及び配線溝１５が形成されており、主にＣｕ配線部材１６により配線材料が埋め込まれた構成となっている。 - 特許庁

The diffusion layer 13 has the maximum water penetration performance in the direction of the gas passage 16b, and the drain groove 13a is formed so as to cross at right angles to the maximum water penetration direction.例文帳に追加

拡散層１３はガス流路１６ｂの方向に最大の透水性能を有しており、排水溝１３ａは最大透水方向と直交するように形成されている。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a memory array structure, which allows resistance of a source diffusion layer to be reduced, with the increase in a manufacturing process controlled to a minimum.例文帳に追加

製造工程の増大を最小限に抑制しつつ、ソース拡散層の低抵抗化を実現できるメモリセルアレイ構造を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To prevent decomposition and deterioration of a liquid crystal by UV rays in an information display device using a polymer diffusion type liquid crystal panel using a liquid crystal layer containing a liquid crystal and a polymer.例文帳に追加

液晶と高分子ポリマーを含む液晶層を用いた高分子散乱型液晶パネルを用いた情報表示装置において、紫外線による液晶の分解劣化を防止する。 - 特許庁

To eliminate digging of side portion of a gate electrode of a semiconductor substrate, and to reduce variations of an overlap region between the gate electrode and an extension diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板におけるゲート電極の側方部分の掘り込みをなくすと共に、ゲート電極とエクステンション拡散層とのオーバラップ領域のばらつきを低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a resin composition for biochip production capable of forming a resin composition layer excellent in diffusion controllability against an acid generated by light exposure, and a method for producing a biochip using the same.例文帳に追加

露光により発生された酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成できるバイオチップ製造用樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

An annular peripheral rim electrode 215 is formed at the peripheral rim on the p-AlGaAs current diffusion layer 210 while the inside of the same constitutes a light emission surface w.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０上の周縁部にはリング状の周縁電極部２１５が形成されており、その内側が光出射面ｗを構成する。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into the Si substrate 1 through the thin part of the SiO2 film 7 in a region adjacent to the trench 5 to from a diffusion layer 8.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜７の薄い部分を介してＳｉ基板１に不純物をイオン注入して、Ｓｉ基板１におけるトレンチ５の近傍の領域に不純物を導入し拡散層８を形成する。 - 特許庁

Further, an antireflection film 9 covers from a part of the upper side of the gate electrode 7 to a whole upper side of a first n-type diffusion layer 3 of photoelectric region.例文帳に追加

さらに、ゲート電極７の上方の一部から光電変換領域である第１のｎ型拡散層３の上方全体までをシリコン窒化膜からなる反射防止膜９が覆っている。 - 特許庁

The spikes of the present invention can be used to stop dopant diffusion out of a doped layer, in a variety of III-V semiconductor structures, such as InP-based PIN devices.例文帳に追加

本発明のスパイクを用いて、ＩｎＰをベースにしたＰＩＮデバイス等、様々なＩＩＩ−Ｖ族半導体構造におけるドープ層からドーパントが拡散するのを妨げることができる。 - 特許庁

A gate electrode 12 is formed on a semiconductor substrate 10 through the intermediary of a gate insulating film 11, and a P-type impurity diffusion layer 13 is formed under the gate electrode 12.例文帳に追加

半導体基板１０上にゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２が形成されており、該ゲート電極１２の下側にはｐ型の不純物拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a division method of a nitride semiconductor wafer capable of reducing cost by dispensing with the formation of a current diffusion conductive film with respect to a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体層に対する電流拡散導電膜の形成を不要なものし、コストの低廉化を図ることができる窒化物半導体ウエハの分割方法を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide film 92 laminated thereon is etched to form contact openings for the polysilicon electrode 100, and the diffusion layer (FD 52) of a silicon substrate 80 at the same time.例文帳に追加

その上に積層されるシリコン酸化膜９２をエッチングして、ポリシリコン電極１００及びシリコン基板８０の拡散層（ＦＤ５２）に対するコンタクト開口を同時に形成する。 - 特許庁

A film 4 for preventing the diffusion of H_2O is formed at least between the multilayer wiring of the logic area and an element forming layer 1 of the logic area.例文帳に追加

少なくともロジック領域の多層配線層と、ロジック領域の素子形成層１との間に、ロジック領域内へのＨ_２Ｏの拡散を防止する拡散防止膜４が形成されている。 - 特許庁

An opening 14 for exposure of this diffusion layer 13 and a wiring groove 15 are formed and wiring materials are embedded mainly by a Cu wiring member 16.例文帳に追加

この拡散層１３が露出する開孔１４及び配線溝１５が形成されており、主にＣｕ配線部材１６により配線材料が埋め込まれた構成となっている。 - 特許庁