「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a memory array structure, which allows resistance of a source diffusion layer to be reduced, with the increase in a manufacturing process controlled to a minimum.例文帳に追加

製造工程の増大を最小限に抑制しつつ、ソース拡散層の低抵抗化を実現できるメモリセルアレイ構造を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In the case of implanting the holes to the lamination film 15, voltage pulses for implanting the holes to the lamination film 15 are applied to the memory gate 17 and the impurity diffusion layer 20 for a plurality of number of times.例文帳に追加

積層膜１５にホールを注入する際には、積層膜１５へのホール注入のための電圧パルスをメモリゲート１７および不純物拡散層２０に複数回印加する。 - 特許庁

The second well 3 is formed on the substrates 1 and 10, is provided on the other side of the high-concentration diffusion layer region 11, and has a second conductivity type that is the reverse conductivity type with respect to the first conductivity type.例文帳に追加

第２ウェル３は基板１、１０上に形成され、高濃度拡散領域１１の他方側に設けられ、第１導電型と逆導電型となる第２導電型である。 - 特許庁

An opening 14 for exposing the diffusion layer 13 and an interconnection trench 15 are made and filled with an interconnection material principally comprising a Cu interconnection member 16.例文帳に追加

この拡散層１３が露出する開孔１４及び配線溝１５が形成されており、主にＣｕ配線部材１６により配線材料が埋め込まれた構成となっている。 - 特許庁

The diffusion layer 13 has the maximum water penetration performance in the direction of the gas passage 16b, and the drain groove 13a is formed so as to cross at right angles to the maximum water penetration direction.例文帳に追加

拡散層１３はガス流路１６ｂの方向に最大の透水性能を有しており、排水溝１３ａは最大透水方向と直交するように形成されている。 - 特許庁

The first fuse wiring 109, the second fuse wiring 110, and the first impurity diffusion layer of the plurality of fuse elements are arranged at predetermined intervals almost in parallel, respectively.例文帳に追加

複数のヒューズ素子部の第１のヒューズ配線１０９、第２のヒューズ配線１１０および第１の不純物拡散層１０４は、それぞれ、所定のピッチ間隔で、略平行に並置される。 - 特許庁

To provide a polyester film, which is satisfactorily used for a backlight unit of a liquid crystal display, has superior light diffusion, and has superior adhesiveness to a prism layer when processed into a prism sheet.例文帳に追加

液晶ディスプレイのバックライトユニットの用途に好適に使用でき、光拡散性に優れ、プリズムシートに加工する際に、プリズム層との接着性が良好であるポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

For example, an n^--type semiconductor layer 2 is formed on an n^++ type semiconductor substrate 1, and a p^+ type diffusion area 3 is formed on the front surface of it to form a pn junction.例文帳に追加

たとえばｎ^＋＋形半導体基板１上にｎ^−形半導体層２が設けられ、その表面にｐ^＋形拡散領域３が設けられて、ｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

After eliminating the oxide films, a semiconductor layer of which wafer surfaces are diffused in a high concentration is eliminated through etching (6), and a semiconductor device having stable wafers is obtained by further drive diffusion.例文帳に追加

酸化膜を除去後，ウェハ表面の非常に高濃度に拡散された半導体層をエッチングにより除去し，さらにドライブ拡散して安定したウェハの半導体装置を得る。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device, p+ type first and second diffusion regions 34 and 32 are formed on the front of a second epitaxial layer 23 so as to be partially superimposed.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置では、第２のエピタキシャル層２３表面にＰ＋型の第１および第２の拡散領域３４、３２を一部重畳するように形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which increasing operation speed of a Y decoder and reduction of layout area can be realized by reducing diffusion layer capacity which seem as a load of an address decode-signal.例文帳に追加

アドレスデコード信号の負荷として見える拡散層容量を小さくして、Ｙデコーダの高速化とレイアウト面積の縮小化を実現することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The grooves are located on a side of the anode 21, the recessed groove 33 allows an MEA to expand to a side of the gas diffusion layer in a groove width A, the expansion being caused due to swelling of an electrolyte membrane 20.例文帳に追加

これらは、アノード２１の側に位置し、凹条３３は、その溝幅Ａにおいて電解質膜２０の膨潤に伴うＭＥＡのガス拡散層の側への伸張を許容する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device reducing the thin wire resistor of a gate electrode and having a silicide film formation structure where the reduction of the bonding leak of a diffusion layer can be achieved, and its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極の細線抵抗の低減、及び、拡散層の接合リークの低減が図れるシリサイド膜形成構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gas diffusion layer 1 given excellent conductivity and water-repellent characteristics can be formed on the conductive porous base material for a fuel cell by using the paste composition.例文帳に追加

ペースト組成物を使用することにより、優れた導電性及び撥水性が付与されたガス拡散層１を燃料電池用導電性多孔質基材に形成させることができる。 - 特許庁

A p-type diffusion layer forming composition according to the present invention includes glass powder containing an acceptor element; a binder having a weight average molecular weight of 5,000 or more and 500,000 or less; and a solvent.例文帳に追加

本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、重量平均分子量が５０００以上５０００００以下であるバインダーと、溶剤と、を含有する。 - 特許庁

To provide a resin composition for biochip production capable of forming a resin composition layer excellent in diffusion controllability against an acid generated by light exposure, and a method for producing a biochip using the same.例文帳に追加

露光により発生された酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成できるバイオチップ製造用樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

An annular peripheral rim electrode 215 is formed at the peripheral rim on the p-AlGaAs current diffusion layer 210 while the inside of the same constitutes a light emission surface w.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０上の周縁部にはリング状の周縁電極部２１５が形成されており、その内側が光出射面ｗを構成する。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into the Si substrate 1 through the thin part of the SiO2 film 7 in a region adjacent to the trench 5 to from a diffusion layer 8.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜７の薄い部分を介してＳｉ基板１に不純物をイオン注入して、Ｓｉ基板１におけるトレンチ５の近傍の領域に不純物を導入し拡散層８を形成する。 - 特許庁

Further, an antireflection film 9 covers from a part of the upper side of the gate electrode 7 to a whole upper side of a first n-type diffusion layer 3 of photoelectric region.例文帳に追加

さらに、ゲート電極７の上方の一部から光電変換領域である第１のｎ型拡散層３の上方全体までをシリコン窒化膜からなる反射防止膜９が覆っている。 - 特許庁

The silicide layer 6 prevents diffusion of Cu from the Cu interconnection M1 and enhances adhesion between the Cu interconnection M1 and an overlying silicon nitride film 7.例文帳に追加

このシリサイド層６によって、Ｃｕ配線Ｍ_1 からのＣｕの拡散を防ぎ、また、Ｃｕ配線Ｍ_1 とＣｕ配線Ｍ_1 の上層に形成される窒化シリコン膜７との接着性を向上させる。 - 特許庁

The p-type diffusion layer forming composition contains glass powder including an acceptor element, and a dispersant containing a binder having a solubility parameter being equal to or less than 12(MJ/m^3)^1/2.例文帳に追加

本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、溶解度パラメーターが１２（ＭＪ／ｍ^３）^１／２以下であるバインダーを含む分散媒と、を含有する。 - 特許庁

A cavity is formed between the source diffusion layer 41 and the BPSG film 42 by removing part of the BPSG film 8 exposed to the contact hole 21 by isotropic etching.例文帳に追加

続いて、コンタクトホール２１に露出しているＢＰＳＧ膜８を等方性エッチングにより除去することにより、ソース拡散層４１とＢＰＳＧ膜４２との間に空洞部を形成する。 - 特許庁

In the pressurization process, the amount of pressurization on the air outlet side of the membrane electrode junction 100 or the gas diffusion layer is set to a value less than the amount of pressurization on the air inlet side of the MEA 30.例文帳に追加

加圧工程では、膜電極接合体１００またはガス拡散層の空気出口側の加圧量を、ＭＥＡ３０の空気入口側の加圧量よりも少なく設定する。 - 特許庁

To provide a radio communication method using a physical layer header capable of dynamically adopting modulation/diffusion methods according to a transmission condition and a channel condition.例文帳に追加

本発明は，伝送状況やチャネルコンディションに応じて，動的に変調・拡散方式を採用できる物理層ヘッダを用いた無線通信方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A roughened surface of 1.0 μm in surface roughness (Ra) is formed around a measuring electrode, and a diffusion control layer is formed to cover the roughened surface portion and the measuring electrode.例文帳に追加

前記測定電極の周囲に表面粗さ（Ｒａ）が１．０μｍ以上の粗面部を形成するとともに、この粗面部と前記測定電極を覆うように拡散律速層を備える。 - 特許庁

To provide a micro wiring forming method for forming a micro wiring in which adhesive strength is improved by using a metal thin film sacrifice layer and the diffusion of an ink can be controlled.例文帳に追加

金属薄膜犠牲層を用いて接着力が向上され、かつ、インクの拡散性を抑制できる微細配線を形成することができる微細配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nano porous recording sheet which has an improvement in cohesion of ink by decreasing a thickness of an ink accepting layer indicating a good flatness and in cohesion of ink by lowering a diffusion of dye.例文帳に追加

良好な平面度を示すインク受容層の厚みを減少させ、且つ染料の拡散を低下させインクの凝集を改良したナノ多孔性記録シートを提供する。 - 特許庁

Transistors, word lines 3 and bit lines 6 are formed on a silicon substrate 1 and a conductive plug 5 formed by polysilicon is drawn out from one side of a diffusion layer 15 of each transistor.例文帳に追加

トランジスタとワード線３、ビット線６がシリコン基板１上に形成されており、そのトランジスタの拡散層１５の片側から、ポリシリコンで形成された導電性プラグ５が引き出されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of easily forming a diffusion isolation layer whose depth reaches a rear face of a thick semiconductor substrate for a high breakdown voltage from its surface.例文帳に追加

高耐圧用の厚い半導体基板の表面から裏面に達する程度の深さの拡散分離層を容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An end face of the incident side of a light-transmissive medium 1 is provided with a light diffusing layer 2 for controlling a spread angle of a diffusion characteristic according to an end face of the output side.例文帳に追加

導光媒体１の入射側の端面には、出射側の端面の形状に合わせて拡散特性における広がり角を制御する光拡散層２が設けられている。 - 特許庁

The second barrier layer 7 is made of conductive TaN capable of suppressing the diffusion of copper and oxidation, and is formed continuously to cover the upper face and side faces of the copper interconnection 6.例文帳に追加

第２バリア層７は、導電性を有し銅の拡散及び酸化を抑制可能なＴａＮからなり、銅配線６の上面と側面とを覆うように連続して形成されている。 - 特許庁

The gate insulating film 32 is present below the side-end lower part, so no electric connection with the drain diffusion layer 21d is made and only a contact area 21dc is connected thereto.例文帳に追加

この側端下部の下側にはゲート絶縁膜３２が存在するため、ドレイン拡散層２１ｄとは電気的に接続しておらず、接続しているのはコンタクト領域２１ｄｃだけである。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell capable of exhibiting a stable performance even at a high current density, and a gas diffusion layer electrode base material suited for obtaining the same, as well as its manufacturing method.例文帳に追加

高電流密度でも安定した性能が発揮できる高分子電解質型燃料電池、これを得るに好適なガス拡散層電極基材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, an impurity is introduced through the opening to form a plurality of bit line diffusion layers 108 extending in the column direction on a surface layer part of the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

次に、開口部を介して不純物を導入することにより、半導体基板１００の表層部に、列方向に延伸する複数のビット線拡散層１０８を形成する。 - 特許庁

Using an ink jet head 26, the diffusion prevention layer 10 made of nickel/gold, nickel/palladium, etc. is formed on top of the columnar electrodes 9 inside openings 12 formed in a sealing film 11.例文帳に追加

インクジェットヘッド２６を用いて、封止膜１１の開口部１２内における柱状電極９の上面にニッケル／金、ニッケル／パラジウム等からなる拡散防止層１０を形成する。 - 特許庁

Herewith, a catalyst layer of high gas permeability is formed, so that the energy efficiency of an electrochemical device using such a gas-diffusion electrode can be enhanced.例文帳に追加

これによりガス透過性の高い触媒層を形成することができるので、このようなガス拡散電極を用いた電気化学デバイスのエネルギー効率を高めることが可能となる。 - 特許庁

The membrane-electrode joined body for the solid polymer fuel cell can be manufactured by laminating the gas diffusion electrodes on both sides of a polymer electrolyte membrane through a catalyst layer.例文帳に追加

このガス拡散電極を高分子電解質膜の両面に触媒層を介して積層して、固体高分子型燃料電池用膜−電極接合体を作製することができる。 - 特許庁

A film 4 for preventing the diffusion of H_2O is formed at least between the multilayer wiring of the logic area and an element forming layer 1 of the logic area.例文帳に追加

少なくともロジック領域の多層配線層と、ロジック領域の素子形成層１との間に、ロジック領域内へのＨ_２Ｏの拡散を防止する拡散防止膜４が形成されている。 - 特許庁

To prevent decomposition and deterioration of a liquid crystal by UV rays in an information display device using a polymer diffusion type liquid crystal panel using a liquid crystal layer containing a liquid crystal and a polymer.例文帳に追加

液晶と高分子ポリマーを含む液晶層を用いた高分子散乱型液晶パネルを用いた情報表示装置において、紫外線による液晶の分解劣化を防止する。 - 特許庁

To eliminate digging of side portion of a gate electrode of a semiconductor substrate, and to reduce variations of an overlap region between the gate electrode and an extension diffusion layer.例文帳に追加

半導体基板におけるゲート電極の側方部分の掘り込みをなくすと共に、ゲート電極とエクステンション拡散層とのオーバラップ領域のばらつきを低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining a high junction breakdown voltage between a first conductive semiconductor layer and a second conductive impurity diffusion area that a tunnel window faces.例文帳に追加

第１導電型の半導体層とトンネルウィンドウが対向する第２導電型の不純物拡散領域との高い接合耐圧を得ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing capacitor of semiconductor element by which the deterioration of a dielectric layer can be prevented by preventing the diffusion of hydrogen generated in a chamber at the time of forming a protective film.例文帳に追加

本発明は、保護膜形成時にチャンバ内に発生する水素の拡散を防止し、誘電体層の劣化を防止できる半導体素子のキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The body diffusion layer of the power MOS transistor 6b having a relatively small cell size is formed deeper compared with the power MOS transistor 6a having a relatively large cell size.例文帳に追加

相対的にセルサイズが小さいパワーＭＯＳトランジスタ６ｂは相対的にセルサイズが大きいパワーＭＯＳトランジスタ６ａに比べて上記ボディ拡散層が深く形成されている。 - 特許庁

To prevent reaction gas from flowing out to an outlet without having it pass through electrodes to lower power generating efficiency, even if the gas flows into a gap between a gasket and a gaseous diffusion layer.例文帳に追加

ガスケットとガス拡散層との間の隙間に反応ガスが流れ込んだとしても、当該反応ガスが電極を通らずに出口へ流れ出して発電効率が低下することを防止する。 - 特許庁

To provide a high performance electrode backing 5 and its manufacturing method in which the backing has good fuel diffusion property and good drainage compared to conventional one, also the backing suppresses penetration of catalyst layer.例文帳に追加

従来のものに比べて燃料拡散性、排水性がよく、触媒層の浸み込みを抑えることができる高性能な電極基材５およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁