「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

The pn junction is formed on the interface between a low-density n-type impurity layer 3 and a p-type diffusion region 5 nearby the top main surface of an n-type semiconductor substrate 2 of the semiconductor device 1.例文帳に追加

半導体装置１のｎ型半導体基板２の上主面近傍で、低濃度ｎ型不純物層３とｐ型拡散領域５との界面でｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which can prevent diffusion of fine particles to the inside of the apparatus or environment around the apparatus by capturing the fine particles, generated from a rubber layer of a fixing member.例文帳に追加

定着部材のゴム層から発生した微粒子を捕捉することで、機内や周囲の環境への微粒子の拡散を防止できる画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element having a structure capable of suppressing deterioration in power feed characteristics by suppressing diffusion of a p-type dopant into a light-emitting layer on an end face of a semiconductor mesa part.例文帳に追加

半導体メサ部の端面の発光層へのｐ型ドーパントの拡散を抑制することにより通電特性の劣化を抑制可能な構造を有する半導体光素子を提供する。 - 特許庁

To suppress the generation of a microcrack or warpage, and to prevent the diffusion of an electrode material to a dielectric layer, in an electrostatic chuck where an electrode is embedded in a MgO ceramic base.例文帳に追加

ＭｇＯセラミックス基体に電極を埋設した静電チャックにおいて、マイクロクラックや反りの発生を抑制すると共に誘電体層への電極材料の拡散を防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a carbon substrate for a gas diffusion layer of a polymer electrolyte fuel cell, the carbon substrate formed thereby, and a system used for manufacturing the same.例文帳に追加

高分子電解質型燃料電池のガス拡散層用炭素基材の製造方法、それによって形成された炭素基材及びその製造に使われるシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a membrane electrode structure capable of being formed in a given thickness and capable of obtaining adhesive strength between a solid polymer electrolyte membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加

所定の厚さに形成できると共に、固体高分子電解質膜とガス拡散層との間で優れた接着強度が得られる膜−電極構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an oxidation resistant fuel cell component and a method for creating an aluminum diffusion surface layer within a fuel cell component to reduce chromium contamination occurring during operation of a fuel cell.例文帳に追加

耐酸化性燃料電池部品及び燃料電池部品内部にアルミニウム拡散表面層を形成して燃料電池の運転中に起こるクロム汚染を低減する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a plurality of diffusion layer resistances each of which has a different resistance value, while reducing the manufacturing steps and manufacturing cost, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

工程数の低減や製造コストの削減を図りつつ、各々が異なる抵抗値を有する複数の拡散層抵抗を備えた半導体装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

Diffusion signal light 51 diffused by the light diffusing layer 2 is made incident to optical fiber 3b with direct incident light 51a and totally reflected incident lights 51b, 51c superimposed.例文帳に追加

光拡散層２によって拡散された拡散信号光５１は直接入射光５１ａと全反射入射光５１ｂ、５１ｃとが重なって光ファイバ３ｂへ入射される。 - 特許庁

A connection part 12 is formed under the second impurity diffusion layer in the element forming film, and electrically connects a body region of the first element with a body region of the second element.例文帳に追加

接続部１２は、素子形成膜における第２の不純物拡散層の下方に形成され、第１の素子のボディ領域と第２の素子のボディ領域とを電気的に接続する。 - 特許庁

To provide an angle measuring instrument capable of measuring accurately an angle of a sample without depending on manual work, and to provide a thickness measuring method for a diffusion layer of a semiconductor wafer using the angle measuring instrument.例文帳に追加

試料の角度を人手に頼らず、正確に測定できる試料の角度測定装置およびこれを用いた半導体ウェーハの拡散層の厚さ測定方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 207 is etched with a resist pattern 208 as a mask, and then an insulation film 206 for preventing Cu diffusion is etched to form a concave portion 220 to expose a lower-layer interconnection 205.例文帳に追加

レジストパターン２０８をマスクとして、層間絶縁膜２０７をエッチングし、さらにＣｕ拡散防止用絶縁膜２０６をエッチングして凹部２２０を形成し、下層配線２０５を露出する。 - 特許庁

According to such a forming method, since P having higher diffusion coefficient than As which has been used in a prior art is used to form the pocket layer, a strong electric field near a channel is relaxed.例文帳に追加

このような形成方法によれば、ポケット層の形成に、従来用いられているＡｓよりも拡散係数が高いＰを用いているので、チャネル近傍の強い電界が緩和される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device, by which the overlapped length of a low-concentration diffusion layer and a gate electrode is made an optimal dimension, and enable microfabrication of device is attained.例文帳に追加

低濃度拡散層とゲート電極とのオーバーラップする長さを最適な寸法とし，素子の微細化を可能とする半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To easily manufacture a capacitor having single-crystal SrRuO3/single- crystal (Ba, Sr) TiO3/single-crystal SrRuO3 structure which is connected to an n+ source diffusion layer through a plug electrode of Ru.例文帳に追加

Ｒｕからなるプラグ電極を介してｎ^+ 型ソース拡散層と接続する、単結晶SrRuO_3 ／単結晶(Ba,Sr)TiO_3 ／単結晶SrRuO_3 構造のキャパシタを容易に製造できる製造方法を実現すること。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device of a CMD pixel, capable of accurately setting a relative position of an impurity diffusion layer and then setting a reset voltage for resetting stored charges low.例文帳に追加

不純物拡散層の相対位置を正確に設定したうえで、蓄積された電荷をリセットするためのリセット電圧を低く設定できるＣＭＤ画素の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

At this point, an element pattern where the ion implantation stop film 7 is formed at the lower part of a memory cell is formed to a gate electrode wiring or the diffusion layer in a self-aligned manner.例文帳に追加

ここで、上記のイオン注入阻止膜がメモリセルの下層部に形成された素子パターン例えばゲート電極配線あるいは上記の拡散層に対してセルフアラインに形成される。 - 特許庁

To provide an aluminum member internal chill method which is suitable for recycling by the formation of a diffusion layer which does not comprise zinc as impurities in the internal chill of an aluminum member.例文帳に追加

アルミ部材の鋳ぐるみにおいて、不純物である亜鉛を含有しない拡散層を形成されたことにより、リサイクルに適したアルミ部材鋳ぐるみ方法を提供すること。 - 特許庁

A metal substrate containing 3 to 10% Al is used, and a first intermediate layer 2 containing Al as a chief ingredient is formed on the metal substrate 1 with diffusion by heat.例文帳に追加

Ａｌを３〜１０％含有している金属基板１を使用し、金属基板１の上にＡｌを主成分とする第１の中間層２を熱による拡散により形成する。 - 特許庁

A surface of the substrate 1 opposite to the exposed side is made to be a diffusion surface to diffuse the exposed light passing through the substrate 1 and a light absorption layer 2 is formed thereon.例文帳に追加

基板１の露光光が照射される側と反射側の面を基板１を透過した露光光を拡散させる拡散面とし、その上に光吸収層２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high efficient solar battery by forming a diffusion layer featuring a shallow junction depth and a high dose and also executing a fire-through process with shallow thrust.例文帳に追加

接合深さが浅く、かつ、高ドーズの拡散層を形成するとともに、浅い食い込みでファイアスルーを行うことで、高効率の太陽電池を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The thermal diffusion member 11 includes: a graphite sheet 12 provided on the heating element; a protective layer 13 covering the graphite sheet 12; and a connector 14 provided on the graphite sheet 12.例文帳に追加

熱拡散部材１１は、発熱体上に設けられるグラファイトシート１２と、グラファイトシート１２を覆う保護層１３と、グラファイトシート１２上に設けられるコネクタ１４とを備えている。 - 特許庁

Contact holes 27 and 29 extending to the impurity diffusion layer 18 of the selecting transistor and the polycrystalline silicon film 15 of a select gate shunt part are made in the BPSG films 23 and 39.例文帳に追加

その後、ＢＰＳＧ膜２３、３９内に、選択トランジスタの不純物拡散層１９及びセレクトゲートシャント部の多結晶シリコン膜１５に達するコンタクトホール２７、２９を形成する。 - 特許庁

A cathode 208 is applied to the gas diffusion layer 210 including the catalyst material 212, and the sacrificial material is removed from the surface of the substrate 202 to form an integration gas channel for fuel cells to be manufactured.例文帳に追加

触媒材料212を有するガス拡散層210にカソード208を塗布し、基板202の表面から犠牲材料を除去して、製造される燃料電池のための一体化ガスチャンネルを形成する。 - 特許庁

At four corner parts of the n-type semiconductor layer region 130, a p type impurity diffusion region 170 is formed so that at least a part of it is in contact with the dielectric separation film 120.例文帳に追加

ｎ−型半導体層領域１３０の四隅部には誘電体分離膜１２０に少なくともその一部が接するようにｐ型不純物拡散領域１７０が形成される。 - 特許庁

To reduce a measuring error due to deviation and diffusion of focal point surface generated from difference in refractive indices between air layer and liquid in the optical-semiconductor device for liquid immersion semiconductor exposure apparatus.例文帳に追加

液浸型半導体露光装置用の光学半導体装置において、空気層と液体との屈折率の違いから生じる焦点面のずれや拡散による計測誤差を低減する。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell having high drain property capable of surely preventing accumulation of water produced by power generation operation on a gas diffusion layer.例文帳に追加

発電運転により生成する水がガス拡散層上に滞留することを確実に防止可能である良好な排水性を有する高分子電解質形燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial crystal that can be manufactured utilizing an organic metal vapor phase growth method, and has a modulation doped structure with less Zn diffusion into an adjacent layer, and to provide a light-receiving element.例文帳に追加

有機金属気相成長法を利用して製造可能で、隣接層へのＺｎ拡散の少ない変調ドープ構造を有するエピタキシャル結晶及び受光素子を提供する。 - 特許庁

By this diffusion layer, heat resistance and junction reliability are secured, and the temperature sensor capable of detecting a highly accurate temperature can be obtained, especially also in the temperature range of -50°C to 1050°C.例文帳に追加

この拡散層により、耐熱性及び接合信頼性を確保し、特に−５０℃〜１０５０℃の温度域においても、高精度な温度検出が可能な温度センサを提供することができる。 - 特許庁

The surface of the oxide film 121s is in a shape having fine irregularity, and there is substantially no Fe_2O_3 in the ion diffusion layer 13i, thereby obtaining an excellent adhesion characteristic between the lead part 12 and the glass part 13.例文帳に追加

酸化膜121sの表面が微細な凹凸を有する形状であると共に、イオン拡散層13i中にFe_2O_3が実質的に存在しないことで、リード部12とガラス部13とは密着性に優れる。 - 特許庁

The total resistance of bit lines is reduced by making the bit line diffusion layer on which no transistor is formed broader in width or higher in concentration in the flat cell type memory cell area of the semiconductor device.例文帳に追加

フラットセル型メモリセル領域にてトランジスタを形成しないビット線拡散層を幅広とするか、または拡散層濃度を高くすることにより、ビット線全体としての抵抗を低くする。 - 特許庁

A floating gate 20 with a predetermined shape is formed on an SOI substrate 1, and capacitively coupled with the SOI substrate 1, using an impurity diffusion layer 17 to be a control gate and an oxidized film 18 as dielectric films.例文帳に追加

所定形状の浮遊ゲート２０がＳＯＩ基板１に形成され、制御ゲートとなる不純物拡散層１７と酸化膜１８を誘電体膜として容量結合している。 - 特許庁

To attain miniaturization of a nonvolatile semiconductor storage device, eliminating the need for forming a LOCOS isolation region in an impurity diffusion layer that is to serve as a bit line.例文帳に追加

不揮発性の半導体記憶装置において、ビット線となる不純物拡散層の上にＬＯＣＯＳ分離領域を形成する必要をなくして、該装置の微細化を実現できるようにする。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-SiN film 12 having a composition ratio Si/N of 0.75 or less or an P-SiON film is as a Cu anti-diffusion film and/or an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体装置において、Ｃｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として、Ｓｉ／Ｎ組成比が０．７５以下のＰ−ＳｉＮ膜１２またはＰ−ＳｉＯＮ膜を用いる。 - 特許庁

To provide a polyester film, which is satisfactorily used for a backlight unit of a liquid crystal display, has superior light diffusion, and has superior adhesiveness to a prism layer when processed into a prism sheet.例文帳に追加

液晶ディスプレイのバックライトユニットの用途に好適に使用でき、光拡散性に優れ、プリズムシートに加工する際に、プリズム層との接着性が良好であるポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

For example, an n^--type semiconductor layer 2 is formed on an n^++ type semiconductor substrate 1, and a p^+ type diffusion area 3 is formed on the front surface of it to form a pn junction.例文帳に追加

たとえばｎ^＋＋形半導体基板１上にｎ^−形半導体層２が設けられ、その表面にｐ^＋形拡散領域３が設けられて、ｐｎ接合が形成されている。 - 特許庁

After eliminating the oxide films, a semiconductor layer of which wafer surfaces are diffused in a high concentration is eliminated through etching (6), and a semiconductor device having stable wafers is obtained by further drive diffusion.例文帳に追加

酸化膜を除去後，ウェハ表面の非常に高濃度に拡散された半導体層をエッチングにより除去し，さらにドライブ拡散して安定したウェハの半導体装置を得る。 - 特許庁

In this semiconductor integrated circuit device, p+ type first and second diffusion regions 34 and 32 are formed on the front of a second epitaxial layer 23 so as to be partially superimposed.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路装置では、第２のエピタキシャル層２３表面にＰ＋型の第１および第２の拡散領域３４、３２を一部重畳するように形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which increasing operation speed of a Y decoder and reduction of layout area can be realized by reducing diffusion layer capacity which seem as a load of an address decode-signal.例文帳に追加

アドレスデコード信号の負荷として見える拡散層容量を小さくして、Ｙデコーダの高速化とレイアウト面積の縮小化を実現することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The grooves are located on a side of the anode 21, the recessed groove 33 allows an MEA to expand to a side of the gas diffusion layer in a groove width A, the expansion being caused due to swelling of an electrolyte membrane 20.例文帳に追加

これらは、アノード２１の側に位置し、凹条３３は、その溝幅Ａにおいて電解質膜２０の膨潤に伴うＭＥＡのガス拡散層の側への伸張を許容する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device reducing the thin wire resistor of a gate electrode and having a silicide film formation structure where the reduction of the bonding leak of a diffusion layer can be achieved, and its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極の細線抵抗の低減、及び、拡散層の接合リークの低減が図れるシリサイド膜形成構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gas diffusion layer 1 given excellent conductivity and water-repellent characteristics can be formed on the conductive porous base material for a fuel cell by using the paste composition.例文帳に追加

ペースト組成物を使用することにより、優れた導電性及び撥水性が付与されたガス拡散層１を燃料電池用導電性多孔質基材に形成させることができる。 - 特許庁

A p-type diffusion layer forming composition according to the present invention includes glass powder containing an acceptor element; a binder having a weight average molecular weight of 5,000 or more and 500,000 or less; and a solvent.例文帳に追加

本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、重量平均分子量が５０００以上５０００００以下であるバインダーと、溶剤と、を含有する。 - 特許庁

The first fuse wiring 109, the second fuse wiring 110, and the first impurity diffusion layer of the plurality of fuse elements are arranged at predetermined intervals almost in parallel, respectively.例文帳に追加

複数のヒューズ素子部の第１のヒューズ配線１０９、第２のヒューズ配線１１０および第１の不純物拡散層１０４は、それぞれ、所定のピッチ間隔で、略平行に並置される。 - 特許庁

The silicide layer 6 prevents diffusion of Cu from the Cu interconnection M1 and enhances adhesion between the Cu interconnection M1 and an overlying silicon nitride film 7.例文帳に追加

このシリサイド層６によって、Ｃｕ配線Ｍ_1 からのＣｕの拡散を防ぎ、また、Ｃｕ配線Ｍ_1 とＣｕ配線Ｍ_1 の上層に形成される窒化シリコン膜７との接着性を向上させる。 - 特許庁