「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

The diode element 24 comprises a P-type well 21 formed in the semiconductor substrate 1, an N-type diffusion layer 8 formed on a P-type well 21 in the semiconductor substrate 1, an N-type second polysilicon film 9 formed in an upper side of the N-type diffusion layer 8 on the semiconductor substrate 1 and a nickel cilicide 12 formed on the second polysilicon film 9.例文帳に追加

ダイオード素子２４は、半導体基板１に形成されたＰ型ウェル２１と、半導体基板１におけるＰ型ウェル２１の上に形成されたＮ型拡散層８と、半導体基板１上におけるＮ型拡散層８の上側に形成されたＮ型の第２のポリシリコン膜９と、第２のポリシリコン膜９の上に形成されたニッケルシリサイド１２とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an embedded conductive film 12A formed of a conductor including impurity embedded in a channel part formed to a semiconductor substrate 10, and a bit line 12 formed of a first diffusion layer 12B formed in the regions in both sides of the channel part and a second diffusion layer 12C formed at the side wall and the bottom surface of the channel part.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された溝部に埋め込まれた不純物を含む導電体からなる埋め込み導電膜１２Ａと、溝部の両側方の領域に形成された第１の拡散層１２Ｂと、溝部の側壁及び底面に形成された第２の拡散層１２Ｃとからなるビット線１２を備えている。 - 特許庁

The illuminating device is equipped with a light source, a housing to house the light source the inner wall of which is covered with a diffusion reflection layer, an optical collimator which collimates the light emitted from the light source and reflected on the diffusion reflection layer to produce a collimated light, and a directivity control member to control the directivity of the collimated light emitted from the optical collimator.例文帳に追加

光源と、光源を収容する、内壁面が拡散反射層で覆われたハウジングと、光源から射出された光および拡散反射層で反射された光をコリメート光にする光コリメータと、光コリメータから射出されたコリメート光の指向性を規制する指向性規制部材とを有するにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose pattern layout is optimized so that the yield of flattening by CMP is not influenced owing to increase of the integration degree of the semiconductor device having a well contact diffusion layer and a sub-contact diffusion layer disposed between both P- and N-channel transistor arrays arranged facing each other.例文帳に追加

Ｐｃｈトランジスタ列とＮｃｈトランジスタ列とが向かい合って配置された半導体集積回路において、両トランジスタ列間にウェルコン拡散層及びサブコン拡散層が配置された装置の集積度を高めても、ＣＭＰによる平坦化を行う際に歩留まりに悪影響のないパターンにレイアウトを最適化した半導体装置を提供する。 - 特許庁

The gate electrode of the first high-voltage insulated-gate field effect transistor and the gate electrode of the second high-voltage insulated-gate field effect transistor are connected in common over the first element isolation insulating film, and the impurity concentration of the second impurity diffusion layer is higher than that of the first impurity diffusion layer.例文帳に追加

第１の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と第２の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極とは、第１の素子分離絶縁膜上に跨って共通に接続されており、第２の不純物拡散層の不純物濃度は、第１の不純物拡散層の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

To provide a recording method utilizing the reaction diffusion, in which a phase change method and/or magneto-optical method as recorded by causing reaction diffusion of a dielectric layer and a recording layer by a laser beam, and to provide a recording medium utilizing this recording method and a recording and reproducing apparatus for recording information on the recording medium and reproducing recorded information.例文帳に追加

レーザービームによって誘電体層と記録層との反応拡散を発生させて相変化方法及び/又は光磁気方法の記録ができる反応拡散を利用する記録方法、この方法を利用する記録媒体及びこの記録媒体に情報を記録し、記録された情報を再生することができる記録再生装置を提供する。 - 特許庁

The fuel cell 1A is constituted by laminating a polymer electrolyte membrane 2, a catalyst layer 3A or 3B, a gas diffusion layer 5A or 5B, and a current collector 6A or 6B in this order, and humidity control layers 9A and 9B are arranged on the opposite sides to the gas diffusion layers 5A and 5B of the current collectors 6A and 6B.例文帳に追加

高分子電解質膜２と、触媒層３Ａ又は３Ｂと、ガス拡散層５Ａ又は５Ｂと、集電体６Ａ又は６Ｂとがこの順に積層され、集電体６Ａ及び６Ｂに対してガス拡散層５Ａ及び５Ｂとは反対側に、調湿層９Ａ及び９Ｂが設けられていることを特徴とする燃料電池１Ａ。 - 特許庁

The light diffusion layer, comprising a resin binder and spherical porous silica whose average primary particle diameter is 2.5 μm or larger and 10 μm or smaller, is laminated on at least one-sided face of the thermoplastic film, and the amount of the spherical porous silica contained in the light diffusion layer is 5 wt% or larger and smaller than 40 wt%.例文帳に追加

熱可塑性フィルムの少なくとも片面に、平均１次粒子径が２．５μｍ以上１０μｍ以下である球状多孔質シリカと樹脂バインダーからなる光拡散層が積層され、かつ該光拡散層に含まれる球状多孔質シリカ量が５重量％以上４０重量％未満であることを特徴とする光拡散フィルム。 - 特許庁

Therefore, the light from the light source 15 is diffused and reflected within the light diffusion layer 16 prepared circularly and is derived along the periphery of the watch glass 2 and then the derived light is emitted circularly from the upper and lower surface of watch glass 2 at the place corresponding to both an inner periphery edge of the light diffusion layer 16 and an inner periphery edge of the bezel 7.例文帳に追加

従って、光源１５からの光がサークル状に設けられた光拡散層１６によって拡散反射されて時計ガラス２の周囲に沿って導かれ、この導かれた光が光拡散層１６の内周端とベゼル７の内周端とに対応する位置における時計ガラス２の上下面からサークル状に放出される。 - 特許庁

An area of a penetration guidance part 25 is disposed with a cover layer 51, thereby gas positioned outside the sensor element 10 can arrive into the sensor element 10 only through a prescribed diffusion distance, and the diffusion distance extends partially parallel to the outside 24 of a solid electrolyte layer 21.例文帳に追加

貫通案内部（２５）の領域に、カバー層（５１）が配置されており、これにより、センサエレメント（１０）の外部に位置するガスが、センサエレメント（１０）の内部へ、所定の拡散距離を介してのみ到達することができるようになっており、該拡散距離が、前記固体電解質層（２１）の外側（２４）に対して部分的に平行に延びているようにした。 - 特許庁

Consequently, when a non-absorption region for an oscillation wavelength is formed on a light projection end surface of the infrared laser active layer 3 by effectively increasing the band gap of the infrared laser active layer 3 using diffusion of impurities, the diffusion temperature of impurities can be lowered to prevent the decrease in light emission efficiency and the increase in threshold current.例文帳に追加

このため、赤外レーザ活性層３の光出射端面において、不純物の拡散を用いて、この赤外レーザ活性層３のバンドギャップを実効的に大きくして、発振波長に対する非吸収領域を形成する際に、この不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる。 - 特許庁

The method includes a step of treating a carbon base compound with an acid; a step of washing the acid treated material with water and freeze-drying it; a step of dispersing the freeze-dried material in a solvent, applying dispersed material to a porous carbon support, and drying to form a microporous diffusion layer; and a step of forming a catalyst layer on the microporous diffusion layer.例文帳に追加

カーボン系化合物を酸処理する段階と、酸処理された結果物を水で洗浄し、凍結乾燥処理する段階と、凍結乾燥された結果物を溶媒中に分散し、分散された結果物を多孔性炭素支持体上に塗布および乾燥して、微孔性拡散層を形成する段階と、微孔性拡散層上部に触媒層を形成する段階と、を含む、燃料電池用アノードの製造方法が提供される。 - 特許庁

The gas sensor element comprises an oxygen ion-conductive solid electrolyte, a measured gas side electrode and a reference gas side electrode, respectively provided on one surface and the other surface of the solid electrolyte, a diffusion resistance layer 12 which allows a measured gas to be transmitted while covering the measured gas side electrode, and a catalyst support trap layer 2 supporting catalyst 22 formed on lateral surface 120 of the diffusion resistance layer 12.例文帳に追加

酸素イオン伝導性の固体電解質体と、該固体電解質体の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極及び基準ガス側電極と、被測定ガス側電極を覆うと共に被測定ガスを透過させる拡散抵抗層１２と、該拡散抵抗層１２の外側面１２０に形成された触媒２２を担持させた触媒担持トラップ層２とを有するガスセンサ素子。 - 特許庁

This hermetic compressor is provided with a compression element and a motor-driven element, a driving source of this compression element in a sealed vessel, and is characterized by forming a DLC-Si coating layer 14d by applying DLC-Si processing onto a nitriding diffusion layer 14c by forming the nitriding diffusion layer 14c on the vane 14 of the compression element by applying nitriding to a base material 14b.例文帳に追加

この発明に係る密閉形圧縮機は、密閉容器内に、圧縮要素と、この圧縮要素の駆動源となる電動要素とを有する密閉形圧縮機において、圧縮要素のベーン１４に、基材１４ｂに窒化処理を施して窒化拡散層１４ｃを形成し、さらに窒化拡散層１４ｃの上にＤＬＣ−Ｓｉ処理を施し、ＤＬＣ−Ｓｉコーティング層１４ｄを形成したことを特徴とする。 - 特許庁

A p-electrode 6 as a bonding electrode is formed while it is directly in contact with a p-type layer 4 made of p-type GaN-based compound semiconductor, and a current diffusion layer 5 that has light transmitting property as well as higher conductivity that the p-type layer 4 is formed in a part on the surface of the p-type layer 4 excluding the p-electrode 6.例文帳に追加

ｐ型のＧａＮ系化合物半導体にて形成されたｐ型層４に直接に接触して、ボンディング電極であるｐ電極６が形成されており、ｐ型層４の表面のｐ電極６以外の部分に、透光性でｐ型層４よりも高い導電性を有する電流拡散層５が形成されている。 - 特許庁

The reflection sheet 11 is disposed on the rear surface side of the backlight unit and reduces diffusion of the light beams to the rear surface side, is provided with a base material sheet layer 2 composed of a white synthetic resin and a highly obscuring layer 3 laminated on the rear surface side of the base material sheet layer 2 and is characterized by having the highly obscuring layer with ≥95 value L*.例文帳に追加

バックライトユニットの裏面側に配設され、裏面側への光線の放散を低減する反射シート１１であって、白色合成樹脂からなる基材シート層２と、この基材シート層２の裏面側に積層される高隠蔽層３とを備えており、この高隠蔽層の明度Ｌ^＊が９５以上であることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a strongly joined structure in which a metal containing Ni is brazed to a ceramic or another metal through a brazing material layer consisting mainly of gold, and which can prevent the diffusion of the Ni in the brazing material layer to prevent the increase in the hardness of the brazing material layer, and can thereby prevent the peeling of the brazing layer and the breakage of the ceramic due to thermal stresses.例文帳に追加

Ｎｉを含む金属と、セラミックスや他の金属とを金を主体とするロウ材層を介してロウ付けする接合構造体において、ロウ材層へのＮｉの拡散を防止し、ロウ材層の硬度上昇を防ぐことで熱応力によるロウ材層の剥離やセラミックスの破損を防止し、強固に接合された接合構造体を提供する。 - 特許庁

A photosensor related to the present invention includes a photodiode 100 having a semiconductor active layer, a photodiode electrode 12 made up of a transparent conductive film, and diffusion prevention layer 12a which is formed between the semiconductor active layer and the photodiode electrode 12 and prevents the components of the photodiode electrode 12 from diffusing to the semiconductor active layer.例文帳に追加

本発明にかかるフォトセンサーは、半導体活性層を有するフォトダイオード１００と、透明導電膜から形成されたフォトダイオード電極１２と、半導体活性層とフォトダイオード電極１２との間に形成され、フォトダイオード電極１２の構成成分が半導体活性層に拡散することを防止する拡散防止層１２ａとを有する。 - 特許庁

The planographic printing material includes at least a silver halide emulsion layer and a physical development nucleus layer successively layered on a support and employs a silver complex diffusion transfer method, wherein the physical development nucleus layer or at least one layer adjacent thereto contains gum arabic having an ash content of 1 mass% or less.例文帳に追加

支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を順に有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於いて、該物理現像核層もしくは、これに隣接する少なくとも一層に、灰分が１質量％以下のアラビアゴムを含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁

In the semiconductor device, the polysilicon resistor in the semiconductor device loading the polysilicon resistor comprises a polysilicon layer (113) formed in a desired shape, and an impurity diffusion layer (114) formed so as to diffuse impurities to the side inner than the shape of the polysilicon layer (113) in the polysilicon layer (113).例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ポリシリコン抵抗が搭載された半導体装置においてポリシリコン抵抗は、所望の形状に成形されたポリシリコン層（１１３）と、ポリシリコン層（１１３）に、ポリシリコン層（１１３）の形状よりも内側に不純物を拡散することにより形成された不純物拡散層（１１４）とから構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a precoat liquid for the base layer of a photocatalyst layer, a wallpaper intermediate fitted with a photocatalyst layer, and a wallpaper fitted with a photocatalyst layer and subjected to foaming treatment having such mechanical strengths and flexibility that no break occurs even when subjected to mechanical shock such as foaming treatment and having a function of suppressing the diffusion of a low-boiling point organic solvent.例文帳に追加

発泡処理のような機械的衝撃を受けても破断されない機械的強度と柔軟性を有し、かつ、低沸点有機溶剤の拡散を抑制する機能を持つ、光触媒体層の下地層用プレコート液、光触媒体層付壁紙中間体および発泡処理がなされた光触媒体層付壁紙を提供する。 - 特許庁

In order to avoid diffusion of a nickel component in a porous body and a palladium component in a hydrogen separation layer 30, a reaction inhibition layer 40 formed of yttria-stabilized zirconia is formed on a reforming catalyst layer 50 which is a support of a bottomed tube shape having a catalytic function for reforming a raw material gas and a role as a support for the hydrogen separation layer 30, etc.例文帳に追加

原料ガスを改質する触媒機能と水素分離層３０等を支持する役割とを有する有底管形状の支持体である改質触媒層５０の上に、多孔質体のニッケル成分と水素分離層３０のパラジウム成分とが拡散しないようにする、イットリア安定化ジルコニアで形成された反応防止層４０を形成する。 - 特許庁

The first common gate 10G is in a polymetal electrode structure in a first CMOS inverter 10, but in the second CMOS inverter 20, a gate insulating film 32 and a gate lower layer 33 are broken and a bimetal layer 34 and a gate upper layer 35 are electrically connected to a contact area 21dc of the p-type drain diffusion layer 21d.例文帳に追加

第１共有ゲート１０Ｇは、第１のＣＭＯＳインバータ１０においてはポリメタル電極構造であり、第２のＣＭＯＳインバータ２０においては、ゲート絶縁膜３２及びゲート下部層３３が途切れ、バリアメタル層３４及びゲート上部層３５がｐ型ドレイン拡散層２１ｄのコンタクト領域２１ｄｃと電気的に接続している。 - 特許庁

A method for manufacturing the membrane electrode assembly includes the steps of: (a) forming a catalyst layer on the surface of the electrolyte membrane; (b) moistening with water the electrolyte membrane on which the catalyst layer is formed; and (c) heat-joining a diffusion layer to the catalyst layer under the environment where the contraction percentage of the electrolyte membrane becomes 3% or less.例文帳に追加

本発明の膜電極接合体の製造方法は、（ａ）電解質膜の表面に、触媒層を形成する工程、（ｂ）触媒層が形成された電解質膜を、水で湿潤させる工程、（ｃ）触媒層の上に、拡散層を、電解質膜の収縮率が３％以下となる環境下で、熱接合する工程を有する。 - 特許庁

Since it becomes possible to form a window area at a lower temperature than the conventional example by utilizing a 'blocking effect' and an 'extruding effect' by laminating a semiconductor layer doped with Si, etc., on another semiconductor layer containing an impurity for forming a window structure, the diffusion and intrusion of an impurity from a p-type clad layer to an active layer can be prevented.例文帳に追加

窓構造を形成するための不純物を含有した半導体層の上にＳｉなどをドープした半導体層を積層することにより、「ブロック効果」と「押し出し効果」とを利用して、従来よりも低温で窓領域を形成することが可能となり、ｐ型クラッド層から活性層への不純物の拡散・侵入を防ぐことができる。 - 特許庁

In such a case, the metallic thin layer is made from a material containing a 1st oxidation film-forming element capable of forming a 1st oxidation film having the function to suppress the diffusion of carbon and/or nitrogen to the metallic thin layer and the surface layer is preferably the 1st oxidation film obtained by oxidation-treating the surface of the metallic thin layer before joining.例文帳に追加

この場合、前記金属薄層は、該金属薄層への炭素及び／又は窒素の拡散を抑制する機能を有する第１の酸化膜を形成可能な第１の酸化膜形成元素を含むものからなり、前記表面層は、接合前に前記金属薄層の表面を酸化処理することにより得られる前記第１の酸化膜が好ましい。 - 特許庁

The gas diffusion layer of a polymer electrolyte fuel cell comprises a microporous layer with water repellency and a conductive porous substrate, wherein the surface of the microporous layer is provided with transition metal fine particles bonded with a monomolecular material having a hydrophilic functional group, and a contact angle on the surface of the microporous layer is 90° or more.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池のガス拡散層であって、該ガス拡散層は撥水性を付与したマイクロポーラス層及び導電性多孔質基材からなり、該マイクロポーラス層表面は親水性官能基を有する単分子材料と結合した遷移金属微粒子が形成されており、かつ該マイクロポーラス層表面の接触角が９０°以上であるガス拡散層。 - 特許庁

A ceramic substrate 1 comprising metal elements, in which Ti occupies not less than 20 mol% thereof, comprises a wiring conductive layer having a consecutive lamination of a contact metal layer 2 consisting of Cr or Ta2N, a diffusion preventing layer 3 consisting of one selected from Cr, Pd, Pt, Ni, Ni-Cr, Ti and Ti-W, and a main conductive layer 4 consisting of Au or Cu.例文帳に追加

含有された金属元素のうち２０ｍｏｌ％以上がＴｉであるセラミック基板１上に、ＣｒまたはＴａ_2Ｎからなる密着金属層２、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔｉ−Ｗのうちのいずれか１種からなる拡散防止層３、ＡｕまたはＣｕからなる主導体層４が順次積層されて成る配線導体層が形成されている。 - 特許庁

This method of estimating permeability of a geological layer by using the nuclear magnetic resonance method is characterized in that the permeability of a geological layer is estimated by measuring the self-diffusion coefficient of pore fluid molecules in the layer with a sensor unit held against the layer, the sensor unit comprising a static magnetic field coil, a gradient magnetic field coil, and a radiofrequency wave coil.例文帳に追加

本発明による核磁気共鳴法を用いた地層の浸透率の推定方法は、静磁場磁石、傾斜磁場コイルおよびラジオ波コイルから構成されるセンサーユニットを地層に押し当てて地層中の間隙流体分子の自己拡散係数を計測することにより、地層の浸透率を推定することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane-electrode assembly 100 includes a catalyst layer forming process for forming a catalyst layer 20 on a gas diffusion layer 10, a coating process for coating a liquid polymer electrolyte membrane on the catalyst layer 20, and an electrolyte membrane forming process for forming the solid polymer electrolyte membrane 30 by solidifying electrolyte.例文帳に追加

膜−電極接合体（１００）の製造方法は、ガス拡散層（１０）上に触媒層（２０）を形成する触媒層形成工程と、触媒層（２０）上に液状の高分子電解質膜を塗布する塗布工程と、電解質を固形化して固体高分子電解質膜（３０）を形成する電解質膜形成工程と、を含むことを特徴とするものである。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first layer 16a on the impurity diffusion region 22 in a semiconductor substrate by a selective epitaxial growth method; forming a second layer 18 on the first layer 16a by the selective epitaxial growth method; and filling a conductive material on the second layer 18 to form the contact plug 21.例文帳に追加

半導体基板内の不純物拡散領域２２上に選択エピタキシャル成長法により、第１の層１６ａを形成する工程と、第１の層１６ａ上に、選択エピタキシャル成長法により第２の層１８を形成する工程と、第２の層１８上に導電材料を充填することにより、コンタクトプラグ２１を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

To suppress growth of a dark spot portion even if the dark spot portion is generated by diffusion of gas such as moisture and an organic substance contained in a foundation layer through a pinhole of a gas barrier layer, in a color organic EL display which is formed by interposing the gas barrier layer between an organic EL structure and the foundation layer containing a color filter.例文帳に追加

有機ＥＬ構造体とカラーフィルタ層を含む下地層との間にガスバリア層を介在させてなるカラー有機ＥＬディスプレイにおいて、下地層に含まれる水分や有機物などのガスがガスバリア層のピンホールを通して有機化合物層中に拡散することでダークスポット部が発生したとしても、そのダークスポット部の成長を抑制する。 - 特許庁

An arithmetic processing part 102 generates a correction gate polysilicon layer from the positional relation between a diffusion layer and an original gate polysilicon layer which constitute a transistor, based on original data for transistor configuration input from an input part 101 and a design reference stored in a storage part 103, and an output part 104 outputs the generated correction gate polysilicon layer, together with the original data.例文帳に追加

入力部１０１から入力されたトランジスタ構成のオリジナルデータと記憶部１０３に記憶されている設計基準に基づいて、演算処理部１０２にてトランジスタを構成する拡散層及びオリジナルゲートポリ層の位置関係から補正のゲートポリ層が発生し、発生した補正のゲートポリ層がオリジナルデータと共に出力部１０４から出力される。 - 特許庁

(1) A fuel cell of which distance between a pair of diffusion layer contacts 40 is larger than that between a pair of electrolyte membrane holders 41 is filled in a space between an end in plane direction 43 of the diffusion layers 13 and 16 and the electrolyte membrane holder 41 with an adhesive 44.例文帳に追加

（１）一対の拡散層接触部４０間の距離が一対の電解質膜保持部４１間の距離より大である燃料電池であって、拡散層１３、１６の面方向端部４３と電解質膜保持部４１との間を接着剤４４でほぼ満たした燃料電池。 - 特許庁

A recess is formed on the main surface of a single-crystal silicon substrate 101 so as to form a trench, n+ diffusion layers 117 as a pair of counter electrodes are formed by sandwiching the trench in the face direction of the substrate, and an n+ diffusion layer 117 is formed in a direction at right angles to the face direction of the substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０１の主表面に凹部，トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対の対向電極としてのｎ＋拡散層１１７を形成するとともに、基板面方向に直交する方向にｎ＋拡散層１１７を形成する。 - 特許庁

Impurity concentration at a part adjacent to the pn junction side of diffusion layers (p-type diffusion separation walls) 14, 14a, 14b for electrically dividing the inside of a substrate through a pn junction is enhanced selectively near the substrate surface, where high-concentration regions (n^+-layer) 15a-15c are formed.例文帳に追加

ｐｎ接合を通じて基板内部を電気的に区画する拡散層（Ｐ型拡散分離壁）１４および１４ａおよび１４ｂのｐｎ接合側に近接する部分の不純物濃度を基板表面の近傍にて選択的に高めて、そこに高濃度領域（Ｎ^+層）１５ａ〜１５ｃを形成する。 - 特許庁

To provide a porous conductive substrate which can stably maintain a good gas diffusion property and discharging efficiency of generated water as a fuel cell gas diffusion layer; and to provide a fuel cell having suppressed reduction in output voltage and excellent power generation efficiency using the porous conductive substrate.例文帳に追加

燃料電池ガス拡散層として、良好なガス拡散性および生成水の排出性を安定して維持することができる多孔質導電性基材、および該多孔質導電性基材を用いた、出力電圧の低下を抑えて優れた発電効率を有する燃料電池を提供する。 - 特許庁

The coating liquid for forming the light diffusion layer comprises a matrix-forming component, a light diffusion material and solvent, wherein the total solid content concentration of the coating liquid is 55% or more and viscosity of the coating liquid is 2,000 to 6,000 mPa s.例文帳に追加

マトリックス形成成分と光拡散材と溶剤とを含む光拡散層形成用塗布液であって、前記塗布液の全固形分濃度が５５％以上であり、かつ前記塗布液の粘度が２０００〜６０００ｍＰａ・ｓであることを特徴とする光拡散層形成用塗布液。 - 特許庁

A single-crystal silicon wafer is put into a thermal diffusion furnace, heated at 900-1,150°C in a mixed atmosphere of boron tribromide, nitrogen and oxygen of a p-type impurity, the boron is thermally diffused on the front surface of the wafer from the mixed atmosphere, and a boron diffusion layer is formed (boron deposition step).例文帳に追加

単結晶シリコンウェハを熱拡散炉に入れ、Ｐ形不純物である三臭化ボロンと窒素と酸素の混合雰囲気中にて９００〜１１５０℃で加熱し、その混合雰囲気からウェハ表面にボロンを熱拡散させてボロン拡散層を形成する（ボロンデポジション工程）。 - 特許庁

A fuel cell stack is formed by laminating, via separators 18, a plurality of electrolyte membrane-electrode-gas diffusion layer structures in each of which a solid electrolyte membrane 12 is held between a pair of electrodes 14 and gas diffusion layers 16 are disposed outside the pair of electrodes 14 respectively.例文帳に追加

燃料電池スタックは、固体電解質膜１２を一対の電極１４で挟持すると共に、この一対の電極１４の外側にそれぞれガス拡散層１６を配置した電解質膜・電極・ガス拡散層構造体をセパレータ１８を介して複数積層して形成される。 - 特許庁

The light diffusion sheet 1 has a light diffusion layer 5 disposed on the surface of a transparent substrate sheet 3 and obtained by dispersing inorganic ultrafine particles 11 with an organic compound fixed on the surfaces in a binder 7 formed from a resin containing an ionizing radiation curable resin.例文帳に追加

透明な基材シート３の表面に積層され、かつその表面に有機化合物が固定されている無機超微粒子11が電離放射線硬化型樹脂を含む樹脂から形成されたバインダー７内に分散してなる光拡散層５を具備した光拡散シート１。 - 特許庁

The semiconductor device includes an MIS transistor comprising a semiconductor substrate having an element isolation region, a diffusion region formed on the semiconductor substrate, a gate electrode formed on the semiconductor substrate through a gate insulation film, and a silicide layer (3) formed on the diffusion region.例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体基板と、前記半導体基板に形成された拡散領域と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記拡散領域上に形成されたシリサイド層（３）とを具備するＭＩＳトランジスタを含む半導体装置である。 - 特許庁

An automatic layout circuit design supporter 10 of the semiconductor integrated circuit uses library data 212 to which layout coordinates data 221 of a diffusion layer inside cells is added, calculates a distance between the diffusion layers with respect to the adjacently arranged cells, and decides an arrangement position of the cell concerned based on the distance.例文帳に追加

本発明による半導体集積回路の自動レイアウト回路設計支援装置１０は、セル内の拡散層のレイアウト座標データ２２１を付加したライブラリデータ２１２を用い、隣接配置するセルとの拡散層間の距離を計算し、その距離に基づいて当該セルの配置位置を決定する。 - 特許庁

The diffusion of Fe atoms in the base plate into the brazing filler metal which is melted during a brazing process is suppressed by the Fe-atom-diffusion-suppressing layer, and a proper amounts of Ni and Cr are diffused into the brazing filler metal part, thus the excellent corrosion resistance and the oxidization resistance are given to the brazing filler metal part.例文帳に追加

前記Ｆｅ原子拡散抑制層により、ろう接の際に基板中のＦｅ原子が溶融したろう材部に拡散することが抑制され、また適量のＮｉ、Ｃｒをろう材部に拡散させることができ、ろう材部に優れた耐食性、耐酸化性を付与することができる。 - 特許庁

A fuel cell which comprises a fuel cell system comprises: an electrolyte membrane; a pair of electrodes; a porous gas diffusion layer; and a radical inhibitory substance disposed in at least one of the electrodes and/or in a region containing a boundary with the electrode on at lease one side of the gas diffusion region.例文帳に追加

燃料電池システムが備える燃料電池は、電解質膜と、一対の電極と、多孔質なガス拡散層と、少なくとも一方の電極内、および／または、少なくとも一方のガス拡散層における電極との境界を含む領域内に配置されたラジカル抑制物質と、を備える。 - 特許庁