「diffusion-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

The multilayered light diffusion plate (A) is laminated and integrated by co-extrusion molding with transparent layers (C) composed of transparent thermoplastic resins (C1), such as methyl methacrylate resins which are the same as each other on both surfaces of a light diffusion layer (B) diffused with a light diffusing agent (B2) in a thermoplastic resin (B1), such as a methyl methacrylate resin.例文帳に追加

本発明の多層光拡散板(A)は、メタクリル酸メチル樹脂などの熱可塑性樹脂(B1)中に光拡散剤(B2)が分散された光拡散層(B)の両面に、互いに同じメタクリル酸メチル樹脂などの透明熱可塑性樹脂(C1)からなる透明層(C)が共押出成形により積層一体化されている。 - 特許庁

The light deflection element 28 includes a second light deflection element for complementing a part to be a dark part in a first light deflection element, is arranged toward a light source 41 side of a display 70 and ejects uniform diffusion light from the light diffusion layer 24 after deflecting incident light H from an incident surface of the light deflection element 28.例文帳に追加

光偏向素子２８は、第１の光偏向素子で、暗部となる箇所を補完するような第２の光偏向素子を有しており、表示装置７０の光源４１側に向けて配置され、光偏向素子２８の入射面から入射した光Ｈを偏向して、光拡散層２４から均一な拡散光を射出する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode and its manufacturing method having superior gas diffusion properties through a porous film, thereby maintaining superb cell characteristics, and being capable of uniform gas permeation with little pressure loss, as well as, capable of uniformly supplying hydrogen gas and oxygen gas to a catalyst layer.例文帳に追加

本発明の目的は、多孔質の膜を通してガス拡散性が良好で、それによって電池特性を良好に保ち、圧力損失が少なく均一なガス透過が可能で触媒層に均一に水素ガスや酸素ガスを供給することが可能なガス拡散電極及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

This membrane-electrode assembly includes: a membrane-electrode subassembly formed by arranging electrode layers and gas diffusion layers on both surfaces of a polymer electrolyte membrane, and a resin frame arranged to surround the whole peripheral edge of the electrolyte membrane and the side of the electrolyte membrane being at least a part of the peripheral edge of the gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明による膜電極組立体は、高分子電解質膜の両面に電極層およびガス拡散層を設けた膜電極接合体と、電解質膜の外周縁の全部およびガス拡散層の外周縁の少なくとも一部であって電解質膜の側を包囲するように設けられた樹脂枠とを含んでなる。 - 特許庁

Stress concentration can be eased by estranging adjacent high concentration diffusion regions 13 a predetermined distance via an epitaxial layer 12 formed into an impurity concentration lower than that of the high concentration diffusion region 13, and the occurrence of crystal strain in the semiconductor device 10 can favorably be controlled.例文帳に追加

隣り合う高濃度拡散領域１３が、高濃度拡散領域１３より低い不純物濃度に形成されたエピタキシャル層１２を介して所定距離離間することによって、応力の集中を緩和することができ、半導体素子１０内に結晶歪が生ずることを良好に抑制することができる。 - 特許庁

The screen is constituted by using a directive light diffusion layer or a directive diffusion sheet having a fine layered lens in the plane, and making the orientation direction of the layered lens nearly align with the optical axis direction of an optical image projected from the projector or a direction symmetrical to the optical axis direction with reference to a vertical line on the screen surface.例文帳に追加

微細な層状レンズが面内に設けられた指向性光拡散層または指向性拡散シートを用い、層状レンズの配向方向をプロジェクタからの光画像の光軸方向、またはこの光軸方向とスクリーン面上の垂線に対して対称な方向に略一致しているように構成した。 - 特許庁

The diffusion film is a lamination film made by laminating a resin layer having a micro ruggedness shape on at least one side surface of a base material film principally consisting of polyester, wherein the inner haze of the lamination film is 20 to 90% and the diffusion anisotropy is 2 to 500.例文帳に追加

本発明の拡散フィルムは、ポリエステルを主構成成分とする基材フィルムの少なくとも一方の面に、微細凹凸形状を有する樹脂層を積層してなる積層フィルムであって、該積層フィルムの内部ヘイズが２０％〜９０％であって、かつ、拡散異方度が２〜５００であることを特徴とするものである。 - 特許庁

It is desirable to construct the thermal diffusion layer 11 by a super hard material having at least a higher heat conductivity than the metal material forming the base plate, or by a thermal diffusion material containing a super hard material of a granular shape or powder shape having at least a higher heat conductivity than the metal material forming the base plate.例文帳に追加

熱拡散層１１は、少なくとも基台を形成する金属材料よりも熱伝導率の高い超硬材料か、または少なくとも基台を形成する金属材料よりも熱伝導率の高い粒状または粉状の超硬材料を含む熱拡散材料で構成することが好ましい。 - 特許庁

In the polymer porous film for semiconductor wafer dicing, a viscous layer, having the peeling strength of ≤50 gf, is provided on the porous film having the porosity of 10 to 50% and gas permeability of 0.1 to 100 sec by drying and burning a diffusion medium after a slurry, with which particulates are diffused in the diffusion medium, is continuously applied onto a carrier.例文帳に追加

分散媒に微粒子を分散させたスラリーをキャリア上に連続的に塗布した後、分散媒の乾燥、焼結を行い気孔率が１０〜５０％で、通気度が０．１〜１００秒である多孔質フィルムに、剥離力が５０ｇｆ以下となる粘着層を設けた半導体ウエハダイシング用高分子多孔質膜。 - 特許庁

Thereafter, titanium silicide layers 9a, 9b, and 9c are respectively formed on the surfaces of the gate electrode 3 and P^+ type diffusion layers 6a and 6b by partially silicifying the titanium layer 8 which is in contact with the gate electrode 3 and diffusion layers 6a and 6b by performing heat treatment as shown in Fig (b).例文帳に追加

その後、図３（ｂ）に示すように熱処理を行うことにより、ゲート電極８及びＰ＋型拡散層６ａ，６ｂと接触したチタン層８が部分的にシリサイド化され、ゲート電極３上の表面にチタンシリサイド層９ａ、Ｐ＋型拡散層６ａ，６ｂの表面にそれぞれチタンシリサイド層９ｂ，９ｃが形成される。 - 特許庁

The light diffusion film has a light diffusing layer comprising a resin binder and diffusing particles dispersed in the resin binder, on a light-transmissive base, and the diffusing particles are aspherical irregular porous particles having a pore volume of 1.00 to 2.00 ml/g, and the light diffusion film has a haze value of ≥85.例文帳に追加

樹脂バインダーと、該樹脂バインダー中に拡散粒子の分散された光拡散層を、光透過性基体上に有する光拡散フィルムであって、拡散粒子は細孔容積１．００〜２．００ｍｌ／ｇの非球状不定形の多孔質粒子であり、８５以上のヘイズ値を有する光拡散フィルムを提供する。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

To prevent structural changes which changes a soft jointing material to an intermetallic compound layer by diffusion, and to prevent lowering of reliability due to defects of segregation or the like for occurrence by diffusion in a high-temperature environment or a temperature cycle environment, during assembly or in practical use in a flip-chip assembly of a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップのフリップチップ実装において、実装時や実使用時の高温環境や、温度サイクル環境で拡散によって軟質の接合材料から金属間化合物層へ変化するような構造変化をなくし、かつ拡散によって生じる偏析等の欠陥による信頼性の低下を防止しする。 - 特許庁

In the diffusion plate 1 for direct backlight, convex lenticular lenses 2 are disposed on one side surface of a substantially transparent substrate 3, a diffusion layer 4 hardly exhibiting shielding property is disposed on the other side surface and the total light transmittance of the substrate 3 is 70% or more.例文帳に追加

本発明にかかる直下型バックライト用拡散板１は実質的に透明な基材３の一方の面に凸状のレンチキュラーレンズ２が設けられており、他方の面に隠蔽性の少ない拡散層４が設けられていて、前記基材３の全光線透過率が７０％以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which diffusion of impurity ions into an organic function layer can be prevented without elevating the drive voltage and deterioration in emission efficiency or reliability due to such diffusion can be eliminated, and to provide a light emitting device, a process for fabricating a semiconductor device, and a process for fabricating a light emitting device.例文帳に追加

駆動電圧を高めることなく、有機機能層内への不純物イオンの拡散を防止でき、かかる拡散に起因する発光効率の低下や信頼性の低下を解消可能な半導体装置、発光装置、半導体装置の製造方法、および発光装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The hydrogen separation membrane 100 with a support body is provided with: a hydrogen separation membrane 30; the support body 10 reinforcing the hydrogen separation membrane 30; and a diffusion suppressing layer 20 provided between the hydrogen separation membrane 30 and support body 10 and suppressing metal diffusion between the hydrogen separation membrane 30 and the support body 10.例文帳に追加

支持体付水素分離膜（１００）は、水素分離膜（３０）と、水素分離膜（３０）を補強する支持体（１０）と、水素分離膜（３０）と支持体（１０）との間に設けられ、水素分離膜（３０）と支持体（１０）との間の金属拡散を抑制する拡散抑制層（２０）とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

During a step of forming a photo diode PD to serve as a photoelectric converter after a charge accumulation region 17 of the photo diode PD is formed by ion implantation, the region 17 is formed to extend below an element separation film 13 by heat diffusion and to come into contact with or closer to a diffusion layer 14.例文帳に追加

光電変換部となるフォトダイオードＰＤの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードＰＤの電荷蓄積領域１７を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域１７を素子分離膜１３の下方に延在し、かつ拡散層１４に当接または近接するように形成する。 - 特許庁

Then, a first conductive isolation diffusion area 4 which reaches the semiconductor substrate 1 from the front surface of the n^--type semiconductor layer 2 is formed, and an Al metal film 7 e.g. is formed in ohmic contact with the surface of the isolation diffusion area 4 to be electrically connected with the first electrode 5.例文帳に追加

そして、ｎ^−形半導体層２表面から半導体基板１に達する第１導電形アイソレーション拡散領域４が形成され、そのアイソレーション拡散領域４の表面にオーミック接触するように、たとえばＡｌ金属膜７が設けられることにより、第１電極５と電気的に接続している。 - 特許庁

To provide a carbonaceous fiber woven cloth having well-balanced gas permeability, electrical conductivity, water retention, drainage properties, evenness of thickness, etc., and suitable as a material for a gas diffusion layer of a solid polymer-type fuel cell.例文帳に追加

ガス透過性、導電性、保水性、排水性、厚さむら等の性質がバランスし、固体高分子型燃料電池用ガス拡散層材料として好適な炭素質繊維織布を提供する。 - 特許庁

To provide a gas flow measurement method and its device of a fuel cell (in a gas-flow channel in a direction toward inside a cell face and/or in a diffusion layer) free from flow-channel clogging and capable of discerning a tip of a flow.例文帳に追加

流路詰まりがなく、流れ先端の判別が可能な、燃料電池の（セル面内方向のガス流路内および／または拡散層内の）ガス流れ計測方法とその装置の提供。 - 特許庁

Since the perfect isolation region 4 penetrates the SOI layer 3 to reach a buried oxide film 2, the n^+ diffusion region 11 is electrically isolated completely from the outside by the perfect isolation region 4.例文帳に追加

完全分離領域４はＳＯＩ層３を貫通して埋め込み酸化膜２に到達するため、Ｎ^+拡散領域１１が完全分離領域４によって外部から電気的に完全に絶縁される。 - 特許庁

To provide a highly integrated semiconductor device, and its fabricating method, in which the identical potential can be applied to a well in units of potential being applied to an impurity diffusion layer and the well potential can be stabilized.例文帳に追加

不純物拡散層へ電位を与える単位で、ウエルへ同一電位を与えることができ、ウエル電位を安定化し、高集積化された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus sufficient joining strength between the adsorbent filling layer 22 and the hot water pipe 21 can be secured, and reliable heat transferring performance and diffusion performance of an adsorbed medium can be achieved.例文帳に追加

これにより、吸着剤充填層２２と温水パイプ２１との間で充分な接合強度を確保することができ、確実な伝熱性能や被吸着媒体の拡散性能を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can form the diffusion layer of N-type and P-type MOS transistors using a shallow junction so that resistance becomes low without increasing the number of processes.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタ及びＰ型ＭＯＳトランジスタの拡散層を工程数を増加させることなく浅い接合で抵抗を低く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A p type diffusion layer formation composition of this invention contains glass powder including an acceptor element and a dispersion medium, and the viscosity is equal to or more than 20 Pa s and equal to or less than 1000 Pa s at a temperature of 25°C.例文帳に追加

本発明のｐ型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有し、２５℃における粘度が２０Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下である。 - 特許庁

The bit line BL includes a silicon material region BLa in contact with the diffusion layer 11, and a low-resistance region BLb made of a material having a lower electric resistance than that of the silicon material region BLa.例文帳に追加

ビット線ＢＬは、拡散層１１と接するシリコン材料領域ＢＬａと、シリコン材料領域ＢＬｂよりも電気抵抗の低い材料からなる低抵抗領域ＢＬｂとを含む。 - 特許庁

To provide a conductive porous support capable of suppressing or preventing flooding and dryout in a wide temperature range; and to provide a membrane electrode assembly with a gas diffusion layer using this support.例文帳に追加

広い温度範囲でのフラッディング及びドライアウトを抑制ないし防止し得る導電性多孔質支持体、これを用いたガス拡散層及びガス拡散層付き膜電極接合体を提供すること。 - 特許庁

The microscopic structure of a P-type semiconductor layer is formed through a manner in which disks are decreased enough in vertical dimension (depth) and expanded enough in horizontal dimension by selective diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体層の微視的構造をディスク群として垂直寸法（深さ）を十分に短縮し，且つ水平寸法を十分に広げた形状に選択拡散により形成する構造とした。 - 特許庁

To provide a simple manufacturing method of an excellent CaAlAs-based semiconductor laser device, in which Zn diffusion arrives at an active layer sufficiently and which will not cause COD, and to provide the semiconductor laser device.例文帳に追加

活性層まで十分にＺｎ拡散が達し、ＣＯＤを起こさない良好なＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ装置の簡便な製造方法及び半導体レーザ装置を提供することにある。 - 特許庁

There is disclosed a procedure for coating the surface of a Cu Damascene wire with an element, having a thickness of 1 to 5 nm prior to deposition of an interlayer dielectric or dielectric diffusion barrier layer.例文帳に追加

開示されているのは、層間の誘電体又は誘電体拡散障壁層の堆積に先立って、１から５ｎｍの厚さの元素でＣｕダマシン配線の表面をコーティングする手順である。 - 特許庁

The direct back light module is equipped with a plurality of spot light sources, a reflector which reflects light beams of the plurality of spot light sources, and a diffusion layer which has a plurality fine reflection parts scattered on its surface.例文帳に追加

直下型バックライトモジュールは、複数の点光源と、その複数の点光源の光を反射する反射器と、表面に複数の微小反射部が点在している拡散層を備えている。 - 特許庁

The gas diffusion layer 26a has a thick part 42a and a thin part 42b through the step part 40, and the step part 40 comes in contact with fuel gas which flows through a fuel gas passage 30.例文帳に追加

ガス拡散層２６ａは、段差部４０を介して肉厚部４２ａと肉薄部４２ｂとを有するとともに、前記段差部４０は、燃料ガス流路３０を流れる燃料ガスに接触している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer for a solid polymer fuel cell capable of being manufactured at a low temperature at low cost without using a carbon base material such as carbon paper and carbon cloth.例文帳に追加

カーボンペーパーやカーボンクロス等の炭素基材を使用せず、低温での製造が可能となる製造コストの安い固体高分子型燃料電池用ガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing an increase in the manufacturing cost by dispensing with an additional lithographic step, in manufacturing semiconductor devices having asymmetrical diffusion layer regions.例文帳に追加

非対称型の拡散層領域を持つ半導体装置を製造するに際、付加的リソグラフィー工程を不要とし、製造コストの増加を抑える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The back side of the filter layer in the half mirror 42 is superposed with translucent diffusion layers diffusing the light illuminated from the back side, and the outer circumferential edges of the half mirror 42 are retained with a first retaining member 50.例文帳に追加

ハーフミラー４２におけるフィルタ層の後側には、後側から照射された光を拡散する半透明な拡散層が積層され、ハーフミラー４２は、その外周縁を第１保持部材５０で保持される。 - 特許庁

The transistor is formed of the diffusion layer 103 and the gate polysilicon 104 that serves as the gate electrode, and the net-like gate polysilicon wiring 101 and the gate polysilicon 104 in the transistor are formed on in the same process.例文帳に追加

トランジスタは、拡散層１０３とゲート電極となるゲートポリシリ１０４により形成され、網目状のゲートポリシリ配線１０１と、トランジスタのゲートポリシリ１０４は、同一工程で形成される。 - 特許庁

Node contact resistance can be decreased because the N type diffusion layers 106ba, the gate electrodes 104ab, and the heavily-doped polysilicon region 111aa of the high resistance load are interconnected by the silicide layer 110.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１０６ｂａ、ゲート電極１０４ａｂ、高抵抗負荷の高濃度ポリシリコン領域１１１ａａとはシリサイド層１１０によって互いに接続するため、ノード・コンタクト抵抗は低く抑えられる。 - 特許庁

A flow channel forming material 5b at an air electrode side consists of an expanded metal 50 containing a plurality of meshes 51 communicating between a diffusion layer 23b and a separator 6b and wall parts 52 partitioning between adjacent meshes 51.例文帳に追加

空気極側の流路形成材５ｂは、拡散層２３ｂとセパレータ６ｂとの間を連通する複数のメッシュ５１と、隣り合うメッシュ５１の間を仕切る壁部５２とをもつエキスパンドメタル５０からなる。 - 特許庁

As a result, free Ba (source of thermoelectron radiation) is generated according to the diffusion of reductive element (for example, Zr) from the base body 1 to the electron emitting substance layer 2, and a stable cathode current is obtained.例文帳に追加

この結果、基体１から電子放射物質層２への還元性元素（例えば、Ｚｒ）の拡散に伴う遊離Ｂａ（熱電子の放射源）の生成が維持され、安定したカソード電流が得られる。 - 特許庁

The gas diffusion layer has just one peak in a log differential pore volume distribution graph measured by a mercury press-fitting method, with the peak existing within a range of a pore diameter of 0.01 to 1 μm.例文帳に追加

本発明のガス拡散層は、水銀圧入法により測定したＬｏｇ微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを１つだけ有し、そのピークが細孔直径０．０１〜１μｍの範囲に存在する。 - 特許庁

This multi-probe having a plurality of projections (probes) formed by crystal growth on a diffusion layer of a semiconductor substrate 1 as a base, is constituted by arranging the probes 2 of various heights.例文帳に追加

半導体基板１の拡散層を下地として結晶成長させた突起（プローブ）を複数有するマルチプローブであって、異なる高さを有するプローブ２が配列されて形成されることを特徴とする。 - 特許庁

Even when metal fatigue or the like is generated in the metal film wiring 7 due to deflection deformation of the diaphragm part 4, a signal from the piezo-resistance element 5 can be transmitted thought the diffusion layer wiring 8.例文帳に追加

これにより、ダイヤフラム部４の撓み変形に伴って金属膜配線７に金属疲労等が生じても、拡散層配線８を通じてピエゾ抵抗素子５からの信号を伝達することができる。 - 特許庁

The light diffusion layer 29 is provided at the area in the outside of light path of the incident light which is substantially parallel to the light axis L to spread the incident light input diagonally to the light axis L of a micro-lens 33.例文帳に追加

光拡散層２９は、光軸Ｌに対してほぼ平行な入射光の光路外に設けられており、マイクロレンズ３３の光軸Ｌに対して斜めに入射された光を拡散させる。 - 特許庁

In the end of the element isolation region, a p+ type impurity diffusion region 11 is formed selectively inside the surface of the silicon layer 4 so as to be buried inside the surface in a part of the STI 10.例文帳に追加

素子分離領域の端部において、シリコン層４の上面内には、ＳＴＩ１０の一部上面内に埋め込まれる格好で、ｐ^+型の不純物拡散領域１１が選択的に形成されている。 - 特許庁

After a dummy gate insulating film, a gate electrode film, a diffusion layer and an interlayer insulating film are formed, the dummy gate insulating film and the gate electrode film are removed, and a trench for burying a gate electrode is formed.例文帳に追加

ダミーのゲート絶縁膜及びゲート電極膜、拡散層、及び層間絶縁膜を形成後、前記ダミーゲート絶縁膜及びゲート電極膜を除去し、ゲート電極埋め込み用溝を形成する。 - 特許庁