「diffusion-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

A metal layer 18 applied with anode voltage is formed above the P type diffusion layer 9 and field plate effect can be attained.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層９上方にはアノード電位が印加された金属層１８が形成され、フィールドプレート効果を得ることができる。 - 特許庁

This semiconductor optical element includes a p-type semiconductor substrate, a mesa structure part, a semi-insulating semiconductor embedded layer, and a diffusion prevention layer.例文帳に追加

半導体光素子は、ｐ型半導体基板、メサ構造部、半絶縁性半導体埋込層、及び、拡散防止層を備えている。 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating film 17 is formed, and an n-type source drain diffusion layer 18 is formed by P ion implantation.例文帳に追加

その後、サイドウォール絶縁膜１７を形成し、Ｐのイオン注入を行うことにより、Ｎ型ソース・ドレイン拡散層１８を形成する。 - 特許庁

The light diffusion type display device 1 comprises a transparent resin 2, a cutting sheet 3, an LED 4, etc., and is housed in a casing 6.例文帳に追加

光拡散式表示装置１は透明樹脂２とカッテイングシート３とＬＥＤ４等とからなり、筐体６内に収納される。 - 特許庁

To improve the atomization in the fuel injection time by suppressing the reduction of the fuel pressure while stabilizing the injection angle in the fuel injection time by improving the fuel diffusion in a diffusion chamber, in a solenoid type fuel injection valve.例文帳に追加

電磁式燃料噴射弁において，拡散室での燃料の拡散を良好にして燃料噴射時の噴霧角度を安定させつゝ，燃料の圧力降下を抑えて，燃料噴射時の霧化を良好にさせる。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device has a pair of diffusion regions (for example, N-type diffusion regions 5) which are formed in the element formation region 1 so as to be apart from each other in a channel-length direction D on the basis of the gate electrode 4.例文帳に追加

更に、ゲート電極４を基準としてチャネル長方向Ｄに相互に離間するように素子形成領域１に形成された一対の拡散領域（例えば、Ｎ型拡散領域５）を有する。 - 特許庁

A ZnO film 8 being a solid-phase diffusion source is formed on an entire surface on a p-type GaN contact layer 7, and thereafter a SiO_2 film 20 being a diffusion suppression film is formed in a predetermined region on the ZnO film 8.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層７上の全面に固相拡散源であるＺｎＯ膜８を形成した後、ＺｎＯ膜８上の所定領域に拡散抑制膜であるＳｉＯ_２膜２０を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film is inserted between the tunnel junction layer and the word line diffusion layer adjacent thereto, and a tunnel junction type transistor is constituted by a part of the trench capacitors, the vertical tunnel junction layers and a part of the word line diffusion layers.例文帳に追加

トンネル接合層とこれに隣接するワード線拡散の間には、ゲート絶縁膜が挿入され、トレンチキャパシタの一部と、縦型トンネル接合層と、ワード線拡散層の一部とで、トンネル接合型トランジスタを構成する。 - 特許庁

A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.例文帳に追加

半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。 - 特許庁

To stabilize an electrolysis condition in the operation of an ion-exchange membrane electrolytic cell having a liquid permeation type gas diffusion cathode, by pushing the gas diffusion cathode toward the direction of an ion-exchange membrane and making them uniformly and tightly contact with each other.例文帳に追加

液透過型ガス拡散陰極を有するイオン交換膜電解槽の運転時に、ガス拡散陰極をイオン交換膜方向に押圧して両者を均一密着させて電解条件の安定化を図る。 - 特許庁

The gas-liquid contact treatment between the alkaline wastewater and the boiler exhaust gas in the treatment tank 20 is performed by a combination of a self-suction type exhaust gas diffusion device 30 and a wastewater agitation device 40 arranged in the vicinity of the diffusion device.例文帳に追加

処理槽２０内でのアルカリ排水とボイラー排ガスとの気液接触処理を、自吸式排ガス散気装置３０と当該散気装置の近傍に配置された排水攪拌装置４０との組合せにより行う。 - 特許庁

The limiting current type oxygen sensor 10 is equipped with: an ion conductor 11; electrodes 12a and 12b; a gas diffusion mechanism 16 for supplying a gas limited in its diffusion rate; and a heater 17 for heating the ion conductor 11.例文帳に追加

限界電流式酸素センサ１０は、イオン導電体１１と、電極１２ａ，１２ｂと、拡散律速されたガスを供給するガス拡散機構１６と、イオン伝導体１１を加熱するヒータ１７とを備える。 - 特許庁

From the side, on which the diffusion preventive layer 21 is formed, at least one of boron (B) and indium (In) is subjected to ion implantation to form a p-type counter layer 6A more shallowly than the diffusion preventive layer 21.例文帳に追加

この拡散抑止層２１が形成された側から、ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して、拡散抑止層２１よりも浅くｐ型カウンタ層６Ａを形成する。 - 特許庁

To manufacture a photoelectric conversion element capable of achieving high photoelectric conversion efficiency by facilitating diffusion of an n-type dopant into a light absorption layer comprising a CIGS compound semiconductor in a uniform and sufficient diffusion density.例文帳に追加

ＣＩＧＳ系化合物半導体からなる光吸収層へのｎ型ドーパントの拡散を容易に、均一かつ十分な拡散密度とし、高い光電変換効率を達成可能な光電変換素子を製造する。 - 特許庁

A plurality of trenches 11, an N type pillar region 2 formed by diffusing N type impurities contained in a dielectric layer 12 filling the trench 11 into a P type epitaxial layer, and a P type pillar region 3 by the P type epitaxial layer remaining between the diffusion regions are provided on the P type epitaxial layer laminated on a high concentration N type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

高濃度Ｎ型の半導体基板１上に積層されたＰ型のエピタキシャル層上に、複数のトレンチ溝１１と、トレンチ溝１１内に充填された誘電体層１２に含まれるＮ型不純物が、Ｐ型のエピタキシャル層中に拡散して形成されたＮ型ピラー領域２と、拡散領域間に残ったＰ型のエピタキシャル層によるＰ型ピラー領域３とを備える。 - 特許庁

An n+ type diffusion layer is provided at a recess on a p+ type buried layer 12 functioning as a collector region, where the n+ type diffusion layer has higher concentration of impurities than an n- type silicon layer 14 formed next in advance.例文帳に追加

コレクタ領域として働くｐ^＋型埋め込み層１２上の釜底型凹部にあらかじめ次に成形するｎ^−型シリコン層１４より不純物濃度の高いｎ^＋型拡散層を設け、ベース領域として働くｎ^−型シリコン層１４のエピタキシャル成長時に、このｎ^＋型拡散層によりｐ^＋型埋め込み層１２から不純物がｎ^^−型シリコン層１４へ拡散するのを抑制することを特徴としている。 - 特許庁

By the embedded insulating film 4 and the n^+-type diffusion layer 5, the p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging device region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of an outside where a chip end surface F exists is separated electrically.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁

Considering the diffusion of p-type impurities from a tertiary p-type light guide layer 10 to a current constriction layer 9, n-type impurity concentration is made so distributed that it has at least one peak in the current constriction layer 9.例文帳に追加

第３のｐ型光ガイド層１０から電流狭窄層９へのｐ型の不純物の拡散を考慮して、電流狭窄層９中にｎ型の不純物濃度が少なくとも１つのピークを持つように分布させる。 - 特許庁

Moreover, an n-type floating diffusion 33, n-type drain region 34, and an n-type source region 35 of the gate electrode 32 are also formed in the side of the first surface more than the photodiode 21 with the overlapping plane kept therewith.例文帳に追加

さらに、フォトダイオード２１と平面的に重なりをもって、フォトダイオード２１よりも第１面側に、ｎ型のフローティングディフュージョン３３と、ゲート電極３２のｎ型のドレイン領域３４およびｎ型のソース領域３５が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、アンドープＧａＩｎＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ拡散バッファ層４、およびｐ型ＩｎＰ窓層５からなる半導体結晶を順に成長させた。 - 特許庁

The p-type epitaxial layer 3a of inside used as the imaging element region Ar and the p-type epitaxial layer 3b of outside where a chip end surface F exists is separated electrically by the embedded electrode 4 and the n^+-type diffusion layer 5.例文帳に追加

埋め込み電極４およびｎ^＋拡散層５により、撮像素子領域Ａｒとなる内側のｐ型エピタキシャル層３ａと、チップ端面Ｆが存在する外側のｐ型エピタキシャル層３ｂとが電気的に分離される。 - 特許庁

With this setup, even if the nitride semiconductor device is possessed of an N-type electrode formed of multilayred thin film, diffusion of elements into the N-type electrode can be controlled easily, and the nitride semiconductor device with an N-type electrode which is high in adhesion and excellent in ohmic properties can be obtained.例文帳に追加

このことにより、薄膜の多層膜からなるｎ型電極を有していても、各元素拡散の制御を容易にし、且つ密着性、オーミック性に優れるｎ型電極を有する窒化物半導体素子となる。 - 特許庁

A second conductivity-type breakdown strength layer 13 is formed on a first conductivity-type drain layer 12, and a first conductivity-type conductive region 42 is formed partially into the breakdown strength layer 13 by diffusion from the surface of the breakdown strength layer 13.例文帳に追加

第１の導電型のドレイン層１２上に第２の導電型の耐圧層１３を形成し、耐圧層１３内に、耐圧層１３表面からの拡散によって、部分的に第１の導電型の導電領域４２を形成する。 - 特許庁

The p^+ type diffusion layer 110 is formed in the region neighboring a first end part 102a in the source region side of the Locos oxide layer 102 and is doped with an impurity having conductivity type that is reverse to that of the n^- type active layer 101.例文帳に追加

ｐ＋拡散層１１０は、Ｌｏｃｏｓ酸化層１０２のソース領域側の第１端部１０２ａに隣接する領域に形成され、ｎ−活性層１０１とは導電型が逆の不純物が注入される。 - 特許庁

A charge transfer path 13, a floating diffusion region 14 constituted of an n-type impurity region, an n-type buried region 16 and a reset drain region 15 are formed in a p-well 12 on an n-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１１上のｐウェル１２には、電荷転送路１３、ｎ型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域１４、ｎ型埋め込み領域１６及びリセットドレイン領域１５が形成されている。 - 特許庁

In the area of the DMOS transistor, an N- type offset area 17 where a low concentration N- type impurity is introduced to the surface of a P+ type body diffusion layer 15, with a resist and a gate electrode 14, not shown, as a mask is formed.例文帳に追加

ＤＭＯＳ型トランジスタの領域では、図示しないレジストとゲート電極１４をマスクとしてＰ^+ 型ボディー拡散層１５表面に低濃度Ｎ型不純物を導入してなるＮ^- 型のオフセット領域１７を形成する。 - 特許庁

Most of a lightly-doped n-type dopant diffusion region 32, which constitutes the drain region, offset region 38, and heavily-doped n-type dopant diffusion region 40, is formed inside the strained silicon layers 23 and 35, wherein the electron mobility is higher than that in normal silicon layers.例文帳に追加

そしてドレイン領域を形成する低濃度ｎ型不純物拡散領域３２、オフセット領域３８および高濃度ｎ型不純物拡散領域４０の大半を、電子の移動度が通常のシリコン層よりも高い歪シリコン層２３および歪シリコン層３５内に形成する。 - 特許庁

The impurities 110 are introduced into a silicon substrate 101 using a silicon nitride film pattern 107 and a polycrystal silicon film pattern 108 as a mask, a high concentration impurity diffusion layers of an N type (N^+ type diffusion layers 111, 112) are formed at positions of a source region and a drain region of the MOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０１に、シリコン窒化膜パターン１０７、多結晶シリコン膜パターン１０８をマスクにして、不純物１１０を導入し、ＭＯＳ型トランジスタのソース領域、及びドレイン領域の位置に、Ｎ型の高濃度不純物拡散層（Ｎ^+型拡散層１１１、１１２）を形成する。 - 特許庁

The high concentration diffusion area 13 keeps an approximately equal distance from the p-type semiconductor region 14 as if it surrounds the p-type semiconductor region 14, and has a first high concentration diffusion regions 13a to a sixth 13f that are respectively formed by keeping the equal distance.例文帳に追加

高濃度拡散領域１３は、Ｐ型半導体領域１４を囲むようにＰ型半導体領域１４からほぼ均等な距離だけ離間し、且つそれぞれ離間して形成された第１の高濃度拡散領域１３ａ〜第６の高濃度拡散領域１３ｆを備える。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 210 is formed at one portion of the n-type epitaxial layer 202 that becomes a drain region, the Al wiring 207 is performed on it, and one end of the Al wiring 207 is connected to a p-diffusion layer 204 in the isolation layer 203, thus forming a Schottky barrier diode.例文帳に追加

ドレイン領域となるｎ型エピタキシャル層２０２の一部にｎ拡散層２１０を形成し、その上にＡｌ配線２０７を施し、そのＡｌ配線２０７の一方をｐアイソレーション層２０３の中のｐ拡散層２０４と接続して、ショットキバリアダイオードを形成する。 - 特許庁

The charge transfer region 25 is composed of an N-type diffusion layer 26 that is formed in the side-wall surface layer of the trench, a side-wall-like transfer electrode 27 that is formed along the side wall of the trench, and an insulating film 23 that is provided between the N-type diffusion layer 26 and the transfer electrode 27.例文帳に追加

電荷転送領域２５は、トレンチの側壁表面層に形成されたＮ型拡散層２６と、トレンチの側壁に沿って形成されたサイドウォール状の転送電極２７と、Ｎ型拡散層２６と転送電極２７との間に設けられた絶縁膜２３とによって構成されている。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented polyester film roll for a liquid crystal display downward prism type diffusion plate that improves luminance of a liquid crystal display when used for the downward prism type diffusion plate while having conventional advantages of a transparent film using the biaxially oriented polyester film.例文帳に追加

二軸延伸ポリエステルフィルムを用いた透明フィルム従来の利点を有したまま、下向きプリズム方式拡散板に用いられるときの液晶ディスプレイの輝度向上を実現する液晶ディスプレイ下向きプリズム方式拡散板用二軸延伸ポリエステルフィルムロールを提供する事が課題である。 - 特許庁

The element isolation insulating film 132 is formed thicker than the element isolation insulating film 134, and in the n-type source side diffusion region 114, the peak concentration section having a highest impurity concentration is formed in a deeper position than in the n-type drain side diffusion region 112.例文帳に追加

ここで、素子分離絶縁膜１３２が素子分離絶縁膜１３４よりも膜厚が厚く形成され、ｎ型ソース側拡散領域１１４において、ｎ型ドレイン側拡散領域１１２よりも、不純物の濃度が最も高いピーク濃度部分が深い位置に形成されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 12, an active layer 13, a p-type semiconductor layer 14, a p-side ohmic electrode 15, a first diffusion prevention layer 16, a conductive reflective layer 17, a second diffusion prevention layer 18, and a p-side pad electrode 19 are laminated from the substrate 11 side in this order in the semiconductor laminated structure.例文帳に追加

半導体積層構造には、基板１１側から順に、ｎ型半導体層１２、活性層１３、ｐ型半導体層１４、ｐ側オーミック電極１５、第１拡散防止層１６、導電性反射層１７、第２拡散防止層１８、ｐ側パッド電極１９が積層されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light emitting device, capable of efficiently forming a current diffusion layer having an n-type of conductivity as a first problem, and provide a light emitting device capable of improving the life of a device while using the n-type current diffusion layer as a second problem.例文帳に追加

導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供することを第一の課題とし、ｎ型とされる電流拡散層を用いつつも、素子ライフを向上可能な発光素子を提供することを第二の課題とする。 - 特許庁

By forming one or at least two slit-shaped or island-shaped P-type high-concentration diffusion layers 17 in a polycrystalline silicon high- resistance P-type low-concentration diffusion layer 18, a polycrystalline silicon high resistor with a plurality of sheet resistors can be simultaneously manufactured without any additional processes.例文帳に追加

多結晶シリコン高抵抗のＰ型低濃度拡散層１８の中に、１つ又は２つ以上のスリット状又は島状のＰ型高濃度拡散層１７を形成することで、追加工程なしで複数のシート抵抗を持つ多結晶シリコン高抵抗を同時に作製するように出来る。 - 特許庁

The gate wiring 105 has a dummy contact 105b, having a symmetrical shape to the contact 105a as holding the p-type impurity diffusion region 101, while having the dummy contact 105c, having the symmetrical shape to the contact 105a as holding the n-type impurity diffusion region 102.例文帳に追加

また、ゲート配線１０５は、Ｐ型不純物拡散領域１０１を挟んでコンタクト部１０５ａと対称な形状を有するダミーコンタクト部１０５ｂを有すると共に、Ｎ型不純物拡散領域１０２を挟んでコンタクト部１０５ａと対称な形状を有するダミーコンタクト部１０５ｃを有する。 - 特許庁

Among them, in the area where the CMOS 20 is mounted, an n-type diffusion layer 15a and a p-type diffusion layer 16a as an element isolation layer are formed on an area just below a field oxide film 12c, 12d in such manner that the impurity concentration of the above area is increased.例文帳に追加

このうち、ＣＭＯＳ２０が搭載される領域では、フィールド酸化膜１２ｃ、１２ｄの直下の領域に同領域の不純物濃度が高められるかたちで素子分離層としてのＮ型拡散層１５ａ及びＰ型拡散層１６ａが形成されている。 - 特許庁

When a base diffusion layer 12 for a bipolar type transistor 10 formed to the semiconductor device 1 is formed, acceleration energy and a dosage are changed to a prearranged region as a base diffusion layer 12 for an n-type epitaxial layer 13, and impurity ions are implanted at a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置１に備わるバイポーラ型トランジスタ１０のベース拡散層１２を形成する際に、Ｎ型エピタキシャル層１３のベース拡散層１２となるべく予め定められる領域に対して、加速エネルギとドーズ量とを変化させ、複数回に分けて不純物イオンを注入する。 - 特許庁

An N type region is formed which is contacted with part of a gate oxide film and a field oxide film formed between source and drain electrodes, and which has an impurity concentration higher than an N type impurity concentration of an SOI substrate until the N type region is brought into contact with an N type diffusion layer contacted with the drain electrode.例文帳に追加

ゲート酸化膜の一部及びソース電極とドレイン電極間に構成されたフィールド酸化膜に接触し、ドレイン電極に接するＮ型拡散層に接触するまで、ＳＯＩ基板のＮ型の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有するＮ型の領域を形成する。 - 特許庁

The light receiving element has a PIN structure having a p^+-layer 2, a p-type epitaxial growth layer 3 formed on the p^+-layer, an n-type epitaxial growth layer 4 formed on the p-type epitaxial growth layer 3, and an n^+-diffusion layer 5 formed on the n-type epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

受光素子は、Ｐ^＋層２と、Ｐ^＋層上に形成されるＰ型エピタキシャル成長層３と、Ｐ型エピタキシャル成長層３上に形成されたＮ型エピタキシャル成長層４と、Ｎ型エピタキシャル成長層４上に形成されるＮ^＋拡散層５から構成されるＰＩＮ構造を有する。 - 特許庁

The light passing through the i-type InGaAs photo-absorption layer 24, in light incident from the p-type diffusion region 32, is reflected to the i-type InGaAs photo-absorption 24 by the reflector layer 23, and a film thickness of the i-type InGaAs photo-absorption layer 24 may increase in appearance.例文帳に追加

ｐ型拡散領域３２より入射した光のうち、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４を通過した光は、反射鏡層２３によりｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４に反射され、ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４の膜厚が見かけ上増加する。 - 特許庁

The trench type MOSFET 10 is formed by laminating a P type highly-doped drain section 1, a P type lightly-doped drain section 2, an N channel body section 3, and a P type source diffusion section 4 in this order and a trench gate electrode 6 is formed in a trench reaching the lightly-doped drain section 2 from a substrate surface.例文帳に追加

本発明のトレンチ型ＭＯＳＦＥＴ１０は、Ｐ型の高ドープドレイン部１、Ｐ型の低ドープドレイン部２、Ｎ型のチャネルボディ部３、Ｐ型のソース拡散部４がこの順で積層され、トレンチゲート電極６が基板表面から低ドープドレイン部２に達するトレンチに形成される。 - 特許庁

The light receiving element array has a light absorbing layer 3 formed on a conductivity type semiconductor substrate 2, and also has a plurality of diffusion regions 5 of the opposite conductivity type from the conductivity type semiconductor substrate 2 formed in a conductivity type semiconductor layer 4 provided right on the light absorbing layer 3.例文帳に追加

受光素子アレイは、導電型半導体基板２上に形成された光吸収層３を有し、かつ、導電型半導体基板２と逆の導電型の拡散領域５を光吸収層３の直上に設けられた導電型半導体層４内に複数形成されている。 - 特許庁

In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁