「dry etch」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A resist mask 7 is formed and sequentially a taper-shaped opening 9 is formed in a high resistance interconnection area consisting of the Al alloy film 5 by a dry etch or a wet etch (B).例文帳に追加

レジストマスク７を形成し、続いてドライエッチング又はウェットエッチングによりAl合金膜５の高抵抗配線領域部分にテーパー形状の開口部９を形成する（Ｂ）。 - 特許庁

To obtain a shape without skirt trailing and side etch while preventing the penetration through a base oxide film upon dry etching of polysilicon.例文帳に追加

ポリシリコンのドライエッチング時に、下地酸化膜の突き抜けを防止しながら、スソ引き及びサイドエッチの無い形状を得る。 - 特許庁

In the pattern forming method, the metal mask 4 is used to dry-etch a film for patterning, and the metal mask 4 is removed.例文帳に追加

この金属マスク４を用いて膜をドライエッチングしてパターニングし、金属マスク４を除去するパターン形成方法である。 - 特許庁

To accurately form a metal wiring pattern, even when a metal wiring material which is difficult to dry-etch is used.例文帳に追加

ドライエッチングが困難な金属配線材料を用いた場合であってもて、金属配線パターンを精度良く形成する。 - 特許庁

To etch an InP layer by a dry etching method in a more stable state without inviting a rise in the cost.例文帳に追加

コストの上昇を招くことなく、より安定した状態でＩｎＰの層がドライエッチング法によりエッチングできるようにする。 - 特許庁

To etch a metal gate part vertically when a semiconductor element having a high-k film/metal gate structure is dry-etched.例文帳に追加

ｈｉｇｈ−ｋ膜／メタルゲート構造を有する半導体素子のドライエッチングにおいて、メタルゲート部分を垂直にエッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching device which can etch substrates to be processed in various shapes, based on a satisfactory interface uniformity.例文帳に追加

各種形状の被処理基板を良好な面内均一性のもとでエッチング処理することができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method providing a good profile with less side etch without receiving restriction by a micro loading effect.例文帳に追加

マイクロローディング効果の制限を受けることなく、さらにサイドエッチの少ない良好な形状を得ることのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, using a dry etching technique that can precisely etch a fine pattern at high speed.例文帳に追加

微細パターン形成にあたり高真空中で高速エッチングできるエッチング技術を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To effectively dry-etch a silicon compound film such as a nitride silicon nitride film and an amorphous silicon film without using gas such as SF6 which may cause global warming.例文帳に追加

ＳＦ6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、窒化シリコン膜、アモルファスシリコン膜等のシリコン化合物膜を良好にドライエッチングする。 - 特許庁

By removing the photoresist pattern and the channel protecting pattern, the low-resistance semiconductor layer is exposed to the external to dry-etch it, by using the source and drain electrodes as masks.例文帳に追加

フォトレジストパターン及びチャンネル保護パターンを除去し低抵抗半導体層を露出させて、ソース、ドレイン電極をマスクとして、低抵抗半導体層をドライエッチングする。 - 特許庁

A single crystal sapphire substrate having etch pits that is suitable for a semiconductor light emitting device is manufactured by conducting dry or wet blasting on a mirror-polished principal plane of the sapphire substrate, and then dipping the sapphire substrate into heat phosphoric acid, a mixed acid of heat phosphoric acid and heat sulfuric acid, or heat-melt potassium hydroxide to form etch pits.例文帳に追加

鏡面研磨を行った主面に乾式または湿式のブラスト加工を施した後、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウム中に浸漬し、エッチピットを有する半導体発光素子に適した単結晶サファイア基板を作製する。 - 特許庁

When dry etching of indium phosphide is performed, dry etching is performed by using etching gas including chlorine atoms and oxygen atoms, etch rate of indium phosphide gallium is reduced, selectivity of indium phosphide and indium phosphide gallium is increased, and microfabrication of an element is performed.例文帳に追加

燐化インジウムのドライエッチングを実施するときに塩素原子と酸素原子を含んだエッチングガスを用いてドライエッチングし、燐化インジウムガリウムのエッチング速度を低下させ、燐化インジウムと燐化インジウムガリウムの選択比を向上させ、素子の微細加工を行うことで解決できる。 - 特許庁

A dry-etching gas composition is composed of carbon tetrachloride gas and nitrogen gas, so as to etch back polysilicon and a silicon oxide at the same time at the same rate.例文帳に追加

ドライエッチング用ガス組成物は、ポリシリコンとシリコン酸化物とを実質的に同一であるエッチング速度で同時にエッチバックするために四フッ化炭素ガスと窒素ガスとで構成されることを特徴とする。 - 特許庁

Etch-back is conducted by dry etching using gas, the main component of which is oxygen, to recess the first and second organic filling material films 7 and 8 to form the embedded plugs 9 in the via holes 6.例文帳に追加

酸素を主体としたガスを用いてドライエッチングによりエッチバックを行い第１および第２の有機系埋め込み材料膜７，８をリセスさせてヴィアホール６内に埋め込みプラグ９を形成する。 - 特許庁

To provide a processing method which can easily remove the leftovers occurring at dry etching of an insulating film within a contact hole and also can etch an aluminum film to form an electrode, in a process of manufacturing a liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶パネルを製造する工程で、コンタクトホ−ル内の絶縁膜のドライエッチング時に発生した残渣物を容易に除去でき、同時に、電極を形成するアルミニウム膜のエッチングも出来る処理方法を提供する。 - 特許庁

The etching method includes a first process which arranges droplets including a thin film forming material on a substrate, a second process which dries the droplets and forms a dry film of a narrower width than a diameter of the droplets at arrangement described above, and a third process to etch using the dry film as an etching protective film.例文帳に追加

本発明は、基板上に膜形成材料を含む液滴を配置する第１工程と、前記液滴を乾燥し、前記配置時の液滴の径よりも狭い幅の乾燥膜を形成する第２工程と、前記乾燥膜をエッチング保護膜としてエッチングする第３工程と、を含むエッチング方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

Another method is the one of filling a small recess such as a narrow and deep trench and a small-diameter and deep hole with a copper CVD using a catalyst, and the one of forming a very thin film on an uppermost flat portion so that elimination is performed in preparation for a subsequent step by a dry or wet etch-back or high-temperature plasma etch-back step.例文帳に追加

ここに提示された他の方法は、狭くて深いトレンチと小径で深いホールのような小さな陥没部を触媒を使用した銅ＣＶＤで充填する方法であり、湿式または乾式エッチバックまたは高温プラズマエッチバック工程により後続工程段階に備えて除去されるように扁平な最上部の表面に非常に薄い薄膜を形成する方法である。 - 特許庁

Here, the slice etching processing is to etch the first film (211) more gently, in other words, more mildly than normal wet etching and dry etching by bringing an etchant into contact with the first film (211) from on the first film (211).例文帳に追加

尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 - 特許庁

To etch a reflection preventing film and an interlayer insulating film by one time of an etching treatment and to prevent the interlayer insulating film from being damaged in a high etching rate upon the dry etching of the interlayer insulating film on the upper surface of which the reflection preventing film is formed.例文帳に追加

上面に反射防止膜を形成した層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、一回のエッチング処理で反射防止膜及び層間絶縁膜をエッチングでき、高いエッチングレートで層間絶縁膜にダメージを与えないようにする。 - 特許庁

As shown in Fig. 3, the dry etcher is equipped with an etching portion 100 which injects an etching gas to etch a film on a substrate, a transferring portion 300 which transfers the substrate treated in the etching portion 100, and a cleaning portion 200 which cleans up the substrate transferred from the transferring portion 300.例文帳に追加

エッチングガスを注入して基板上の膜をエッチングするエッチング部と、エッチング部により処理された基板を移送させる移送部と、移送部により移送された基板を洗浄する洗浄部と、を備えるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ。 - 特許庁

By conducting a process of partially forming a mask on the surface of a substrate and a process of forming concave portions by etch-removing a portion of the surface of the substrate which is not covered with the mask by a dry etching method in this order, concave-convex portions are formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device avoiding the problem of causing etch stop owing to reduced aperture diameters and the problem of increased contact resistance owing to reduced contact areas caused by the tapered bottom part in the case of forming a through hole by dry-etching a thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜をドライエッチングしてスルーホールなどを形成する場合、開口径が小さくなるとエッチング停止が生じる問題や底部ほど先細りして接触面積が小さくなり接触抵抗が増大する問題を回避する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device formed on a GaAs substrate 1, a base to which an emitter electrode 9 contacts uses an n-GaAsNSb layer 8, and hence if the dry etching method using a chloric gas as an etching gas is applied to etch, there is no fear of impeding the etching reaction at all.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に形成された半導体装置に於いて、エミッタ電極９がコンタクトする下地がｎ−ＧａＡｓＮＳｂ層８になっているので、塩素系ガスをエッチング・ガスとするドライ・エッチング法を適用してエッチングを行なっても、エッチング反応が阻害されるおそれは皆無である。 - 特許庁

To provide a dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor such that a smooth etched-surface still can be obtained in a lower degree of vacuum (high pressure) of 10^-3 Pa order, and which can further make aluminum oxide etch, such as a sapphire substrate or an alumina substrate.例文帳に追加

10^-3Paオーダーという比較的低い真空度（高い圧力）でも平滑なエッチング面が得られるような窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法であって、更にサファイア基板やアルミナ基板といったアルミ酸化物までエッチング可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

SiO_2 or the like is arranged apart from a floating plane, and coil resistance and TRP (thermal protrusion) by environment temperature of the perpendicular magnetic head are reduced in addition to easiness of working a slider by using a low resistance coil 8 adopting physical etching such as dry-etch and forming the floating plane with alumina.例文帳に追加

ＳｉＯ_２等は浮上面から離して配置し、かつ、ドライエッチ等の物理エッチングを適用した低抵抗コイル８とし、浮上面はアルミナとすることにより、スライダー加工を容易にしするのに加えて、垂直磁気ヘッドのコイル抵抗および環境温度によるＴＰＲ（サーマルプロトリュージョン）を低減した。 - 特許庁

To ensure through passage of a contact regardless of the disturbance such as aged changes, etc., by seeing that etch stop does not occur, suppressing the fluctuation of the contact form such as a taper angle, etc., and further, preventing excessive overetching, in a semiconductor manufacturing device which performs the dry etching for forming a minute contact hole.例文帳に追加

微細なコンタクトホールを形成するためのドライエッチングを行う半導体製造装置において、“エッチストップ”が生じないようにし、また、テーパー角などコンタクト形状の変動を抑制し、さらに、過度のオーバーエッチングを防ぎ、経時変化等の外乱に関わらずコンタクトの抜け性を確保する。 - 特許庁

First and second thin films 13, 15 are so deposited in a region present on the outside of a device-forming region and inspecting holes 17 are so formed in the second thin film 15 via a mask by dry etching as to wet-etch in this state the first thin film 13, corresponding to the inspecting holes 17 by using the second thin film 15 as a mask.例文帳に追加

デバイス形成領域外に第１薄膜１３と第２薄膜１５とを堆積し、第２薄膜１５にマスクを介してドライエッチングにより検査穴１７を形成し、この状態で第２薄膜１５をマスクとして検査穴１７に対応する第１薄膜１３をウエットエッチングする。 - 特許庁

High-frequency power sources 17, 19 are operated via a control signal from a control system 100 to form high-frequency induction plasma (ICP) in the chamber 13, while alternating-current bias voltage is applied to the susceptor 11 to dry etch the compound semiconductor layer 20a.例文帳に追加

また、制御系１００の制御信号により高周波電源１７及び１９を運転し、チャンバ１３内に高周波誘導プラズマ（ＩＣＰ）を形成せしめると共にサセプタ１１に交流バイアス電圧を印加することにより、化合物半導体層２０ａのドライエッチングを行う。 - 特許庁

When insulting films 33 and 32 above a first layer wiring 26 wherein an air gap 28 is formed in a space area are etched to form a wiring groove 38, an alumina mask 34 whose selection ratio is large relative to the insulating films 33 and 32 is used to dry-etch the insulating films 32 and 33 and form the wiring groove 38 with high accuracy.例文帳に追加

スペース領域に空隙２８が形成された第１層配線２６の上部の絶縁膜３３、３２をエッチングして配線溝３８を形成する際、絶縁膜３３、３２に対する選択比が高いアルミナマスク３４を使って絶縁膜３３、３２をドライエッチングすることにより、配線溝３８を高い精度で形成する。 - 特許庁

In a dry etching apparatus, high frequency electric power is applied to upper and lower electrodes 2, 4 from high frequency power sources 7, 10 to generate plasma and etch an object 3 on the electrode in a vacuum chamber 1 into which a process gas is introduced via a gas inlet 5 and the interior of which is maintained for a specific pressure by an exhaust unit 11.例文帳に追加

ドライエッチング装置において、ガス導入部５からプロセスガスの導入および排気手段１１により所定圧力に維持した真空処理室１内で上下の電極２、４に高周波電源７、１０より高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上の被処理物３をエッチング処理する。 - 特許庁

Furthermore, after forming a resist pattern on the piezoelectric substrate, the lower layer electrode film, the upper layer electrode film, and the coating electrode film are sequentially formed and an anisotropic dry etching is applied to the element 1 to etch only the upper side of the coating electrode film and then the resist is exfoliated to obtain an electrode structure where the coated electrode film is formed on the side faces only.例文帳に追加

また、圧電基板にレジストパターンを形成した後、下層電極膜、上層電極膜、被覆電極膜を順に形成し、次いで、異方性ドライエッチングによって、被覆電極膜の上面のみをエッチングし、その後、レジストを剥離して、側面部のみに被覆電極膜が形成された電極構造を得る。 - 特許庁

This dry etching method repeatedly executes a step of generating plasma in a vacuum tank to etch a substrate and a step of sputtering a sold material disposed oppositely to the substrate to form a protective film on the side wall of an etching pattern, wherein a mixed gas obtained by adding a reaction gas for forming a protective film to a noble gas is used as a sputter gas in the protective film forming step.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、真空槽内でプラズマを発生させて、基板をエッチングする工程と、基板に対向して配置された固体材料をスパッタして、エッチングパターンの側壁部に保護膜を形成する工程を、交互に繰り返して行うドライエッチング方法であって、保護膜の形成工程では、スパッタガスとして、希ガスに保護膜形成用の反応ガスを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁