「dry etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a treatment method of a film to be etched capable of both obtaining highly accurate dry etching and reduction of LER.例文帳に追加

高精度のドライエッチング加工とＬＥＲの低減をともに実現することのできる被エッチング膜の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide dry etching method capable of working a thick polysilicon (or amorphous silicon) layer so as to have an anisotropic configuration with proper dimensional accuracy.例文帳に追加

厚いポリシリコン（又はアモルファスシリコン）層を寸法精度良く異方性形状に加工できるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method of a substrate capable of selectively removing deposits generated by the dry etching of silicon.例文帳に追加

シリコンのドライエッチングにおいて生成された堆積物を選択的に除去することができる基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a dry etching residue containing platinum chloride from a wafer on which a metal oxide is patterned.例文帳に追加

塩化白金含有ドライエッチング残留物を金属酸化物をパターニングしたウェハから取り除く方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an organic substance removing method for removing a hardened resist film generated after dry etching, a BARC film remaining on a lower layer of the resist film, and a residue or the like after dry etching present on a semiconductor substrate without executing ashing treatment.例文帳に追加

半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。 - 特許庁

In a method for dry etching the insulating film provided on the semiconductor substrate, a ratio of an Ar gas in mixture gas used when dry etching is carried out is set at 40% or less.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、半導体基板に設けられた絶縁膜をドライエッチングする方法において、ドライエッチングする際に使用する混合ガスの中のＡｒのガス比率を、４０％以下に設定することを特徴とするものである。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a process for dry etching a silicon nitride film, a mixed gas obtained by doping methanol gas with a prescribed density for a total gas flow rate to fluorocarbon gas is used for the dry etching of a silicon nitride film 15.例文帳に追加

シリコン窒化膜をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、シリコン窒化膜１５のドライエッチングに、フロロカーボンガスと、総ガス流量に対し所定の濃度のメタノールガスとを添加した混合ガスを用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mold for photo imprinting economically without the need of a step of forming mask by photo lithography necessary when dry-etching a quartz substrate, a dry-etching step for the quartz substrate after that and the like.例文帳に追加

石英基板をドライエッチングする場合に必要な、フォトリソグラフィーによるマスクの形成工程、その後の石英基板のドライエッチング工程などが不要で、経済的に光インプリント用モールドを製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

This method has (c) an anisotropic dry etching process of forming a predetermined pattern recess 20 by piercing the tunnel barrier layer 15 of a tunnel junction film 10a, and (d) an isotropic dry etching process of removing a sidewall deposit (22) of the recess 20.例文帳に追加

（ｃ）トンネル接合膜１０ａのトンネルバリア層１５を貫通して、所定パターンの凹部２０を形成する異方性ドライエッチング工程と、（ｄ）凹部２０の側壁付着物（２２）を除去する等方性ドライエッチング工程とを有する。 - 特許庁

To provide a dry-etching method which can obtain a high etching rate when an interlayer insulating film coated with a resist mask is dry-etched, also can prevent a selection ratio with respect to a resist from lowering without damaging the interlayer insulating film.例文帳に追加

レジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、高いエッチングレートが得られると共に、対レジスト選択比が低下することを防止でき、さらに、層間絶縁膜にダメージを与えることがないドライエッチング方法の提供。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device which has the mesa structure formed by the dry etching includes a stage (A) of plasma-processing a surface exposed by the dry etching in an atmosphere including nitrogen plasma.例文帳に追加

ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程（Ａ）を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The dry etching method of the device sheet includes a stage for sticking the device sheet 4 via wax W onto the flat surface of a ceramic substrate (substrate) 20 consisting of AlTiC or the like and a stage for performing dry etching e.g. ion beam etching(IBE) to the stuck device sheet 4.例文帳に追加

ＡｌＴｉＣなどからなるセラミック基板(基板)２０の平坦な表面上に、ワックスＷを介してデバイスシート４を貼り付ける工程と、この貼り付けられたデバイスシート４に対してイオンビームエッチング(ＩＢＥ)などのドイラエッチングを施す工程と、を含む、デバイスシートのドライエッチング加工方法。 - 特許庁

To provide a dry etching method free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas in the dry etching process of a ferroelectric film and applying high frequency bias power to the ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

強誘電体膜のドライエッチング工程において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A method for making the surface of a silicon substrate rough using a dry etching method, in which the silicon substrate is dry-etched with silicon chips or other silicon substrates being arranged around it.例文帳に追加

シリコン基板の表面をドライエッチング法で粗面状にするシリコン基板の粗面化法において、前記シリコン基板の周囲にシリコン片もしくは他のシリコン基板を配設して前記シリコン基板をドライエッチングする - 特許庁

To provide a method and a system for dry etching and a method and a system for forming a gate electrode in which excellent shape controllability of a metal layer is exhibited in etching and ER microloading can be suppressed sufficiently.例文帳に追加

エッチングにおけるメタル層の形状制御性に優れると共に、ＥＲマイクロローディングを十分に抑制できるドライエッチング方法及び装置並びにゲート電極形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which can prevent side etching of resist from occurring and can process a base film into a desired shape in an excellent way, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

レジストのサイドエッチングの発生が抑制され、下地膜を所望の形状に良好に加工することが可能なドライエッチング方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for forming patterns and a method for manufacturing semiconductor devices, which reduce the lowering of an etching rate accompanying the advance of dry etching and can form an etching pattern with an enhanced aspect ratio for a member to be processed.例文帳に追加

ドライエッチングの進行に伴うエッチング速度の低下を抑え、被加工部材に対しよりアスペクト比の高いエッチングパターンの形成を行うことのできるパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide the processing method of a thin film, the manufacturing method of a thin film transistor and a high density plasma etching device superior in an etching rate and a shape while securing a selection ratio with a substrate material in the dry etching of a metal material mainly comprising Mo.例文帳に追加

Moを主成分とする金属材料のドライエッチングにおいて、下地材料との選択比を確保しつつエッチングレートおよび形状に優れる薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A fine raw of grooves 12 is machined on the end face of an optical fiber by a photolithography method and a dry etching method to match the optical axis of a polarized wave conservation fiber 10.例文帳に追加

偏波保存ファイバ１０の光軸に合わせ、フォトリソグラフィーとドライエッチング法により光ファイバの端面に微細な溝列１２を加工する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which does not need aftertreatment for corrosion and an anti-corrosion measure for an etching apparatus, and reduces such an etching damage as to deteriorate magnetic properties of a magnetic material, when etching the magnetic material by using a masking material made from a non-organic material.例文帳に追加

非有機材料からなるマスク材を用いて磁性材料をエッチングする場合に、アフターコロージョン処理、エッチング装置に対する耐腐食性対策が不要で、磁気特性を劣化させてしまうエッチングダメージを減少させることができるドライエッチング方法を提案する。 - 特許庁

The dry etching method includes a mounting process for mounting a material A to be etched onto the lower electrode of a vacuum treatment chamber 20a having upper and lower electrodes 21 and 23, a heating process for heating the inside of the vacuum treatment chamber and the upper and lower electrodes, and a dry etching treatment process for carrying out dry etching treatment to the material to be etched.例文帳に追加

上部電極２１及び下部電極２３を具えた真空処理室２０ａの、下部電極上に被エッチング材Ａを搭載する搭載工程と、真空処理室の内部、上部電極及び下部電極を加熱する加熱工程と、被エッチング材に対してドライエッチング処理を施すドライエッチング処理工程とを、ドライエッチングプロセスに用いる。 - 特許庁

The method of forming the fine metal pattern comprises dry film resist thinning treatments (T1 to T4) which are carried out in a period from a process of coating the dry film resist on a board (a) to a process of carrying out an etching process (d).例文帳に追加

基板上にドライフィルムレジストを貼り付け（ａ）てから、エッチング（ｄ）を行うまでの間に、ドライフィルムレジストの薄膜化処理（Ｔ１〜Ｔ４）を行う金属パターンの形成方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which dimensional conversion difference of an etching pattern can be controlled over a wide range by taking a measure other than the resizing of a photomask, and to provide a dry etching system.例文帳に追加

フォトマスクのリサイズ以外の方策で対処すべく、大きい範囲で寸法変換差を制御し得る半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Recessed and projecting sections of 5-20 nm size are formed on the surface of the transparent conductive film 7, which is composed of an ITO through spraying method or performing wet etching, dry etching, sandblasting, polishing, etc.例文帳に追加

スプレー法を用いて、又はウエットエッチング、ドライエッチング、サンドブラスト、研磨などにより、ＩＴＯの透明導電膜７の表面に５ｎｍ以上で２００ｎｍ以下の凹凸を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing ink discharge head hardly causing a manufacturing step dependent variation in opening size of an ink supply port, and not requiring dry etching in removal of an etching stop layer.例文帳に追加

インク供給口の開口サイズが製造工程によって変動し難く、且つ、エッチングストップ層の除去にドライエッチングが不要なインク吐出ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Via holes (opening patterns) 107 are formed in a substrate 101 by selectively etching the substrate 101 by the dry etching method using chlorine gas with a mask pattern 106 used as a mask.例文帳に追加

塩素ガスを用いたドライエッチング法によりマスクパターン１０６をマスクとして基板１０１を選択的にエッチングすることで、基板１０１にビアホール（開口パターン）１０７を形成する。 - 特許庁

This method is provided with a process for removing an etching damaged layer 11 which occurs in a source/drain formation region when dry- etching the first thick oxide film 9 of the high breakdown strength MOS transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタの厚い第１の酸化膜９をドライエッチングする際にソースドレイン形成領域に発生したエッチング・ダメージ層１１を除去するための工程を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a display by which a photolithographic process is eliminated by changing a wet etching process to a dry etching process using laser and high productivity is realized.例文帳に追加

ウェットエッチングプロセスを、レーザを用いたドライエッチングプロセスにすることにより、フォトリソグラフィー工程を削減でき、高生産性を実現するディスプレイの製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁

To provide a dry etching method for forming the sidewall shape of a groove into a desired shape, and achieving superior etching, for example, even if the width of the groove is different.例文帳に追加

溝の幅が相違する場合等においても、溝の側壁形状を所望の形状とすることができ、良好なエッチングを行うことのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method wherein, when etching a chemically stable material, the dry etching technique is mainly used while partially using the lift-off technique and thereby what is called the fence can be prevented and there is no overetching, and to provide a high-durability ink jet head using the same.例文帳に追加

化学的に安定な材料をエッチングする場合、ドライエッチングを主に、部分的にリフトオフをすることで、フェンスを防止し、オーバーエッチングのないパターン形成をする。 - 特許庁

In the dry etching method using mixed gas of only CF_4 and Ar as process gas, O_2 gas is added to reduce the in-plane variance in etching rate.例文帳に追加

プロセスガスとしてＣＦ_4とＡｒのみの混合ガスを用いるドライエッチング方法において、Ｏ_2ガスを添加するようにしたことにより、エッチングレートの面内バラツキを低減させることができるようになる。 - 特許庁

To provide the method of countermeasure for the change of critical dimension caused by etching of photoresist of an upper layer into lateral direction employing gas containing O_2 in the dry etching of an organic reflection preventing film.例文帳に追加

有機反射防止膜のドライエッチングに、Ｏ２を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming the pattern comprises the steps of forming an ITO film 50 and an MoCr film 100, and dry etching the film 50 and the film 100.例文帳に追加

ＩＴＯ膜５０及びＭｏＣｒ膜１００を形成し、これらＩＴＯ膜５０及びＭｏＣｒ膜１００をドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching method which quickly enables deep cutting into a substrate of an InP compound semiconductor, and a device.例文帳に追加

ＩｎＰ系化合物半導体の基板に対して深堀加工を迅速に行うことができるドライエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an oscillator to be manufactured in photolithographic and dry etching processes with its natural frequency having less dispersion.例文帳に追加

フォトリソグラフィ及びドライエッチング行程により製造され、固有振動数のばらつきを低減できる振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method, opening parts OP3 penetrating at least an interlayer insulating film 5 are formed by anisotropic dry etching using a resist mask RM2.例文帳に追加

レジストマスクＲＭ２を用いて異方性ドライエッチングを施し、少なくとも層間絶縁膜５を貫通する開口部ＯＰ３を形成する。 - 特許庁

An electric charge is poured into the ONO laminated film 5 by plasma dry etching or plasma chemical gas phase growing method after the charge accumulation treatment.例文帳に追加

電荷蓄積処理の後、プラズマ・ドライエッチングまたはプラズマ化学的気相成長法によりＯＮＯ積層膜５に電荷を注入する。 - 特許庁

This manufacturing method of the nitride semiconductor device 10 comprises the steps of first formation, second formation, and dry etching.例文帳に追加

窒化物半導体素子１０の製造方法は、第１形成工程と、第２形成工程と、ドライエッチングを行なう工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for accurately determining the end point of dry etching for cleaning a reaction tank.例文帳に追加

反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Al taper dry etching method for Al used as a wiring material of a thin film device such as a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶ディスプレイなどの薄膜デバイスの配線材料として使用されているＡｌのＡｌテーパドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a filling method which can be improved in throughput by selectively removing titanium metal by dry etching.例文帳に追加

チタン金属をドライエッチングにより選択的に除去することにより、スループットの向上を図ることができる埋め込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method which rapidly etches a magnetic film having a thickness of 200-500 nm and is capable of excellent microfabrication.例文帳に追加

２００〜５００ｎｍの厚さの磁性膜を高速エッチングし、良好な微細加工が可能なドライエッチング方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of dry-etching a substrate which can perform a microfabrication to a high-hardness and brittle substrate, and can be actually and practically used.例文帳に追加

高硬度で脆い基板に対する微細加工を実現できる現実に実用化可能な基板のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method or the like wherein a processed layer can be worked into a shape whose peripheral edge is square with a detailed pattern.例文帳に追加

微細なパターンで、且つ、周縁部が角張った形状に被加工層を加工することができるドライエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

A small amount of nitrogen of 5-10% is added to plasma provided with BCl_3, and is used for an anisotropic dry etching method.例文帳に追加

５％から１０％までの少量の窒素がＢＣｌ_３を備えたプラズマに加えられ、異方性ドライエッチング方法に用いられる。 - 特許庁