「effect of ionization」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, which never impairs the performance of a transistor while fully suppressing the floating effect of a substrate that accompanies an impact ionization in a SOI device.例文帳に追加

ＳＯＩデバイスにおけるインパクトイオン化に伴う基板浮遊効果を十分に抑制しつつ、トランジスタ性能を阻害することのない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its fabricating method in which floating effect of a substrate incident to impact ionization can be suppressed sufficiently in an SOI device while suppressing increase in the occupation area of the SOI device.例文帳に追加

ＳＯＩデバイスの占有面積の増加を抑えつつ、ＳＯＩデバイスにおけるインパクトイオン化に伴う基板浮遊効果を十分に抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To induce a health hormesis effect for eyes by coating a surface of glasses, or the like, with a natural radiation ore that emits α-rays as a paint or ink, to make a large amount of negative ions generated causing ionization action.例文帳に追加

α線を放射する天然放射鉱石を塗料やインクとして眼鏡表面等にコートすることにより、電離作用を起こして負イオンを多量に生成させ、目の健康ホルミシス効果を発生させる。 - 特許庁

The sectional area of the laser light concentrated into the ionization zone Z is large, and thereby the reaction efficiency with the sample molecules is improved together by an irradiation time elongation effect by multiple reflection of the laser light between mirror sets 1, 2.例文帳に追加

イオン化ゾーンＺに集中したレーザー光の断面積は大きく、ミラーセット１，２間のレーザー光の多重反射による照射時間延長効果と相まってサンプル分子との反応効率が向上する。 - 特許庁

A simulation method for a semiconductor device has a step for determing a Fermi energy of the semiconductor device when assuming that it has no potential and the neutrality condition of its charge is satisfied, and ignoring any quantum many-body effect in it; and a step for using the Fermi energy to determine the ionization rates of its donor and acceptor when considering the quantum many-body effect in it.例文帳に追加

電位が無く、かつ電荷の中性条件が成立すると仮定し、量子多体効果を無視した場合のフェルミエネルギーを求めるステップと、前記フェルミエネルギーを用いて、量子多体効果を考慮したドナーおよびアクセプターのイオン化率を求めるステップと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sewing cloth having electrical conductivity, health effect and antibacterial effect without deteriorating the handling feel of cotton cloth by paying attention to the electrical conductivity and antibacterial property of aluminum and copper and the ionization tendency difference between these metals and forming the metals in the form of a thread or fiber to be sewn in the cloth.例文帳に追加

アルミニウムと銅が保有する導電性と抗菌性、更に両金属のイオン化傾向の差に着目し、両金属を糸状あるいは繊維状に成形して綿布に織り込むことにより綿布の持つ風合を壊さないで導電性、健康効果および抗菌効果を保有する縫製生地を提供する。 - 特許庁

To improve coating deposition efficiency by hardly causing a spark even if voltage applied between a coater and a work is set higher and preventing the generation of space charge effect causing the decrease of the coating deposition efficiency, inverse ionization, and electrostatic repulsion.例文帳に追加

塗布機及びワークの間に印加する電圧値を高く設定してもスパークが生じ難くし、また、塗着効率低下の原因となる空間電荷効果、逆電離、静電反発を起こさせないようにして塗着効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor device which is improved in high-frequency and noise characteristics by a method, wherein holes caused by impact ionization are easily absorbed by a source electrode without increasing the field-effect semiconductor device in source resistance, and a kink effect is not caused by recombination of holes and a surface level.例文帳に追加

電界効果半導体装置に関し、電界効果半導体装置のソースに於ける抵抗の上昇を招来することなく、衝突イオン化に起因する正孔が容易にソース電極に吸収されるようにし、正孔と表面準位との再結合に依るキンク効果の発生を抑制して高周波特性や雑音特性を改善しようとする。 - 特許庁

Then, the coating deposition efficiency is improved by setting the voltage higher and the decrease of the coating deposition efficiency caused by the space charge effect, the inverse ionization and the electrostatic repulsion is prevented because the pulse voltage is applied.例文帳に追加

したがって、電圧値を高く設定することにより塗着効率を向上させることができ、また、パルス電圧を印加しているので空間電荷効果、逆電離、静電反発に起因する塗着効率の低下を防止できる。 - 特許庁

As a result, ionization of the circulating water W is promoted by the tourmaline-deposited body 11 and tourmaline is eluted into the circulating water W to clean the circulating water W and exhibit the antifouling effect.例文帳に追加

これにより、トルマリン担持体１１による循環水Ｗのイオン化が促進されるとともに、循環水Ｗ中へのトルマリンが溶出することにより、循環水Ｗが浄化され、防汚効果を発現することができる。 - 特許庁

In the circuit simulator, the impact ionization current Iii of a field effect transistor is calculated based on a drain transverse electric field E_d calculation formula in which a saturated source-drain voltage V_dsat is given by a function of a source-gate voltage V_gs and a source-drain voltage V_ds.例文帳に追加

飽和ソース−ドレイン電圧Ｖ_ｄｓａｔがソース−ゲート電圧Ｖ_ｇｓおよびソース−ドレイン電圧Ｖ_ｄｓの関数にて与えられたドレイン横方向電界Ｅ_ｄの計算式に基づいて電界効果トランジスタのインパクトイオン化電流Ｉｉｉを計算する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of conducting an AND logic element operation with two inputs for a fine element, reducing element variation, and reducing a power consumption about an impact ionization MISFET (metal insulator semiconductor field-effect transistor).例文帳に追加

インパクトイオン化ＭＩＳＦＥＴに関して、微細素子において二つの入力によりＡＮＤ型論理素子動作することを可能とし、素子バラツキを低減することを可能とし、消費電力を低減することを可能とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pressure corrector for a vacuum gage equipped with a correcting function for clearing a pressure value of the effect not only of charged particles flowing into a gage head of the vacuum gage but also of a noise current flowing into a cable for measurement in a pressure signal transmission system, by jointly using an existing ionization vacuum gage controller.例文帳に追加

既存の電離真空計コントローラを併用して、真空計測定子に流入する荷電粒子のみならず、圧力信号伝達系の計測用ケーブルに流入するノイズ電流による圧力値への影響を除去可能な補正機能を備えた真空計用圧力補正装置を提供することである。 - 特許庁

It is possible to lower a ratio of pressure of out gas in a resist and reduce the effect of ion neutralization (or ionization) even when ion implantation on a wafer 2 having the resist is carried out by holding the pressure more than 1×10-4 Torr within a chamber 1 of the ion implantation apparatus.例文帳に追加

イオン注入装置のチャンバ１内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上にすることにより、レジスト付きウエーハ２にイオン注入を行っても、レジストからのアウトガスの圧力の割合を低くすることができ、イオンビームの中性化（又はイオン化）に対する影響を少なく抑えることを特徴とする。 - 特許庁

To prolong the service life of an electrode by removing contaminants from waste water while removing scale adhering to the electrode, and to provide an ionization cleaning device in which the removal effect of the contaminants is improved even when voltage applied between the electrodes is decreased.例文帳に追加

電極に付着するスケールを除去しつつ、廃水からの汚濁物質の除去を図ることにより、電極の長寿命化を図ること、及び、電極間に印加する電圧を低くしても、汚濁物質の除去効果を高めることのできる電離イオン化浄化装置を提供する。 - 特許庁

To provide: MALDI mass spectrometry capable of reducing an ionization suppressive effect on a molecular species to be detected; the MALDI mass spectrometry capable of selectively ionizing a specific kind of molecules or selectively detecting a specific kind of adduct ions in the step of MS measurement; and the MALDI mass spectrometry capable of providing an excellent throughput characteristic with no sample loss (or with extremely small loss).例文帳に追加

検出すべき分子種に対するイオン化抑制効果を低減するMALDI質量分析法；ＭＳ測定の段階において、特定の分子種の選択的なイオン化、又は特定の付加イオン種の選択的な検出が可能なMALDI質量分析法；スループット性に優れ、試料の損失が無い（又は著しく少ない）MALDI質量分析法を提供する。 - 特許庁

The plasma field 24 enables setting of thermodynamic equilibrium in the gas and formation of a uniformly short hydrocarbon chain on the rear downstream side of the plasma field 24 by the ionization effect to the gas carried therein.例文帳に追加

流れ方向（２６ａ、２６ｂ）においてセンサ（１２）のセンサ・エレメント（２０）手前にプラズマ場（２４）が設けられ、プラズマ場（２４）は、そこを流れるガスへのイオン化作用により、プラズマ場（２４）の後方下流側において、一方でガス内の熱力学的平衡の設定および他方で一様に短かい炭化水素鎖の形成を可能にする。 - 特許庁

To provide an ion mobility meter and an ion mobility measuring method in which base gas ions are generated using soft X-rays and sample molecule ions are generated by an ion molecular reaction of this base gas ions and sample molecules, thereby contamination of the device, decomposition of the sample, and effect to electric field of an ionization chamber etc. can be suppressed with high safety, and the sample molecules can be ionized efficiently.例文帳に追加

軟Ｘ線を用いてベースガスイオンを生成し、このベースガスイオンと試料分子とのイオン分子反応により試料分子イオンを生成することによって、安全性が高く、装置の汚染、試料の分解、及びイオン化室の電界への影響などを抑制でき、試料分子を効率よくイオン化できるイオン移動度計およびイオン移動度計測方法を提供する。 - 特許庁

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第１電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第２電流源とによって表す。 - 特許庁