「electron processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A correction similar to the correction of irradiated region with respect to the pattern matching processing from the usual secondary ion image or secondary electron image of the ion beam defect correcting device is performed and a defect region 3b which is extracted by the AFM and is subjected to fine adjustment by the conformation of the pattern for alignment is corrected by ion beams 8.例文帳に追加

イオンビーム欠陥修正装置の通常の二次イオン像もしくは二次電子像からのパターンマッチング加工に対する照射領域の補正と同様な補正を行い、AFMで抽出し、位置合わせ用のパターンの合わせ込みで微調整された欠陥領域3bをイオンビーム8で修正する。 - 特許庁

In the method of producing a porous resin sheet for a piezoelectric/pyroelectric element including a charging process where the inside of a bubble is charged by performing electron beam irradiation processing or corona discharge processing on a porous resin sheet, the charging process is performed in a state where a cover layer having a capacitance index X of 0.2 or higher is laminated on one or both surfaces of the porous resin sheet.例文帳に追加

多孔質樹脂シートに電子線照射処理又はコロナ放電処理を施すことにより気泡内部を帯電させる帯電処理工程を含む圧電・焦電素子用多孔質樹脂シートの製造方法であって、下記式にて表わされるキャパシタンス指標Ｘが０．２以上であるカバー層を多孔質樹脂シートの片面又は両面に積層した状態で前記帯電処理工程を行う。 - 特許庁

A flat display device includes a plurality of scanning lines Y, a plurality of signal lines X, a plurality of display pixels PX located at cross positions of the scanning lines Y and the signal lines X and including a surface conduction type electron emission element, a video processing circuit 4, a scanning line driver 3, and a signal line driver 2.例文帳に追加

平面表示装置は複数の走査線Ｙと、複数の信号線Ｘと、これら走査線Ｙおよび信号線Ｘとの交差位置に配置され表面伝導型電子放出素子を含む複数の表示画素ＰＸと、映像処理回路４と、走査線ドライバ３と、信号線ドライバ２とを備える。 - 特許庁

This V ribbed belt 1 has an adhesive rubber layer 2 embedded with a conductor 3 and a compressed rubber layer 4 composed of a plurality of rib parts 5 extending in the belt lengthwise direction, and is characterized by having a surface hardened layer 7 formed on the rib part 5 surface by electron bream irradiating processing.例文帳に追加

心線３を埋設した接着ゴム層２とベルト長手方向に延在する複数のリブ部５からなる圧縮ゴム層４を有するＶリブドベルト１において、リブ部５表面に電子線照射処理によって形成される表面硬化層７を有すること特徴とするＶリブドベルト１である。 - 特許庁

A plurality of domains having patterns similar in shapes (similar domains) are extracted from SEM images of low resolutions which are picked up while suppressing the irradiation energy of an electron beam, and an image of one pattern of a high resolution is formed from a plurality of image data on the domains by image restoration processing.例文帳に追加

電子線の照射エネルギーを抑えて撮像した低分解能なＳＥＭ画像から形状が類似するパターンを持つ領域（類似領域）を複数抽出し、複数の前記領域の画像データから画像復元処理により一枚の高分解能な前記パターンの画像を生成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and providing an excellent pattern profile on a substrate boundary face, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like, and to provide a pattern forming method utilizing the positive resist composition.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、エッチング耐性及び解像性に優れ、基板界面において良好なパターン形状を与えるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a resist composition capable of improving the performance in minute processing of a semiconductor element using an electron beam, an X ray, a KrF excimer laser beam, or an ArF excimer laser beam, excellent in terms of sensitivity, resolution, focal margin (DOF) performance, LWR, reduction of blur, and reduction of pattern surface roughness; and to provide a pattern-forming method using the same.例文帳に追加

電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上であり、感度、解像力、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）性能、ＬＷＲ、裾引き低減、パターン表面荒れの低減に優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

A method for processing a carbon nano-structure includes a step (CNT preparation step) of preparing a carbon nano-structure (for example, a carbon nanotube 1), and a step (irradiation step) of irradiating the carbon nanotube 1 with an energy ray (for example, an electron beam) under the state that a stress is applied uniaxially to the carbon nanotube 1.例文帳に追加

本発明に従ったカーボンナノ構造体の加工方法は、カーボンナノ構造体（たとえばカーボンナノチューブ１）を準備する工程（ＣＮＴ準備工程）と、当該カーボンナノチューブ１に対して、一軸方向に応力を加えた状態で、エネルギー線（たとえば電子線）を照射する工程（照射工程）とを備える。 - 特許庁

The electron device is provided with an optical system 10, a board 30 having a plurality of infrared sensor elements 20 that are sealed by a cap body for each element, a Peltier element 50, a signal-processing circuit 60, an element-driving circuit 70, a temperature detection/Peltier element-driving circuit 80, and a shade 90 for inspection.例文帳に追加

本発明の電子デバイスは、光学系１０と、素子ごとにキャップ体によって封入されている複数の赤外線センサ素子２０を有する基板３０と、ペルチェ素子５０と、信号処理回路６０と、素子駆動回路７０と、温度検出＆ペルチェ素子駆動回路８０と、検査用遮光板９０とを備えている。 - 特許庁

In the piezoelectric power generating element, a pair of electrodes is arranged on a piezoelectric ceramics layer formed of a ceramics in a range of average grain size of 0.01-0.1 μm by observation using a scanning electron microscope, and the piezoelectric ceramics layer subjected to polarization processing is applied with an external force different from the polarization direction, thereby generating electric potentials.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡観察により平均粒径０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下の範囲のセラミックスで形成されている圧電セラミックス層に対電極を配置し、分極処理した圧電セラミックス素子に、分極方向と異なる外力を与え電荷を発生することを特徴とする圧電発電素子。 - 特許庁

To provide a polyaniline composition having excellent dispersion stability, giving a cured coating film having excellent electrical conductivity and coating film resistance by the irradiation with active energy rays such as ultraviolet rays and electron rays and enabling easy processing, and also excellent from the viewpoint of working environment and the conservation of global environment owing to the absence of volatile organic solvents.例文帳に追加

分散安定性に優れ、紫外線および電子線等の活性エネルギー線の照射により導電性と被膜耐性に優れ且つ、簡便な加工可能である硬化被膜を提供することができ、さらに揮発性有機溶剤を含有しないため作業環境および地球環境保全上も優れるポリアニリン組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate, an optical pickup device and an electron beam drawing device, wherein the substrate contributes to reduction in the number of members to achieve a smaller size and cost reduction of an optical pickup device while preventing decrease in productivity, and facilitates three-dimensionally varied processing of a substrate in a sub-micron order for a substrate of an optical element or the like used in the device.例文帳に追加

本発明は、光ピックアップ装置の生産性の低下を防止しながらも、部材点数を低減して装置の小型化並びにコストダウンに寄与でき、それらに用いられる光学素子などの基材に対して、サブミクロンオーダーでの３次元的に変化する基材の加工を可能とした基材、光ピックアップ装置、電子ビーム描画装置を提供する。 - 特許庁

Using a compound semiconductor that has a low device resistance and a large electron mobility as a sensor unit 2, the compound semiconductor sensor unit 2 and an integrated circuit unit 3 that performs an operation by processing electrical signals from the compound semiconductor sensor unit 2 are hybridized in a same package.例文帳に追加

素子抵抗が小さく、電子移動度の大きな化合物半導体をセンサ部２に用いて、化合物半導体センサ部２と化合物半導体センサ部２からの電気信号を処理して演算を行う集積回路部３とを同一パッケージ内にハイブリッド形成することにより、これまでにない小型で、簡易なパッケージで室温動作可能な赤外線センサＩＣを実現できる。 - 特許庁

In the decorative sheet having a surface protective layer 7, which is formed by irradiating a coating film containing an ionizing radiation curable resin with an electron beam, on its outermost surface, (1) the surface protective layer contains resin beads 8 with an average particle size of 1-30 μm and (2) the decorative sheet is subjected to emboss processing on the side of the surface protective layer.例文帳に追加

最表面に電離放射線硬化性樹脂を含む塗膜に対して電子線を照射することにより形成された表面保護層７を有する化粧シートであって、（１）前記表面保護層は、平均粒径１〜３０μｍの樹脂ビーズ８を含み、（２）前記化粧シートは、前記表面保護層側からエンボス加工が施されている化粧シート。 - 特許庁

The substrate processing method includes a film forming step of providing the resist film on the substrate, and an exposure step of performing electron beam lithography for the desired pattern on the resist film on the substrate, and further a ground pattern forming step of forming a conductive ground pattern in a non-drawing region which is not exposed, on the resist film, between the film forming step and exposure step.例文帳に追加

基板処理方法を、基板上にレジスト膜を設ける成膜工程と、前記基板上のレジスト膜に所望パターンの電子線露光を行う露光工程とを備え、さらに、前記成膜工程と露光工程との間に、前記レジスト膜上の前記露光がされない非描画領域に導電性のアースパターンを形成するアース形成工程を設けるよう構成する。 - 特許庁

An SEM control means 41 of a scanning electron microscope device body 10 is set at a maintenance mode via a computer 50 processing an operation function about an observation operation processed with a normal SEM control means 41, or an output function about an observation operation via a data telecommunication line 80 from a maintenance computer 60 of a development base, a service center or the like of the manufacturer.例文帳に追加

メーカの開発拠点・サービスセンタのメンテナンスコンピュータ６０から、データ通信回線８０を介して、通常のＳＥＭ制御手段４１との間で実行する観察作業に関わる操作機能や観察作業に関わる出力機能を実行するコンピュータ５０を経由して、走査電子顕微鏡装置本体１０のＳＥＭ制御手段４１をメンテナンスモードに設定する。 - 特許庁

The cross section observing method comprises; a marker layer forming step of forming a marker layer whose conductivity differs from other portions of a substrate, on the substrate; a processed object forming step of forming the processed object by processing the substrate on which the marker layer is formed; and a secondary electron detecting step of detecting secondary electrons generated by irradiating the cross section of the processed object with electrons.例文帳に追加

基材に基材の他の部分とは導電率が異なるマーカー層を形成するマーカー層形成工程と、マーカー層が形成された基材に対して処理を行なって被処理物を形成する被処理物形成工程と、被処理物の断面に電子を照射することにより発生した二次電子を検出する二次電子検出工程とを含む断面観察方法である。 - 特許庁

An ultraviolet radiation processing apparatus 20 cleans the surface of an object to be treated W by irradiating the object to be treated W that is transported with ultraviolet rays from a lamp house 30 equipped with an ultraviolet lamp 32 and includes a gas supply duct 37 for supplying a gas mixture obtained by mixing an inert gas and electron-affinitive molecules to the surrounding of the object to be treated W.例文帳に追加

搬送される被処理物Ｗに紫外線ランプ３２を備えたランプハウス３０からの紫外光を照射することで被処理物Ｗの表面の洗浄を行う紫外光照射処理装置２０であって、被処理物Ｗの周囲に不活性ガス及び電子親和性分子を混合した混合ガスを供給するガス供給ダクト３７を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A field emission type display 10 includes a cathode 16 with a flat type electron emission source 44, an anode 18 superficially receiving electrons emitted from the cathode 16, a coil 40 formed on at least one of the cathode 16 or the anode 18 by a semiconductor processing process and a coil power source 24 which is a driving source generating a specified magnetic field by driving the coil 40.例文帳に追加

電界放出型の表示装置１０は、平面型の電子放出源４４を有するカソード１６と、カソード１６から放出された電子を平面的に受けるアノード１８と、カソード１６、アノード１８の少なくとも一方に半導体加工プロセスによって形成されたコイル４０と、コイル４０を駆動して所定の磁場を発生せしめる駆動源であるコイル電源２４とを備える。 - 特許庁

To provide a processing method for compensating or suppressing the defects left or created within an implantation layer by adding a process of irradiation of accelerated particles including elements belonging to a lower group of the periodic table out of the constituent elements of compound semiconductor material, when performing the valence electron control of the above compound semiconductor material by irradiation of particles including impurity atoms and anneal treatment for activation.例文帳に追加

不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって化合物半導体材料の価電子制御を行なう際、注入層内に残留／生成される欠陥を前記化合物半導体材料の構成元素のうち小さな族に属する元素を含む粒子を加速して照射する工程を付加することで補償／生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing organic EL devices comprises a first step for heating an inorganic laminated element including a substrate and a hale charging electrode formed on one side thereof, and processing the application of bias voltage on the inorganic laminated element, and a second step for forming another laminated element including an organic emissive layer and an electron injection electrode at the opposite side to the substrate of the hale charging electrode subsequent to the first step.例文帳に追加

上記課題を解決する本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板及びその一側に形成されたホール注入電極を備える無機積層体を加熱して、その無機積層体にバイアス電圧の印加処理を行う第１工程と、第１工程の後にホール注入電極の基板と反対側に有機発光層及び電子注入電極を備える積層体を形成する第２工程とを有するものである。 - 特許庁

To obtain a polymer useful as a resist material, or the like, especially the polymer as the resist material suitable for a fine processing using an ArF excimer laser or an electron beam, to provide a method for producing the same, to obtain a resist composition by using the same, and to provide a method for forming a pattern.例文帳に追加

レジスト材料等の構成成分樹脂として有用な有機溶剤への溶解性に優れた重合体、このような重合体の製造方法、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィー、中でも波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマレーザー光、および電子線リソグラフィー等に対して高感度でドライエッチング耐性に優れる好適なレジスト組成物、ならびに、このレジスト組成物を用いた高精度で微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing process of the adhesive tape for processing a semiconductor substrate comprises coating an adhesive agent containing a base resin, a radiation-polymerizable resin, a radiation polymerization initiator and a crosslinking agent on the surface of a film substrate which has a functional group reactive with the adhesive agent and are transparent to ultraviolet and/or electron beam and heat-treating the coated film for 1-14 days at 40-70°C.例文帳に追加

紫外線及び／又は電子線に対し透過性を有し、粘着剤と反応する官能基を持つフィルム基材面上にベース樹脂、放射線重合性化合物、放射線重合性重合開始剤、及び架橋剤を含む粘着剤を塗布してなる半導体基板加工用粘着テープの製造方法であって、粘着剤を塗布した後に４０〜７０℃の温度で１〜１４日間熱処理する工程を有することを特徴とする半導体基板加工用粘着テープの製造方法。 - 特許庁