「electron processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the processing method, a silver halide photographic sensitive material having a hydrophilic colloidal layer on at least one side of the support and also having a layer containing compounds of formulae 1-4 (where W is an electron withdrawing group; D is an electron donative group; and H is a hydrogen atom) is processed with a developing solution containing reductones.例文帳に追加

支持体の少なくとも一方の側に親水性コロイド層を有し、かつ一般式（１）〜（４）の化合物を含有する層を有するハロゲン化銀写真感光材料を、レダクトン類を含有する現像液で処理することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料の処理方法。 - 特許庁

To provide an electron beam lithography method requiring no processing of mask blanks with other apparatus, securing a stable conductivity when grounding the mask blanks, and capable of solving the problem due to contaminations caused on the mask blanks when grounded, and to provide an electron beam lithography apparatus and a photomask.例文帳に追加

マスクブランクスを別の装置で処理する必要がなく、マスクブランクスの接地時に安定した導通を確保しつつ、接地時に発生するマスクブランクス上の異物による問題を解消することができる電子線描画方法、電子線描画装置及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

This seam processing method is for shaping the flexible electron photograph imaging member l0 in the form of a belt and the flexible electron photograph imaging member l0 is fixed to a supporting element l38 having a smooth surface for supporting a belt seam region 30 by the vacuum suction of a vacuum groove l40.例文帳に追加

可撓性電子写真画像形成部材１０をベルト形状にするためのシーム処理方法であって、可撓性電子写真画像形成部材１０を、ベルトシーム領域３０を支える滑らかな表面を有する支持要素１３８に、真空溝１４０からの真空吸着により固定する。 - 特許庁

To provide acceleration electrode structure, which prevents adhering of an insulating substance to an acceleration electrode when processing a high temperature insulation substance, and stabilizes acceleration of an electron beam for a long time, in electron beam excitation plasma generating equipment, which has the acceleration electrode installed in a process room.例文帳に追加

プロセス室内に加速電極を設置した電子ビーム励起プラズマ発生装置において、高温絶縁性物質の処理を行うときに加速電極に絶縁性物質が付着することを防ぎ電子ビームの加速を長時間安定化する加速電極構造を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method of a field emission electron gun provided with multiply divided emitter electrodes for emitting electron beams, by removing and processing a tip part 28 of the emitter electrode 21 by irradiating the tip part 28 with a focused ion beam I, a plurality of needle-like parts 30 independent of one another and extending in the emitting direction of the electron beams are formed at the tip part 28.例文帳に追加

電子ビームの出射のための複数分割エミッタ電極を備える電界放出型電子銃の製造方法であって、エミッタ電極（２１）の先端部２８に集束イオンビームＩを照射して先端部２８を除去加工することにより、先端部２８に互いに独立しかつ電子ビームの出射方向に伸長する複数の針状部３０を形成する。 - 特許庁

This defect inspection device 100 includes a stage 3 for supporting the semiconductor substrate 2, an electron beam irradiation part 7, a CL detector 14, an X-ray detector 19 and a data processing part 22.例文帳に追加

欠陥検査装置１００は、半導体基板２を支持するステージ３と、電子線照射部７と、ＣＬ検出器１４と、Ｘ線検出器１９と、データ処理部２２とを備える。 - 特許庁

A size comparison circuit is added to prevent a target video captured once by a radar signal processing part from being re-displayed, by remaining up to the electron beam scanning time of the same position.例文帳に追加

また、大小比較回路を付加することによりレーダ信号処理部で一度捕らえた目標ビデオが、再び同一位置の電子ビーム走査時まで残存表示されることを防止した。 - 特許庁

To provide an electron-gun structure and a cathode-ray tube having electrodes capable of being formed with high processing precision in maintaining specified characteristics such as physical characteristics and the like.例文帳に追加

物理特性等の所定の特性を保持しながら、高い加工精度で成形可能な電極を備えた電子銃構体及び陰極線管を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for processing a nanotube, capable of selectively processing the tip part of the nanotube into a fixed shape by an extremely simple method without using a chemical wet process, especially processing the tip part of the nanotube into a shape useful as an electronic element such as a field-effect electron gun, etc.例文帳に追加

化学的なウェットプロセスを用いることなく、極めて簡便な方法によりナノチューブの先端部を選択的に所定の形状に加工することができ、特に、ナノチューブの先端部を電界効果型電子銃等の電子素子として有用な形状に加工することができるナノチューブの加工方法を提供する。 - 特許庁

In ion beam processing using ion beams 3 for processing an optical element material 5, a current density measuring means 6 having an opening member formed of an insulating material is first irradiated with the ion beams 3 and electron beams 8 to measure the current density distribution of the ion beams 3.例文帳に追加

イオンビーム３によって光学素子材料５を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段６に、イオンビーム３と電子ビーム８を照射してイオンビーム３の電流密度分布を測定する。 - 特許庁

The sample processing and observing method includes: irradiating a sample 5 with a focused ion beam 3 to form an observed surface; irradiating the observed surface with an electron beam 4 to form an observed image; removing the surface opposite to the observed surface of the sample 5 to form a lamella 5t including the observed surface; and obtaining a transmission electron image of the lamella 5t.例文帳に追加

集束イオンビーム３を試料５に照射し観察面を形成し、電子ビーム４を観察面に照射し、観察像を形成し、試料５の観察面と反対側の面を除去し、観察面を含む薄片部５ｔを形成し、薄片部５ｔの透過電子像を取得する試料加工観察方法を提供する。 - 特許庁

A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1.例文帳に追加

電子ビームＢ２によって測定面Ｓ１を走査し、測定面Ｓ１内の各ピクセルに関して、検出部６による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部９によるデータＤ１の解析を行うことにより、測定面Ｓ１に関する結晶方位の二次元分布データＫ１が得られる。 - 特許庁

The halo component in a corrected part of a white defect, re-deposition near a black defect or deposition near a white defect is removed by an electron beam processing device without damages in the corrected part of the white defect or black defect by a mask defect correcting device using ion beams or by a mask defect correcting device using electron beams.例文帳に追加

イオンビームを用いたマスク欠陥修正装置や電子ビームを用いたマスク欠陥修正装置による白欠陥もしくは黒欠陥の修正個所に対して、ダメージのない電子ビーム加工装置で白欠陥修正個所のハロー成分や黒欠陥周辺の再付着もしくは白欠陥周辺の付着を除去する。 - 特許庁

To realize an electron beam drawing apparatus which can calculate an optimal moving speed of a test piece table without invalid drawing, and optimally control the speed of the test piece to shorten the drawing processing time.例文帳に追加

空描画を行なうことなく試料台の最適な移動速度を算出し試料台速度を最適制御が可能で描画処理時間を短縮可能な電子ビーム描画装置を実現する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam device and a sample manufacturing method capable of concurrently performing a thin film processing with high accuracy by irradiating ion beam on a sample and an STEM observation with high resolution by irradiating electron beam with high throughput almost without moving the sample.例文帳に追加

試料のイオンビーム照射による高精度の薄膜加工と電子ビーム照射による高分解能のＳＴＥＭ観察の両者を、ほぼ試料を動かすことなく、高スループットで実施する。 - 特許庁

In formating the uneveness, the silica performed with surface processing of a radiation-curable resin is dispersed, a solution thereof having a viscosity appropriately adjusted by a solvent is applied onto the film, and ultraviolet rays, an electron beam or the like is radiated to cure it.例文帳に追加

形成する際は、放射線硬化型樹脂の表面処理されたシリカを分散し、溶剤にて適宜粘度調整したものをフィルムに塗布し、紫外線、電子線などを照射して硬化させる。 - 特許庁

To provide an exposure method for a dummy chip which substantially shortens a processing time needed for exposing an unnecessary chip to light, and makes unnecessary the development of electron beam exposure data or a reticle for exposing the unnecessary chip to light.例文帳に追加

ダミーチップ露光方法に関し、不要チップへの露光に要する処理時間を大幅に短縮するとともに、不要チップ露光のための電子ビーム露光データ或いはレチクルの開発を不要にする。 - 特許庁

To allow a sample stage to operate with good operability without any erroneous operations in a composite charged-particle processing and observation apparatus having a focused ion beam lens tube and an electron beam lens tube that are arranged orthogonal to each other.例文帳に追加

それぞれ直交に配置された集束イオンビーム鏡筒と電子ビーム鏡筒を有する複合荷電粒子加工観察装置において、試料ステージを、誤操作なく操作性の良い動作をさせる。 - 特許庁

In a multi-column electron beam exposure device performing exposure processing by arranging a plurality of column cells in parallel on one wafer, relation between the exposure amount of each column cell and the linewidth is determined (steps S41, S44).例文帳に追加

一つのウェハ上に複数のコラムセルを配置して並列して露光処理を行うマルチコラム型の電子ビーム露光装置において、各コラムセルの露光量と線幅の関係を求める（ステップＳ４１、Ｓ４４）。 - 特許庁

To provide a data creation method for an electron beam projection photolithography machine that reduces a processing time by reducing a data capacity, and improves the physical strength of a mask.例文帳に追加

データ容量を小さくして処理時間の短縮化を図るとともに、マスクの物理的強度を向上させることのできる電子ビーム投影露光装置用のデータ作成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The coverage ratio of Al oxide generated when hot dip galvanizing is solidified on a galvanized film surface obtained from the image processing of an Al mapping image obtained by an Auger electron spectroscopy is set to be ≥ 50%.例文帳に追加

オージェ電子分光分析法で求めたＡｌマッピング像の画像処理から得られるめっき皮膜表面の溶融亜鉛めっき凝固時に生成したＡｌ酸化物の被覆率を５０％以上とする。 - 特許庁

To control a substrate processing state in real time by imparting versatility easily coping in the case of different using conditions, and by changing an electron beam distribution during beam irradiation.例文帳に追加

使用条件が異なる場合に容易に対応できる汎用性をもたせると共に、ビーム照射中に電子ビームの分布を変更することにより、リアルタイムに基板の処理状態を制御可能にする。 - 特許庁

To suppress characteristic change in a measurement system with simple structure by combining solid electrolyte with less electron conduction and a high-impedance signal-processing circuit.例文帳に追加

本発明は、電子伝導の少ない固体電解質と高インピ−ダンスの信号処理回路を組み合わせることにより、測定系の特性変化を抑制し、かつ、単純な構造で前記の目的を達成する。 - 特許庁

Thus, a contaminant generated by electron beam radiation to the substrate W is exhausted into an outer space of a processing space 41a together with the argon gas as exhaust gas to prevent the contaminant from being re-adhered to the substrate surface and from being dispersed into the whole of the processing space 41a.例文帳に追加

このため、基板Ｗへの電子ビーム照射によって発生する汚染物質がアルゴンガスと一緒に排気ガスとして処理空間４１ａの外側空間に排気され、基板表面への汚染物質の再付着や処理空間４１ａ全体への汚染物質の拡散が防止される。 - 特許庁

The plasma processing system 100a performing specified processing of a substrate 11 comprises a chamber 1 in which a plasma generation region 13 is formed and the substrate 11 is introduced, and an electron generating member 201 disposed in the chamber 1.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００ａは、基板１１に所定の処理を施すためのプラズマ処理装置であって、プラズマ生成領域１３を発生させ、基板１１を導入するチャンバ１と、チャンバ１内に設けられ、電子を発生させることが可能な電子発生部材２０１とを備える。 - 特許庁

While plasma cleaning is continued, magnetic field produced by a magnetic field generator 151 from the outside of a processing container 100 produces electron cyclotron resonance around the outer periphery of the electrode 112 for placement within the processing container, and plasma density is reduced on the electrode 112 for placement.例文帳に追加

プラズマ洗浄を行っている間、磁場発生装置１５１により処理容器１００外から発生させた磁場により、処理容器内の載置用電極１１２外周部に電子サイクロトロン共鳴を発生させ、載置用電極１１２上でのプラズマ密度を低下させる。 - 特許庁

To provide a compact, thin, light and flexible dye-sensitized solar cell having a dye sensitized semiconductor electrode wherein a semiconductor film with excellent electron transfer performance is formed and high generation efficiency by a comparatively low-temperature processing without requiring high temperature processing.例文帳に追加

高温処理を要することなく比較的低温の処理で、電子の授受性能に優れた半導体膜が形成された色素増感型半導体電極を有し、発電効率が高く、しかも、小型、薄肉軽量化、フレキシブル化が可能な色素増感型太陽電池を提供する。 - 特許庁

A voter Vi enciphers voting contents vi with a public key kPC of a vote counter C, connects a tag ti to the enciphered voting contents Xi to make it zi, disturbs zi with a random number ri to prepare a pre-processing sentence ei and sends a signatures si for the pre-processing sentence and the sentence ei to an electron overseeing officer A.例文帳に追加

投票者V_iは投票内容v_iを集計者Ｃの公開鍵k_PC で暗号化し、その暗号化投票内容x_iにタグt_iを連結してz_iとし、z_iを乱数r_iで攪乱して前処理文e_iを作り、その前処理文に対する署名s_iと前処理文e_iを選挙管理者Ａへ送る。 - 特許庁

The method for manufacturing a polyimide wiring substrate is constituted by including a reforming step that forms a reformed layer on a polyimide resin, an adsorbing step that allows metal ions to be adsorbed in the reformed layer, and a reducing step that reduces the adsorbed metal ions with a plasma processing or an electron beam radiation processing.例文帳に追加

ポリイミドフィルムに改質層を形成する改質工程；改質層に金属イオンを吸着させる吸着工程；および吸着した金属イオンをプラズマ処理または電子ビーム照射処理により還元させる還元工程；を含んでなるポリイミド配線板の製造方法。 - 特許庁

To provide a simulation device and a plasma discharge processing device supporting system correctly calculating electron energy distribution or the like in a plasma of the plasma discharge processing device applying a treatment in the region of atmospheric pressure by a time-dependent Boltzmann equation or the like, and deciding a control parameter.例文帳に追加

大気圧近傍で処理を行うプラズマ放電処理装置におけるプラズマ中の電子エネルギー分布等を時間依存のボルツマン方程式等により正確に算出して制御パラメータを決定するシミュレーション装置およびプラズマ放電処理装置支援システムを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for generating lithographic pattern data which can convert pattern data to lithographic pattern data for an objective electron-beam exposure system and the processing of which is practical and has no problem in accuracy.例文帳に追加

図形データを、目的とする電子ビーム露光装置用の描画図形データに変換することができる描画図形データ作成装置で、且つ、処理が実用的で、精度的にも問題のない装置を提供する。 - 特許庁

A mixed gas of Xe, Kr or Ar and Xe or a mixed gas of Ar and Kr which can reduce the electron temperature of plasma is used as a noble gas in processing a film to be processed being an insulating film.例文帳に追加

さらに、絶縁膜である被加工膜を加工する際の希ガスとして、プラズマの電子温度を低減できるＸｅもしくはＫｒもしくＡｒとＸｅの混合ガスもしくはＡｒとＫｒの混合ガスを適用した。 - 特許庁

To provide a substrate processing method in which a desired resist pattern is obtained by performing electron beam lithography on a resist film on a substrate, wherein the resist pattern of high precision is formed without deterioration of a pattern profile by eliminating an influence of electrostatic charging of the resist film.例文帳に追加

基板上のレジスト膜に電子線露光を行って所望のレジストパターンを得る基板処理方法において、レジスト膜の帯電の影響を排し、パターンプロファイルの劣化が無い、高精度なレジストパターンを形成する。 - 特許庁

Since curing by electron beam irradiation is basically not based on heat conduction, processing time is shortened and inexpensive mass production can be provided, and since the base material does not deform or deteriorate by heat, reliability is high.例文帳に追加

電子線照射による硬化は基本的に熱伝導によらないため処理時間短縮を図り低コストでの量産が可能となる上、基材が熱により変形したり劣化したりしないので信頼性が高い。 - 特許庁

To provide an image processor for improving the success rate and accuracy of pattern matching of two images without lowering the efficiency of the inspection work of length measurement or the like, an image processing method and a scanning electron microscope.例文帳に追加

２つの画像のパターンマッチングの成功率および精度を向上させ、しかも、測長などの検査作業の効率を低下させない画像処理装置、画像処理方法および走査型電子顕微鏡を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method and a stencil mask for making a vertical-edge through hole, having a small diameter with respect to the thickness of thin film, in a thin film of stencil for an electron beam stepper and the like.例文帳に追加

本発明の課題は、電子ビームステッパー等のステンシルマスクの薄膜にその薄膜の厚さに対して径の小さな貫通孔を垂直エッジで形成できる加工方法並びにそのようなステンシルマスクを提供することにある。 - 特許庁

A detected electron from a sample 12, in which a beam spot is irradiated by an electronic beam EB, is detected by a detector 13, and detected data from the detector 13 are fed to an operation processing portion 23 as contrast data.例文帳に追加

電子ビームＥＢによるビームスポットが照射された試料１２からの被検出電子を検出器１３により検出し、検出器１３からの検出データをコントラストデータとして演算処理部２３に送る。 - 特許庁

To provide a method by which a fine pattern having partially different etching resistance can be easily formed by a lithographic method using electron beams and two-step processing can be performed in one etching treatment.例文帳に追加

電子線を用いるリソグラフィー法により、部分的に異なる耐エッチング性を有する微細パターンを容易に形成することができ、１回のエッチング処理により、２段ステップ加工を行いうる方法を提供する。 - 特許庁

To enable a high load processing by preventing the deactivation of a denitration microorganism caused by the rising in the local nitrite nitrogen concentration at the raw water flowing part of a denitration tank when biologically denitrating the raw water containing nitrite nitrogen by the action of the denitration microorganism to make nitrite nitrogen an electron receptor under the existence of electron donor.例文帳に追加

亜硝酸性窒素を含有する原水を、電子供与体の存在下に亜硝酸性窒素を電子受容体とする脱窒微生物の作用により生物脱窒するに当たり、脱窒槽の原水流入部の局部的な亜硝酸性窒素濃度の上昇に起因する脱窒微生物の失活を防止して高負荷処理を可能とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a diamond electron source which includes a top end portion as a diamond electron discharging point includes a process A in which a top end shape of the sharp top portion is rectified to a spherical surface by using a focused ion beam processing unit and a process B in which a process-damaged layer formed by the process A is removed by plasma.例文帳に追加

本発明が提供するダイヤモンドの電子放射点として先鋭部を有するダイヤモンド電子源の製造方法は、該先鋭部の先端形状を集束イオンビーム加工装置を用いて球面形状に補正する工程Ａと、該工程Ａによって形成された加工変質層をプラズマによって除去する工程Ｂとを有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for an electron beam, an X-ray or EUV light simultaneously satisfying requirements for high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, and good line-edge roughness in solving problems associated with performance improving techniques in micro processing of a semiconductor element using the electron beam, the X-ray or the EUV light, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスを同時に満足する電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To enable a high load processing by preventing the deactivation of a denitration microorganism caused by the rising in the local nitrite nitrogen concentration at the raw water flowing part of a denitration tank when biologically denitrating the raw water containing nitrite nitrogen by the action of the denitration microorganism to make nitrite nitrogen an electron donor under the existence of an electron donor.例文帳に追加

亜硝酸性窒素を含有する原水を、電子供与体の存在下に亜硝酸性窒素を電子受容体とする脱窒微生物の作用により生物脱窒するに当たり、脱窒槽の原水流入部の局部的な亜硝酸性窒素濃度の上昇に起因する脱窒微生物の失活を防止して高負荷処理を可能とする。 - 特許庁

A slice part, containing a desired observation place 2 due to the transmission electron microscope, is formed by processing the sample 1, and after a thin film is formed on the surface of the sample containing the slice part, the slice part is processed by a converged ion beam and the thin film of a part of the slice part is removed, to obtain the observation sample of the transmission electron microscope.例文帳に追加

試料１を加工することによって、透過型電子顕微鏡による所望の観察箇所２を含む薄片部を形成し、記薄片部を含む試料表面に薄膜を成膜した後に、薄片部に対し集束イオンビームにより加工を施して、薄片部の一部の薄膜を除去し、透過型電子顕微鏡の観察試料とする。 - 特許庁

When the image processing using maximum entropy method is performed to the microscopic image, the personal computer 20 determines a filtering condition for the image processing based on an evaluation result for comparison between a preliminarily acquired electron microscopic image with large current value and an image using maximum entropy method.例文帳に追加

パーソナルコンピュータ２０は、前記顕微鏡画像に最大エントロピー法を用いた画像処理を施す際に、あらかじめ取得された大照射電流量の電子顕微鏡画像と、最大エントロピー法を用いた画像との比較に対する評価結果に基づいて前記画像処理のためのフィルタリング条件を決定する。 - 特許庁

To reduce contamination from the atmosphere when opening a container, shorten time of vacuum exhaust, and accordingly shorten a manufacturing time of an electron source or the like, in a substrate processing method to form an air-tight atmosphere with a substrate and the container covering the substrate, and to apply a prescribed processing to the substrate in the air-tight atmosphere.例文帳に追加

基板と当該基板を覆う容器とで気密雰囲気を形成し、当該気密雰囲気下にて基板に所定の処理を施す基板処理方法において、容器を開放したときの大気からの汚染を低減し、真空排気の時間の短縮を図り、もって電子源等の製造時間を短縮する。 - 特許庁