「element concentrations」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A ceramic heater 1 for a gas sensor is used for heating a gas sensor element 2 for measuring the concentrations of specific gases in a gas to be measured.例文帳に追加

被測定ガス中の特定ガスの濃度を測定するためのガスセンサ素子２を加熱するためのガスセンサ用のセラミックヒータ１。 - 特許庁

To contribute to accuracy improvement in detecting gas concentrations by highly accurately controlling the temperature condition of a sensor element, even if disturbance is inflicted.例文帳に追加

外乱が加わってもセンサ素子の温度状態を高精度に制御し、ひいてはガス濃度の検出精度向上に貢献し得ること。 - 特許庁

The main action by its chemical properties is to comparatively heighten the radiopaque concentrations per unit weight of the radiopaque element or substance, and the secondary action is to enable selective placement of the radiopaque element.例文帳に追加

化学的性質による主要な効果はその放射線不透過性の要素または物質の単位重量当たりの比較的に高い放射線不透過性の濃度を含む。 - 特許庁

For preventing deterioration of the light-emitting device, concentrations of moisture and oxygen remaining in a space for sealing the organic light-emitting element are reduced, as much as possible.例文帳に追加

本発明は発光装置の劣化を防止するために、有機発光素子を封止した空間内に残留する水分や酸素の濃度を極力低減させる。 - 特許庁

The conductivity is controlled by changing kinds and concentrations of the metal ion solutions or the metal element-containing solutions, irradiation outputs or irradiation times of microwave and conditions of binder coating.例文帳に追加

金属イオン溶液または金属元素含有溶液の種類や濃度、マイクロ波照射出力や照射時間、バインダー塗布条件を変えることで導電率を制御する。 - 特許庁

In the hexagonal system wurtzite type compound single crystal represented by AX (A is a positive element and X is a negative element) obtained by performing crystal growth with respect to at least m surface from a columnar seed crystal, concentrations of a divalent metal and a trivalent metal among other than the positive element A are ≤10 ppm and also dispersion of their concentrations are not more than 100% respectively.例文帳に追加

柱状の種結晶から少なくともｍ面について結晶成長させることによって得られたＡＸ（Ａは陽性元素、Ｘは陰性元素）で表される六方晶系のウルツ鉱型化合物単結晶であって、陽性元素Ａ以外の金属のうち２価の金属および３価の金属の濃度が１０ｐｐｍ以下でかつ、それらの濃度のばらつきがいずれも１００％以内である結晶。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element for obtaining a p-type nitride semiconductor layer with low resistance having holes at concentrations of ≥10^18/cm^3 without the need for annealing and substrate processing.例文帳に追加

窒化物半導体素子において、アニーリングや基板の加工を必要としないで、ホール濃度が１０^１８ｃｍ^-3以上ある低抵抗のｐ型窒化物半導体層を可能にする。 - 特許庁

To avoid the occurrence of ion exchanges between the gas components of a mixed gas between the electrodes of a pump cell and the electrodes of a concentration cell in an electrochemical sensor element which finds the concentrations of the gas components.例文帳に追加

ガス混合気中のガス成分の濃度を求める電気化学センサ素子において、ポンプセルの電極と濃度セルの電極との間のガス成分のイオン交換が回避されるようにする。 - 特許庁

The nitrided member is obtained by subjecting a gold element-containing steel member to nitriding treatment, and, its surface layer part is provided with a nitrogen compound layer, and the surface part of the surface layer part is provided with an alloy element low concentration region in which the concentrations of alloy elements are lower than those of the inside.例文帳に追加

金元素を含む鉄鋼部材を窒化処理することにより得られた窒化部材であって、窒素化合物層を表層部に有し、該表層部の表面部に、内部よりも合金元素の濃度が低い合金元素低濃度領域を有する。 - 特許庁

To provide a solid electrolyte element having higher thermal shock resistance and having a quick electromotive force response speed and a stabilized electromotive force value irrespectively of oxygen concentrations.例文帳に追加

本発明では、より高い耐熱衝撃性を持ち、酸素濃度に関わらず迅速な起電力応答速度を持ち、かつ安定した起電力値を達成するための固体電解質素子を提供することにある。 - 特許庁

The defect level is determined by dividing the picture elements included in the inspection area into N×N of segments (N is the number of picture elements), and by using an average concentration of picture element concentrations included in the each segment as the defect level of the segment.例文帳に追加

欠陥レベルは、検査領域に含まれる画素をＮ×Ｎ（Ｎは画素数）のセグメントで分割し、各セグメントに含まれる画素濃度の平均濃度を当該セグメントの欠陥レベルとして決定される。 - 特許庁

To easily refer to a binary or ternary system of phase diagram when conducting phase analysis using a scatter diagram prepared from a two-dimensional distribution data of element concentrations in the binary or ternary system.例文帳に追加

２または３成分系の元素濃度の二次元分布データから作られる散布図を用いて相分析を行う際に、２または３成分系の状態図を簡単に参照できるようにする。 - 特許庁

This protective element is manufactured by laminating a plurality of polymer sheets containing a conductive filler at different concentrations or containing conductive fillers with different carbon species upon another with electrodes in between and thermocompression bonding the polymer sheets to each other.例文帳に追加

導電性フィラー濃度の異なる複数層のポリマーシート、またはカーボン種が異なる導電性フィラーを含む複数層のポリマーシートを、電極で挟んで積層し熱圧着することにより製造する。 - 特許庁

In an oxygen sensor (gas sensor) 1, a detection element 2 to detect gas concentrations includes at least a base part 2c and a heater part 2p laminated on the base part 2c, and the heater part 2p has a two-layer structure.例文帳に追加

ガス濃度を検出する検出素子２が、少なくとも基体部２ｃとこの基体部２ｃに積層されるヒータ部２ｐとを備える酸素センサ（ガスセンサ）１において、前記ヒータ部２ｐを二層構造とすることにより上記課題を解決する。 - 特許庁

In the relationships(1) and (2), Pa, M and Pb are the molar concentrations, based on the total dicarboxylic acid component, of the elemental phosphorus in the phosphorus compound A, the metal element in the transesterification catalyst and the elemental phosphorus in the phosphorus compound B, respectively.例文帳に追加

０．４≦Ｐａ／Ｍ≦０．８ ・・・（１）０．８＜（Ｐａ＋Ｐｂ）／Ｍ≦１．４ ・・・（２）（Ｐａはリン化合物Ａ中のリン元素の、Ｍはエステル交換触媒の金属元素の、Ｐｂはリン化合物Ｂ中のリン元素の、全ジカルボン酸成分に対するそれぞれのモル濃度） - 特許庁

Provided are an oxygen-sensitive luminescent element and a probe constructed therefrom which have reduced cross-sensitivity to humidity, as well as methods of manufacturing and using such luminescent elements and probes to measure oxygen concentrations within an enclosed space.例文帳に追加

湿度に対する交差感度が低減された酸素感受性ルミネセンス要素、及びそれによって構成されたプローブ、並びに、閉空間内の酸素濃度を測定するためのルミネセンス要素及びプローブを製造し利用する方法が提供される。 - 特許庁

A control device 11 discriminates the presence of the physical damage in a sensor element part 100A and the presence of the mixture of moisture into the internal space 150 on the basis of the concentrations of oxygen and moisture to diagnose a trouble state.例文帳に追加

制御装置１１は、この酸素濃度及び水分濃度に基づいて、センサ素子部１００Ａにおける物理的損傷の有無及び内部空間１５０への水分の混入の有無等を判別し、故障状態を診断する。 - 特許庁

Moreover, by the injection of ions through the gate electrode 114 and the gate oxide film 112, there are added to the surface of the silicon substrate 101 which is present in the end 11 of the element forming region impurities having higher concentrations than those of impurities of the surface of the silicon substrate 101, which is present in an electrode-uniform portion 12 of the element forming region.例文帳に追加

ゲート電極１１４及びゲート酸化膜１１２を介したイオン注入によって、素子形成領域の端部１１におけるシリコン基板１０１の表面部分に、素子形成領域の電極均一部１２におけるシリコン基板１０１の表面部分よりも高い濃度の不純物を添加する。 - 特許庁

A R-T-B-based rare earth permanent magnet comprises a sintered body having a main phase including mainly R_2Fe_14B, and a grain boundary phase including more R than the main phase, and R represents a rare earth element including Nd and Dy as the essential element, and the grain boundary phase includes a first grain boundary phase and a second grain boundary phase with different Dy atom concentrations.例文帳に追加

Ｒ_２Ｆｅ_１４Ｂを主として含む主相と、主相よりＲを多く含む粒界相とを備えた焼結体からなり、ＲはＮｄとＤｙを必須元素として含む希土類元素であり、前記粒界相がＤｙの原子濃度の異なる第１粒界相と第２粒界相とを含むＲ−Ｔ−Ｂ系希土類永久磁石とする。 - 特許庁

When atomic concentrations of constituent elements are measured in a depth direction by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the nickel plating layer has an atomic concentration of carbon atoms in a range of 1.0 to 10.0% at a depth where an atomic concentration of the Ni element is 80%.例文帳に追加

ニッケルめっき層は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって構成元素の原子濃度を深さ方向に測定したときに、Ｎｉ元素の原子濃度が８０％となる深さにおいて、炭素原子の原子濃度が、１．０％以上、かつ、１０．０％以下の範囲である。 - 特許庁

To obtain a semiconductor stacked structure which can improve the performance and reliability of a light emitting element or electron traveling element having n-type gallium nitride compound semiconductor layers without degrading the surface flatness and crystallinity of the compound semiconductor layers even when the concentrations of an n-type impurity in the semiconductor layers are increased, a semiconductor device provided with the structure, and a method for growing crystal.例文帳に追加

ｎ型不純物濃度を増加させた場合においてもｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面平坦性や結晶性を損なうことが無く、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有する発光素子や電子走行素子を高性能化、高信頼化することができる半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

In the liquid crystal element having an electrically insulating layer on at least one transparent electrode surface of two film substrates, with the transparent electrodes, placed opposite to each other and having a liquid crystal layer between the substrates, the ionic impurity concentrations both in the electrically insulating layer and in the liquid crystal layer are kept <100 wt.ppm.例文帳に追加

対向する２枚の透明電極付きフィルム基板の少なくとも一方の透明電極面に電気絶縁層を有し、かつ該基板間に液晶層が存在する液晶素子において、該電気絶縁層および該液晶層中のイオン性不純物濃度をいずれも１００重量ｐｐｍ未満としてなる液晶素子。 - 特許庁

To provide an apparatus for forming inkjet pattern capable of manufacturing a color filter and an organic functional element of high quality free from quality deterioration due to density unevenness caused by variation of ink ejection amounts for each nozzle without changing driving voltage for each nozzle and without using inks having a plurality of concentrations.例文帳に追加

ノズル毎の駆動電圧を変更することなく、また複数の濃度のインクを用いることなく、ノズル毎のインク吐出量のバラツキによって発生する濃度ムラによる品質低下がなく、高品質なカラーフィルタ及び有機機能性素子を製造することができるインクジェットパターン形成装置を提供する。 - 特許庁

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, empty regions give much effect on an element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor between from an end of a gate electrode to an end of a source or drain electrode, are composed of at least two layers having different impurity concentrations, thereby reducing series resistance of the heterojunction field effect transistor and enabling the heterojunction field effect transistor to realize a high element breakdown voltage.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタが得られる。 - 特許庁

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal.例文帳に追加

溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々［Ｎ］および［Ａｌ］で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、１≦［Ｎ］／［Ａｌ］≦５０として融液に添加し、ＳｉＣ種結晶を浸漬することにより、ｎ型ＳｉＣ単結晶を成長させる。 - 特許庁

The resin sealing apparatus 300 prepares a plurality of sealing resins having different concentrations of fluorescent powders, and injects one type of the sealing resins or a combination of two types thereof in the recess 61a according to the measurement result of a main emitted light peak wavelength of the light-emitting element 64 attached to the container 61 to become an object of the injection, to form a sealed portion 65.例文帳に追加

樹脂封止装置３００では、蛍光体の濃度を異ならせた複数の封止樹脂が準備されており、注入対象となる容器６１に取り付けられた発光素子６４の主発光ピーク波長の測定結果に応じて、１種類の封止樹脂または２種類の封止樹脂を組み合わせたものを凹部６１ａに注入して封止部６５を形成する。 - 特許庁