「element effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a liquid crystal display element from which a multi-domain effect can be obtained without arranging an open area.例文帳に追加

オープン領域を設けることなく、マルチドメイン効果を得ることができる液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high speed and low power consumption nonvolatile memory using a resonance tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子を用いた高速・低消費電力不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

PRODUCTION OF SPIN VALVE MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND PRODUCTION OF THIN FILM MAGNETIC HEAD PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加

スピンバルブ磁気抵抗効果素子の製造方法及び該素子を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory which protects a magnetoresistance effect element against outgas from an inter-layer film and suppresses deterioration of the magnetic characteristics.例文帳に追加

層間膜のアウトガスから磁気抵抗効果素子を保護し、磁気特性の劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element or the like exhibiting a high magnetoresistance change rate and having a good bias point.例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率を示し、良好なバイアスポイントを有する磁気抵抗効果素子等の提供。 - 特許庁

To provide a method for magnetoresistive effect thin film magnetic head wherein the deviation of alignment of overlap of a magnetoresistive effect element and an electrode can be eliminated, the magnetoresistive effect element is never damaged and the number of manufacturing stages can be reduced.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子と電極との重ね合わせのアライメントずれをなくすことができ、磁気抵抗効果素子にダメージを与えることがなく、そして製造工程数を減少することができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A magnetoresistance effect element 4 is arranged adjacent to part of wiring 5 extending in an arbitrary direction, and further, an external magnetic field protection structure 20 is provided that protects the magnetoresistance effect element 4 from a magnetic field effect caused by a reason other than the part of the wiring 5.例文帳に追加

任意の方向に延在する配線５に対して、その一部に磁気抵抗効果素子４を隣接配置し、更に、配線５の一部以外の要因で生じる外部磁界から磁気抵抗効果素子４を保護する外部磁界保護構造２０を備えるようにする。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device which achieves both suppression of a spatial charge effect of a light receiving element and a high optical coupling efficiency of the light receiving element.例文帳に追加

受光素子の空間電荷効果の抑制および受光素子の高光結合効率の両方を実現する光半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heating element cooling device which can enoughly enhance the cooling effect of a heating element without increasing the size of the device.例文帳に追加

発熱体冷却装置の寸法を大きくすることなく、発熱体の冷却効果を十分に高めることができる発熱体冷却装置を提供する。 - 特許庁

To realize a magnetoresistive element employing spinel type magnetic body, i.e., an easy-to-produce high efficiency tunnel magnetoresistive element exhibiting a high magnetoresistive effect.例文帳に追加

スピネル型磁性体を用いた磁気抵抗素子に関し、磁気抵抗効果が大きくかつ容易に製造可能な高効率のトンネル磁気抵抗素子を実現する。 - 特許庁

A thermoelectric conversion element 701 is embedded into the road, and electric power is generated by Seebeck effect of the thermoelectric conversion element using temperatures of the road and the underground.例文帳に追加

道路に熱電変換素子７０１を埋設させて、道路の温度と地中の温度差を利用して、熱電変換素子のゼーベック効果で発電する。 - 特許庁

The number of ground terminals of the control element 16 is reduced to miniaturize the control element 16, and the effect of noise due to variations in the ground potentials can be reduced.例文帳に追加

制御素子16のグランド端子数を低減して制御素子16を小型化できるとともに、グランド電位のばらつきに起因するノイズの影響を低減できる。 - 特許庁

To provide a circuit breaker enhancing an arc-extinguishing effect by increasing a clearance between a moving contact element and a stationary contact element, when an overcurrent flows.例文帳に追加

過電流が流れた際の可動接点子と固定接点子の離間距離を大きくしてアークの消弧効果を高めた回路遮断器を提供する。 - 特許庁

To prevent occurrence of an adverse effect onto a potential difference to be applied to other optical interference type reflection element caused by the short circuit of one optical interference type reflection element.例文帳に追加

１つの光学干渉式反射素子の短絡が、他の光学干渉式反射素子に印加される電位差に悪影響を及ぼすことを防止する。 - 特許庁

SWITCHED CONNECTION FILM AND ITS MANUFACTURE, MAGNETO- RESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE FILM, AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE ELEMENT例文帳に追加

交換結合膜とその製造方法、前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド - 特許庁

This solar radiation power generation panel includes a thermally-conductive heat absorbing plate, a Seebeck element (thermoelectric conversion element) including thermal lens effect and a heat exchanger.例文帳に追加

熱電導性吸熱板と熱レンズ効果をもつゼーベック素子（熱電変換素子）および熱交換器を備えた太陽輻射発電パネルを提供する。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistive effect element capable of making a desired size for the area in which magnetization rotates in accordance with an external magnetic field, and to obtain a manufacturing method of the element.例文帳に追加

外部磁界に応じて磁化が回転する領域を所望の大きさとすることが可能な、磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dual gate CMOS semiconductor device, wherein the boron punch-through of a PMOS element and a short channel effect of an NMOS element are suppressed.例文帳に追加

ＰＭＯＳ型素子のボロン突抜けおよびＮＭＯＳ型素子の短チャネル効果を抑制することができる、デュアルゲートＣＭＯＳ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a high reproducing output by a structure which can control with high accuracy the distance between a magnetoresistance effect element and a flux guide element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とフラックスガイド素子との間の距離を極めて精度良く制御できる構造とし、高い再生出力が得られるようにする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent(EL) element with an excellent protective film having a high cooling effect of the element and a high shielding property of moisture and oxygen in the air at a low cost.例文帳に追加

素子の冷却効果が高く、かつ、空気中の水分や酸素の遮蔽性の高い優れた保護膜を備える有機ＥＬ素子の低コストでの提供。 - 特許庁

This magnetic impedance element utilizes such magnetic impedance effect that the impedance changes in accordance with an external magnetic field when an alternating current is supplied to the element.例文帳に追加

本発明の磁気インピーダンス素子は、交流電流を通電すると、外部磁界に応じてインピーダンスが変化する磁気インピーダンス効果を利用した素子である。 - 特許庁

The pressure sensitive element 20 is a pressure drag effect element of which the electric resistance value varies in response to a level of the pressure acting thereon, in the pressure sensor 1.例文帳に追加

そして，圧力センサ１において，感圧素子２０は，作用する圧力の大きさに応じて電気的抵抗値が変化する圧力抵抗効果素子である。 - 特許庁

The starting element for the magneto-resistance effect device is further provided with a dummy element 20D, a dummy bias magnetic field inductive layer 8D and a front flux probing layer 10D.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置用素材は、更に、ダミー素子２０Ｄと、ダミーのバイアス磁界誘導層８Ｄおよびフロントフラックスプローブ層１０Ｄを有している。 - 特許庁

To provide a vertical energization type magnetoresistance effect element capable of suppressing a Barkhausen noise by exhibiting good reproducing sensitivity even when an element size is reduced.例文帳に追加

素子サイズが小さくなっても、良好な再生感度を示し、バルクハウゼンノイズを抑制できる垂直通電型磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To reliably make an effect both on a photo-addressable display element and a process execution means, in a display medium having the photo-addressable display element.例文帳に追加

光書込型表示体を有する表示媒体において、作用を及ぼす光書込型表示体と処理実行手段の同一性をより確実ならしめる。 - 特許庁

To prevent interception of wireless signals due to low impedance of a gaseous discharge element in case of discharge by surge invasion and to prevent deterioration of voltage standing wave ratio(VSWR) and loss characteristics by the effect of capacitance between electrodes of the gaseous discharge element.例文帳に追加

この方式では内部導体とがサージ侵入による放電時、ガス放電素子が低インピーダンス化し、無線信号を遮断する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head having a heating element in which excessive increase in temperature is suppressed in accordance with reduction in area of the shield layers of the MR effect element.例文帳に追加

ＭＲ効果素子のシールド層の小面積化に対応して、過度の温度上昇が抑制された発熱素子を備えた薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

OXIDE MATERIAL, MAGNETOOPTICAL DEVICE, FARADAY ROTATION COEFFICIENT CONTROLLING METHOD, MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY ELEMENT, RESIDUAL MAGNETIZATION CONTROLLING METHOD, AND COERCIVE FORCE CONTROLLING METHOD例文帳に追加

酸化物材料、光磁気デバイス、ファラデー回転係数制御方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ素子、残留磁化制御方法及び保持力制御方法 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT SHOWING HIGH RELUCTIVITY UNDER FINITE VOLTAGE AND FERROMAGNETORESISTIVE EFFECT HEAD, MAGNETIC HEAD SLIDER, AND MAGNETIC DISK DEVICE USING THE ELEMENT例文帳に追加

有限電圧下で高磁気抵抗率を示す強磁性トンネル接合素子、および、それを用いた強磁気抵抗効果型ヘッド、磁気ヘッドスライダ、ならびに磁気ディスク装置 - 特許庁

By controlling the amount of electricity supplied to the heat generation layer 80, the distance between the magneto-resistance effect element or the electromagnetic conversion element and the recording medium is controlled.例文帳に追加

また、発熱層８０への通電量を制御することにより磁気抵抗効果素子や電磁変換素子記録媒体との間の距離が制御される。 - 特許庁

The resistance between the magnetic shield 3 and a magnetroresistance effect element 5 is set (by a short-circuit pattern 28) higher than a magnetroresistance effect element resistance value to the extent that influences upon a shunt current into the magnetic shield side can be ignored.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子抵抗値より磁気シールド３と磁気抵抗効果素子５の間の抵抗を、磁気シールド側への分流の影響を無視できる程度に充分に高く設定（短絡パターン２８により）する。 - 特許庁

To provide a spin injection element and a spin field effect transistor capable of application to a memory and a logic element based on the spin valve effect obtained by injecting carriers spin-polarized from a ferromagnetic substance at normal temperatures.例文帳に追加

常温で強磁性体からスピン分極されたキャリアを半導体に注入して得られるスピンバルブ効果から、メモリ及び論理素子への応用が可能なスピン注入素子及びスピン電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which changes resistance by injecting a highly concentrated charge into a channel using an electrical double layer method and also to provide a memory element using the field effect transistor as a switching element.例文帳に追加

電気二重層法を用いてチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させる電界効果トランジスタと、該電界効果トランジスタをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a magneto-resistance effect element, a magneto resistance effect element, a thin film magnetic head and the like, capable of improving reproducing characteristics without causing problems such as electromigration and deformation.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションや変形などの問題を来たすことなく、再生特性の向上を図ることができる、磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド等を提供する。 - 特許庁

To increase a magnetoresistance change amount in a magnetoresistance effect element of which the current is made to flow into the direction intersected with faces of respective layers constituting the magnetoresistance effect element, and also to improve a soft magnetic property of a free layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を構成する各層の面と交差する方向に電流が流される磁気抵抗効果素子における磁気抵抗変化量を大きくし、且つフリー層の軟磁気特性を良好にする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element the film thickness of the spin valve film of which can be made thin and the magnitude of the anisotropic magnetic filed and the MR ratio of the spin valve film of which can be enhanced and to provide a read head including the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

本発明は、スピンバルブ膜の膜厚を薄くすることができ、かつスピンバルブ膜の異方性磁界の大きさやＭＲ比を向上させる磁気抵抗効果素子、及び、それを有する読み取りヘッドを提供する。 - 特許庁

To improve a S/N ratio of a reproduced signal by making it hard that an outer magnetic field penetrating from an upper part magnetic shield layer passes through a magneto-resistance effect element, in the thin film magnetic head provided with the magneto-resistance effect type magnetic head element.例文帳に追加

磁気抵抗効果方磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気シールド層から進入する外部磁界が磁気抵抗効果素子を通過しにくくし、再生信号のＳ／Ｎ比の向上を図る。 - 特許庁

Inside the detector 10, a magnetoresistance effect element which can detect the magnetic field and the strength in an X-direction is provided, and a magnetoresistance effect element which can detect the direction and the strength of the magnetic field in a Y-direction is provided.例文帳に追加

検知器１０内にはＸ方向の磁界の方向とその強度を検知できる磁気抵抗効果素子と、Ｙ方向の磁界の方向とその強度を検知できる磁気抵抗効果素子とが設けられている。 - 特許庁

A sensor having a magnetic impedance effect element is moved along the iron-based structure while the exciting current is carried to the magnetic impedance effect element and bias magnetic field obtained by superimposing an alternating current component on a direct current component.例文帳に追加

磁気インピーダンス効果素子を備えたセンサを、磁気インピーダンス効果素子に励磁電流を通電すると共に直流分に交流分を重畳したバイアス磁界をかけながら鉄系構造物に沿い走行させる。 - 特許庁

This magnetic head 1 is provided with a magneto-resistance effect element 20 as the reading element of magnetic recording information recorded on a magnetic recording medium, and the magnetostriction constant of a soft magnetic body constituting the magneto-resistance effect element 20 is set equal to/lower than 0.例文帳に追加

磁気記録媒体上に記録された磁気記録情報の読出素子としての磁気抵抗効果素子２０を備えた磁気ヘッド１であり、磁気抵抗効果素子２０を構成する軟磁性体の磁歪定数が０以下であることを特徴とする磁気ヘッド１を採用する。 - 特許庁

In a shield magnetoresistive effect element employing a tunnel junction element having a basic structure of free layer/nonmagnetic layer/fixed layer as the magnetoresistive effect element, a longitudinal bias layer coming into contact with the free layer at least partially is provided.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子としてフリー層／非磁性層／固定層を基本構成とするトンネル接合素子を用いたシールド型磁気抵抗効果素子において、フリー層の少なくとも一部に接触する縦バイアス層が設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetoresistance effect thin-film magnetic head which can enhance the intensity of the exchange coupling magnetic field of an SV-GMR (spin valve-type magnetoresistance effect) element, the magnetoresistance change rate of the element and the heat-resistant stability of the element, can be formed by a simple process.例文帳に追加

SV-GMR素子の交換結合磁界強度を向上させ、磁気抵抗変化率を向上させ、さらに耐熱安定性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを簡易なプロセスで形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CPP structured magneto-resistance effect element capable of controlling the magnetizing direction of a free side magnetic layer in a magneto-resistance effect film by the comparatively easy manner in accordance with the size of the magneto-resistance effect film.例文帳に追加

磁気抵抗効果膜の大きさに応じて比較的に簡単に磁気抵抗効果膜内の自由側磁性層の磁化方向を制御することができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that characteristics of a switching element (TFT) receive an adverse effect when the film thickness of an activation layer is made large in order to increase sensitivity of an photosensor element when the switching element and the photosensor element are formed on the same substrate.例文帳に追加

同一の基板上にスイッチング素子と光センサ素子を形成する場合に、光センサ素子の感度が上げるために、活性層の膜厚を厚くすると、スイッチング素子（ＴＦＴ）の特性に悪影響を及ぼしてしまう。 - 特許庁

In a piezoelectric transformer high-voltage power supply circuit, a discharge element for discharging charges generated by the pyroelectric effect of the piezoelectric element due to a temperature rise when the piezoelectric element is mounted is connected between primary-side terminals of the piezoelectric element.例文帳に追加

圧電トランス高圧電源回路において、圧電素子を実装する際の温度上昇による圧電素子の焦電効果によって発生する電荷を放電する放電用素子を、圧電素子の一次側端子間に接続する。 - 特許庁