「external gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A signal, on which the temperature compensation control signal and the external voltage frequency control signal are superposed, is inputted to the gate terminal.例文帳に追加

またゲート端子には、温度補償制御信号と外部電圧周波数制御信号を重畳した信号を入力する。 - 特許庁

Also on the front of the gate device 3, a receptacle part 37 is provided for supplying commercial power supply AC to an external load.例文帳に追加

またゲート装置３の前面部には外部負荷に商用電源ＡＣを供給するためのコンセント部３７を設けてある。 - 特許庁

The timing controller generates an output enable signal, gate clock and one start signal in response to an external input signal.例文帳に追加

タイミングコントローラは、外部入力信号に応答して出力イネーブル信号、ゲートクロック、及び１つの開始信号を生成する。 - 特許庁

The container 10 is connected to an external processing chamber via a gate valve 19, and can be used as a load locking chamber.例文帳に追加

基板処理容器１０は、ゲートバルブ１９を介して外部の処理室に接続し、ロードロック室として用いることもできる。 - 特許庁

In a three-pole type field emission element, the field emission element has a gate electrode 205, an emitter 204, and an anode 207, and is constituted so as to connect a resistance 209 between the gate electrode 205 and an external terminal 206 of this gate electrode.例文帳に追加

三極型電界放出素子において、ゲート電極２０５と、エミッタ２０４と、アノード２０７とを有する電界放出素子において、ゲート電極２０５とこのゲート電極の外部端子２０６との間に抵抗体２０９を接続する構成とした。 - 特許庁

An optical signal packet which is inputted from an external input port is sent out from an optical multiplexing demultiplexing circuit to an optical delay circuit through an optical gate circuit and the packet which is delayed as required is outputted from the optical gate circuit to the outside through an external output port.例文帳に追加

外部入力ポートから入力された光信号パケットは、光合分岐回路より光ゲート回路を通って光遅延回路に送出され、必要な遅延を受けたパケットは光ゲート回路より外部出力ポートを通って外部に出力される。 - 特許庁

To provide a locking device for an expansion gate-door in which a locking means can easily be operated from both internal and external sides of a gate-door body while the locking means is designed and manufactured easily and the manufacturing cost be reduced.例文帳に追加

施錠手段を門扉本体の内外両側から容易に操作できると共に、施錠手段の設計、製作が容易であり、製作コストを低減できる伸縮門扉の施錠装置を提供する。 - 特許庁

A backup device is newly provided, between the device and an information processor main body is connected by an internal gate and between an input/output device and the information processor main body is connected by an external gate.例文帳に追加

新たにバックアップ装置を設け、この装置と情報処理装置本体との間を内部ゲートで結び、また、入出力装置と情報処理装置本体との間にも外部ゲートで結んだ。 - 特許庁

Between the terminals 5 and 6 for conduction, current flows via wiring 11, and an external power supply for heating the gate insulating film and the semiconductor layer 2 adjacent to the gate electrode 1 is provided.例文帳に追加

これら通電用端子５、６間に、配線１１を介して電流を通してゲート電極１に隣接するゲート絶縁膜及び半導体層２を加熱する外部電源が設けられている。 - 特許庁

Also source and drain regions (126a and 126b) are formed along the external boundaries of the floating gate electrodes (124a and 124b) so as to implant electric charges into two floating gate electrodes independently.例文帳に追加

また、フローティングゲート電極（１２２）の外側境界に合わせてソース、ドレイン領域（１２６ａ，１２６ｂ）を形成し、２つのフローティングゲート電極にそれぞれ別個に電荷を注入できるように構成した。 - 特許庁

When the command [external signal interrupt] is executed, an interrupt subprogram is executed in an interrupt processing part 72 to switch the on/off of a gate signal.例文帳に追加

「外部信号割込」が実行されると、割込処理部７２で割込サブプログラムが実行されて、ゲート信号のＯＮ／ＯＦＦが切り替わる。 - 特許庁

The main MOS transistor contains a first gate wiring for receiving an external signal, a first source/drain region of a first conductivity type, and a body.例文帳に追加

メインＭＯＳトランジスタは外部信号を受ける第１ゲート配線と、第１導電型の第１ソース／ドレイン領域と、ボディーとを含む。 - 特許庁

An HDC 10 has a terminal 101 used for output of a write gate signal WG1 indicating write of data, and a terminal 102 used for input of a write gate signal WG2 outputted from an external circuit according to the write gate signal WG1 and to which at least signal delay in the external circuit is reflected.例文帳に追加

ＨＤＣ１０は、データの書き込みを指示するライトゲート信号ＷＧ１の出力に用いられる端子１０１と、ライトゲート信号ＷＧ１に基づいて外部の回路から出力される、少なくとも当該外部回路での信号遅延が反映されたライトゲート信号ＷＧ２の入力に用いられる端子１０２とを有する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes; an n-channel type MOSFET1 whose drain and gate are connected to an external power supply (VEXT) and whose source is connected to a back gate; and a detection part which detects the application of external power supply based on a node connected to the source and back gate of the n-channel type MOSFET and the electric potential of the node.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、外部電源（ＶＥＸＴ）にドレインおよびゲートが接続されるとともに、ソースをバックゲートに接続したｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１と、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのソースおよびバックゲートに接続されたノードと、ノードの電位をもとに外部電源の投入を検出する検出部とを具備する。 - 特許庁

The Fermi level of the floating gate electrode 6 resides in the forbidden band of the channel region in a state that an external voltage is not applied between the channel region 4 and the control gate electrode 8 in state that an electric charge is injected in the floating gate electrode 6.例文帳に追加

フローティングゲート電極６に電荷が注入された状態において、チャネル領域４とコントロールゲート電極８との間に外部から電圧を印加しない状態のときに、フローティングゲート電極６のフェルミ準位がチャネル領域の禁制帯の中に位置する。 - 特許庁

An external connecting terminal 7 is formed in the region 12 adjacent to the side 6 of the substrate 5 where the gate driver 3 is formed, and a flexible circuit board 8 is connected to the external connecting terminal 7.例文帳に追加

ゲートドライバ３が形成された基板５の辺６に隣接する領域１２に外部接続端子７が形成されており、この外部接続端子７に、フレキシブル配線板８が接続されている。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes a substrate 10, a transistor 20b having a ring-shaped gate electrode 21 formed on the substrate 10, a plurality of external dummy patterns 40 which are disposed outside the gate electrode 21, and are formed in the same layer as for the gate electrode 21, and at least one internal dummy pattern 41 which are disposed inside the gate electrode 21, and are formed in the same layer as for the gate electrode 21.例文帳に追加

半導体装置１は、基板１０と、基板１０上に形成されたリング形状のゲート電極２１を有するトランジスタ２０ｂと、ゲート電極２１の外側に配置され、ゲート電極２１と同層に設けられる複数の外部ダミーパターン４０と、ゲート電極２１の内側に配置され、ゲート電極２１と同層に設けられる少なくとも１つの内部ダミーパターン４１とを備える。 - 特許庁

In correspondence to an external wall 5 of the connector housing 1, a gate of runner 3 is arranged, and the rib 8 for short circuit shot prevention of thin-walled side wall portion 6 that is a part of external wall 5 is formed by integrally molding by a method where the connector housing 1 is formed by injecting molten resin materials from the gate into a molding die.例文帳に追加

コネクタハウジング１の外壁５に対応してランナ３のゲートを配置し、ゲートから成形金型内に溶融した樹脂材を注入してコネクタハウジング１を形成する方法で、外壁５の一部である薄肉の側壁部６にショートショット防止用のリブ８を一体に形成させる。 - 特許庁

A gate-shaped portion 100 formed by the pair of pillars 103a, 103b and the connection portion 104 is covered with a cover member 17 from the external surface.例文帳に追加

一対の柱部１０３ａ、１０３ｂ及び連結部１０４からなる門形部１００には、カバー部材１７が外面から被せられている。 - 特許庁

The home gate way 1 manages the management information such as the available capacity of the devices having the internal storage or external storage.例文帳に追加

ホームゲートウェイ１は、内部ストレージを持つ装置や外部ストレージを持つ装置について、各ストレージの可用容量等の管理情報を管理している。 - 特許庁

When the calculated Mahalanobis's distance is a threshold or over that is externally set, the control section 3 outputs an abnormality signal 3a to bring an output gate section 5 into an open state and the gate section 5 outputs the video signal 1a to an external monitor section.例文帳に追加

演算されたマハラノビスの距離が外部から設定された閾値以上の場合、異常信号３ａが出力されると共に出力ゲート部５が開かれ、ビデオ信号１ａが外部のモニタ部に出力される。 - 特許庁

To provide an angled gate door used as a gate unit easily improved in external design and functionality of an abutting part of a master-slave door while having excellent workability by easily coping with an installation angle between a master door and a slave door according to a construction site regarding the gate unit with the master-slave door arranged nonlinearly between gate posts.例文帳に追加

門柱の間に親子扉が非直線状に配置される門ユニットにおいて、親扉と子扉の間の設置角度を施工現場にあわせて容易に対応させることができ、施工性に優れつつ、親子扉の突合部分の外観意匠性の向上と機能性の向上を図りやすい門ユニットとなる角度付門扉の提供を目的とする。 - 特許庁

A control server 3 is installed in an internal area IA to transmit a message whether to permit passing of a gate to each antenna in response to an external message or the like.例文帳に追加

管理サーバ３は、内部領域ＩＡ内に設置され、他からのメッセージ等に応じてゲートを通過可能又は不可のメッセージを各アンテナに送信する。 - 特許庁

Then, after laminating a protective film thereon and patterning it, contact holes are so formed in the protective film as to expose respectively to the external of the surfaces of each drain electrode, each gate pad, and each data pad.例文帳に追加

次に、保護膜を積層しパターニングしてドレーン電極、ゲートパッド及びデータパッドの表面を各々露出する接触孔を形成する。 - 特許庁

To provide an operation panel for a parking device using an external memory medium, with which a user shuts a gate after loading/unloading without fail.例文帳に追加

外部記憶媒体を利用して駐車装置の操作を行う操作盤において、入出庫後に利用者が必ずゲートを閉める技術を提供する。 - 特許庁

The ball 14 closes the gate part 12a in the upright mode, and evaporated gas in the upper area A is emitted into an external space from the inlet 11b through an internal space 17a of a housing.例文帳に追加

ボール14は正立モードではゲート部12ａを閉じ、上方域Ａの気化ガスが取込口11ｂからハウジングの内部空間17ａを経て外部空間に放出される。 - 特許庁

Further, a resistor R2 is provided between the gate of Q3 and a ground terminal PG, and S and PG are connected to the same external pin (ground voltage GND) on a package.例文帳に追加

また、Ｑ３のゲートと接地端子ＰＧの間に抵抗Ｒ２を設け、ＳとＰＧは、パッケージ上で同一の外部ピン（接地電圧ＧＮＤ）に接続する。 - 特許庁

A height adjusting mechanism 60 has a stationary body 61 which is fixed to a gate frame 20 and has internal threads and a movable body 62 having external threads.例文帳に追加

高さ調節機構６０は、ゲートフレーム２０に固定されるとともに雌ネジ部を有する固定体６１と、雄ネジ部を有する可動体６２とを備える。 - 特許庁

Negative and positive high voltage being the external voltage is connected to a gate and a source of a selected cell to be erased by a voltage control module (14).例文帳に追加

外部電圧である負及び正の高電圧は、電圧制御モジュール（１４）によって消去されるべき選択されたセルのゲート及びソースに接続される。 - 特許庁

The package is also mounted with a turn-off buffer which discharges a gate load to either of the first and second external current terminals when the switching device is turned off.例文帳に追加

このパッケージに、スイッチング素子のターンオフ時にそのゲート電荷を第１及び第２の外部電流端子のいずれかに放電させるターンオフバッファが搭載される。 - 特許庁

One end of the plurality of first-layer n^+-type polycrystalline silicon regions 14 is connected with an external gate electrode terminal 11, and the other end is connected with a source electrode 7.例文帳に追加

複数の１層目のＮ＋型多結晶シリコン領域１４の一方の端は外部ゲート電極端子１１と、他方の端はソース電極７と接続する。 - 特許庁

Before the adjustment, the gate voltage is supplied from the external power supply through the connection sections 14, 16 so that the amplifier field effect transistors 1, 2 are pinched-off.例文帳に追加

調整前には、ゲート電圧は、増幅用電界効果トランジスタ１、２がピンチオフされるように、接続部14、16を通して、外部の電源から供給される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, where hydrogen can be fed efficiently to its gate insulation film by suppressing hydrogen from diffusing to the external.例文帳に追加

水素の外方拡散を抑制してゲート絶縁膜へ水素を効率的に供給することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The position of the interface between the gate electrodes (34 and 14) and the semiconductor substrate 1 is set higher than that between the external base electrode 13 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート電極（３４，１４）と半導体基板１の界面の位置は、外部ベース電極１３と半導体基板１の界面の位置よりも高くされている。 - 特許庁

In a process (b), after forming a TiSi film 5 on the surfaces of the diffusion layer 3 and the gate electrode 4, an oxide film 6 is formed over the whole of the surfaces of the TiSi film 5 and the insulation film 2 to expose to the external the surface of the gate electrode 4 by polishing the oxide film 6.例文帳に追加

工程（ｂ）で、拡散層３及びゲート電極４の表面にＴｉＳｉ膜を形成し、該表面全体に酸化膜６を形成し、酸化膜６を研磨してゲート電極４の表面を露出させる。 - 特許庁

A gate drive integrated circuit for switching a power transistor using an external controller includes gate drive capability and a low zero input current, and enables the use of bootstrap supplitechnic technique to supply a logic supply voltage.例文帳に追加

外部コントローラを使用するパワートランジスタをスイッチングするためのゲートドライバ集積回路は、ゲート駆動能力および低零入力電流を含み、論理供給電圧を供給するためにブートストラップサプリテクニックの使用を可能にする。 - 特許庁

Also, when the knob 11 is inserted into the shift gate 21 according to application of external force, the shift range of the transmission of the vehicle is switched to the shift range of a sequential mode according to the operation position of the shift lever 1 in the first gate 21a.例文帳に追加

また、外力の印加に基づきノブ１１がシフトゲート２１内に挿入されたとき、第１のゲート２１ａにおけるシフトレバー１の操作位置に基づいて、車両の変速機のシフトレンジをシーケンシャルモードのシフトレンジに切り替える。 - 特許庁

In addition, circuit data to an FPGA (field programmable gate array) 112 on the target board 101 is changed and an external interface for connecting the target board 101 and an external input/output device 103 is controlled through a network 106.例文帳に追加

また、ターゲットボード１０１上のＦＰＧＡ１１２に対する回路データの変更と、ターゲットボード１０１と外部入出力装置１０３を接続する外部インターフェースの制御を、ネットワーク１０６を介して行えるようにする。 - 特許庁

Since both spit panels 11a, 11b are bulged in the external direction at the places of abutting at that time, both split panels 11a, 11b are not bent in the internal direction because the tendency of folding in the external direction is formed when the gate is folded.例文帳に追加

このとき、両分割パネル１１ａ，１１ｂは当接位置において外方向に膨らんでいるためゲートを折り畳む際に外方向への折れ癖がつくため両分割パネル１１ａ，１１ｂが内方向に折れ曲がることがない。 - 特許庁

To provide a method of removing external noise in the partial discharge signal of a power line which can take in and remove the external noise which does not exert a bad influence on the operation of a noise gate circuit, even if a partial discharge occurs from a joint.例文帳に追加

接続部から部分放電が生じても、ノイズゲート回路の動作に悪影響を与えない外部ノイズを取込んで除去することができる電力線路の部分放電信号中の外部ノイズの除去方法を提供する。 - 特許庁

An ETC virtual cooperation function part 5 determines passage of a vehicle through an ETC gate when passage of the vehicle through an ETC gate (toll gate) installation position without stopping is detected based on a vehicle current position input from a position detection part 7 and ETC gate installation positional data input from an external storage medium 13, and calculates a toll and notifies it.例文帳に追加

ＥＴＣ仮想連携機能部５は、位置検出部７から入力した車両の現在位置と外部記憶媒体１３から入力したＥＴＣゲートの設置位置データとに基づいて、車両が停止することなくＥＴＣゲート（料金所）の設置位置を通過したことを検出すると、車両がＥＴＣゲートを通過したと判定し通行料金を計算して報知する。 - 特許庁

The semiconductor switching device includes: a switching element; a gate terminal 1 and an emitter signal terminal 2 for external control connection of the switching element; a gate metal pattern (bar) wired from the switching element to the gate terminal 1; and an emitter metal pattern (bar) wired from the switching element to the emitter signal terminal 2.例文帳に追加

本発明の半導体スイッチング素子は、スイッチング素子と、スイッチング素子の外部制御接続用のゲート端子１及びエミッタ信号端子２と、スイッチング素子からゲート端子１へ配線されたゲート金属パターン（バー）と、スイッチング素子からエミッタ信号端子２へ配線されたエミッタ金属パターン（バー）と、を備える。 - 特許庁

There are provided a scouring gate 41 capable of vertically movable with respect to a conduit 3, a lifting device 42 provided above the scouring gate 41 and operable by an external operation, a rod 43 vertically movable by operating the lifting device 42, and a connection section 44 for connecting the scouring gate 41 to the rod 43.例文帳に追加

水路３に対して上下方向に移動可能な排砂ゲート４１と、排砂ゲート４１の上方に設けられ外部からの操作によって運転可能な昇降装置４２と、昇降装置４２の運転によって上下方向に移動するロッド４３と、排砂ゲート４１とロッド４３とを連結する連結部４４とを備える。 - 特許庁

The CMOS image element includes a semiconductor substrate including an element isolation region and an active region, plural gate electrodes formed at predetermined portions in the active region, and a gate electrode contact for transferring external signals to a predetermined portion in the active region, and the gate electrode contact overlaps the active region.例文帳に追加

素子分離領域及びアクティブ領域を含む半導体基板、前記アクティブ領域の所定部分に形成される複数のゲート電極、及び前記ゲート電極それぞれに外部信号を伝達するゲート電極コンタクトを含み、前記ゲート電極コンタクトは、アクティブ領域とオーバーラップされるように形成されるＣＭＯＳイメージ素子。 - 特許庁

The 5th switch section SW5 connects/disconnects the back gate to/from the high potential power supply Vdd, in response to the potential of an external signal applied to the input output terminal P0.例文帳に追加

第５スイッチ部ＳＷ５は、出力端子Ｐ０に印加される外部信号の電位に応答して該バックゲートと高電位側電源Ｖddとの間を接離する。 - 特許庁