「gate current」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

NAND gate circuits G1-G4 share an n-type MOS field effect transistor N2 having a current path connected between a node Q where a signal appears and the ground VSS.例文帳に追加

否定的論理積ゲート回路Ｇ１〜Ｇ４は、信号が現れるべきノードＱとグランドＶＳＳとの間に電流経路が接続されたｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタＮ２を共有する。 - 特許庁

In an LPF(loop filter) 10A, a reference voltage VR divided by resistances 21 and 22 is given to the gate of an NMOS 20, and a prescribed current is caused to flow to a PMOS 19 and the NMOS 20.例文帳に追加

ＬＰＦ（ループフィルタ）１０Ａにおいて、抵抗２１，２２で分圧された基準電圧ＶＲは、ＮＭＯＳ２０のゲートに与えられ、ＰＭＯＳ１９とＮＭＯＳ２０に所定電流が流れる。 - 特許庁

If an internal source voltage Vdd2 drops greatly with a sudden increase in the operating current of an internal circuit 3, the error amplifier 5 greatly lowers the gate voltage Vg.例文帳に追加

内部回路３の動作電流が急激に増加することにより、内部電源電圧Ｖｄｄ２が大きく低下すると、誤差増幅器５はゲート電圧Ｖｇを大きく低下させる。 - 特許庁

A driver transistor 35 for supplying the data write current to a write digit line WDL is disposed along its gate lengthwise direction which is a same direction as the write digit line WDL.例文帳に追加

データ書込電流をライトディジット配線ＷＤＬへ供給するドライバトランジスタ３５は、そのゲート長方向がライトディジット線ＷＤＬと同じ方向に沿うように配置される。 - 特許庁

Then, the gate-source voltage Vgs of the driving transistor at the end of a signal writing period becomes high (Vgs1→Vgs2) and a current flowing to an organic EL element increases in value correspondingly.例文帳に追加

すると、信号書込み期間終了時における駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが高くなり（Ｖｇｓ１→Ｖｇｓ２）、その分だけ有機ＥＬ素子に流れる電流値が増加する。 - 特許庁

Since the potential at the output of an operational amplifier 31 has been applied to the gate of a PMOS transistor 16, its drain current Ic1 is fed to the drain of an NMOS transistor 35.例文帳に追加

このとき、ＰＭＯＳトランジスタ１６のゲートには演算増幅器３１の出力の電位が与えられているので、そのドレイン電流Ｉｃ１がＮＭＯＳトランジスタ３５のドレインに与えられる。 - 特許庁

Consequently, the driving part which is provided outdoors but receives electric current is easily protected from rainwater to allow construction for the existing gate door having various situation easily.例文帳に追加

これにより屋外に設置されながらも通電を受ける駆動部を雨水から容易に保護できると共に、様々な状況を持つ既設の門扉に対しても容易に施工が可能となった。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, as well as, its manufacturing method, which can suppress deterioration in the drain current characteristics caused by increasing the thickness of the gate insulating film near an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域近傍のゲート絶縁膜の膜厚が増すことによるドレイン電流特性の劣化を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A switch circuit 5 controls the switch current Is based on the gate voltage Vgate and an ON time circuit 1 measures the time during the turn on interval Ton and brings a drive voltage Vrs to the ground potential.例文帳に追加

スイッチ回路５は、ゲート電圧Ｖgateに基づいてスイッチ電流Ｉsを制御し、オン時間回路１は、ターンオン期間Ｔonに時間を計測して、駆動電圧Ｖrsをグランド電位にする。 - 特許庁

To provide a display device that can control the capacity increase, while suppressing the light leakage current generation in a display device that uses a TFT, having a gate electrode film on a light source side.例文帳に追加

光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを用いた表示装置であって、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供。 - 特許庁

The positive fixed charge present in the gate insulating film 105 of the PMOSFET decreases the channel impurity concentration of the PMOSFET, resulting in an increased operation current.例文帳に追加

ＰＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０５中に存在する正の固定電荷によってＰＭＯＳＦＥＴのチャネル不純物濃度を減らすことができ、動作電流を増大することができる。 - 特許庁

The penetration type current sensor 51 is formed by storing two overlapped flux gate sensor elements 31 in a main core 52 formed of a one-side core section 63 and the-other-side core section 73.例文帳に追加

貫通型電流センサ５１は、二枚重ねの樹置きセンフラックスゲートセンサ素子３１を一側コア部６３と他側コア部７３とからなるメインコア５２内に収納して形成した。 - 特許庁

The voltage command values vd and vq are converted into three-phase alternating-current voltage, and based on its absolute value, a command value for controlling an inverter 2 is generated at a gate drive signal generator 13.例文帳に追加

電圧指令値ｖd，ｖqは、３相交流電圧に変換され、その絶対値に基づいて、インバータ２を制御するための指令値がゲート駆動信号生成器１３にて生成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can improve characteristics, such as reliability, gate leak current, noise characteristics of an MOSFET provided on a surface azimuth other than (100) and actualize an MOSFET with respective proper characteristics on various surface azimuths.例文帳に追加

本発明は、さまざまな面方位上に形成されるＭＯＳＦＥＴを、それぞれ良好な特性を有して実現できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor of a vertical channel structure which can reduce a leak current at a gate voltage 0V and realize a sufficient normally-off operation, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ゲート電圧０Ｖにおけるリーク電流を低減し、十分なノーマリオフ動作を実現可能な縦型チャネル構造の電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The output terminal of the comparator is provided with an output circuit comprising a MOS transistor and a constant current source, and the gate of the MOS transistor is provided with a switch circuit controlled by a switch control circuit further.例文帳に追加

コンパレータの出力端子に、ＭＯＳトランジスタと定電流源からなる出力回路を設け、さらにＭＯＳトランジスタのゲートにスイッチ制御回路で制御されるスイッチ回路を設けた。 - 特許庁

Since a channel is not formed in the corner part 11b of the cell 11 when a voltage is applied to a gate electrode 6, desired current characteristics can be attained as the whole element.例文帳に追加

よって、ゲート電極６に電圧を印加した際には、セル１１の角部１１ｂにはチャネルが形成されないため、素子全体として所望の電流特性を得ることができる。 - 特許庁

The drain current value is read at the gate voltage which is not higher than the threshold voltage in the initial state, prior to the semiconductor layer 17 receiving light and is not higher than the voltage ar light reception.例文帳に追加

ドレイン電流値の読み出しは、半導体層１７が受光する前の初期状態におけるしきい値電圧以下でかつ受光時の電圧以上のゲート電圧で行う。 - 特許庁

A diode 4 is a reverse blocking rectifier diode and is connected in series to an insulated gate bipolar transistor IGBT3 in an orientation such that a forward current flows to the diode 4 when the IGBT3 is turned on.例文帳に追加

ダイオード４は逆阻止用の整流ダイオードであり、ＩＧＢＴ３がオン状態になるとダイオード４に順方向電流が流れる向きで、ＩＧＢＴ３に直列接続されている。 - 特許庁

In the Fig. 1, an output of an operation amplifier 103 is connected to a control gate of a memory transistor 101, and a constant current source 102 is connected to a drain electrode, and the source electrode is grounded.例文帳に追加

図１において、メモリトランジスタ１０１のコントロールゲートにはオペアンプ１０３の出力が、ドレイン電極には定電流源１０２が接続されており、ソース電極は接地されている。 - 特許庁

Each constant current circuit has a transistor 42 connected between a video signal wiring and a constant voltage power source and a 2nd switch 45 connected between the drain and gate of the transistor.例文帳に追加

各定電流回路は、映像信号配線と定電圧電源との間に接続されたトランジスタ４２と、トランジスタのドレインとゲートとの間に接続された第２スイッチ４５と、を有している。 - 特許庁

To improve a current gain by depleting completely up to an end of a gate electrode on a drain side in a channel region without providing a pocket injection region.例文帳に追加

ポケット注入領域を設けることなく、チャネル領域におけるゲート電極のドレイン側の端部までをも完全に空乏化することにより、電流利得を向上できるようにする。 - 特許庁

In the light emitting display device, a data current supplied from a data line Dm is transmitted to a transistor M2 and gate voltages of a transistor M1 and the transistor M2 become a first voltage.例文帳に追加

発光表示装置において，データ線Ｄｍから供給されるデータ電流がトランジスタＭ２に伝達され，トランジスタＭ１およびトランジスタＭ２のゲート電圧が第１電圧になる。 - 特許庁

Thus, gate circuits 21_1 to 21_n are kept closed, and a through current of a logic circuit 22 by unstable signals SIG1 to SIBn from the logic circuit 10 is prevented.例文帳に追加

これにより、ゲート回路２１_１〜２１_ｎは閉じられたままとなり、論理ブロック１０からの不安定な信号ＳＩＧ１〜ＳＩＢｎによる論理回路２２の貫通電流が防止できる。 - 特許庁

If an applied voltage Vgs, generated by the applied voltage control section 20, is applied to the gate terminal, the MOSFET 202 allow the drain current to flow between the drain terminal and the source terminal.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ２０２は、印加電圧制御部２０によって生成された印加電圧Ｖｇｓがゲート端子に印加されると、ドレイン端子とソース端子との間にドレイン電流を流す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an MISFET having high current driving ability and low power consumption in the MISFET provided with a gate electrode of damascene structure.例文帳に追加

ダマシン構造のゲート電極を備えたＭＩＳ型ＦＥＴにおいて、高い電流駆動能力と低消費電力とを有するＭＩＳ型ＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing a short circuit between gate electrodes, and an increase in leak current of a capacitive insulating film caused by a lower electrode of a capacitor.例文帳に追加

ゲート電極間の短絡の防止、及びキャパシタ下部電極に起因する容量絶縁膜のリーク電流増大防止が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device which can improve the gate breakdown voltage, suppress increase in the contact resistivity, and reduce increase in the leakage current, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート耐圧を向上し、かつ接触抵抗率の増大を抑制し、リーク電流の増大を低減することのできる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the load current of a load circuit 4a increases and the voltage at an output terminal 3 drops, this voltage drop is transmitted to the gate of a PMOS 11a through a capacitor 13a.例文帳に追加

負荷回路４ａの負荷電流が増加して出力端子３の電圧が低下すると、この電圧低下はキャパシタ１３ａを介してＰＭＯＳ１１ａのゲートに伝達される。 - 特許庁

One of a source region and a drain region of an erasure TFT 105 is connected to an electric current supply line 108, and the other is connected to a gate signal line 106.例文帳に追加

消去用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線１０８に接続され、残る一方はゲート信号線１０６に接続されている。 - 特許庁

To provide a transistor substrate having a thin film transistor whose deterioration in gate voltage-drain current characteristics (Vg-Id characteristics) in an off region is suppressed, and to provide a method of manufacturing the transistor substrate.例文帳に追加

オフ領域におけるゲート電圧−ドレイン電流特性（Ｖｇ−Ｉｄ特性）の劣化を抑制した薄膜トランジスタを備えたトランジスタ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To overcome the problem in a conventional system that is difficult to quickly switch the charge speed of the gate of a power switching element Sw by the direct detected value of a current which flows to an upper arm and a lower arm.例文帳に追加

上側アーム及び下側アームに流れる電流の直接の検出値によってパワースイッチング素子Ｓｗのゲートの充電速度を迅速に切り替えることが困難なこと。 - 特許庁

A comparator device (36) is combined to the second gate electrodes (49, 92) and makes the second MOSFET device (42) on when the power switch device (33) is not in a current limit mode.例文帳に追加

比較器デバイス（３６）は、第２ゲート電極（４９，９２）に結合され、パワー・スイッチング・デバイス（３３）が電流制限モードでなくなったときに、第２ＭＯＳＦＥＴデバイス（４２）をオンにする。 - 特許庁

A backup capacitor to supply an ignition current to a squib through an ignition transistor, and a separate backup capacitor to supply a voltage to be applied to a gate of the ignition transistor are provided.例文帳に追加

点火用トランジスタを介して前記スクイブに点火電流を供給するバックアップ用コンデンサと、点火用トランジスタのゲートに印加する電圧を供給する別のバックアップ用コンデンサを設ける。 - 特許庁

In another embodiment, two package pins are omitted by multiplying the ignition driver gate signal, the ignition coil charge current feedback signal and the ionization signal.例文帳に追加

別の実施例では、本発明の特色は、点火ドライバゲート信号と、点火コイルチャージ電流フィードバック信号及びイオン化信号を多重化し、それによってパッケージピン数を２本減少させる。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

A constant current Iw is applied to a driving transistor of a pixel of the display panel, and a gate terminal voltage of the driving transistor is used to generate the precharge voltage Vp.例文帳に追加

プリチャージ電圧Ｖｐは、表示パネルの画素の駆動トランジスタに定電流Ｉｗを印加し、定電流Ｉｗを流している駆動用トランジスタのゲート端子電圧を用いて発生させる。 - 特許庁

In the method for reading the nuclear spin state, a donor arranged in a crystalline floating gate region is irradiated with monochromatic light resonating with only a specified nuclear spin state (step 3) to detect a change in a drain current.例文帳に追加

結晶性のフローティングゲート領域に配置したドナーに、特定の核スピン状態にのみ共鳴する単色光を照射し、ドレイン電流の変化を検出することで解決する。 - 特許庁

A reference voltage VE which is to be the operation reference of current control is generated by making use of the difference in the threshold voltages between the gate and the source of a pair of MOS transistor Q3 and Q4.例文帳に追加

電流制御の動作基準となる基準電圧ＶＥを、一対のＭＯＳトランジスタＱ３，Ｑ４のゲート・ソース間しきい値電圧の差を利用して生成するようにした。 - 特許庁

To provide a production process of a high purity Ti material for obtaining a high reliability semiconductor element by employing a film composed of a Ti nitride in a contact barrier layer, a gate electrode or the like thereby suppressing leak current of a semiconductor element.例文帳に追加

高信頼性の半導体素子を得るために、Ｔｉ窒化物から成る膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁

A gate and a drain of a PMOS 31 are short-circuited, a constant current generation circuit 34 and a resistor 35 are connected in parallel between a connection point and a grounding terminal GND.例文帳に追加

ＰＭＯＳ３１のゲートとドレインは短絡しており、当該接続点と接地端子ＧＮＤとの間に定電流発生回路３４と抵抗３５が並列に接続されている。 - 特許庁

The gate terminal receives the control signal for controling a channel between the first and second drain/source terminal for adjusting the OLED current flowing through the channel.例文帳に追加

該ゲート端子は、該チャンネルを流れる有機発光ディスプレイの電流を調節する為に、第１のドレイン／ソース端子と第２のドレイン／ソース端子との間のチャネルを制御する制御信号を受信する。 - 特許庁

The intensity of drain current noise of a specified low frequency that each transistor generates in it saturation area is measured while a drain voltage has a specified value and a gate voltage is varied (S2).例文帳に追加

その各トランジスタが飽和領域で発生する所定の低周波におけるドレイン電流雑音強度を、ドレイン電圧が所定値の下でゲート電圧を変化させて測定する（Ｓ２）。 - 特許庁

To solve the problems wherein parasitic bipolar transistor operation results since a breakdown current passes under a source region for surrounding a back gate region in a conventional semiconductor device.例文帳に追加

従来の半導体装置においては、ブレイクダウン電流が、バックゲート領域を包囲しているソース領域の下を通ることになるため、寄生バイポーラトランジスタ動作が引き起こされてしまう。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device which is good in response characteristics, can improve the problem of current collapse, and also can form a gate recess portion exactly equal to device design values with good reproducibility.例文帳に追加

応答特性が良く電流コラプスの問題を改善できると同時に、デバイス設計値どおりのゲートリセス部を再現性よく形成しうる窒化物半導体装置を得ること。 - 特許庁