「gate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A thermal oxidation silicon film (SiO_2) is formed as a gate insulating film on the front surface of a silicon substrate (P-Si) of conductive p-type silicon wafer used as a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極として用いる導電性Ｐ型シリコンウェフアーのシリコン基板（Ｐ−Ｓｉ）の表面に、ゲート絶縁膜として熱酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2）を形成する。 - 特許庁

A second insulation film 10 is piled to cover the control gate 8, the first insulation film 7, the floating gate 3 and the side wall of the tunnel oxidation film 2 by the second insulation film 10.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０を堆積して、制御ゲート８、第１の絶縁膜７、浮遊ゲート３およびトンネル酸化膜２の側壁を第２の絶縁膜１０で覆う。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode in a semiconductor device, which can prevent abnormal oxidation of a titanium silicide film when the surface of a gate electrode consisting of a doped polysilicon film and the titanium silicide film is re-oxidized.例文帳に追加

ドープしたポリシリコン膜及びチタンシリサイド膜からなるゲート電極表面が再酸化する際、チタンシリサイド膜の非正常的な酸化を防止できる半導体素子のゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

Nitrogen peaks 3, 4 are formed in an interface between a gate oxide film 2 and a silicon substrate 1 and in the gate oxide film 2, by repeating alternately a thermal oxidation treatment process and a heat treatment process in gas containing NO or N2O.例文帳に追加

熱酸化処理工程と、ＮＯ或いはＮ_2 Ｏを含むガス中での熱処理工程を交互に繰り返すことによって、ゲート酸化膜２とシリコン基板１との界面と、ゲート酸化膜２中の２か所に窒素ピーク３，４を設ける。 - 特許庁

A double-angle smile oxide structure can be obtained by designing a gate electrode 22 to have the curved structure with its side surface spread toward the upper part and by forming a thick end edge portion of a gate oxide film 21 through re-oxidation.例文帳に追加

ゲート電極２２を、その側面が上部に向かって広がるように湾曲した構造にするとともに、再酸化によりゲート酸化膜２１の端縁部を厚くすることで、ダブル角度スマイル酸化構造を得る。 - 特許庁

After the resist 205 is stripped off, a thick gate insulating film 208 is formed by oxidation, so that a gate insulating film formed in the region A may become a desired thickness.例文帳に追加

レジスト２０５を剥離した後、酸化処理を行い、高圧系トランジスタ形成領域Ａのゲート絶縁膜が所望の膜厚となるように厚膜ゲート絶縁膜２０８を形成する。 - 特許庁

First and second outermost layers 50a, 50c brought into contact with the floating gate 40 and the control gate 36, respectively, are composed of silicon oxide layers formed by thermal oxidation.例文帳に追加

フローティングゲート４０およびコントロールゲート３６にそれぞれ接する第１および第２の最外層５０ａおよび５０ｃは熱酸化法によって形成された酸化シリコン層からなる。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor which is stable in element characteristics and excellent in reliability by a method wherein an oxidation- reduction reaction is restrained from occurring between a gate electrode and a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極とゲート絶縁膜との間の酸化還元反応を抑制することにより、安定した素子特性および良好な信頼性を実現する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

The difference in oxidizing speed of an oxide film by thermal oxidation between a polysilicon of a gate electrode 13 and a semiconductor substrate is utilized to form an inter-layer insulating film 17 embedded in the opening part of a trench 7 at the upper part of the gate electrode 13.例文帳に追加

ゲート電極１３のポリシリコンと半導体基板の熱酸化による酸化膜の酸化速度の違いを利用し、ゲート電極１３上部のトレンチ７開口部に埋め込まれた層間絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

After forming a gate insulating film 12a on a semiconductor substrate 10, a gate electrode 14a, and an interlayer insulating film 16a are formed by depositing a polysilicon layer, thermal oxidation, etching the shoulder of an oxide film, and patterning a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、熱酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

Consequently, a silicon containing substance existing along an edge of the gate pattern is selectively oxidized while suppressing the oxidation of the metal layer included in the metal gate pattern to satisfactorily cure the etching damage and simultaneously prevent punch-through in the gate insulating layer.例文帳に追加

これにより、金属ゲートパターンに含まれた金属層の酸化を抑制しつつ、ゲートパターンのエッジにあるシリコン含有物質を選択的に酸化させてエッチングダメージを良好にキュアリングできると同時にゲート絶縁層のパンチスルーを防止できる。 - 特許庁

The method comprises a step (a) of providing a gate electrode structure formed on a semiconductor substrate, a step (b) of conducting a short- time annealing (RTA) using a mixed gas of a nitrogen gas and a hydrogen gas on the gate electrode structure, and a step (c) of conducting a short-time thermal oxidation on the gate electrode structure.例文帳に追加

本発明方法は、（ａ）半導体基板上に形成されるゲート電極構造を提供する段階と、（ｂ）該ゲート電極構造に対し窒素ガス及び水素ガスを含む混合ガスを用いる短時間アニ—ル（RTA）を施す段階と、（ｃ）該ゲート電極構造に対し短時間熱酸化を施す段階とからなる。 - 特許庁

An ONO film for a gate insulating film 25a of a memory transistor of a nonvolatile memory cell is formed, on which the gate electrode 20a of the memory transistor is formed, and the side surface of the gate electrode 20a is oxidized with quick thermal oxidation to form an insulating film 23.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのメモリトランジスタのゲート絶縁膜２５ａ用のＯＮＯ膜を形成し、その上にメモリトランジスタのゲート電極２０ａを形成し、ゲート電極２０ａの側面を急速熱酸化により酸化して絶縁膜２３を形成する。 - 特許庁

After a gate insulation film 12a is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, a gate electrode layer 14a and an interlayer insulation film 16a are formed by deposition of a polysilicon layer, an oxidation of the surface, etching in a shoulder part of an oxide film and patterning of a gate.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にゲート絶縁膜１２ａを形成した後、ポリシリコン層の堆積、表面酸化、酸化膜の肩部エッチング、ゲートパターニングの処理によりゲート電極層１４ａ及び層間絶縁膜１６ａを形成する。 - 特許庁

An oxide film serving as a gate oxide layer 2 is formed on a silicon semiconductor substrate 1, a shield is laminated on the oxide film at a position where a gate electrode is formed, the oxide film is additionally grown by oxidation, then the shield is removed, and a gate electrode 6 is formed on a site from which the shield is removed.例文帳に追加

シリコン半導体基盤１上にゲート酸化層２となる酸化膜を形成し、ゲート電極が作成される位置の酸化膜上に遮蔽体を積層し、酸化を行って酸化膜を追加成長させた後に遮蔽体を除去し、遮蔽体を除去した跡にゲート電極６を作成する。 - 特許庁

To enable to thin an insulation film (a film thickness converted to an oxide film) between a floating gate and a control gate with charge holding characteristics and dielectric strength maintained, and to prevent reduction in capacitance due to a bird's beak entering the floating gate and the control gate in a required oxidation process after the control gate is processed.例文帳に追加

電荷保持特性及び絶縁耐圧を維持したまま浮遊ゲートと制御ゲート間の絶縁膜（酸化膜換算膜厚）を薄膜化でき、制御ゲート加工後に必要な酸化工程において、浮遊ゲート及び制御ゲートにバーズビークが侵入して容量が低下するのを防止できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, by forming the barrier metal film from a substance having large oxidation resistance, the oxidation of the barrier metal film during subsequent heat treatment process in the semiconductor device is prevented in an oxygen environment, and deterioration properties of the gate electrode and current leakage phenomenon are prevented.例文帳に追加

従って、バリア金属膜を耐酸化性の大きい物質で形成することで、酸素雰囲気の中で半導体装置の後続熱処理工程中のバリア金属膜の酸化を防止し、ゲート電極の劣化特性及び電流漏れ現象を防止することができる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a silicon oxide film 2 formed on a single crystalline silicon substrate 1 in a predetermined region, and the gate insulating film 3 as the thermal oxidation film formed by thermally oxidizing the surface of the silicon substrate 1 in a region adjacent to the silicon oxidation film.例文帳に追加

半導体装置は、単結晶シリコン基板１上の所定の領域に形成されたシリコン酸化膜２、それと隣接する領域に単結晶シリコン基板１の表面を熱酸化して形成した熱酸化膜であるゲート絶縁膜３を備える。 - 特許庁

Accordingly, also in the interface with a gate insulating film 4 formed by a HfAl_xO_y film, the oxidation resistance of a metal electrode film 5 is improved, and oxidation of metal electrode film 5 is made to be controlled also under high temperature environment at the time of film formation and annealing.例文帳に追加

これにより、ＨｆＡｌ_xＯ_y膜で形成されているゲート絶縁膜４との界面においても、金属電極膜５の耐酸化性が向上し、成膜時やアニール時の高い温度環境下でも、金属電極膜５の酸化が抑制されるようになる。 - 特許庁

A field oxide film 23 is formed on an N-type silicon substrate 21 by a selective oxidation method and thereafter, gate oxide films 24 are respectively formed by lamination on a transistor formation region on the above substrate 21 excluding said oxide film 23 by a thermal oxidation.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板（２１）上に、選択酸化法によりフィールド酸化膜（２３）を形成した後、該酸化膜（２３）を除く前記基板（２１）のトランジスタ形成領域上に熱酸化によりゲート酸化膜（２４）を夫々積層形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type semiconductor element with which the surface of a polysilicon layer can be oxidized selectively and, in addition, can suppress the threshold voltage fluctuation of a semiconductor element caused by post-oxidation as much as possible, when the post- oxidation is performed on a gate electrode having a polymetal structure.例文帳に追加

ポリメタル構造を有するゲート電極に対する後酸化を行うとき、ポリシリコン層の表面を選択的に酸化することができ、しかも、後酸化に起因した半導体素子の閾値電圧の変動を出来る限り抑制し得るｐ形半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

On one side surface of the oxidation-resistant insulating film 8 facing the other side surface of the oxidation-resistant insulating film 8 provided with the P-type silicon film 11, a semiconductor substrate protruding portion 7 acting as a back gate channel portion BGC is provided over the semiconductor substrate 1 via an oxide film 10.例文帳に追加

Ｐ型シリコン膜１１が設けられる耐酸化性絶縁膜８の一側面と対向する耐酸化性絶縁膜８の他側面には、バックゲート・チャネル部ＢＧＣとしての半導体基板突起部７が半導体基板１上に酸化膜１０を介して設けられる。 - 特許庁

An insulation film (a gate oxide film) is formed on the surface of a monosrystal layer of Si, Ge, or the like comprising not less than two kinds of semiconductor on the semiconductor wafer by thermal oxidation in an atmosphere including reducer and oxidizing agent as oxidation species to the monocrystal layer.例文帳に追加

また、半導体基板上の２種類以上の半導体からなるＳｉＧｅなどの単結晶層の表面上に前記単結晶層に対する酸化種として還元剤及び酸化剤を含む雰囲気による熱酸化によって絶縁膜（ゲート酸化膜）を形成する。 - 特許庁

The first gate electrode 1032a is formed on the first gate insulating film 1030a and has a first lower gate electrode 1011a, containing metal atoms, a first oxidation resistant film 1012a composed of a material containing simple substance of carbon or a material containing carbon in the molecule, and a first upper gate electrode 1013a.例文帳に追加

第１のゲート電極１０３２ａは、第１のゲート絶縁膜１０３０ａ上に形成され、金属原子を含む第１の下部ゲート電極１０１１ａと、炭素の単体を含む材料、または分子中に炭素を含む材料からなる第１の酸化防止膜１０１２ａと、第１の上部ゲート電極１０１３ａとを有している。 - 特許庁

Since a part of a gate electrode and the sidewall of the trench are oxidized simultaneously, a part of the gate electrode is oxidized thicker than the sidewall of the trench due to difference of oxidation rate; and since a part of the gate electrode does not touch the isolation edge, the influence of the gate voltage is suppressed so that channel is not formed at the isolation edge.例文帳に追加

さらに、ゲート電極の一部およびトレンチの側壁を同時に酸化することで酸化レートの差異からゲート電極の一部がトレンチ側壁よりも厚く酸化され、ゲート電極の一部が素子分離端にかからないようにすることでゲート電圧の影響を小さくし、素子分離端でチャネルが形成されないようにすることを特徴としている。 - 特許庁

Consequently, oxidation of polysilicon composing the gate electrode 9 in wet atmosphere can be controlled, and such a matter that the gate electrode 9 is oxidized entirely and does not play a role as a gate electrode 9 or a matter that ohmic contact cannot be taken with the gate electrode 9 can be prevented from occurring.例文帳に追加

このため、ゲート電極９を構成するためのポリシリコンがウェット雰囲気にて酸化されることを抑制でき、ゲート電極９がすべて酸化されてしまってゲート電極９の役割を果たさなくなったり、ゲート電極９とのオーミックコンタクトが取れなくなるという問題が発生を防止できる。 - 特許庁

The bottom gate type insulated gate field effect transistor has a gate electrode composed of aluminum containing a group 3 element or a material principally comprising aluminum wherein the gate electrode is anodized to form an anodic oxide on the surface thereof thus progressing anodic oxidation uniformly.例文帳に追加

ボトムゲイト型の絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、ゲイト電極に３族元素が含まれたアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料により構成され、前記ゲイト電極の表面には該ゲイト電極を陽極酸化して形成される陽極酸化物が設けることで、陽極酸化を均一に進行させることができる。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device, a polysilicon film is made on a thermal oxide film formed on a silicon substrate 31, and a gate electrode 35 and a gate oxide film 32a are formed through etching, and after removal of a photoresist film, a peripheral oxide film 38 united with the gate oxide film 32a and the thermal oxide film is made through thermal oxidation method around the gate electrode 35.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板３１上に形成した熱酸化膜３２上にポリシリコン膜３３を形成し、エッチングを行ってゲート電極３５及びゲート酸化膜３２ａを形成し、フォトレジスト膜３４を除去してから、ゲート電極３５の周囲に、ゲート酸化膜３２ａ及び熱酸化膜３２と一体化した周囲酸化膜３８を熱酸化法で形成する。 - 特許庁

The floating gate type electric field effect transistor Tr has a source 13 and a drain 14 formed in a P type well provided in the N type well of a P type semiconductor board 10, a floating gate 16 formed through a tunnel oxidation film 15 between the sources 13 and the drains 14, and a control gate 18 formed through an interlayer insulation film 17 on the floating gate 16.例文帳に追加

浮遊ゲート型電界効果トランジスタＴｒは、Ｐ型半導体基板１０のＮ型ウエル内に設けられたＰ型ウエル内に形成されたソース１３，ドレイン１４と、ソース１３，ドレイン１４間上にトンネル酸化膜１５を介して形成された浮遊ゲート１６と、浮遊ゲート１６上に層間絶縁膜１７を介して形成された制御ゲート１８とを有する。 - 特許庁

It is coupled with a chamber 3 for introducing a sample, a gate precleaning chamber 4, a lamp heating or electrical heating gate oxidation furnace 5, a gate deposition furnace 6 by CVD, a physical analysis chamber 7, and a gate electrode deposition furnace 8 by CVD, wherein the physical analysis chamber 7 is coupled with a spectrum analyzer 9.例文帳に追加

サンプル導入用のイントロ室３、ゲート前洗浄室４、ランプ加熱式または電気加熱式のゲート酸化炉５、化学気相蒸着法等によるゲート堆積炉６、物理分析室７、化学気相蒸着等によるゲート電極堆積室８と接続され、上記物理分析室７はスペクトル解析装置９と繋がっている。 - 特許庁

The element formation areas of a first processing circuit part Q1n and a second processing circuit part Q2n are secured, and the gate heat oxidation film 10a of the MOS transistor of the first processing circuit part Q1n and the gate heat oxidation film 7e of the MOS transistor of the second processing circuit part Q2n are formed on the their areas.例文帳に追加

半導体基板１上には、第１処理回路部Ｑ１ｎ及び第２処理回路部Ｑ２ｎの素子形成領域が確保され、それぞれのゲート領域には、第１処理回路部Ｑ１ｎのＭＯＳトランジスタのゲート熱酸化膜１０ａ、及び第２処理回路部Ｑ２ｎのＭＯＳトランジスタのゲート熱酸化膜７ｅが形成される。 - 特許庁

A thicker gate oxidation film 30 and a higher supply potential VH are provided on the transistor 28 used for forming a power amplifier 78, a thinner gate oxidation film 60 related to the conventional speedy switching speed and progressed process technology is used for the other use on the same integrated circuit 10, so that the following can be performed.例文帳に追加

電力増幅器７８を形成するために使用されるトランジスタ２８に、より厚いゲート酸化膜３０及びより高い供給電位Ｖ_Hとを設け、従来の速いスイッチング速度及び進歩したプロセス技術に関連したより薄いゲート酸化膜６０を同じ集積回路１０上の別の用途に使用することによって、このことを行うことができる。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device including a thin film transistor including a gate electrode 103, a gate insulation film 105 containing nitrogen, and a channel region formed using microcrystalline semiconductor films 107 and 109 comprises: performing plasma treatment in a manner that the gate insulation film is exposed to plasma in an oxidation gas atmosphere including hydrogen and an oxidation gas including an oxygen atom; and forming the microcrystalline semiconductor films on the gate insulation film.例文帳に追加

本発明の一態様は、ゲート電極１０３、窒素を含むゲート絶縁膜１０５、微結晶半導体膜１０７，１０９によって形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜を、酸素原子を含む酸化ガスと水素とを有する酸化ガス雰囲気のプラズマに曝すプラズマ処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に前記微結晶半導体膜を形成し、前記酸化ガス雰囲気における前記水素の量をａとし、前記酸化ガスの量をｂとした場合に下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 特許庁

The insulation properties of gate insulating films of the first semiconductor layer transistor and second semiconductor layer transistor are almost identical, and the gate insulating film of the second semiconductor layer transistor is formed by radical oxidation or radical nitriding.例文帳に追加

なお、第１半導体層トランジスタのゲート絶縁膜の絶縁性と、第２半導体層トランジスタのゲート絶縁膜の絶縁性とは概ね同等であり、第２半導体層トランジスタのゲート絶縁膜は、ラジカル酸化又はラジカル窒化により形成される。 - 特許庁

Alternatively, part of damage and contamination caused during patterning of the gate electrode 5 is taken into an oxide film through oxidation processing to be removed after the gate electrode 5 is patterned and before the source-drain region 9 is formed.例文帳に追加

または、ゲート電極５のパターンニング後、ソース・ドレイン領域９を形成する前に、酸化処理を行うことによってゲート電極５のパターンニングの際に生じるダメージや汚染の一部を酸化膜中に取り込んで基板から除去する。 - 特許庁

Thus, there is provided a MIS transistor wherein electrode oxidation is suppressed in the gate electrode interface, effectual work function deterioration in the gate electrode does not occur, and threshold voltage Vt is reduced, by absorbing diffusion oxygen in the oxygen concentration adjusting thin film 4.例文帳に追加

これにより、酸素濃度調整薄膜４に拡散酸素が吸収されることによって、ゲート電極界面における電極酸化を抑制し、ゲート電極の実効的な仕事関数の劣化が起きず、閾値電圧Ｖｔを低減したＭＩＳトランジスタを実現できる。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device for forming two electrodes on a semiconductor substrate and a source region at a region being sandwiched by the gate electrodes in self-aligned manner, a thermal oxidation process for thermally oxidizing the sidewall of the gate electrodes is made before the process for forming a TEOS film.例文帳に追加

半導体基板上に２つのゲート電極を形成し、該ゲート電極に挟まれた領域に自己整合的にソース領域を形成する半導体装置の製造方法において、ＴＥＯＳ膜形成工程前に、該ゲート電極の側壁を熱酸化する熱酸化工程を行なう。 - 特許庁

That means, a trench is formed in parallel to a gate electrode 13 on the upper part of the element isolation insulating film 16 so as to sandwich the gate electrode 13, and the trench is buried by the stress providing film 17 formed by thermal oxidation of the amorphous silicon.例文帳に追加

即ち、素子分離絶縁膜１６の上部にはゲート電極１３を挟むようにゲート電極１３と平行に溝が形成され、該溝は、アモルファスシリコンを熱酸化して形成された応力付与膜１７により埋め込まれている。 - 特許庁

The substrate 10 is thermally oxidized to form a first gate insulating film 110 and a second gate insulating film 210 in a first element region 101 and a second element region 201, respectively, and to form a thermal oxidation film on the substrate 10 positioned in a third element region 301 and a fourth element region 401.例文帳に追加

基板１０を熱酸化することにより、第１素子領域１０１及び第２素子領域２０１に、第１ゲート絶縁膜１１０及び第２ゲート絶縁膜２１０を形成し、かつ第３素子領域３０１及び第４素子領域４０１それぞれに位置する基板１０に熱酸化膜を形成する。 - 特許庁

The thermal oxidation of the substrate 1 allows a first gate insulating film 7 having a different composition and a thinner thickness to be formed in the region where the film 5 is formed, and at the same time, a second gate insulating film 8 which is thick to be formed on the surface of the substrate 1 where the film 5 is not formed.例文帳に追加

このシリコン基板の熱酸化により、シリコン窒化膜の形成されている領域に組成が異なり薄い膜厚のゲート絶縁膜を形成し、同時に、上記シリコン窒化膜の形成されないシリコン基板表面に膜厚の厚いゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In this MOS semiconductor device, the edge of the gate electrode is protected against deformation attendant on an additional growth of an oxide film by oxidation and located on an oxide film 2' which is enhanced in thickness, so that a gate electrode is stably kept high in withstand voltage, and a MOS semiconductor device enhanced in withstand voltage can be obtained.例文帳に追加

本発明のＭＯＳ型半導体装置では、ゲート電極の端は、酸化膜の追加酸化成長に伴なう歪を受けることが無く、厚膜化された酸化膜２′上に位置しているので、安定して良質な耐圧性能を呈するゲート電極となり、耐圧性能を持つＭＯＳ型半導体装置となる。 - 特許庁

To provide a gate forming method of a flash memory element for preventing excessive oxidation and restricting ONO (Oxide-Nitride-Oxide) smiling, by carrying out nitrogen thermal process and RTO process, and reducing sheet resistance of a tungsten silicide film after a gate is formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にゲートを形成した後、窒素熱処理とＲＴＯ工程を行ってタングステンシリサイド膜のシート抵抗を減少させ、過度な酸化を防止するうえ、ＯＮＯ（Oxide-Nitride-Oxide）スマイリングを抑えるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

The silicon nitride film 17 is removed using the mask of a resist pattern 19, the resist pattern 19 is removed, the gate oxide film 11 is removed using the mask of the silicon nitride film 17 (F), and a third gate oxide film is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

レジストパターン１９をマスクにしてシリコン窒化膜１７を除去した後、レジストパターン１９を除去し、シリコン窒化膜１７をマクスにしてゲート酸化膜１１を除去し（Ｆ）、熱酸化処理により第３ゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

On the main face of the same semiconductor substrate IS, a gate insulating film 4a of an inside circuit area ICA is made a high dielectric film, and a gate insulating film 3a of an input and output circuit area I/O is made an oxidation silicon film or a nitriding silicon film.例文帳に追加

同一の半導体基板１Ｓの主面上において、内部回路領域ＩＣＡのゲート絶縁膜４ａは高誘電体膜とし、入出力回路領域Ｉ／Ｏのゲート絶縁膜３ａを酸化シリコン膜または酸窒化シリコン膜とした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that suppresses a drop in On-state current of a transistor while having a gate electrode that prevents the occurrence of depletion effects and suppresses oxidation in a manufacturing process, corrosion due to chemicals, and contamination of a heat treatment device due to metals contained in the gate electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

空乏化を生じず、また、製造工程における酸化、薬液による腐食、含有する金属による熱処理装置の汚染を抑えることのできるゲート電極を有し、且つトランジスタのオン電流の低下を抑えることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁