「gate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then the nitriding is carried out to positively introduce nitrogen in the oxide film formed through the oxidation processing nearby the end of the gate electrode 5 and including the damage.例文帳に追加

その後、窒化処理を行うことにより、酸化処理によってゲート電極５端部付近に形成され、ダメージを含む酸化膜に積極的に窒素を導入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a multilayer gate electrode, which has a low-resistance film with low oxidation resistance on a polysilicon film, and a self-aligned contact.例文帳に追加

ポリシリコン膜上に耐酸化性が低い低抵抗膜を積層した多層構造のゲート電極を有し、セルフアラインコンタクトを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Next, a side wall including a silicon insulation film 8 covering the side and a silicon oxidation film covering silicon nitriding film 8 is formed on the inside of the gate electrode 3.例文帳に追加

次に、ゲート電極３の側面に、この側面を覆うシリコン絶縁膜８と、シリコン窒化膜８を覆うシリコン酸化膜とを含むサイドウォールを形成する。 - 特許庁

Otherwise the film thickness of the light oxidation film 11b extending on a source or a drain from the end of the gate electrode of MISFETQs is 4 nm or wider.例文帳に追加

もしくは、ＭＩＳＦＥＴＱｓのゲート電極の端部からソースもしくはドレイン上に延在するライト酸化膜１１ｂの膜厚を、４ｎｍ以上とする。 - 特許庁

The polysilicon part 21 of the diode 10 is formed by etching the same polysilicon film as a floating gate 14 as thermal oxidation films 15, 24 are made masks.例文帳に追加

ダイオード１０のポリシリコン部２１は、浮遊ゲート１４と同一のポリシリコン膜を、熱酸化膜１５及び２４をマスクとしてエッチングすることで形成される。 - 特許庁

A nonporous anode oxidation film (MAO) 5 is formed by anodizing the surface of a wiring metal film formed on a substrate, and then the wiring metal film is patterned to form a gate electrode 4.例文帳に追加

基板上に形成された配線金属膜の表面を陽極酸化することにより無孔質陽極酸化膜(ＭＡＯ)５を形成した後、配線金属膜をパターニングしてゲート電極４を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, which can suppress deterioration in characteristic of a thin film transistor by performing plasma oxidation treatment on a gate insulation film including nitrogen.例文帳に追加

窒素を含むゲート絶縁膜にプラズマ酸化処理を行うことで、薄膜トランジスタの特性の低下を抑制できる半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

A first thin gate insulation film 131 is then formed on the surface of the semiconductor film 10a by atmospheric pressure plasma oxidation and a resist mask 401 is formed on the surface thereof.例文帳に追加

次に、半導体膜１０ａの表面に薄い第１のゲート絶縁膜１３１を大気圧プラズマ酸化により形成し、この表面にレジストマスク４０１を形成する。 - 特許庁

Then, a gate oxide film 13B thinner than the trench oxide film 16 is formed in the trench 17 by thermal oxidation of the N-type semiconductor layer 12 including the inside of the trench 17.例文帳に追加

そして、トレンチ１７内を含むＮ−型半導体層１２を熱酸化することにより、トレンチ酸化膜１６よりも薄いゲート酸化膜１３Ｂをトレンチ１７内に形成する。 - 特許庁

The three layer polymetal gate layer 11 is not exposed but covered with an oxidation preventive film 7 composed of a material having an oxygen diffusion rate lower than that of silicon.例文帳に追加

そして、３層ポリメタルゲート１１が露出することなく、ポリシリコンより酸素の拡散速度の遅い材料からなる酸化防止膜７で覆われる。 - 特許庁

Even if a residue occurs at the end portion of the gate electrode when in etching caused by micro particle, the residue is converted into an enhanced oxidation film, allowing the prevention of short.例文帳に追加

微小パーティクルによりエッチング時にゲート電極膜の端部に残りが発生しても、その残りを増速酸化膜に転化することができ、ショートを防止することができる。 - 特許庁

Then, a gate insulating film is formed on the polysilicon, by supplying ozone gas to the polysilicon of the substrate by emitting the rays of light of the ultraviolet region from a light source 14, in an oxidation treatment furnace 10.例文帳に追加

次いで、酸化処理炉１０内で光源１４からの紫外領域の光を照射のもと前記基板のポリシリコンにオゾンガスを供して前記ポリシリコン上にゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Gate electrodes 7A, 7B, and 7C that include a tungsten (W) film are formed, followed by being subjected to re-oxidation a treatment on condition that the tungsten film is not practically oxidized.例文帳に追加

タングステン（Ｗ）膜を含むゲート電極７Ａ、７Ｂ、７Ｃを形成し、続いて実質的にタングステン膜を酸化しない条件で再酸化処理を行う。 - 特許庁

The p-type contact layer 26b can reduce the contact resistance with the gate electrode 15 and prevent the oxidation of the p-type layer 26a.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層２６ｂによりゲート電極１５との接触抵抗を小さくすることができると共に、ｐ型層２６ａの酸化を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the occurrence of a crystal defect caused by thermal oxidation in a fabrication method, while reducing the capacitance caused by the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極起因の容量を低減し、かつ製造工程における熱酸化に起因する結晶欠陥の発生が抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxidation to the tantalum films is carried out by heat treatment under a highly humid atmosphere so as to remove defects previously generated in implanting impurities to semiconductor films via the gate insulating films and the dielectric film from the dielectric film 44.例文帳に追加

タンタル膜に対する酸化は、高湿度雰囲気中での熱処理により行い、それより以前にゲート絶縁膜および誘電体膜を介して半導体膜に不純物を打ち込んだ際の欠陥を誘電体膜４４から除去する。 - 特許庁

A thin first gate insulating film 131 is formed on the surface of the semiconductor film 10a by a high-pressure wet oxidation, on the surface of which a resist mask 401 is formed.例文帳に追加

次に、半導体膜１０ａの表面に薄い第１のゲート絶縁膜１３１を高圧ウェット酸化により形成し、この表面にレジストマスク４０１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor body is then exposed to an environment suitable for oxidation, to thicken the remaining portions of the initial oxide film, thereby forming the gate oxide film, and to form the tunnel oxide film over the heavily doped N+ layer.例文帳に追加

初期の酸化膜の残りの部分の厚みを増しそれによってゲート酸化膜を形成するために、さらに濃くドープされたＮ＋層上にトンネル酸化膜を形成するために、半導体本体は酸化に適切な環境にその後さらされる。 - 特許庁

This sacrificial oxidation allows oxide spacer formation for gate-to-source/drain isolation, which enables raised source/drain fabrication without increasing contact resistance.例文帳に追加

この犠牲酸化によって、ゲートとソース／ドレインとを分離するための酸化物スペーサが形成され、したがってコンタクト抵抗を増大させずに隆起型ソース／ドレインを製作することが可能になる。 - 特許庁

After the transistor of an LLD structure is formed on the logic area 102, the silicon oxidation film formed on the side of the gate electrode 3 is removed by wet etching.例文帳に追加

そして、ロジック領域１０２にＬＤＤ構造のトランジスタを形成した後、ゲート電極３の側面に形成されたシリコン酸化膜をウェットエッチングにより除去する。 - 特許庁

Oxide films 10, 12 of 10 nm or smaller thickness are formed by thermal oxidation of silicon on the sides of the FUSI gate 50 and a silicon substrate 1, respectively.例文帳に追加

ＦＵＳＩゲート５０の側面には酸化膜１０が、シリコン基板１上には酸化膜１２が、それぞれ、シリコンの熱酸化により１０ｎｍ以下の膜厚で形成されている。 - 特許庁

To prevent generation of plasma damage in a gate recess region and reduce interface level density, regarding a recess oxidation type field effect compound semiconductor device and a method of manufacturing the device.例文帳に追加

リセス酸化型電界効果型化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ゲートリセス領域におけるプラズマダメージの発生を防止し、界面準位密度を低減する。 - 特許庁

The method further comprises steps of forming the protective oxide film in this state by a thermal oxidation treating step, thereafter patterning the amorphous silicon film, and forming the gate electrode on the element region.例文帳に追加

さらにこの状態で保護酸化膜を熱酸化処理工程により形成し、その後で前記アモルファスシリコン膜をパターニングして前記素子領域にゲート電極を形成する。 - 特許庁

A polysilicon layer is deposited on an upper surface of a substrate after forming a gate insulating film 14 in an element hole of a field insulating film 12, and thereon a silicon oxide layer is formed by thermal oxidation.例文帳に追加

フィールド絶縁膜１２の素子孔内にゲート絶縁膜１４を形成した後、基板上面にポリシリコン層を堆積し、その表面に熱酸化によりシリコンオキサイド層を形成する。 - 特許庁

To enhance performance even when subjecting to ultrafine miniaturization by enabling prevention of abnormal oxidation of a metal for constituting a metal gate, when heat treating at manufacturing and a metal contamination of a tunnel insulating film.例文帳に追加

製造時の熱処理を行なう際に、メタルゲートを構成する金属の異常酸化とトンネル絶縁膜への金属汚染とを防止できるようにし、超微細化を行なっても高性能化を図れるようにする。 - 特許庁

A gate electrode 12 composed of an aluminum type metal which gets transparent on anodic oxidation, an auxiliary capacitance line 6 and the reflection layer 7 are simultaneously formed on a base insulating film 11 on a thin film transistor substrate 1.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板１上の下地絶縁膜１１上に、陽極酸化されると透明となるアルミニウム系金属からなるゲート電極１２、補助容量ライン６および反射層７を同時に形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device flat on the surface, low in an interface level and providing a metal oxidation film with good quality hardly having defects as a gate insulation film without containing H and C in the film.例文帳に追加

表面が平坦で界面準位が低くしかも膜中にＨやＣを含まず、欠陥の少ない良質な金属酸化膜をゲート絶縁膜として具備する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein, at post-oxidation for improved characteristics and reliability, a metal layer constituting a gate electrode is prevented from being oxidized while the fluctuation in threshold voltage is suppressed.例文帳に追加

特性や信頼性の向上を目的とした後酸化を行うとき、ゲート電極を構成する金属層の酸化を防止でき、しかも、閾値電圧の変動を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After an n+-type region 16b of a gate electrode 11 and a Poly-Si layer 16 is formed, thermal oxidation is carried out and an oxidized film 12 is formed.例文帳に追加

ゲート電極１１及びＰｏｌｙ−Ｓｉ層１６のうちのｎ^+型領域１６ｂを形成したのち、熱酸化を施して酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

Due to the nondoped polisilicon film, a selective oxide film 7 formed upon selective oxidation after gate electrode patterning can be made thin with a small bird's beak.例文帳に追加

ノンドープポリシリコンとすることで、ゲート電極パターニング後の選択酸化時に形成される選択酸化膜を薄く、バーズビークを小さくすることができる。 - 特許庁

Finally, a second gate insulating film 207 is formed only on a high-voltage element forming area 203 by using the silicon nitride film pattern 205a as an oxidation preventing mask pattern and the pattern 205a is removed.例文帳に追加

最後に、シリコン窒化膜パターン２０５ａを酸化防止マスクパターンとして高電圧素子形成領域２０３上のみに第２ゲート絶縁膜２０７を形成し、シリコン窒化膜パターン２０５ａを除去する。 - 特許庁

Then, let the remaining nitride silicon film 10 be an anti-oxidation mask, the MOS transistor formation region is selectively oxidized to form the gate-insulating film 12 of the MOS transistor having an arbitral thickness.例文帳に追加

次に、残った窒化シリコン膜１０を耐酸化マスクとして、ＭＯＳトランジスタ形成領域を選択酸化して、任意の膜厚を有するＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１２を形成させる。 - 特許庁

Moreover, when the method of forming silicon-carbide oxide film is applied to sacrificial oxidation, the formation of an element isolation film, and the formation of a gate oxide film in a semiconductor element manufacturing process, a high-quality semiconductor element can be manufactured efficiently.例文帳に追加

さらに、本発明の酸化膜製造方法を半導体素子の製造工程において、犠牲酸化、素子間分離膜の形成、ゲート酸化膜の形成に適用することにより、良質の半導体素子を効率的に製造することができる。 - 特許庁

Consequently, a thermal oxidation film 83 is formed along the surface of the wall of gate trench 21, so that the chemical bonding strength of the surface side of the deposition insulating layer 23 may improve, while the seam in deposition insulating layer 23 disappears.例文帳に追加

これにより，ゲートトレンチ２１の壁面沿いに熱酸化膜８３が形成され，堆積絶縁層２３中のシームが消滅するとともに堆積絶縁層２３の表層面の化学的結合力が向上する。 - 特許庁

To provide the cleaning method of wafers for preventing destruction of a gate oxide film at a wafer center section, the concentration of particles, and the oxidation and elution of a metal film formed on the wafers.例文帳に追加

ウエハ中央部におけるゲート酸化膜の破壊、パーティクルの集中並びにウエハ上に形成された金属膜の酸化及び溶出を防止することができるウエハの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

After the pattern of the gate metal Ag alloy film has been formed, the surface of the film is reversely sputtered or plasma treated to prevent a deterioration of characteristics, due to the oxidation of the Ag alloy film.例文帳に追加

またゲート金属Ａｇ系合金膜のパターン形成後、膜表面を逆スパッタする、またはプラズマ処理してＡｇ系合金膜の酸化による特性劣化を防止する。 - 特許庁

Using a resist 56, a laminate gate 46, and a thermal oxidation film 58 as a mask, a silicon oxide is highly selectively anisotropically etched (SAS etched).例文帳に追加

レジスト５６、積層ゲート４６および熱酸化膜５８をマスクとしてシリコン酸化物に対する選択性の高い異方性エッチング（ＳＡＳエッチング）を行なう。 - 特許庁

The element further comprises oxide films 15 and 17 that are formed at the interface between the cathode electrode 14 and the interlayer dielectric film 18, and at the interface between the gate electrode 16 and the interlayer dielectric film 18, respectively, by oxidation annealing, and are mainly composed of constituent elements of the underlying layer.例文帳に追加

カソード電極１４及びゲート電極１６と層間絶縁膜１８との界面に、酸化アニール処理により形成され、下地層の構成元素を主成分とする酸化膜１５，１７を備える。 - 特許庁

Consequently, when a gate insulating film is formed, enhanced oxidation is uniformly caused on the surfaces of the well region 3 and of source region 4, so that no step is formed between the surface of the well region 3 and the surface of the source region 4.例文帳に追加

このようにすれば、ゲート絶縁膜を形成するときに、ウェル領域３とソース領域４の表面で増速酸化が均一に起こり、もってウェル領域３表面とソース領域４表面の間に段差が生じることが無い。 - 特許庁

An oxynitirde film 5 is formed in a low breakdown voltage transistor LMOS region and an oxide film 7 which becomes the gate insulating film of high breakdown voltage transistor HMOS is formed through a thermal oxidation processing.例文帳に追加

低耐圧トランジスタＬＭＯＳ領域に酸窒化膜５を形成した後、熱酸化処理によって高耐圧トランジスタＨＭＯＳのゲート絶縁膜となる酸化膜７を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory which prevents an occurrence of an abnormal oxidation due to an exposure of a metal layer in the upper part of a gate when an insulating film spacer is removed, and can enhance the reliability of the process.例文帳に追加

絶縁膜スペーサの除去の際にゲート上部の金属層が露出して異常酸化が発生することを防止して工程の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Oxidation of an Si substrate 5 is not carried out in a process, before a gate insulating film 3 is formed on the Si substrate 5; and when an oxide film is necessary, it is formed by a CVD method or a PVD method.例文帳に追加

Ｓｉ基板５上にゲート絶縁膜３を形成する前の工程でＳｉ基板５の酸化を行わず、酸化膜が必要な場合はＣＶＤ法又はＰＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

The annealing treatment of the substrate on which the gate insulating film is formed is carried out, when the rays of light of the ultraviolet region are emitted in the oxidation treatment furnace 10, as necessary, after an electrode has been evaporated.例文帳に追加

前記ゲート絶縁膜が形成された基板は電極が蒸着された後に適宜に酸化処理炉１０内で紫外領域の光が照射されることでアニール処理される。 - 特許庁

Since the thermal oxidation film 58 is thin, a width w3 of the removed field oxide film 44 is not narrower than a gap w2 from the adjacent laminate gate 46.例文帳に追加

熱酸化膜５８の膜厚が薄いため、除去されるフィールド酸化膜４４の幅ｗ３は、隣接する積層ゲート４６の間隙ｗ２に比し、それほど狭くならない。 - 特許庁

Although the thermal oxidation film 58 is also reduced in height as it is corroded in the height direction by the SAS etching, a gate edge part 59 is protected by the film 58 during the SAS etching.例文帳に追加

ＳＡＳエッチングに際し、熱酸化膜５８も高さ方向に浸食されて背が低くなるものの、ＳＡＳエッチングの間、該熱酸化膜５８によってゲートエッジ部５９は保護される。 - 特許庁