「gate source」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

A stress voltage having a voltage value on the outside of a range of values which a display voltage can take is applied between a gate and a source of the driving transistor.例文帳に追加

駆動トランジスタのゲートソース間に、表示電圧の取り得る値の範囲外の電圧値を有するストレス電圧を印加する。 - 特許庁

The entirety can be applied to an element which is functioned as a transistor as a whole, in addition to a source region 54 and a gate electrode 60.例文帳に追加

ソース領域５４とゲート電極６０を加えて、全体としてはトランジスタとして機能する素子に適用することもできる。 - 特許庁

Source/drain regions 16 are formed on the surface layer of the Si-Body 14 so as to sandwich the gate insulating film 18 between them.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１８を挟むように、Ｓｉ−Ｂｏｄｙ１４の表面層にソース及びドレイン１６が形成されている。 - 特許庁

One source area (S) and one drain area (D) make at least the two gate areas (G1, G2) common.例文帳に追加

そして、１つのソース領域（Ｓ）と１つのドレイン領域（Ｄ）とを少なくとも２つのゲート領域（Ｇ１，Ｇ２）に共通とする。 - 特許庁

At least any one of the source electrode, the drain electrode and the gate electrode includes a metallic carbon nanotube structure.例文帳に追加

前記ソース電極、前記ドレイン電極及びゲート電極の少なくとも一つが金属性のカーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁

A bootstrap circuit 11 is connected, as a boosting circuit which makes higher potential than the power source Vs, to the gate of an FET7U.例文帳に追加

ＦＥＴ７Ｕのゲートには、電源Ｖsよりも高い電位を形成する昇圧回路としてブートストラップ回路１１を接続する。 - 特許庁

The transistor Tr21 for receiving light is formed so that a gate electrode 811 and a source electrode 815S are not overlapped.例文帳に追加

受光用トランジスタＴｒ２１は、ゲート電極８１１およびソース電極８１５Ｓが重複しないように形成されている。 - 特許庁

A gate electrode 210 is formed so as to cover the base region between the emitter/source region 206 and N-type region 202.例文帳に追加

エミッタ／ソース領域２０６とＮ型領域２０２との間のベース領域を覆うようにゲート電極２１０が形成されている。 - 特許庁

Next, a gate electrode is formed, a side spacer is formed, and thereafter a second source region and a drain region are formed at the same time.例文帳に追加

次に、ゲート電極を形成し、サイドスペーサーを形成した後、第２ソース領域とドレイン領域とを同時に形成する。 - 特許庁

The first extension wires are intersected with the second extension wires to define gate intersection region arrays and source / drain arrays on the substrate.例文帳に追加

第１延長配線は、第２延長配線と交差し、基板上にゲート交差領域アレイ及びソース／ドレインアレイを限定する。 - 特許庁

Therefore, a self-boost effect is operated upon the gate of the nMOS transistor 124 and the source potential of the nMOS transistor 124 is pushed up.例文帳に追加

このため、ｎＭＯＳトランジスタ１２４のゲートにセルフブースト効果が働き、ｎＭＯＳトランジスタ１２４のソース電位を押し上げる。 - 特許庁

An edge portion of a source layer 5 of the DMOS transistor is disposed so as to recede from an inner corner portion 7A of a gate electrode 7.例文帳に追加

ＤＭＯＳトランジスタのソース層５の端部は、ゲート電極７の内側のコーナー部７Ａから後退して配置されている。 - 特許庁

The aluminum electrode 80 as the passive element 80 is connected to the gate of MOSFET 81 and the source of MOSFET 82.例文帳に追加

受動素子８０であるアルミ電極８０は、ＭＯＳＦＥＴ８１のゲート及び、ＭＯＳＦＥＴ８２のソースに接続されている。 - 特許庁

The device has a common wire 502, gate wire 503, source wire 204 and alignment film in the outer peripheral region of a liquid crystal cell.例文帳に追加

液晶セルの外周領域において、コモン配線５０２、ゲート配線５０３、ソース配線２０４、及び配向膜を有する。 - 特許庁

In parts of the Si layer 14 which are located on both sides of a gate electrode, p-type source and drain regions 17 are formed.例文帳に追加

Ｓｉ層１４のうちゲート電極の両側方に位置する領域にはｐ型のソース・ドレイン領域１７が設けられている。 - 特許庁

When disconnection occurs in the power source line to the load, drain voltage becomes almost zero and thus, a drop of gate voltage is continued.例文帳に追加

負荷への電源ラインに断線が生じている場合は、ドレイン電圧がほぼゼロとなるので、ゲート電圧の低下が継続される。 - 特許庁

Source-drain regions 2 having contact with the gate oxide film 3 at the upper ends of the recessed part 10 are formed in the upper layer of the silicon substrate 1.例文帳に追加

凹部１０上端のゲート酸化膜３と接するソースドレイン領域２がシリコン基板１の上層に形成されている。 - 特許庁

As a result, the reverse voltage (a voltage between the gate and the source in the OFF state) of the PMOS transistor 12 can be controlled to VDD at the maximum.例文帳に追加

その結果、ＰＭＯＳトランジスタ１２の逆電圧（オフ状態でのゲート・ソース間電圧）は最大でもＶＤＤにできる。 - 特許庁

A gate structure (14) is formed on a channel region (16) which is interposed between a source region (18) and a drain region (20).例文帳に追加

ゲート構造（１４）は、ソース領域（１８）とドレイン領域（２０）との間に挿入されたチャネル領域（１６）上に形成される。 - 特許庁

The thin film transistor T contains a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25, and the channel forming region 26.例文帳に追加

薄膜トランジスタＴは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル形成領域２６を含んでいる。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, n^+-type source regions 105 are formed in the gate trenches 110 formed in stripe shapes.例文帳に追加

半導体装置１００は、Ｎ^＋型ソース領域１０５をストライプ状に形成されたゲートトレンチ１１０の内部に形成している。 - 特許庁

This circuit includes a 1st electric field-effect device having a 1st drain, a 1st gate and a 1st source connected to a powersupply VCC.例文帳に追加

第１のドレイン、第１のゲート、および電源Ｖ_CCに接続される第１のソースを有する第１の電界効果デバイスを含む。 - 特許庁

The source of the FET 6 is connected to the other of the output terminals of the diode bridge 4, and the gate is connected to a control circuit 13.例文帳に追加

ＦＥＴ６のソースは、ダイオードブリッジ４の出力端の他方と接続され、そのゲートは制御回路１３と接続される。 - 特許庁

A resistance adjustment circuit 1 using a potentiometer 21 (a resistance selection circuit) is built in between a voltage source 5 and a gate driver 6.例文帳に追加

電圧源５とゲートドライバ６との間に、ポテンショメータ２１（抵抗選択回路）を用いた抵抗調節回路１を組み入れる。 - 特許庁

In addition, compaction gate-current efficiency is enhanced by reverse biasing a source 11/a substrate 23 junction for the cell to be programmed.例文帳に追加

またプログラムされるセルのソース１１／基板２３接合を逆バイアルすることにより圧縮ゲート電流効率が向上する。 - 特許庁

When drain voltage becomes lower than reference voltage V1, gate voltage becomes low and the part between the source and the drain is difficult to be conducted.例文帳に追加

一方、ドレイン電圧が基準電圧Ｖ１を下回る場合は、ゲート電圧が低くなり、ソース・ドレイン間が導通し難くなる。 - 特許庁

The source of the FET 10 and the gate of the FET 11 are connected to ground plate on a rear side of substrate through via holes respectively.例文帳に追加

ＦＥＴ１０のソース及びＦＥＴ１１のゲートはそれぞれ、ビアを介して基板背面のグランドプレートに接続されている。 - 特許庁

The power supply VSS is connected to a source of an N-type MOS transistor Q4, the power supply VDD is connected to its gate and the node GP is connected to its drain.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ４のソースに電源ＶＳＳを、ゲートに電源ＶＤＤを、ドレインにノードＧＰを接続する。 - 特許庁

The film-forming device comprises a gate valve GB at each of the first to third evaporation source chambers 3A-3C for making it independent from the substrate transfer chamber 2.例文帳に追加

各第１〜第３蒸発源室３Ａ〜３Ｃに基板搬送室２と独立させるためのゲートバルブＧＢを備えた。 - 特許庁

To make it possible to recover the defect caused by a short-circuit failure of a control gate and a source or a drain over aging in a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性メモリにおけるコントロールゲートとソース又はドレインとの経時的なショート不良による救済を可能にする。 - 特許庁

The operating point of the amplifier is shifted between the first and second periods based on the gate source voltage to be sampled in the first sampling period.例文帳に追加

増幅器の操作点は、第一サンプリング期間でサンプリングされるゲートソース電圧に基づいて、第一、第二期間でシフトする。 - 特許庁

A gate of a first transistor 21 of transistor groups D_i, j is connected to a scanning line X_i, and the source is connected to a signal line Y_j.例文帳に追加

トランジスタ群Ｄ_i,jの第一トランジスタ２１のゲートが走査線Ｘ_iに接続され、ソースが信号線Ｙ_jに接続されている。 - 特許庁

The holding capacitors C1 and C2 are connected in series to each other, and are inserted between the gate and the source of the transistor T3.例文帳に追加

保持容量Ｃ１，Ｃ２が互いに直列に接続されるとともに、トランジスタＴ３のゲート−ソース間に挿入されている。 - 特許庁

A gate 3G of the MOS transistor 3 is connected to a bias terminal 9, and a source 3S is connected to the positive power terminal 11.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ３のゲート３Ｇはバイアス端子９に接続され、ソース３Ｓは正の電源端子１１に接続される。 - 特許庁

A TFT element is provided at a part in the vicinity of an intersection part of a source signal line and a gate signal line formed in each cell 11.例文帳に追加

セル１１に形成された、ソース信号線とゲート信号線との交差部近傍にはＴＦＴ素子が設けられている。 - 特許庁

Thus, the polysilicon film 86 and the polysilicon film which is a control gate can be laminated on the source line formation region 88.例文帳に追加

このため、ソース線形成領域８８上には、ポリシリコン膜８６とコントロールゲートとなるポリシリコン膜とが積層されることになる。 - 特許庁

The shield layer and a gate layer are simultaneously formed, thereby decreasing light leakage between lead wires connected to a source/drain layer.例文帳に追加

遮蔽層及びゲート層は同時に形成され、これにより、ソースドレイン層に接続されたリード線間の光漏れは減少する。 - 特許庁

A crossing gate is equipped with an electric motor M of a servo-motor having an AC servo-lock function as a driving source for opening and closing a cut-off bar 14.例文帳に追加

遮断バー(14)を開閉する駆動源として交流サーボロック機能を有するサーボモータからなる電動機(M)を備える。 - 特許庁

Thus, the thickness of the oxide film 20 is stepwisely increased from the outer edge of the source hole 50a toward the gate electrode 30.例文帳に追加

これにより、酸化膜２０の厚さは、ソース開孔５０ａの外縁からゲート電極３０に向かって階段状に増加する。 - 特許庁

Then a memory source-drain region SDm is formed by ion implantation D01 using the dummy gate DG as an ion implantation mask.例文帳に追加

その後、ダミーゲートＤＧをイオン注入マスクとしたイオン注入Ｄ０１によって、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成する。 - 特許庁

To provide an organic transistor capable of preventing the leakage current between the gate electrode and the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間のリーク電流を防止することのできる有機トランジスタを提供する。 - 特許庁

Then, the metal silicide layer 13 is formed on the gate electrodes 6a, 6b and the source/drain region with salicide technology.例文帳に追加

それから、サリサイド技術によりゲート電極６ａ，６ｂおよびソース・ドレイン領域上に金属シリサイド層１３を形成する。 - 特許庁

Then a deep source/drain region 230 is formed in the upper region of the semiconductor substrate outside the side wall of the gate electrode.例文帳に追加

次に、半導体基板の上部領域のゲート電極側壁の外側にはディープソース／ドレイン領域２３０が形成される。 - 特許庁

A source ohmic electrode 16, a gate Schottky electrode 17 and a drain ohmic electrode 18 are provided on the second semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２半導体層１９の上にソースオーミック電極１６、ゲートショットキ電極１７、およびドレインオーミック電極１８を備える。 - 特許庁

The gate electrode controls a magnetization state of the channel, to pass selectively the electron injected from the source into the channel.例文帳に追加

該ゲート電極は、ソースからチャンネルに注入される電子を選択的に通過させるために、チャンネルの磁化状態を制御する。 - 特許庁