「high- density plasma」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a silicon oxide film 19 is formed on the entire surface by a high density plasma method for instance, and the surface is flattened.例文帳に追加

次に、例えば高密度プラズマ法によりシリコン酸化膜１９を全面に形成し、その表面を平坦化する。 - 特許庁

To produce uniform plasma with high density, by providing an antenna having a plurality of power supply points controlled in their phases.例文帳に追加

位相制御された複数の給電点を備えたアンテナを有し、均一で高密度なプラズマを生成可能とする。 - 特許庁

A season layer having a thickness of at least 5,000 Å is deposited at one point using the high-density plasma.例文帳に追加

少なくとも５０００Åの厚さを有するシーズン層が該高密度プラズマを使用してあるポイントに堆積される。 - 特許庁

The method may include a step to deposit a first portion of the dielectric material into the gap by the high-density plasma.例文帳に追加

該方法は、該高密度プラズマによって該誘電材料の第１の部分を該ギャップに堆積するステップを含んでもよい。 - 特許庁

Next, a silicon oxide film 19 is formed over whole surface by, for example, a high-density plasma method, and its surface is planarized.例文帳に追加

次に、例えば高密度プラズマ法によりシリコン酸化膜１９を全面に形成し、その表面を平坦化する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus capable of stabilizing DC high-density plasma even when performing the film deposition of an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜を成膜する場合にも、直流高密度プラズマを安定させることが可能な成膜装置を提供する。 - 特許庁

High-density plasma is generated in the gap and supplied to the surface electrode of the crystal vibrator.例文帳に追加

上記空隙内部に高密度プラズマを発生させ、水晶振動子の表面電極にこの高密度プラズマを供給する。 - 特許庁

MEASUREMENT METHOD AND MEASURING DEVICE CAPABLE OF MEASURING ELECTRON DENSITY AND/OR ELECTRON COLLISION FREQUENCY OF HIGH-PRESSURE PLASMA例文帳に追加

高圧力プラズマの電子密度および／または電子衝突周波数測定が可能な測定方法及び測定装置 - 特許庁

The silicon nitride film is made by using film-forming gas of SiH_4, NH_3, and Ar in a high-density plasma CVD method.例文帳に追加

シリコン窒化膜は、高密度プラズマＣＶＤ法によりＳｉＨ_４、ＮＨ_３、Ａｒの成膜ガスを使用して作製する。 - 特許庁

To provide a high-density plasma chemical vapor deposition system capable of minimizing the reaction of a source gas in a nozzle.例文帳に追加

ノズル内でソースガスの反応を最小化することができる高密度プラズマ化学気相蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To easily measure atomic radical density in plasma with high accuracy and high sensitivity by making gas of specified pressure containing atoms in gas, into plasma in a micro hole of a negative electrode plate to generate atomic beams, and irradiating the atomic beams to raw material gas made into plasma.例文帳に追加

測定される反応性プラズマ中における機能ガス原子ラジカル密度に基づいてプロセス処理を高い再現性で、高精度及びリアルタイムに制御することができる原子状ラジカル測定方法及びその装置の提供。 - 特許庁

High-voltage pulses are applied between first and second main discharging electrodes 2a and 2b, a high-density high-temperature plasma is formed, and the EUV light having a wavelength of 13.5 nm is radiated.例文帳に追加

第１、第２の主放電電極２ａ，２ｂ間に高電圧パルスを印加して、高密度高温プラズマを形成し、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射させる。 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and high frequency bias power is applied to a ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

Plasma beams PB from a plasma gun main body 30 are guided to a magnetic field fixed by a steering coil 40 or the like to form high density plasma in a space over a gun anode 51 and a sputtering target 52.例文帳に追加

プラズマガン本体３０からのプラズマビームＰＢは、ステアリングコイル４０等により決定される磁界に案内されてガン・アノード５１及びスパッタ・ターゲット５２上空に高密度のプラズマを形成する。 - 特許庁

To obtain a plasma processing method and apparatus which heats a location within a vacuum to be irradiated with high frequency microwave for plasma excitation without reducing the plasma density within the vacuum bath.例文帳に追加

真空槽内のプラズマ密度を低下させることなくこの真空槽のプラズマ励起用の高周波が放射される箇所を加熱するプラズマ処理方法とプラズマ処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The ultra-high density Si plasma (10^14/cm^3) 1 generated by a pulsed laser beam is subjected to collision reaction against the plasma 2 generated through a different plasma reaction using a silane gas, a hydrogen gas, etc.例文帳に追加

パルスレーザー光によって発生した超高密度のＳｉプラズマ（１０^１４／ｃｍ^３）１を、シランガス、水素ガス等を用いた別のプラズマ反応で生成されたプラズマ２と衝突反応させる。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device which attains plasma having high density and high uniformity over the whole of an object to be treated by coping with a wide-ranging change in various parameters in the case where the plasma is produced using VHF or UHF band high-frequency waves.例文帳に追加

ＶＨＦまたはＵＨＦ帯の高周波を用いてプラズマを生成する場合、各種パラメータの広範囲の変化に対応し、被処理物４全体にわたり高密度、高均一性を持ったプラズマを実現することを可能にしたプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

High-temperature plasma is generated in a high-density high-temperature plasma generation part 2 by applying high-voltage pulse voltages to main discharge electrodes 3a and 3b formed in a chamber 1 from a high-voltage pulse generation part 20, and EUV light having a wavelength of 13.5 nm is emitted.例文帳に追加

チャンバ１内に設けられた主放電電極３ａ、３ｂに高電圧パルス発生部２０から高電圧パルス電圧を印加し、高密度高温プラズマ発生部２において高温プラズマを発生させ波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射させる。 - 特許庁

To provide magnetically enhanced capacitively coupled planar plasma with radially uniform and high plasma density over a large area.例文帳に追加

本発明は、大面積に渡り半径方向に均一で他界プラズマ密度の磁気によって促進された容量結合型の平板プラズマを提供することを企図している。 - 特許庁

Accordingly, it becomes possible to prevent the temperature rise of the deposition substrate, and to form a low stress film while keeping plasma density as high as that of a conventional cathode-coupling plasma CVD.例文帳に追加

従って、プラズマ密度を、従来のカソードカップリング型プラズマCVDと同様に高く保ちながら、成膜基板の温度上昇を防ぎ、かつ低応力膜の作製が可能となる。 - 特許庁

To provide a plasma device exciting uniform and high-density plasma in a large area, uniformly supplying raw gas, and quickly removing reaction by-products gas.例文帳に追加

大面積において均一な高密度プラズマを励起し、原料ガス供給の均一化および反応副生成物ガスの高速除去ができるプラズマ装置を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for plasma treatment with which an object to be treated is prevented from causing metal contamination, even if the object is affected by high-density plasma, surface waves, electric fields, etc.例文帳に追加

高密度プラズマや表面波電界等の影響を受けても、被処理物が金属汚染の発生することのないプラズマ装置とその方法を提供すること。 - 特許庁

In this case, a gas with a composition of SiH4+PH3+O2 or SiH4+PH3+N2O is used in the plasma CVD or the high- density plasma CVD method.例文帳に追加

上記プラズマＣＶＤ法または高密度プラズマＣＶＤ法には、ＳｉＨ_4＋ＰＨ_3＋Ｏ_2又はＳｉＨ_4＋ＰＨ_3＋Ｎ_2Ｏを成分とするガスを使用することも開示している。 - 特許庁

To provide a plasma treating system generating plasma of a large area and high density uniform over the surface of a substrate and moreover capable of preventing the resticking of a film onto a target plate.例文帳に追加

基板の表面にわたって均一な大面積高密度のプラズマを作り、更に、ターゲットプレート上への膜の両付着を防止できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A vacuum arc discharge is generated between an anode (5) and a cathode (6) to generate a high density plasma, and then hydrocarbon gas is supplied to the plasma from a gas introducing port (8).例文帳に追加

アノード（５）とカソード（６）との間に真空アーク放電を発生させ、高密度カーボンプラズマを発生させ、このプラズマにガス導入口（８）より炭化水素ガスを供給する。 - 特許庁

The gap between the electrodes is set to 0.5-40 cm so as to be capable of generating high-density plasma even in a small capacity high-frequency power supply source.例文帳に追加

電極の隙間は、小容量の高周波電力供給源でも高密度のプラズマが発生できるように、０．５〜４０ｃｍに設定される。 - 特許庁

To provide a thin film formation method capable of achieving high density plasma, and manufacturing a high quality thin film by using inexpensive discharge gas such as nitrogen.例文帳に追加

窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The antenna 30 generates a plasma of a high density and low energy to etch an oxygen-contained layer provided on a non-oxygen-contained layer within the chamber with a high selectivity.例文帳に追加

アンテナ３０はチャンバ内に酸素非含有層上にある酸素含有層を高い選択度でエッチングするため高密度、低エネルギーのプラズマを発生する。 - 特許庁

To form an excellent-quality thin film on a substrate at a high speed by generating high-density and large-capacity plasma in a large area.例文帳に追加

高密度・大容量のプラズマを大面積に発生させることで、基板に良質の薄膜を形成させるとともに高速で薄膜を形成する。 - 特許庁

To provide an induction coupled plasma generator in which plasma density unevenness can be improved by properly controlling the ratio of high frequency electric current that flows in two or more of high frequency antennae outside a vacuum window.例文帳に追加

真空窓の外側の２以上の高周波アンテナに流れる高周波電流の比率を適切に制御し、プラズマ密度の不均一性を改善できる誘導結合型プラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

A method of improving throughput in a semiconductor wafer deposition process in a high-density plasma processing chamber, comprises a step of processing a first wafer within the high-density plasma processing chamber using a process including high output sufficient for burning out fluorosilicate glass residue in the processing chamber.例文帳に追加

高密度プラズマ処理室内の半導体ウエハ堆積工程の処理量を改善する方法は、処理室内のフオロ珪酸塩ガラス残留物を焼き尽くすのに十分な高出力を含む工程を用いて、高密度プラズマ処理室内で第１のウエハを処理する工程を含む。 - 特許庁

To reduce the number of ICs for address electrode driving, high-density electrode wiring, high-density packaging at terminals, and the instability of writing discharge, involved in the heightened definition of an AC surface discharge type plasma display panel(PDP).例文帳に追加

ＡＣ面放電型ＰＤＰの高精細化に伴う、アドレス電極駆動用ＩＣ数、電極配線の高密度化、端子における高密度実装、書込み放電の不安定性を低減する。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing method includes processes of forming a first silicon oxide film 1c on a silicon substrate 1 wherein the concave portion is formed using high-density plasma CVD, treating the first silicon oxide film with O_2 plasma, and forming a second silicon oxide film on the first silicon oxide film which has been treated with O_2 plasma using high-density plasma CVD.例文帳に追加

凹部の形成されたシリコン基板１上に、高密度プラズマＣＶＤを用いて第１のシリコン酸化膜１ｃを形成する工程と、前記第１のシリコン酸化膜をＯ_２プラズマ処理する工程と、前記Ｏ_２プラズマ処理された第１のシリコン酸化膜上に、高密度プラズマＣＶＤ法を用いて第２のシリコン酸化膜を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a plasma etching device which is capable of more finely etching a work by the use of a plasma of high density and making an electric field distribution more uniform on the surface of an electrode so as to make the plasma uniform in density and the etching rate distribution uniform.例文帳に追加

より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマエッチング処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくしてプラズマ密度を均一化することが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

MULTI-STEP DEP-ETCH-DEP (DEPOSITION-ETCHING-DEPOSITION) HIGH-DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR FILLING DIELECTRIC GAP例文帳に追加

誘電ギャップ充填用のマルチステップ堆積・エッチング・堆積（ＤＥＰ−ＥＴＣＨ−ＤＥＰ）高密度プラズマ化学気相堆積プロセス - 特許庁

To provide a plasma generation source and a plasma generator, capable of stably generating uniform plasma with high density and a large area, a film deposition device utilizing the plasma generator, an etching device and an ashing device, and a surface treatment device.例文帳に追加

均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma etching system in which etching can be carried out with high selection ratio, while sustaining high plasma resistance of the organic mask layer, such as resist layer, eliminating sticking of deposits to electrode effectively, and the plasma density can be controlled.例文帳に追加

レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma etching system capable of etching with a high selection ratio while maintaining the high plasma resistance of an organic mask layer such as a resist layer or the like, and effectively eliminating the adhesion of a deposit to an electrode and, furthermore, controlling plasma density.例文帳に追加

レジスト層等の有機マスク層の耐プラズマ性を高く維持して高選択比でエッチングすることができ、また、電極への堆積物の付着を有効に解消することができ、さらにプラズマ密度のコントロールが可能なプラズマエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

The high-density plasma is generated from a cathode 4 of a plasma gun 2 within a vacuum vessel 1 arranged with an evaporation source and the material of the evaporation source is deposited by evaporation on a substrate within the vacuum vessel 1 in the presence of this plasma.例文帳に追加

蒸発源を配置した真空容器１内に、プラズマガン２の陰極４から高密度のプラズマを発生させ、このプラズマの存在下で上記蒸発源の材料を真空容器１内の基体に蒸着させる。 - 特許庁

To provide an ICP antenna and a plasma generating apparatus using the same capable of generating high-density plasma with improved uniformity and reducing inductance in the antenna to generate stable plasma.例文帳に追加

均一性が向上された高密度プラズマを生成し、アンテナ内部にインダクタンスを減少させるなど安定したプラズマを生成することができるＩＣＰアンテナ及びこれを使用するプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

Plasma of a high electron density is generated by a method such as diluting with a rare gas or raising the frequency of a power supply, and a high-quality dielectric film is formed by generating oxygen atoms or nitrogen atoms in a high density.例文帳に追加

希ガス希釈または電源周波数を上げる等の方法により高電子密度のプラズマを生じさせ、高密度の酸素原子または窒素原子を生じさせることにより高品質の誘電体膜を形成する。 - 特許庁

This allows unevenness in plasma density distribution caused by the standing wave of the high frequency power formed on the high frequency coil 23 to be improved, thereby enabling the system to achieve an even plasma processing over the entire substrate.例文帳に追加

これにより、高周波コイル２３上に形成される高周波電力の定在波を原因とするプラズマ密度分布の不均一性が改善され、基板の全面にわたって均一なプラズマ処理が実現可能となる。 - 特許庁

To provide a plasma jet generator which injects a high-density plasma in the form of jet from a fine nozzle to subject a local site of an article to be processed to a processing or surface treatment such as fusing, etching or thin film deposition at high speed.例文帳に追加

高密度プラズマを細いノズルからジェット状に噴出させ、被加工物の局所部位に溶断、エッチング、薄膜堆積などの加工、表面処理を高速で行うプラズマジェット発生装置を提供する。 - 特許庁

To provide a showerhead, a substrate treatment apparatus, and a substrate manufacturing method in which high density plasma can be stably generated in a processing chamber.例文帳に追加

プロセスチャンバ内に安定した高密度プラズマを発生させることができるシャワーヘッド、基板処理装置、基板製造方法を提供する。 - 特許庁

An FSG layer is formed on the conductive layer which is patterned by a high density plasma CVD, filling the gap between conductor lines.例文帳に追加

ＦＳＧ層は、高密度プラズマＣＶＤによりパターン化された導電層の上に形成され、導電ライン間のギャップを充填する。 - 特許庁