「high- density plasma」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the processing method of a thin film, the manufacturing method of a thin film transistor and a high density plasma etching device superior in an etching rate and a shape while securing a selection ratio with a substrate material in the dry etching of a metal material mainly comprising Mo.例文帳に追加

Moを主成分とする金属材料のドライエッチングにおいて、下地材料との選択比を確保しつつエッチングレートおよび形状に優れる薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Then, a pattern 21 P of the ta-C thin film is formed in a short time, because the applied negative pulsed-voltage onto the substrate K makes the plasma density high, the etching ions easily led to the ta-C thin film, and the etching speed increased.例文帳に追加

基板Ｋに対する負のパルス状電圧の印加により、プラズマ密度が高まると共にエッチングイオンがｔａ−Ｃ薄膜に対して導かれ易くなるため、エッチング速度が増加し、ｔａ−Ｃ薄膜パターン２１Ｐが短時間で形成される。 - 特許庁

A high density type plasma CVD device is provided with a ring 14 having a plurality of nozzles 16 in the circumferential direction inside a reaction chamber 2, and the reactive gas is sprayed from a plurality of nozzles 16 to a substrate S arranged inside the ring 14.例文帳に追加

高密度型プラズマＣＶＤ装置は、反応室２の内部に複数のノズル１６を周方向に有するリング１４を備え、リング１４の内側に配置される基板Ｓへ複数のノズル１６から反応性ガスを噴射するようになっている。 - 特許庁

By etching the surface of a conductive diamond plate 1 with oxygen plasma for a prescribed amount of time, the hydrophilic region 3 is formed on the surface of the conductive diamond plate 1, where needle-like projections 30 are arranged regularly at a high density.例文帳に追加

導電性ダイヤモンド板１の表面に酸素プラズマにより所定時間エッチングを行うことによって、導電性ダイヤモンド板１の表面に針状突起３０が高密度で規則的に配列した親水性領域３が形成される。 - 特許庁

A high-density plasma is formed near the target and discharged by a magnetic field of the superconducting magnet 105, in a state where gas is introduced to the decompression chamber 101, then a catalyst is carried and supported by the electrolyte, after flying atoms or clusters of the catalytic metal.例文帳に追加

減圧室１０１をガスを導入した状態において超電導磁石１０５の磁場により高密度プラズマをターゲット付近に形成しつつ放電させ、触媒金属の原子またはクラスタを飛翔させて電解質に触媒を担持させる。 - 特許庁

This includes flowing a halogen precursor from a halogen-precursor source to a substrate processing chamber, forming a high-density plasma from the halogen precursor, and terminating flowing the halogen precursor after the portion has been etched back.例文帳に追加

これは、ハロゲン前駆体ソースから該基板処理チャンバにハロゲン前駆体を流すステップと、該ハロゲン前駆体から高密度プラズマを形成するステップと、該一部がエッチングバックされた後に該ハロゲン前駆体を流すことを終了するステップとを含んでいる。 - 特許庁

By this structure, since the intermediate layer 6 acts to protect the micro irregular shape of the base materials when the hydrophilic material film 3 is formed, the hydrophilic material film 3 is made possible to be formed by the low temperature vapor phase growing method using a high density plasma.例文帳に追加

この構造により、親水性材料膜３を成膜する際に、中間層６が基材の微小凹凸形状を保護する作用をするため、高密度プラズマを用いた低温の気相成長法で親水性材料膜６を形成可能になる。 - 特許庁

These laminated films 2, 3 and 4 are continuously etched by a mixing gas consisting of fluorine gas, chlorine gas and Ar gas in the same etching chamber, under the same etching condition, using the resist pattern 5 as the mask and an ICP etching device which can provide a high density plasma.例文帳に追加

この積層膜２，３，４をレジストパターン５をマスクとして、高密度プラズマが得られるＩＣＰエッチング装置を使用して、「フッ素系ガスと塩素系ガスとＡｒガスの混合ガス」にて同一エッチング室内、同一エッチング条件で連続的にエッチングする。 - 特許庁

A first NSG film (first insulating film) 31 by a high density plasma CVD method and a second NSG film (second insulating film) 32 by a plasma CVD method are laminated on an uppermost wiring layer 20 functioning as a fuse to form a first protective film 30, and then the surface of the protective film 30 is flattened by a CMP method.例文帳に追加

ヒューズとして機能する最上層配線層２０上に、高密度プラズマＣＶＤ法による第一のＮＳＧ膜（第一の絶縁膜）３１と、プラズマＣＶＤ法による第二のＮＳＧ膜（第二の絶縁膜）３２を積層して第一の保護膜３０を形成した後、この第一の保護膜３０の表面をＣＭＰ法によって平坦にする。 - 特許庁

A silicon oxide film 3 is formed on a polycrystalline silicon gates 2 through a high-density plasma CVD method so as to fill up a deep gap between the polycrystalline silicon gates 2, a silicon oxide film 4 is formed on the silicon oxide film 3 through a plasma CVD method using a TEOS gas, and the surface of the silicon oxide film 4 is flattened through a CMP method.例文帳に追加

高密度プラズマＣＶＤにより、多結晶シリコンゲート２間の隙間の深い部分が埋め込まれるように、シリコン酸化膜３を多結晶シリコンゲート２上に形成し、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤにより、シリコン酸化膜３上にシリコン酸化膜４を形成し、ＣＭＰを用いて、シリコン酸化膜４の表面を平坦化する。 - 特許庁

The electric discharge plasma sintering method is adopted to apply an AC pulse current to a green compact as a material powder and sinter it through generation by electric discharge at air gaps of powder particles, so that no application of high temperature from the outside is needed and a sintered compact with high density can be obtained even when a sintering resistant material is used.例文帳に追加

放電プラズマ焼結法は、原料粉末の圧紛体に交流パルス電流を印加して、粉末粒子間の空隙で起こる放電を利用して焼結を行う方法なので、外部から高熱を加えることなく、難焼結性材料を用いた場合でも高密度の焼結体を得ることができる。 - 特許庁

To provide a packaging material for pressurizing/heating sterilization having a high oxygen and steam barrier property and high adhesion to a base material at the same time, by using a gas barrier film whose gas barrier property versus film-making velocity can be freely set by freely setting a vaporization rate and a plasma density of a material when making the gas barrier film.例文帳に追加

ガスバリアフィルムを形成するにあたり、材料の蒸発速度とプラズマ密度を自由に設定し、成膜速度に対するガスバリア性を自由に設定出来、得られたガスバリアフィルムを用いることにより、高い酸素、水蒸気バリア性を保持し、同時に高い基材密着性を有する加熱殺菌用包装材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a region where an ion temperature is raised efficiently to a nuclear fusion ignition temperature by a method other than a fast ignition method on imploded high-density plasma of a condition which is easier to attain, 100 g/cm^3 in density and about 1 million °C in temperature, in an inertial-confinement nuclear fusion device.例文帳に追加

本発明の課題は、慣性閉じ込め型核融合装置において、比較的条件達成の容易な密度１００ｇ／ｃｍ^３、温度１００万度程度の爆縮された高密度プラズマに、高速点火方式とは異なった方法でイオン温度を効率的に核融合点火温度まで上昇させた領域を形成する方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method by which the stable production of a silicon thin can be realized by improving the uniformity of the thin film, and at the same time, preventing the cracking of a substrate having large area at the time of forming the thin film on the substrate at a high power flux density, by using a vertical plasma CVD system.例文帳に追加

縦型プラズマＣＶＤ装置を用いて大面積の基板上に高い電力密度でシリコン薄膜を製膜する際に、シリコン薄膜の均一性を高めるとともに基板割れを防止して安定生産を実現できる方法を提供する。 - 特許庁

The method generally includes a step for positioning the substrate in a treatment chamber, a step for introducing an inert gas into the treatment chamber, a step for introducing a silicon source gas into the treatment chamber, a step for generating high-density plasma, and a step for depositing an amorphous silicon film.例文帳に追加

方法は、一般的に、処理チャンバ内に基板を位置決めするステップ、処理チャンバ内へ不活性ガスを導入するステップ、処理チャンバ内へシリコンソースガスを導入するステップ、高密度プラズマを生成するステップ、およびアモルファスシリコン膜を堆積するステップを包含する。 - 特許庁

The protection layer 102 is provided with a first protection film 106 formed by a plasma CVD method without damaging the organic element 101, and a highly adhesive high-density second protection film 107 formed on the first protection film 106 by a sputtering method.例文帳に追加

保護層１０２は、プラズマＣＶＤ法によって有機素子１０１にダメージを与えることなく成膜された第１の保護膜１０６と、第１の保護膜１０６上にスパッタリング法によって成膜された密着性が高く高密度な第２の保護膜１０７を有する。 - 特許庁

Since plasma is formed by irradiating a leading edge of a high- density injection gas stream formed by heating and vaporizing a target material 102 by a light beam 202 for preheating with a converged main laser beam 201, the generation of fast fine particles by the target material can be prevented.例文帳に追加

予熱用光ビーム２０２によりターゲット材１０２を加熱し気化して形成された高密度の噴出ガス流の先端を、主レーザビーム２０１が集光照射してプラズマ化しているので、ターゲット材による高速微粒子の発生を抑制することができる。 - 特許庁

The inter-layer insulating film 10 comprises a first silicon oxide film 10a provided by HDP(high density plasma)-CVD substantially comprising no impurities and a second silicon oxide film 10b whose main material is PSG (phospho silicate glass) deposited on the first silicon oxide film 10a.例文帳に追加

層間絶縁膜１０は、実質的に不純物を含まないＨＤＰ−ＣＶＤによる第１のシリコン酸化物膜１０ａと、この第１のシリコン酸化物膜１０ａ上に堆積されたＰＳＧを主体とする第２のシリコン酸化物膜１０ｂとを有する。 - 特許庁

According to the washing method of the optical element, the organic matter contamination adhered to the fluorite substrate can be removed by the use of a DC ion source and the irradiation of the fluorine active species produced from plasma at a low energy and at a high density without giving any damage to the substrate.例文帳に追加

本発明による光学素子の洗浄法は、ＤＣイオン源を用い、低エネルギー、高密度でプラズマから生成するフッ素活性種を照射することにより、蛍石基板に付着する有機物汚染を基板にダメージを与えることなく除去できる。 - 特許庁

To solve the problem of a crystalline silicon film being formed at low temperatures, e.g. by a high density plasma, etc., without having to use a crystallizing means such as a laser, but a transition layer exists between a substrate and the crystalline silicon film to result in deterioration of the characteristics/reliability and productivity of thin-film semiconductor elements.例文帳に追加

レーザー等による結晶化の手段を用いずに、例えば高密度プラズマ等で低温で結晶性のシリコン膜を形成する場合、基体と形成した結晶性のシリコン膜との間に、遷移層が存在し、薄膜半導体素子の特性・信頼性や生産性を下げる。 - 特許庁

On the main surface of a semiconductor substrate 10, a small-diameter wiring M1a and a large-diameter wiring M1b are formed and thereafter, by a high density plasma CVD method, an insulating film 26 covering these wiring M1a, M1b and further a shading film 27 and a underlayer insulating film 28a are sequentially deposited.例文帳に追加

半導体基板１０の主面に細い配線Ｍ１ａと太い配線Ｍ１ｂとを形成した後、高密度プラズマＣＶＤ法によりこれら配線Ｍ１ａ，Ｍ１ｂを覆う絶縁膜２６を堆積し、さらに遮光膜２７および下層絶縁膜２８ａを順次堆積する。 - 特許庁

In addition, the film-forming speed and the quality of a formed film are improved, by decomposing the film forming gas having low dissociation efficiency by aggressively making the gas to stay in a high-density plasma by not only introducing the nozzles 13 perpendicularly to the wafer 16 placed on a lower electrode 8, but also obliquely to the wafer 16.例文帳に追加

またシャワーノズル１３を下部電極８上のウェハ１６に対して垂直導入するものだけでなく斜め導入する事によって高密度プラズマ中に低い解離効率のガスを積極的に滞在させてガスを分解し成膜速度と膜質の向上を図る。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of energies in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electron beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法により酸化物透明導電膜を製造する際に、多量のエネルギーを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact with which crazing and cracking do not occur in spite of feeding of a large amount of electronic beams in manufacturing the oxide transparent conductive film by a vacuum vapor deposition method, such as an electronic beam vapor deposition method, ion plating method, high-density plasma-assisted vapor deposition method or the like.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

An insulating film 21 made of a silicon carbide film, a silicon carbonitride film, or a silicon oxycarbonitride film is formed as a barrier insulating film of wirings 20, and an insulating film 22 made of a silicon oxide film containing fluorines is formed as a low-permittivity insulating film on the insulating film 21 by high density plasma CVD.例文帳に追加

配線２０のバリア絶縁膜として炭化シリコン膜、炭窒化シリコン膜または酸炭化シリコン膜からなる絶縁膜２１を形成した後、その上に低誘電率絶縁膜としてフッ素を含む酸化シリコン膜からなる絶縁膜２２を高密度プラズマＣＶＤ法を用いて形成する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact which does not brake or crack even when struck by electron beams in a large dose to be produced into an oxide transparent electroconductive film by a vacuum vapor deposition method such as an electron beam vapor deposition method, an ion plating method, or a high-density plasma-assisted vapor deposition method.例文帳に追加

電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、高密度プラズマアシスト蒸着法などの真空蒸着法で酸化物透明導電膜を製造する際に、大量の電子ビームを投入しても、割れやクラックが発生することのない酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method therefor comprises a forming process for forming a pattern including wiring, TFTs, or the like on the TFT array board, and a process for forming an interlayer insulating film by a high density plasma CVD on the top side of the projecting parts constructed by the presence of the above pattern in the gap area between pixel electrodes adjacent to each other.例文帳に追加

その製造方法は、ＴＦＴアレイ基板上に、配線やＴＦＴ等を含むパターンを形成する形成工程と、相隣接する画素電極の間隙となる領域に、上記パターンの存在によって構築された凸部の上側に、高密度プラズマＣＶＤによって層間絶縁膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

A method of forming the insulation film buried structure comprises a step for forming a nitride film in the recess formed in a semiconductor substrate, a step for forming an electrification preventing insulation film on the nitride film by a thermal CVD method, a step for forming a buried insulation film on the electrification preventing insulation film so as to fill the recess by a high density plasma CVD method.例文帳に追加

半導体基板に形成された凹部内に窒化膜を形成する工程と、この窒化膜上に熱ＣＶＤ法により帯電防止絶縁膜を形成する工程と、高密度プラズマＣＶＤ法によりこの帯電防止絶縁膜上に前記凹部を埋め込むように埋込絶縁膜を形成する工程を実施する。 - 特許庁

To provide a surface treatment apparatus and a surface treatment method which can resist to dielectric breakdown even when a ferroelectric material such as titanium oxide or barium titanate is used, can realize at atmospheric pressure a composite barrier discharge generating a plasma of a high energy density, and can realize the highly efficient surface modification of a substrate.例文帳に追加

酸化チタン、チタン酸バリウム等の強誘電性材料を使用した場合でも絶縁破壊しにくく、且つ発生するプラズマのエネルギー密度の高い複合バリア放電を大気圧下で実現すると共に、基材の表面改質の高効率化を実現する表面処理装置及び表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming via holes in a high-density circuit board, such as a printed board having a plurality of wiring layers, through a plasma treatment under the atmospheric pressure or near the atmospheric pressure, which enables dry processing and size reduction of a device, and facilitates formation of a metal film on the inner wall of each via hole.例文帳に追加

複数の配線層を有するプリント基板等の高密度回路基板のビアホール形成を、大気圧下もしくは大気圧近傍下におけるプラズマ処理法により行う、工程のドライ化、装置の小型化を可能とし、ビアホール内壁への金属膜形成を容易とする高密度回路基板におけるビアホール形成方法を提案する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a semiconductor device, a semiconductor film is formed on a substrate having an insulated surface, a gate insulating film is formed on the semiconductor film, a gate electrode is formed on the gate insulating film, and a nitride film is formed on the surface of the gate electrode by nitriding the gate electrode by using high-density plasma.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極に高密度プラズマにより窒化することによって前記ゲート電極の表面に窒化膜を形成する半導体装置の作製方法である。 - 特許庁

After isolation grooves 4 are formed in the main surface of a semiconductor substrate 1S, an insulation film 6 having a thickness of not less than D+W/2, wherein D denotes the depths of the isolation grooves 4 and W denotes a minimum width of active regions surrounded by the isolation grooves 4, is deposited on the main surface by a high density plasma chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

半導体基板１Ｓの主面に分離溝４を形成した後、その主面上に、分離溝４の深さをＤ、その分離溝４により囲まれる活性領域の最小幅をＷとした場合に、Ｄ＋Ｗ／２またはそれ以上となるような厚さを持つ絶縁膜６を高密度プラズマ化学気相成長法により堆積する。 - 特許庁

At the time of thermal processing of a surface of a metallic material 7 by emitting infrared laser beam 4 on the surface, a high density plasma is made to generate in the vicinity of the surface as well as is made to absorb the infrared laser beam 4 by emitting KrF excimer laser pulse beam 10 on the surface of the metallic material 7 superposed with the infrared laser beam 4.例文帳に追加

金属材料表面（７）に赤外レーザビーム（４）を照射して、該表面を熱加工するに当り、ＫｒＦエキシマレーザパルスビーム（１０）を上記赤外レーザビーム（４）に重畳させて金属材料表面（７）に照射し、該表面近傍に高密度プラズマを発生させると共に、そのプラズマに上記赤外レーザビーム（４）を吸収させる。 - 特許庁

A very small amount of a first gas containing fluorine atoms in molecules and having a function to remove a dopant and a second gas restraining the first gas from corroding the surface of a wafer as an object of processing are added to an oxygen gas for obtaining a reactive gas to use, and the above reactive gas is excited into high-density plasma to remove an ashing retardant resist film by ashing.例文帳に追加

酸素ガスに、分子中にフッ素を含有し、前記ドーパントを除去する作用を有する第１のガス微量加えるとともに、前記第１のガスの非処理体であるウェハ表面に対する腐食を抑制する第２のガスを加えたものを反応ガスとして用い、高密度プラズマを励起して難灰化性レジスト膜を灰化・除去する。 - 特許庁

Vapor deposition substance is evaporated and ionized by feeding high density plasma beams by the arc discharge toward a vapor deposition material mainly consisting of zinc oxide which is charged in a hearth disposed in a film deposition chamber as an anode, and the vapor-deposited substance is deposited on a surface of a substrate disposed facing the vapor deposition material to obtain a thin film.例文帳に追加

成膜室中に陽極として配置されたハースに装填された酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料に向けてアーク放電による高密度プラズマビームを供給して蒸着物質を蒸発させてイオン化し、蒸着材料と対向して配置された基板の表面に蒸着物質を付着させて薄膜を得る。 - 特許庁

This method for manufacturing this semiconductor element comprises a process for forming a trench 5 for separating an element on a silicon substrate 1, a process for forming an oxide film 7a by using a high density plasma DVD method in order to bury the trench 5 to the middle, and a process for injecting boron to an element forming region positioned at the upper part of the side wall of the trench 5.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１に素子を分離するためのトレンチ５を形成する工程と、トレンチ５を途中まで埋め込むように、高密度プラズマＣＶＤ法を用いて酸化膜７ａを形成する工程と、その後、トレンチ５の側壁上部に位置する素子形成領域にボロンを注入する工程とを備えている。 - 特許庁

This manufacturing method comprises the steps of depositing a silicon oxide film 450 on the surface of the semiconductor substrate 100 having the convex 300 on this surface according to high density plasma chemical vapor deposition and etching the silicon oxide film according to isotropic etching so that the deposited silicon oxide film has a height less than that of the summit of the convex portion.例文帳に追加

表面に凸状部３００を有する半導体基板１００の前記表面に高密度プラズマ−化学気相成長法によりシリコン酸化膜４５０を堆積させる堆積工程と、堆積させたシリコン酸化膜の表面が前記凸状部の頂上よりも低い高さになるように等方性エッチングにより前記シリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程とを備える。 - 特許庁

To provide a method for forming a carbon protective film, method for producing magnetic recording medium, magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing system for improving flatness of the carbon protective film by reducing particle generation in a plasma CVD apparatus, and producing the magnetic recording medium having high recording density and excellent recording/reproducing characteristic.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置内におけるパーティクルの発生を低減して炭素保護膜表面の平坦性を向上させ、高い記録密度を有し、且つ記録再生特性に優れた磁気記録媒体を製造することが可能な炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体並びにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

A liquid crystal alignment layer is produced by a long throw sputtering method including steps of mounting a substrate on a substrate carrier in a chamber, bombarding and sputtering a target above the substrate with a high-density plasma to produce a sputtered substance, and applying a bias voltage in the chamber to deposit the sputtered substance along a nearly normal direction onto the substrate surface to form an alignment layer.例文帳に追加

ロングスロースパッタリング法で液晶配向膜を製作する方法は、基板をチャンバー内の基板キャリアに乗せ、高密度プラズマで基板の上方にあるターゲットをスパッタリング衝撃してスパッタ物質を生成発生し、チャンバー内でバイアス電圧を印加提供してスパッタ物質を垂直に近い方向に沿って基板表面に堆積させて液晶配向膜を形成するなどのステップを含む。 - 特許庁

After high-density grafting by spontaneous formation of a covalent bond of the complexed polymer using a hydrophilic functional group introduced on a surface of the dielectric substrate as a reaction point, metal nanoparticles with a size of 50 to 200 nm are formed in a three dimensions by cleaning and removing the complexed polymer unreacted, and by decomposing and reducing a precursor of the metal by a plasma reduction treatment.例文帳に追加

誘電体基材表面に導入した親水性官能基を反応点として、錯化高分子を自発的に共有結合させて高密度にグラフト化させた後、未反応の錯化高分子を洗浄除去すること、及び金属の前駆体をプラズマ還元処理により、分解、還元して５０〜２００ｎｍのサイズの金属ナノ粒子を三次元的に成長させた。 - 特許庁