「high- density plasma」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an IZO transparent conductive film forming method capable of attaining a state of high energy density plasma and forming a thin film with an excellent etching property in a high speed even if cheap and safe discharge gas like nitrogen is used, and a good-quality and high-performance IZO transparent conductive film.例文帳に追加

窒素のような安価且つ安全な放電ガスを用いても、高密度プラズマ状態が達成出来、エッチング性が良好な薄膜を高速で製膜することが出来るＩＺＯ透明導電膜形成方法、及びこれにより良質で高性能なＩＺＯ透明導電膜を提供する。 - 特許庁

The high-frequency antenna having the region densely arranged and the region sparsely arranged, and capable of uniforming an electrical field transmitted to each treatment chamber stably excites uniform and high density plasma in the treatment chamber.例文帳に追加

本発明によれば，高周波アンテナが密に配される領域と疎に配される領域から各々処理室内に伝達される電界を均一にすることができるため，処理室内に均一な高密度プラズマを安定して励起することができる - 特許庁

The pulse power source 10 provides electric pulses at voltage sufficiently higher than the voltage for forming a discharge between the electrodes in order to impart the radiation at the spectral ray of the active gas described above by forming the plasma pinch of an extremely high temperature and high density.例文帳に追加

パルス電源１０は、非常に高温、高密度のプラズマピンチを作業ガス中に形成して、前記活性ガスのスペクトル線での放射線を与えるために、電極間に放電を形成するのに充分に高い電圧で電気パルスを提供する。 - 特許庁

A high density plasma oxidation (HDPO) processing layer is formed on a channel, source and drain regions to form a dielectric interface and then one or more dielectric layers are deposited on the HDPO layer to form a high quality gate dielectric layer.例文帳に追加

高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）処理層がチャネル、ソース、及びドレイン領域上に形成されて誘電体インターフェースを構成し、次に、１つ以上の誘電体層をＨＤＰＯ層上に堆積して高品質ゲート誘電体層を形成する。 - 特許庁

Since the silicon-group thin film is produced by applying the DC pulse voltage, a high-frequency plasma-density distribution is less apt to be generated, as in a manner of applying a high-frequency intermittently to discharge it, and also the in-plane film-thickness distribution is less apt to be generated.例文帳に追加

このように直流パルス電圧を印加して放電させる方式であるため、高周波を断続的に印加して放電させる方式のように高周波プラズマ密度分布が生じることがなく、面内膜厚分布が生じにくい。 - 特許庁

There is provided an etching apparatus, capable of producing uniform plasma with high density by introducing high-frequency waves having the electric component perpendicular to the center axis of the apparatus by making use of an antenna, having a plurality of electric power supply points which are phase-controlled.例文帳に追加

位相制御された複数の給電点を備えたアンテナにより装置の中心軸に垂直な電界成分を持つ高周波をプラズマ処理室に投入することで均一で、高密度なプラズマを生成できるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film depositing method for achieving plasma of high density and depositing a thin film of excellent quality at high speed even when inexpensive discharge gas such as nitrogen is used, and to provide a base material having a dense thin film of excellent quality at a low cost.例文帳に追加

窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る薄膜形成方法を提供し、これにより良質で緻密な薄膜を有する基材を安価に提供する。 - 特許庁

After a silicon nitride film 29 is deposited on an uppermost layer wiring layer 28 by a plasma CVD method, a silicon oxide film 30 is deposited by a high-density plasma CVD method, whereby a silicon oxide film having a tapered shape is formed on an end part of the uppermost layer wiring layer 28.例文帳に追加

最上層配線層２８上にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜２９を堆積した後、高密度プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜３０を堆積させることにより、最上層配線層２８端部上にテーパー形状を有する酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

To provide a remote-type discharge plasma having an electrode structure capable of sufficiently enlarging a discharge space, inhibiting the generation of streamer discharge, performing the discharge capable of generating plasma of high density with small power, and inhibiting the deterioration of solid dielectric covering the electrode.例文帳に追加

放電空間を十分に大きくでき、ストリーマー放電の発生を抑え、小電力で高密度のプラズマを発生させる放電が可能であり、かつ電極を被覆する固体誘電体の劣化を抑えることのできる電極構造を有するリモート型の放電プラズマ処理装置の提供。 - 特許庁

Each of the low reflecting films or the transparent conductive film is obtained by generating ECR plasma on the side opposed to the plastic material W of a magnetron cathode and on the side opposed to the magnetron cathode of the plastic material W and performing sputtering in a high density low temperature plasma atmosphere.例文帳に追加

この低反射膜または透明導電膜は、マグネトロンカソードのプラスチック材Ｗと対向する側と、プラスチック材Ｗのマグネトロンカソードと対向する側の夫々にＥＣＲプラズマを発生せしめ、高密度で低温のプラズマ雰囲気でスパッタリングすることで得られる。 - 特許庁

After laminating a conductive material protection film on the organic material film by non-reactive sputtering method, an electrode is formed from the surface of this film by conversion to an oxide film by making use of a plasma oxidation method using oxygen radical ions by a low electron temperature high-density plasma apparatus.例文帳に追加

有機物材料膜の上に非反応性スパッタリング法で導電性材料保護膜を積層し、その後、この膜の表面から低電子温度高密度プラズマ装置による酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化物膜へと変換させて、電極を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma generator capable of generating lengthy line plasmas with uniformity and a high density; and to provide a film forming device capable of forming film on a large area substrate, an etching device, a surface treatment device, and an ion implantation device, by utilizing the above plasma generator.例文帳に追加

均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。 - 特許庁

A method, for depositing tungsten-based liner layer 52/barrier layer 54 on a substrate 40 by using preferably a high density plasma enhanced CVD process, such as an ionized metal plasma(IMP) process, or another process where sputter flux of a material from a target is ionized, is provided.例文帳に追加

本発明は、好ましくはイオン化金属プラズマ（ＩＭＰ）プロセスなどの高密度プラズマＰＶＤプロセスや、ターゲットからの材料のスパッタフラックスをイオン化するその他のプロセスを用い、基板４０上にタングステンベースのライナ層５２／バリヤ層５４を堆積させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for producing a super-water repellent film where a water repellent treatment layer can be efficiently and firmly formed by forming a high density plasma environment in a vacuum regarding a means of forming a water repellant treatment layer by plasma, and to provide a product thereby.例文帳に追加

プラズマによる撥水処理層の成形手段に真空中の高密度プラズマ環境を形成することによって、効率よくかつ強固に撥水処理層を形成できるようにした、超撥水膜の製造方法および製造装置並びにその製品の提供。 - 特許庁

To form plasma by stable glow discharge or Townsent discharge with high density over a wide range under pressure close to atmospheric pressure to perform highly productive plasma treatment even if an object to be treated is a metallic member with a large area.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で安定したグロー放電またはタウンゼント放電によるプラズマを高密度かつ広範囲に形成し、処理対象が大面積の金属部材であっても、その表面全体を同時に処理可能な生産性の高いプラズマ処理を可能とすること。 - 特許庁

This high-density plasma generating device for generating plasma by producing pulse glow discharge in a discharge container 6 with discharge electrodes 3 disposed therein, is equipped with a return rod 5 for passing a discharge current therethrough coaxially with and in the opposite direction to the discharge current passed across the discharge electrodes 3.例文帳に追加

このために放電電極３，３が配置された放電容器６内でパルスグロー放電を起こしてプラズマを発生する高密度プラズマの発生装置が、放電電極３，３間の放電電流方向と同軸状かつ逆向きに放電電流を流すリターンロッド５，５を備えている。 - 特許庁

The reactor is further provided with: a means for confining the gas flow in an axial direction through the pump annulation and preventing plasma from flowing to the pump port; a means for compensating for the asymmetry of a gas flow pattern of the whole pedestal generated from the arrangement of the pump port; and a means for controlling the plasma distribution having an inherent tendency to promote the edge-high plasma density distribution.例文帳に追加

反応器はさらに、ポンプ環状部を介して軸方向のガス流を閉じ込めて、プラズマがポンプポートに流れるのを防止する手段、ポンプポートの配置から生じるペデスタル全体のガス流パターンの非対称性を補償する手段、縁部が高いプラズマ密度分布を促進する固有の傾向を有するプラズマ分布をコントロールする手段を備える。 - 特許庁

The process further contains the process forming a high-density plasma from the process gas 28 in the process chamber 10 during the initial period by applying a power to an inductive coupling coil 26 and the process applying a bias towards a substrate 45 in the plasma, promoting the sputtering effect of the plasma and depositing a PSG film over the substrate during the initial period.例文帳に追加

さらに、プロセスは、誘導結合コイル２６にパワーを印加して上記初期期間中、プロセスチャンバ１０内のプロセスガス２８から高密度プラズマを形成する工程、上記プラズマを基板４５に向かってバイアスをかけ、プラズマのスパッタリング効果を促進させ、上記初期期間中、基板にわたりＰＳＧ膜を堆積させる工程を含む。 - 特許庁

Furthermore, a plasma generation method can be applied to an extreme ultraviolet light source device for generating extreme ultraviolet light (EUV) while the laser beam is irradiated to an extreme ultraviolet light emissive species arranged outside a discharge zone and the generated plasma is supplied to the discharge zone, and the plasma can be supplied to the discharge zone while it maintains the high density.例文帳に追加

また、本発明を、放電領域外に配置された極端紫外光放射種にレーザビームを照射し、発生したプラズマを放電領域に供給して、極端紫外光（ＥＵＶ）を発生させるＥＵＶ光源装置にも適用でき、プラズマを高い密度を維持した状態で放電領域に供給することができる。 - 特許庁

Gas for sputtering is introduced into a furnace to remove any residual gas and impurities on a surface of a test piece, nitrogen and hydrogen is introduced into the furnace, the power of the low current is applied to a multiple hollow cathode to generate plasma of high density, and the state of nitrogen plasma in the plasma is changed to form a nitride layer to the nano-size.例文帳に追加

炉の内部にスパッタリングのための気体を注入して試片表面の残留ガス及び不純物を除去し、炉の内部に窒素と水素を注入するとともに多重中空陰極体に低電流の電力を印加して高密度のプラズマを生成し、プラズマ内の窒素プラズマの状態を変えて窒化物層をナノサイズに形成する。 - 特許庁

Thus, the high density area of plasma can be generated over or moved to the substantially entire surface including the periphery of the outer edge of the target, and the use efficiency of the target can be enhanced.例文帳に追加

これにより、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺を含むほぼ全面に亘って生じさせるもしくは移動させることが可能となり、ターゲットの利用効率の向上を図ることができる。 - 特許庁

This method includes a step of providing SiC, a step of providing an atmosphere including oxygen, a step of performing a high-density (HD) plasma process, and a step of overlaying the SiC substrate to form a SiO_2 layer.例文帳に追加

方法は、ＳｉＣを提供するステップ、酸素を含む雰囲気を供給するステップ、高密度（ＨＤ）プラズマプロセスを実行するステップ、およびＳｉＣ基板をオーバーレイするＳｉＯ_２層を形成するステップを包含する。 - 特許庁

To provide a low-current high-density plasma nitriding method capable of depositing a nano-sized nitride on a surface of a product, and capable of increasing the thickness of a layer of a compound on the surface of the product, and to provid the device for the same.例文帳に追加

製品の表面にナノサイズの窒化物を形成したり、製品の表面に化合物の層厚を厚く形成したりすることが可能な低電流高密度によるプラズマ窒化方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

An Si rich silicon oxide film (SiOxCy film, x<2) 106 containing carbon is deposited by a bias system high density plasma CVD method in trenches 104a-10c made or a silicon substrate 10 deeper than the depth of the trench.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に形成された溝１０４ａ〜１０ｃ内に、バイアス系高密度プラズマＣＶＤ法により、炭素を含有したSiリッチなシリコン酸化膜（SiOxCy膜、X<2）１０６を溝の深さより厚く堆積する。 - 特許庁

By using a reactive gas in which Cl_2 and/or HBr is added to HI, the reactive gas is dissolved with high density plasma, and the iodine is made to react with the Cu layer not covered with the mask, to produce Culx.例文帳に追加

ＨＩにＣｌ_２及びまたはＨＢｒを添加した反応性ガスを用いて、該反応性ガスを高密度プラズマで分解し、ヨウ素をマスクで覆われていないＣｕ層を反応させＣｕｌｘを生成させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetooptic disk which can form a magnetooptic recording film of small particle size enough for good magnetic field sensitivity and high-density recording by using an inductively coupled RF plasma supported magnetron sputtering device.例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁界感度が良く、高密度記録に適した十分に粒径の小さな光磁気記録膜を成膜できる光磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of forming the quartz optical waveguide having a clad and core including quartz glass by using a plasma CVD method, the refractive indices of the clad and the core are controlled by controlling the density of high-frequency electric power.例文帳に追加

石英ガラスを含むクラッドおよびコアを具える石英系光導波路をプラズマＣＶＤ法を用いて形成する際に、高周波電力密度を制御することにより、クラッドおよびコアの屈折率を制御する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium wherein a plasma CVD system of high productivity can be carried out and static destruction of a magneto-resistive magnetic head is prevented in the magnetic recording medium which performs reproduction of a signal recorded with high density by using the magneto-resistive magnetic head.例文帳に追加

磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用いて高密度に記録された信号の再生がなされる磁気記録媒体において、高い生産性のプラズマＣＶＤ方式が実施可能で、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの静電破壊を防ぐ磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that can form a high-quality film and prevent heat damage to a substrate due to a high-density plasma, in a method for manufacturing a functional film by CCP-CVD in which a roll-to-roll process using a film forming drum is adopted.例文帳に追加

成膜ドラムを用いるロール・トゥ・ロールを利用する、ＣＣＰ−ＣＶＤによる機能性フィルムの製造において、高品質な膜を成膜することができ、かつ、高密度なプラズマに起因する基板の熱損傷も防止できる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film depositing apparatus capable of achieving high-density plasma maintaining a stable discharge state even when using inexpensive and safe discharge gas and depositing a thin film of excellent quality for a long time, and to provide thin film of excellent quality and high performance at low cost.例文帳に追加

安価且つ安全な放電ガスを用いても、安定した放電状態を維持した高密度プラズマを達成することができ、良質な薄膜を長時間製膜可能な薄膜形成装置を提供し、良質で高性能な薄膜を安価に提供すること。 - 特許庁

To create a high-frequency power supply means effectively controlling standing wave generated among electrodes being a disincentive of generation of uniform plasm having large area and high density necessary to improve productivity in an application for a surface treatment of high-frequency plasma; and to provide an apparatus for a surface treatment for a thin film Si system solar cell, a TFT or the like with a high productivity.例文帳に追加

高周波プラズマの表面処理への応用での生産性向上に必要な大面積・高密度・均一のプラズマ生成の阻害要因である電極間に発生の定在波を、効果的に制御する高周波電力供給手段を創出し、薄膜Ｓｉ系太陽電池・ＴＦＴ等の高生産性の表面処理装置を提供すること。 - 特許庁

To hasten a flow of a plasma air flow by throwing a high speed rectification gas into an arc surrounding; to strengthen an electromagnetic force and a magnetic field that act on the arc to improve an arc energy density and arc directivity and rigidity to thereby enable to perform high-speed welding; and moreover to improve a shield effect to enable to perform a high-quality welding.例文帳に追加

アーク周囲に高速整流ガスを流してプラズマ気流の流れを速め、アークに作用する電磁力及び磁界を強化してアークのエネルギー密度、アークの指向性及び硬直性を高めて高速溶接を行えるようにし、また、シールド効果を高めて高品質な溶接を行えるようにする。 - 特許庁

Reactive gas is introduced like a shower to a second electrode 15 from hollowly processed gas ejecting holes 22, and charged particles in plasma having high density and high energy which is generated by combination of high frequency power and low frequency power are horizontally and alternately accelerated and swung between the second electrodes 15 surrounding the object to be processed.例文帳に追加

反応ガスは第二電極１５へシャワー状に中空孔加工されたガス噴出口２２から導入され、高周波電力と低周波電力の結合により発生した高密度で高エネルギーなプラズマ中の荷電粒子が被処理物を囲む第二電極間１５で左右交互に加速且つ揺り動かされる。 - 特許庁

Many coaxial magnet groups each of which is constituted of a cylindrical center magnet 11b and six cylindrical peripheral magnets 11c having reverse polarity against the cylindrical center magnet 11b are arranged in a counter electrode (plasma generation electrode) to uniformly generate high density plasma on the periphery of the counter electrode (plasma generation electrode) and a magnetic field on a substrate is made substantially negligible.例文帳に追加

対向電極（プラズマ発生電極）内に、円柱状中心磁石１１ｂと、円柱状中心磁石１１ｂとは逆極性に配置した６個の柱状周辺磁石１１ｃとから構成された同軸状磁石組を、多数配置して、高密度プラズマを対向電極（プラズマ発生電極）周辺に均一に発生させ、基板における磁場は無視出来る程度にする。 - 特許庁

To stabilize the electron density of a plasma which is generated in a vacuum chamber by supplying reactive gas into the vacuum chamber and supplying a high frequency power into the vacuum chamber from a high fre quency power supply intermittently via an impedance matching device.例文帳に追加

真空チャンバー内に反応性ガスを供給すると共に高周波電源からインピーダンス整合器を介して真空チャンバー内に高周波電力を間欠的に繰り返し供給することにより、真空チャンバー内にプラズマを発生させる場合において、発生するプラズマの電子密度を安定させる。 - 特許庁

To provide a dry etching method of a film containing a noble metal free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas and applying low frequency bias power to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

貴金属を含む膜のドライエッチング方法において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the semiconductor substrate is exposed to the high-density plasma, a temperature becomes high only on the extreme surface of the substrate and quickly drops along the thickness of the substrate, so that this property is used to repair a spot defect with heat generated on the surface without advancing diffusion.例文帳に追加

高密度プラズマに半導体基板をさらした場合、基板の極表面のみが高温になり基板の厚み方向では急速に温度が低下するので、この性質を利用すれば、拡散を進めることなく、表面に発生した熱により点欠陥を修復することができる。 - 特許庁

In this case, the third insulating layer 128 for gap-fill is formed on the upper part of the semiconductor substrate 100 including the second insulating layer 126, and preferably the third insulating layer 128 is formed by an HDP (high density plasma) oxide layer with high gap-fill characteristic by using an HDP procedure.例文帳に追加

その場合に、第２絶縁膜１２６を含む半導体基板１００の上部には、ギャップフィルのための第３絶縁膜１２８が形成され、好ましくは第３絶縁膜１２８は高密度プラズマ方式(ＨＤＰ)を用いて埋め込み特性のよいＨＤＰ酸化膜で形成する。 - 特許庁

When a reaction gas is supplied to a chamber, at the same time, a high-frequency voltage is applied for generating plasma, and a silicon nitride film 18 is formed as the final protection film of a semiconductor substrate 6, power density when the high-frequency voltage rises is set larger than 1.75 W/sec.cm2 for applying.例文帳に追加

チャンバに反応ガスを供給するとともに高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、半導体基板６の最終保護膜としてシリコン窒化膜１８を形成するに際し、高周波電圧の立ち上りのときのパワー密度を１．７５Ｗ／ｓｅｃ・ｃｍ^2よりも大きくして印加する。 - 特許庁

The transient diffraction grating element comprises a periodic spatial density distribution of plasma generated by light flux interference wherein the high-intensity pulse laser beam with a plurality of ultra high peak outputs of 0.1 TW to 1 PW are projected so as to cross in a gas, liquid, or solid transparent medium.例文帳に追加

複数の超高ピーク出力0.1TW〜1PＷの高強度パルスレーザー光を、気体中、液体中もしくは固体透明媒質中で交叉するように照射することにより光束干渉が起こって生成したプラズマの周期的空間密度分布からなる過渡回折格子素子。 - 特許庁

By mounting an insulating induction magnet on the reaction chamber forming the high density plasma, the semiconductor manufacturing apparatus does not fail due to a heat generating phenomenon even though the power of the high frequency is supplied, operation reliability of the apparatus is excellent and productivity is improved.例文帳に追加

このように高密度プラズマを形成する反応チャンバに絶縁性の誘導磁石を装着することによって、半導体製造装置は高周波の電力を供給しても発熱現象による故障が生じず、装置の稼動信頼性が良く生産性を向上させうる。 - 特許庁

Fine processing is performed by using the trilevel resist consisting of a polyaryl group organic resin 11 having heat resistance at temperature higher than the film formation temperature of an inorganic film in the plasma CVD method, a silicon oxide film 12 which is an inorganic film formed by the plasma CVD method, has high film density and reduced at its defects, and a photoresist film 13.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法による無機物膜の成膜温度よりも耐熱温度が高い有機樹脂であるポリアリール系樹脂膜１１、プラズマＣＶＤ法により形成され、膜密度が高く、欠陥の少ない無機質膜であるシリコン酸化膜１２、及びフォトレジスト膜１３からなるトリレベルレジストを用いて微細加工を行う。 - 特許庁

Since plasma generated by using microwaves at a frequency of not less than 1 GHz has high electron density, silicon hydride or silicon halide which is source gas can be easily dissociated, so that mass productivity of the display can be improved.例文帳に追加

周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波を用いたプラズマは電子密度が高く、原料ガスである水素化珪素またはハロゲン化珪素の解離が容易となるため、表示装置の量産性を高めることが可能である。 - 特許庁

To achieve uniform treatment in a peripheral direction by fully securing the plasma density balance between the microwave introduction part of especially an annular waveguide and an opposing part so that high-quality treatment can be made speedily and uniformly.例文帳に追加

高品質な処理をより高速かつ均一に行うことが可能になるように、特に環状導波管のマイクロ波導入部と対向部のプラズマ密度バランスを十分に確保し、周方向の均一な処理を可能とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for manufacturing a member coated with a carbon-based film which realize supply of plasma of high density even to a surface of a recessed portion, and enable a condition for synthesizing a carbon film excellent in sliding characteristic to be adjusted.例文帳に追加

凹面表面に対しても密度の高いプラズマを供給することが可能で、且つ摺動特性の優れた炭素系膜が合成可能な条件を調整可能な炭素系膜被覆部材の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁