「high- density plasma」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Vapor pressure of the light emitting material in the discharge space 24 becomes elevated, a large amount of light is obtained, and by a high electric field generated in the electrode 26, high density plasma is generated in the discharge space 24 having high gas pressure, which then moves to electric discharge by a high frequency electric field generated in the electromagnetic irradiation field.例文帳に追加

放電空間24の発光物質の蒸気圧が高められて大光量が得られ、電極26に発生した高電界により、ガス圧の高い放電空間24で高密度プラズマが発生し、電磁波照射部で発生した高周波電界による放電に移行する。 - 特許庁

By applying a high voltage pulse voltage to both the electrodes 1, 2 from a high voltage applying circuit 50, a discharge is generated between both the electrodes 1, 2 and in the penetrating aperture 2a, a high-density high-temperature plasma is generated by xenon ionized by the electron beam.例文帳に追加

高電圧印加回路５０から、両電極１，２に高電圧パルス電圧を印加すると、両電極１，２間に放電が発生し、貫通孔２ａには電子線により電離したキセノンによる高密度高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。 - 特許庁

To provide a device and a method for generating the high-speed corpuscular ray in which the plasma density can be unified, and a surface of a base material can be uniformly treated.例文帳に追加

プラズマ密度の均一化を図り、もって、基材表面に対して均一な処理を施すことができる高速粒子線発生装置及び高速粒子線の発生方法を得る。 - 特許庁

Since a laser beam 23 is irradiated, space density distribution of the high-temperature plasma raw material can be set at a given distribution, and the position of the discharge channel can be defined.例文帳に追加

レーザビーム２３を照射しているので、高温プラズマ原料の空間密度分布を所定の分布に設定することが可能となり、また放電チャンネルの位置を画定することが可能となる。 - 特許庁

To prevent the generation of void in a metal wiring by suppressing the thermal expansion of the metal wiring upon forming an interlayer insulating film by a high density plasma CVD method so as to cover the metal wiring.例文帳に追加

メタル配線を覆うように高密度プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成する際に、メタル配線の熱膨張を抑制して、メタル配線にボイドが発生するのを防ぐ。 - 特許庁

In the first etching processing chamber 1, a substrate 6 is etched by a high density plasma, and this substrate 6 is passed through the gate valve 8 and is moved to the second etching processing chamber 9.例文帳に追加

第１のエッチング処理室１では高密度プラズマによるエッチングが基板６に対して行われ、この基板６はゲートバルブ８を通って第２のエッチング処理室９に移動する。 - 特許庁

To obtain a solar cell panel readily suppressing occurrence of arc discharge in a high plasma density environment and readily increasing the mounting efficiency of solar cells and decreasing the weight of the same.例文帳に追加

プラズマ密度が高い環境下でのアーク放電の発生を抑制し易いと共に太陽電池の実装効率の向上および軽量化を図り易い太陽電池パネルを得ること。 - 特許庁

In this manner, substantially all surfaces that confine the high density plasma will have surface roughness characteristics that promote polymer adhesion, and particulate contamination inside the reactor can be substantially reduced.例文帳に追加

高密度プラズマを閉じ込める実質的に全ての面がポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つことができ、反応器内のパーティクル汚染は実質的に減少され得る。 - 特許庁

In a grinding wheel manufacturing device, plasma having high density is generated on a surface of a transfer shape part 12 by instantaneous electric discharge when predetermined voltage is applied a gap between an electrode 11 and the grinding wheel 13.例文帳に追加

電極１１と砥石１３との間に所定の電圧を印加すると、転写形状部１２の表面に瞬間的な放電によって密度の高いプラズマが発生する。 - 特許庁

A ridged part 6 is formed on the substrate 1 by a high-density plasma CVD method, and each one giant magnetic resistance element 7, 8 is provided on both inclined surfaces in the longitudinal direction of the ridged part 6.例文帳に追加

基板１に、高密度プラズマＣＶＤ法により山部６を形成し、この山部６の長手方向の両方の斜面にそれぞれ１個の巨大磁気抵抗素子７、８を設ける。 - 特許庁

Furthermore, as the silicon nitride membranes 51-53 are formed by a high-density plasma CVD method, the film-forming temperatures can be made low and the thermal damages to the organic EL element can be reduced.例文帳に追加

さらに、高密度プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜５１〜５３を形成するようにしたので成膜温度の低温化が図れ、有機ＥＬ素子への熱的ダメージを低減することができる。 - 特許庁

To eliminate the corrosion of a facility due to chlorine remaining on a semiconductor substrate after an etching process employing chlorine based etching gas and high density plasma, and to eliminate the resulting adhesion of particles.例文帳に追加

塩素系エッチングガス，高密度プラズマを用いるエッチングプロセスの後に半導体基板上に残留する残留塩素による設備の腐食、それに起因するパーティクル付着をなくす。 - 特許庁

To provide a dry etching method, using a fluorine-based etching gas, especially one which uses ICP (inductively-coupled plasma) type low-pressure, high-density plasma, for effectively preventing unwanted particles without decreasing the productivity.例文帳に追加

弗素（フッ素）系エッチングガスを用いるドライエッチング方法、特にはＩＣＰ（誘導結合プラズマ）型の低圧高密度プラズマを用いるエッチング方法において、不所望なパーティクルの発生を効果的に防止でき、且つ生産性を損なうことのないものを提供する。 - 特許庁

The plasma-generation zone is restricted and the plasma density near the substrate 1 is increased by generating high-frequency discharge between the substrate holder 2 and the opposite counter electrode plate 3 in contrast with conventional method to generate the discharge between the substrate holder 2 and the wall of the chamber 10.例文帳に追加

高周波放電が基板ホルダー２とチャンバー１０壁面との間ではなく、基板ホルダー２とこれに対向する対向電極板３との間で生じさせることでプラズマ発生領域を限定し、基板１付近でのプラズマ密度を高める。 - 特許庁

The form of the plurality of vertical electrodes 21 is specified so that a distribution in the plasma density is uniform when the plasma of a supply gas is formed by high frequency power between the electrical discharge electrode 3 and the opposite electrode 2.例文帳に追加

複数の縦電極２１は、放電電極３と対向電極２との間で高周波電力により供給ガスのプラズマが形成されるとき、プラズマの密度の分布を均一化するように複数の縦電極２１の形態が設定される。 - 特許庁

Furthermore, laser beams L1 emitted from a laser source 7 are irradiated to a high temperature plasma material 8, and a low temperature plasma gas of an ion density of 10^17-10^20 cm^-3 level is supplied to a narrow discharge channel formed between the electrodes 2a, 2b.例文帳に追加

また、レーザ源７から放出されるレーザビームＬ１が高温プラズマ原料８に照射され、イオン密度が１０^17〜１０^20ｃｍ^-3程度の低温プラズマガスが、電極２ａ，２ｂ間に形成されている細い放電チャンネルに供給される。 - 特許庁

To provide a magnetic neutralline discharge plasma treatment device in which a metal such as opaque steel can be used without using a magnetic wall in the vacuum chamber, while generating a low voltage and low temperature high density plasma and maintaining time-space and spatial control concerning the size and the location of the generated plasma, and which is of low cost and has wide applications.例文帳に追加

低圧で低温高密度のプラズマ生成及び生成するプラズマの大きさと位置に関する時空間的・空間的制御性を維持しながら、真空チャンバに磁性壁を用いずに不透鋼などの金属を用いることができる低コストで応用範囲の広い磁気中性線放電プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

After a non-bias liner film 17a is formed on a gate electrode 13 with the use of a non-bias plasma CVD, a low bias liner film 17b is formed on the film 17a with the use of a low bias plasma CVD and an HDP film 18a is formed on the film 17b by a high-density plasma CVD.例文帳に追加

ノンバイアスのプラズマＣＶＤを用いてノンバイアスライナ膜１７ａをゲート電極１３上に形成してから、低バイアスのプラズマＣＶＤを用いて低バイアスライナ膜１７ｂをノンバイアスライナ膜１７ａ上に形成し、高密度プラズマＣＶＤにより、ＨＤＰ膜１８ａを低バイアスライナ膜１７ｂ上に形成する。 - 特許庁

To provide a plasma generator for eliminating heat and derivatives which drive when forming discharge plasma and operating at a high repetitive rate by providing a capillary having a taper extending to the direction that operation gas moves in a discharge portion, and accelerating the operation gas and controlling the density distribution while eliminating the plasma at every operation.例文帳に追加

放電部に動作ガスの移動方向に拡開するテーパーが形成されているキャピラリーを設け、動作ガスの加速と密度分布の制御（と同時に動作毎にプラズマの排除）を行うことにより放電プラズマを形成する際に派生する熱や派生物を排除し高繰り返し動作を実現する。 - 特許庁

To restrain metal deposition caused by discharge gas on the surface of an insulating material of an electrode part, enable to obtain stable discharge, and enable to align a position of high-density high-temperature plasma releasing EUV light in high accuracy and that of an EUV condensing mirror.例文帳に追加

電極部の絶縁材表面への放電ガスに起因する金属の堆積を抑制し、安定した放電が得られるようにし、また高精度にＥＵＶ光を放出する高密度高温プラズマの位置とＥＵＶ集光鏡の位置との位置合わせ可能とすること。 - 特許庁

Thermosetting, bottom-applied polymeric anti-reflective coatings exhibiting high optical density, rapid plasma etch rates, high solubility in preferred coating solvents, excellent feature coverage, and improved stability in solution are disclosed.例文帳に追加

高い光学密度、迅速なプラズマエッチ速度、好ましい溶媒における高い溶解性、優秀な像被覆面積、および改良された溶媒中安定性を示す、熱硬化性下層適用性ポリマー抗反射コーティングについて記載する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering device having high target use efficiency, which is capable of forming a high density area of plasma up to the periphery of the outer edge of the target by expanding a magnetic field from a magnetic field forming unit to the outer circumferential side.例文帳に追加

磁界形成部からの磁界を外周側に広げ、プラズマの高密度領域をターゲットの外縁部周辺にまで形成することが可能な、ターゲット利用効率の高いマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The momentum and the reaction of ions passing through the multiple hollow cathode are maximized to generate plasma of high density, and a nitride layer of high hardness with less change of roughness can be deposited on the surface of the test piece.例文帳に追加

これにより、多重中空陰極体を通過するイオンの運動量及び反応を最大にして高密度のプラズマを生成することができ、試片の表面に、粗度の変化がほとんどない高硬度の窒化層を形成することができる。 - 特許庁

For feeding a high density induction coupling high frequency plasma source, a radio-frequency antenna 34 having the edge on the side of the substrate is positioned in the vicinity of the reactor chamber and is connected to a 2nd radio-frequency signal source 38 via an impedance matching apparatus.例文帳に追加

高密度誘導結合高周波プラズマ源を供給するために、基板側の端を有する無線周波数アンテナは、リアクタ室周辺に位置しインピーダンス整合器を介して第二の無線周波数信号源に接続されている。 - 特許庁

The composition has a high inhibitory action on rise of plasma cholesterol and is effective for diet, preventing and treating obesity and preventing and treating life habit diseases such as hyperlipemia, arteriosclerosis by the inhibitory effect on reduction of high-density lipoprotein cholesterol.例文帳に追加

血漿コレステロール上昇抑制効果が大きく、また高密度リポ蛋白コレステロール減少抑制効果による、ダイエット、肥満の予防・改善、高脂血症や動脈硬化症などの生活習慣病の予防・治療に有効である。 - 特許庁

By bias based high density plasma CVD applying a high frequency power to the substrate, the gap between the wirings is filled with a silicon oxide film 108 and an amorphous SiC film 109 is formed thereon using silane, methane and argon as a material (b).例文帳に追加

基板に高周波電力を印加するバイアス系高密度プラズマＣＶＤ法により、配線間をシリコン酸化膜１０８で埋め込み、その上にシラン、メタン、アルゴンを原料としたアモルファスＳｉＣ膜１０９を形成する（ｂ）。 - 特許庁

This high-energy electron generation method for generating the high-energy electron by radiating pulse laser beams onto a solid specimen 60 is provided with a process, in which plasma with a critical field plasma density or less is generated from the surface or a part of the solid specimen 60 before radiating the pulse laser beams onto the solid specimen 60, and a process, in which the pulse laser beams are radiated to the plasma.例文帳に追加

パルス状のレーザー光線を固体試料６０に入射させて高エネルギー電子を発生させる高エネルギー電子発生方法において、パルス状のレーザー光線を固体試料６０に入射させる前に、固体試料６０の表面又は一部から臨界プラズマ密度以下のプラズマを生成する工程と、プラズマにパルス状のレーザー光線を入射させる工程とを具備する。 - 特許庁

In this method for manufacturing a fine crystal silicon photovoltaic element, when a silicon film is formed on a substrate 206 by using a plasma chemical vapor growth method, a high frequency power for plasma excitation whose power density is temporally changed is applied to a high frequency electrode 210 placed so as to be faced to the substrate 206.例文帳に追加

微結晶シリコン光起電力素子の製造方法として、プラズマ化学気相成長法を用いて基板２０６上にシリコン膜を成膜する際に、基板２０６に対向して置かれた高周波電極２１０に、時間的にその電力密度を変化させたプラズマ励起用高周波電力を印加するようにした。 - 特許庁

To provide a method for producing quarts glass having excellent viscosity at a high temperature, less impurities to be chemically inert, excellent impact resistance and strength even under high density plasma, and generating no corrosion during repetitive use, and to provide parts for apparatuses consisting of the quarts glass and utilizing halogenized product gas and the plasma.例文帳に追加

不純物が少なく化学反応しないと共に、高密度プラズマ下でも耐衝撃性、強度に優れ、繰り返し使用される中においても腐食を生じることがなく、かつ高温での粘性に優れた石英ガラスの製造方法及び、石英ガラスからなるハロゲン化物ガス及びそのプラズマを利用する装置用部品を提供する。 - 特許庁

To suppress the generation of particles to be the cause of fine pattern formation defects and to improve the yield of a semiconductor device without lowering productivity when forming a high density plasma CVD film.例文帳に追加

高密度プラズマＣＶＤ膜を形成する際に、生産性を低下させることなく、微細パターン形成不良の原因となるパーティクルの発生を抑制し、半導体デバイスの歩留りを向上する。 - 特許庁

After a liner film 7 having a charge damage which is smaller than that of a HDP film 8a is formed on a gate electrode 3, the HDP film 8a is formed on the liner film 7 with the high density plasma CVD.例文帳に追加

ＨＤＰ膜８ａよりもチャージダメージの小さいライナ膜７をゲート電極３上に形成してから、高密度プラズマＣＶＤにより、ＨＤＰ膜８ａをライナ膜７上に形成する。 - 特許庁

Subsequently, an additional high-density and low-energy plasma treatment is processed, so that a top surface of the lithium alloy oxide layer forms uniform, dense, and inter-necked nano grains, and an inside/lower part remains unchanged.例文帳に追加

続いて、付加的な高密度、低エネルギーのプラズマ処理を実行して、リチウム合金酸化層の上表面が、均一、緻密、緊密に接合したナノ粒子を形成し、内部/下方は、そのまま維持する。 - 特許庁

To provide a production method for realizing a target material having high density and a uniform structure by using a discharge plasma sintering method as a sintering method having excellent production efficiency among powder metallurgical methods.例文帳に追加

粉末冶金法の中でも、製造効率に優れた焼結法である放電プラズマ焼結法を用いて、高密度かつ組織が均一なターゲット材を実現するための製造方法を提供する。 - 特許庁

Since electron attachment and detachment are apt to occur, after the plasma generating high-frequency pulse power is turned off, the density of electrons is decreased abruptly, and at the same time, anions are abruptly increased.例文帳に追加

プラズマ発生用の高周波パルス電力がオフになった後の状態では、電子付着解離が生じやすくなるので、電子密度が急速に低下すると共に負イオンは急激に増加する。 - 特許庁

The driving device 8 reciprocates the magnetic field generating mechanism 7 with the amplitude of the size equal to or below the interval of each race track-shaped high density plasma generated on the surface of the target 4 at uniform velocity.例文帳に追加

上記駆動装置８は、ターゲット４の表面に生成された各レーストラック状高密度プラズマの間隔以下の大きさの振幅で上記磁場発生機構７を等速で往復移動させる。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus capable of uniformly forming a large-area film of high quality by performing efficient energy transmission to a plasma generation region and uniform distribution of electric field density.例文帳に追加

プラズマ生成領域へのエネルギ伝送の効率化と、電界強度分布の均一化を図ることにより、大面積で高品質な膜を均一に製膜することができる真空処理装置を提供する。 - 特許庁

A second gas inlet 5 is provided midway between the first gas inlet 4 and the substrate 2, and gas containing carbon monoxide gas is introduced into an afterglow region 13 located below the high-density plasma region 12.例文帳に追加

第１ガス導入口４と基板２との中間の位置に第２ガス導入口５を設け、高密度プラズマ領域１２の下部のアフターグロー領域１３に、一酸化炭素を含有するガスを導入する。 - 特許庁

To provide a low-pressure/high-density plasma processing device wherein, related to dry cleaning of a position film, the local deviation in the thickness of a derivative plate is prevented for stable production processes.例文帳に追加

ポジション膜のドライクリーニングにおいて誘導体プレートの厚みに局所的な偏りが生じることを防止し、安定した生産工程を実現させるための低圧・高密度プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

By the means loss of the micro wave can be prevented, damage of the dielectric window 10 can be prevented, a reliability of the device can be enhanced and high density of plasma radiation be attained.例文帳に追加

そのため、マイクロ波が損失するのを抑制でき、それだけ誘電体窓１０の損傷を回避することができる結果、装置の信頼性を高め、プラズマのより高密度化を図ることができる。 - 特許庁

To generate a high-density plasma by suppressing the intrusion of impurities in making thin films of dielectric substances and semiconductors by an ion plating method which performs a pressure gradient type arc discharge.例文帳に追加

圧力勾配型アーク放電を行うイオンプレーティング法により誘電体や半導体の薄膜を作製する際に、不純物の混入を抑制できるようにし、高密度のプラズマの発生を可能にする。 - 特許庁

To provide a method for coating an inner wall of a pore with a small inside diameter in a substrate or the surface of the substrate with a complicated shape with an amorphous film by using high-density plasma, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

基材の小内径孔内壁または複雑形状の基材表面に非晶質被膜を被覆することを可能とする高密度プラズマ表面被覆処理方法および装置を提供する。 - 特許庁

Regarding the second invention, in the method for producing a hard film, combinedly using means with different plasma density at the time of application, a film having high hardness and a film having low hardness are continuously alternately applied.例文帳に追加

次に、本願第２発明は、プラズマ密度の異なる手法を被覆時に併用し、高硬度皮膜と低硬度皮膜とを連続して交互に被覆することを特徴とする硬質皮膜の製造方法である。 - 特許庁

Since the first and the second laser beams 23, 24 are irradiated, spatial density distribution of the high-temperature plasma material can be established in a prescribed distribution and the position of the discharge channel can be can be demarcated.例文帳に追加

第１、第２のレーザビーム２３，２４を照射しているので、高温プラズマ原料の空間密度分布を所定の分布に設定するとともに、放電チャンネルの位置を画定することが可能となる。 - 特許庁

In a semiconductor device 1 for expressing a shallow trench isolation (STI) structure, an Si substrate 2 is etched to form a trench 3 with a depth A, and the trench 3 is filled with a high-density plasma oxide film (HDP 4a).例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造を表す半導体装置１で、Ｓｉ基板２をエッチングで深さＡのトレンチ３を形成し、高密度プラズマ酸化膜（ＨＤＰ４ａ）で当該トレンチ３を充填する。 - 特許庁

In addition to this, the flat interwiring insulating film 32, whose top is flat can be obtained by forming a USG layer 30, using vapor growth method utilizing high-density plasma superior in embedding property.例文帳に追加

この上に、埋め込み性の良い高密度プラズマを利用した気相成長法を用いてＵＳＧ層３０を形成することで、上面の平坦な配線間絶縁膜３２を得ることができる。 - 特許庁