「high- density plasma」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To freely and precisely control plasma density distribution by using a simple magnetic shielding member without requiring special revision to an RF antenna for plasma generation or a high frequency power supply system.例文帳に追加

プラズマ生成用のＲＦアンテナや高周波給電系統に特別な細工を必要とせずに、簡易な磁気シールド部材を用いてプラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。 - 特許庁

A phosphorus-doped silicon oxide film as at least an interlayer insulating film in a multi-layered wiring is formed in a plasma CVD method or a high-density plasma CVD method.例文帳に追加

多層配線中の少なくとも１層の層間絶縁膜を形成する手段として、プラズマＣＶＤ法または高密度プラズマＣＶＤ法を用いて燐添加シリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a microwave plasma generating device, and its operation method, with a simple structure and an excellent operability, capable of generating high-density plasma by efficiently taking in microwave.例文帳に追加

機器構成が簡単で操作性が良く、マイクロ波を効率よく導入して高密度プラズマを生成することのできるマイクロ波プラズマ発生装置およびその運転方法を提供する。 - 特許庁

Since ion energy of the plasma P can be reduced while obtaining high density plasma P, damage on the surface of the susceptor 3 can be minimized while performing a good cleaning.例文帳に追加

これにより、高密度なプラズマＰを得ながらそのプラズマＰのイオンエネルギーを低減させることができるため、良好なクリーニングを行いつつサセプタ３の表面の損傷を抑えることができる。 - 特許庁

To provide a small atmospheric pressure plasma generator capable of simply generating high-density atmospheric pressure plasma in an atmospheric pressure environment, and particularly suitable for processing a conductor.例文帳に追加

大気圧環境下において簡単に高密度な大気圧プラズマを発生させることができ特に導電体の加工に好適な小形の大気圧プラズマ発生装置を実現すること。 - 特許庁

The semiconductor manufacturing apparatus utilizing plasma comprises a plurality of high-density plasma generating units, which are radially arranged on the sidewall of the process chamber with uniform spacing along the circumferential direction, and each of which generates plasma and injects the generated plasma into the process chamber.例文帳に追加

プラズマを利用した半導体製造装置は、工程チャンバの側壁に一定の円周方向に間隔を置いて放射状に設けられ、各々がプラズマを発生させ、発生されたプラズマを工程チャンバに注入する多数の高密度プラズマ発生ユニットを有する。 - 特許庁

To provide a plasma processor and a plasma processing method for generating a plasma by supplying a microwave from a plurality of waveguides, and for generating a plasma with high and uniform density in a larger scale.例文帳に追加

複数の導波管からマイクロ波を供給してプラズマを生成するプラズマ処理装置において、より広範囲に高い密度の均一なプラズマを電磁波源を破壊することなく生成させることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-density plasma treatment device capable of performing surface treatment, coating, high-speed treatment such as cleaning, and large-area treatment.例文帳に追加

大気圧環境下における各種基材の表面処理、コーティング、洗浄などの高速処理、大面積処理を与えることができる高密度プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and low frequency bias power is applied to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus for processing a substrate to be processed, a space for plasma excitation and a plasma gas introducing path for the same are separated from each other by a porous medium such as a porous ceramic material, thereby: preventing the plasma excitation in the plasma introducing path; and exciting uniform plasma of high density in a desired plasma excitation space.例文帳に追加

被処理基板を処理するプラズマ処理装置において、プラズマを励起するための空間と、プラズマを励起するためのプラズマガス導入経路を多孔質媒体、たとえば多孔質セラミック材料で分離することにより、前記プラズマガス導入経路でのプラズマの励起を防止して、所望のプラズマ励起空間において高密度かつ均一なプラズマを励起させることが可能とする。 - 特許庁

Wafer treatment can be performed utilizing the high density plasma region generated between an upper electrode 4 having a high frequency electric power supply 1 and a lower electrode 8 having a high frequency electric power supply 7 and harmful results of the treatment in the low density plasma region (gas is shut off in this region) is restrained and unevenness of the treatment can be dissolved.例文帳に追加

高周波電源１を有する上部電極４と高周波電源７を有する下部電極８との間に生ずる高密度プラズマ領域を利用してウェハ処理ができ、低密度プラズマ領域（この領域はガスをオフにする）での処理による弊害を抑止し、処理むらを解消できる。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that makes the unevenness of electric field distribution on a surface of an electrode small so that etching rate distribution is uniform in a plasma process using a high density plasma that can correspond to further fining.例文帳に追加

より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method generating an uniform plasma of high density and large area, reducing kinetic stress and thermal stress added on a dielectric window for indentation of microwave.例文帳に追加

異常放電を防止しつつ均一で高密度な大面積プラズマを生成し、且つマイクロ波入射用の誘電体窓に加わる力学的応力と熱的応力を減少させるプラズマ処理装置及び処理方法の提供。 - 特許庁

The surface of the target 13 is arranged by shifting at an incident side rather than a light-concentrating point of the laser beam, and the plasma is transported to a zone separated from the generating point of the plasma while the plasma keeps high density at good directivity.例文帳に追加

ターゲット１３の表面は、レーザビームの集光点よりも入射側にずらして配置されており、プラズマは指向性がよくかつ高い密度を保ちながら、プラズマの発生地点よりも離れた領域まで輸送される。 - 特許庁

To improve a plasma treatment rate of a substrate in an apparatus for treating the substrate with microwave plasma where a microwave antenna is engaged with a treatment chamber through a microwave window and the substrate to be treated is treated with excited high density microwave plasma.例文帳に追加

処理容器にマイクロ波窓を介してマイクロ波アンテナを係合させ、励起された高密度マイクロ波プラズマにより被処理基板を処理するマイクロ波プラズマ基板処理装置において、基板のプラズマ処理速度を向上させる。 - 特許庁

To provide a microwave plasma treatment device, that has a long sealing member life and can prevent the contamination of a sample, even when high-density plasma is to be generated, and the sealing member used for the microwave plasma treatment device.例文帳に追加

高密度のプラズマを生成する場合であっても、封止部材の寿命が長く、また試料の汚染を防止することができるマイクロ波プラズマ処理装置、及び該マイクロ波プラズマ処理装置に使用する封止部材を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode embedding member for use of a plasma generator capable of uniformly processing silicon wafers by keeping a plasma density distribution constant in generating the plasma, by applying high frequency to a plasma generating electrode to process the silicon wafer and having high durability against halogen-based corrosive gas.例文帳に追加

プラズマ発生用電極に高周波を印可して、プラズマを発生させ、シリコンウエハを処理するに当たって、プラズマの密度分布を一定に保つことによってシリコンウエハを均一に処理できると共に、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐久性の大きいプラズマ発生装置用電極埋設部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a dielectric substance-coated electrode which generates high density plasma even employing an inexpensive discharge gas such as nitrogen to form a thin film of high quality at high speed, and to provide a plasma discharge treatment apparatus using the same, and to inexpensively provide a base material having a dense thin film of high quality.例文帳に追加

窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る、誘電体被覆電極及びそれを用いたプラズマ放電処理装置の提供、そして、これにより良質で緻密な薄膜を有する基材を安価に提供する。 - 特許庁

The amount of electrons captured by the Peltier element 5 is large where plasma density is high, resulting in higher cooling effect, while the cooling effect is lower where the plasma density is low, so the uniformity of in-plane temperature of the wafer is improved.例文帳に追加

プラズマ密度が大きいところではペルチェ素子５に捕獲される電子量が多く、冷却効果が大きくなり、逆にプラズマ密度が小さいところでは冷却効果が小さくなるので、ウエハの面内温度の均一性を高めることができる。 - 特許庁

Because the center seal plate 13b does not transmit microwaves, the plasma density is reduced in the central region of the reaction chamber 19 which is likely to have a high density, and uniform plasma treatment can be executed over the two regions of the central and peripheral regions.例文帳に追加

中央封止板１３ｂはマイクロ波を透過しないので、プラズマ密度が高くなり易い反応室１９の中央領域においてプラズマ密度が低減され、中央領域と周囲領域とでプラズマ処理を均一に行なえる。 - 特許庁

The first silicon film 2 is formed by a hot CVD method, and the second film 3 is formed by a high-density plasma CVD method.例文帳に追加

ここで、熱ＣＶＤ法によって、第１のシリコン膜２を形成し、高密度プラズマＣＶＤ法によって、第２のシリコン膜３を形成する。 - 特許庁

When the chamber formed for deposition of copper is a high density plasma chamber, a copper coil of the chamber may also be heated during cleaning.例文帳に追加

銅の堆積のために形成されたチャンバーが高密度プラズマチャンバーである場合には、チャンバーの銅コイルはまた洗浄の間、加熱されてもよい。 - 特許庁

Wiring layers 2 are formed on a semiconductor substrate 1 and thereafter, an SiOF film 3 is formed on the whole surface of the substrate 1 by an HDP(High Density Plasma)-CVD method.例文帳に追加

半導体基板１上に配線層２を形成した後、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により全面にＳｉＯＦ膜３を形成する。 - 特許庁

To allow the position of a discharge channel to be defined and proper setting of the density of high temperature plasma raw material in the discharge channel.例文帳に追加

放電チャンネルの位置を画定可能とし、当該放電チャンネルにおける高温プラズマ原料の密度を適宜設定できるようにすること。 - 特許庁

To provide high-density plasma oxide-film evaporation equipment which prevents attacks applied to the beveling site of a semiconductor substrate, through the deformation of a guide ring.例文帳に追加

ガイドリングの変形を通じて半導体基板のベベル部位に加わるアタックを防ぐ高密度プラズマ酸化膜蒸着装備を提供する。 - 特許庁

That is, the wiring circuit board 10 is installed outside of a sheath layer 7 in an area where a plasma density generated near the AC electrode 5 is high.例文帳に追加

すなわち、交流電極５近傍に発生するプラズマ密度の高い領域であるシース層７外に配線回路基板１０を設置する。 - 特許庁

Further, by controlling a flow of the above gas, a position control of a region in which an EUV light with a wavelength of 13.5 nm is irradiated in the high-density high-temperature plasma can be carried out in high accuracy.例文帳に追加

また、上記ガスの流量を調整することにより高密度高温プラズマにおいて波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する領域の位置制御を高精度に行うことが可能となる。 - 特許庁

To provide a plasma generation method which generates stable, high density plasma even in a condition where stable plasma can not be obtained heretofore, and even in a plasma generation device having simple structure like a parallel flat plate type.例文帳に追加

従来は安定してプラズマを得ることができなかったプラズマ生成条件でも、安定して高密度プラズマを生成することが可能であり、また、平行平板型のような簡単な構造を有するプラズマ生成装置でも高密度プラズマを生成することが可能なプラズマ生成方法を提供する。 - 特許庁

A treatment device composed of: an electron beam excitation ion source for generating nitrogen atom plasma with a high density and a high dissociation degree; a treatment tank for storing plasma and performing nitriding treatment; a vacuum system device; a heating apparatus; and a gaseous starting material system device is used.例文帳に追加

高密度・高解離度の窒素原子プラズマを発生させるための電子ビーム励起イオン源、プラズマを溜め窒化処理を行う処理槽，真空系装置，加熱装置，原料ガス系装置からなる処理装置を使用する。 - 特許庁

To provide a high quality, high performance semiconductor manufacturing apparatus which avoids the generation of dust and the degradation of durability by mitigating ion bombardment, and at the same time, is excellent in the uniformity control of plasma density by suppressing plasma diffusion.例文帳に追加

イオン衝撃を緩和してダストの発生及び耐久性の低下を回避すると同時に、プラズマの拡散を抑制してプラズマ密度の均一性制御に優れた、高品質・高性能の半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

In generating this plasma, a high frequency voltage is applied to the discharging electrode 12 by a first high frequency power source 22, and simultaneously to the counter electrode 14 by a second high frequency power source 26; charged particles are thereby enclosed in the plasma to increase plasma density.例文帳に追加

前記プラズマの形成にあたり、第１の高周波電源２２によって放電発生用電極１２に高周波電圧を印加すると同時に、第２の高周波電源２６によって対向電極１４にも高周波電圧を印加し、これによって荷電粒子をプラズマ中に閉じ込めてプラズマ密度を高める。 - 特許庁

A long-life, thermal filament type plasma density information extraction section 11 using the absorption phenomenon of the measuring high-frequency power fed to plasma PM via a dielectric tube as the measurement principle is provided separately from a plasma generating high-frequency power feed system.例文帳に追加

本発明では、誘電体製のチューブを介してプラズマＰＭへ供給される測定用高周波パワーの吸収現象を測定原理とする長寿命・熱フィラメントレス方式のプラズマ密度情報求出部１１をプラズマ生成用の高周波パワーの供給系とは別に設けている。 - 特許庁

Since the density of plasma is controlled by the high-frequency power from the power source 51 and ion energy is controlled by the high-frequency power from the power source 41, high-selectivity plasma treatment can be performed on a wafer W, without giving damages to the wafer W.例文帳に追加

高周波電源５１からの高周波電力でプラズマの密度の制御がなされ、高周波電源４１の高周波電力によってイオンエネルギーが制御されるので、ダメージを与えることなく、選択性の高いプラズマ処理がウエハＷに対して施される。 - 特許庁

To provide a device and a method for treating with plasma by which treatment with high density plasma can be easily performed and to provide an apparatus and a method for manufacturing a thin film using them.例文帳に追加

本発明は、高密度なプラズマによる処理を容易に実現できるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法ならびにこれを用いた薄膜製造装置および薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

The plasma TEOS oxide film 3 is formed by a two-frequency excitation plasma CVD device using a high-frequency power supply and a low-frequency power supply such that a film density thereof decreases toward an upper part.例文帳に追加

プラズマＴＥＯＳ酸化膜３は、高周波電源および低周波電源を用いる２周波励起プラズマＣＶＤ装置により、膜密度が上部に行くほど小さくなるように形成される。 - 特許庁

In at least some embodiments, the invention is a plasma etching method comprising steps of applying a gas mixture of CF_4, N_2, and Ar and forming high density low impact energy plasma.例文帳に追加

少なくともいくつかの実施形態においては、本発明は、ＣＦ_4、Ｎ_2、Ａｒを含むガス混合物を適用するステップと、高密度低衝撃エネルギープラズマを形成するステップとを含むプラズマエッチング法である。 - 特許庁

To suppress particle generation in generating plasma under atmospheric pressure to solve a problem that the generation of particles by high-density plasma causes such failures as point defects, line defects, or the like in the display part of a display device.例文帳に追加

大気圧下でプラズマを発生させる場合、高密度のプラズマによって発生するパーティクルは表示装置における表示部の点欠陥や線欠陥などの不良の原因となるものである。 - 特許庁

To improve the quality of treatment by controlling a strong electric field and high density plasma produced near a contact between a supporting portion supporting a transmission window and the transmission window in a plasma treatment apparatus using a micro wave.例文帳に追加

マイクロ波を利用したプラズマ処理装置において，透過窓を支持する支持部と該透過窓との接点近傍で，強い電界，高密度プラズマが発生するの抑え，処理の質の向上を図る。 - 特許庁

Induced electric fields generated in the vertical direction on the inner walls of the antennas by applying a high-frequency voltage to the antennas 16 accelerate plasma electrons in the direction, and increase a plasma density.例文帳に追加

高周波アンテナ１６への高周波電圧の印加により高周波アンテナの内壁に垂直な方向に生じる誘導電界が、プラズマ電子をその方向に加速し、プラズマ密度が高くなる。 - 特許庁

On passing through the filter, the highly ionized arc plasma is essentially rid of particles making a source plasma for reacted as well as un-reacted coatings characterized by high density and near defect free quality.例文帳に追加

フィルタを通過する際に、高度に電離したアークプラズマには基本的に粒子がなく、これによって高密度でほぼ欠点がない品質を特徴とする反応及び未反応コーティングの源プラズマとなる。 - 特許庁

The optical function film 20 is formed by laminating sequentially a lower layer 22 comprising silicon nitride of high density, an intermediate layer 23 comprising silicon nitride of low density, and a surface layer 24 comprising silicon nitride of high density, by a plasma CVD method, on the surface of an organic light-emitting element of a display panel 10.例文帳に追加

表示パネル１０の有機発光素子の表面に、プラズマＣＶＤ法により、高密度の窒化シリコンよりなる下部層２２と、低密度の窒化シリコンよりなる中間層２３と、高密度の窒化シリコンよりなる表面層２４とを順に積層して光学機能膜２０を形成する。 - 特許庁

This invention is a kind of high density light wavelength division multiplexing deposition system, with which, plasma density is improved by using an antenna or cyclotron resonant magnet to a quarter wavelength, and at the same time, function of the high density light wavelength division multiplexing deposition system can be strengthened.例文帳に追加

本発明は一種の高密度光波長分割多重堆積システムであり、１／４波長にアンテナ及びサイクロトロン共振マグネットを利用することによって、プラズマの密度を向上させるとともに、高密度光波長分割多重の堆積システムの機能も増強することができるものである。 - 特許庁

To provide a plasma shutter forming apparatus and a plasma shutter forming method to prevent damage of an optical element due to return light reflecting and returning to upstream of a laser driven radiation generating system when producing high density plasma in the laser driven radiation generating system.例文帳に追加

レーザー駆動放射線発生システムにおいて高密度プラズマを生成した際に反射してレーザーシステムの上流に戻る戻り光による光学素子の損傷を防止するプラズマシャッター形成装置および形成方法を提供する。 - 特許庁

Plasma containing high-density radicals is formed linearly by using microwaves and damage-free and high-speed film formation, etching and so forth are performed so as to realize continuous machining of wafers or the like.例文帳に追加

大気圧で動作する装置と減圧下で動作する装置とのインターフェイスを柔軟に構成することは不可能であり、これがボトルネックとなり効率的なプロセスに限界がある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein trenches which are formed in a manufacturing process of the semiconductor device and have high aspect ratios can be filled by using a high density plasma(HDP) method.例文帳に追加

半導体装置の製造過程で形成される高アスペクト比を有するトレンチを高密度プラズマ（ＨＤＰ）法で埋め込むことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁