「high- density plasma」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus the area of the surface facing the pedestal 5 in the showerhead 10 is increased, plasma of high density is uniformly generated in the process chamber 2.例文帳に追加

これにより、シャワーヘッド１０におけるペデスタル５と対向する面の面積が増大するため、プロセスチャンバ２内に均一で高密度のプラズマが発生する。 - 特許庁

To provide a microwave plasma treating apparatus that efficiently forms an ECR magnetic field and generates high-density and uniform plasm.例文帳に追加

効率よくＥＣＲ磁場を形成することができると共に、高密度で均一なプラズマを生成することができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

After the aspect of trench is reduced, high density plasma CVD silicon oxide film having excellent embedding property and the characteristic approximated to that of thermally oxidized film is deposited.例文帳に追加

トレンチのアスペクトを減じた後、埋め込み性に優れなおかつ熱酸化膜に近い特性を持つ高密度プラズマＣＶＤシリコン酸化膜を堆積する。 - 特許庁

To provide high density UV discharge and reduce a drive voltage and response time in a plasma display panel operative in an AC or DC system.例文帳に追加

ＡＣ又はＤＣ方式で作動するＰＤＰにおいて、高密度ＵＶ放出を提供し、駆動電圧を低下させ、かつ応答時間を短縮すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a carbon nanotube by which the highly purified carbon nanotube can be easily grown from graphite or a carbon lump with high density plasma.例文帳に追加

高密度プラズマを用いて黒鉛や炭素塊りが高度精製された炭素ナノチューブを容易に成長させる炭素ナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering apparatus which can improve the plasma density in a relatively easy manner without using any high frequency power source circuit which is expensive and requires a space for a matcher.例文帳に追加

高価でマッチャなどのスペースを要する高周波電源回路を用いなくても、比較的容易にプラズマ密度向上を図り得るようにする。 - 特許庁

A high density plasma is formed by setting a pressure 15-100 Torr and an electrode interval 6 mm or less, and an ion sheath is formed on the anode side.例文帳に追加

１５〜１００Ｔｏｒｒの圧力で、かつ電極間隔を６ｍｍ以下とすることにより、高密度のプラズマを形成し、アノード側にイオンシースを形成する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and apparatus for realizing high ion saturation current density and superior uniformity even if a distance between an antenna and a substrate is diminished.例文帳に追加

アンテナと基板との距離を小さくしても均一性が良く、かつ、高いイオン飽和電流密度が得られるプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrical discharge electrode capable of easily making uniform density of high frequency plasma formed between the electrical discharge electrode and an opposite electrode.例文帳に追加

放電電極と対向電極との間に形成される高周波プラズマの密度を容易に均一にすることが可能な放電電極を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma display panel in which high density of an electrode extraction terminal per panel is realized without introducing aggravation of joining quality of the electrode extraction terminal.例文帳に追加

電極引出端子の接合品質の悪化を招くことなく、パネルあたりの電極引出端子の高密度化を図ったプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

Regarding the first invention, in the method for producing a hard film, a phase applied by high density plasma and a phase applied by low density plasma form a multiphase structure, and the difference in compositional concentration is generated at the inside of the hard film.例文帳に追加

本願第１発明は、硬質皮膜は高密度プラズマにより被覆した相と、低密度プラズマにより被覆した相とが多相構造をなし、該硬質皮膜内部において組成濃度差を発生させることを特徴とする硬質皮膜の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for producing silver powder optimum for producing electrically conductive paste capable of forming an electrode and a circuit in a chip component, a PDP (plasma display panel) or the like with remarkable fining, high density, high precision and high reliability.例文帳に追加

チップ部品、ＰＤＰ等の電極や回路を、大幅にファイン化、高密度、高精度、高信頼性で形成することの出来る導電ペーストの製造に最適な銀粉末の製造方法の提供するものである。 - 特許庁

After a gate oxide film 10 has been formed on a silicon substrate G, a first step of forming a microcrystalline silicon film by high electron density plasma of an electron temperature of 2.0 eV or less and a second step of forming an ultra-microcrystalline silicon film by high electron density plasma of an electron temperature higher than 2.0 eV are repeated.例文帳に追加

シリコン基板Ｇ上にゲート酸化膜１０を形成後、２．０ｅＶの電子温度以下の高電子密度プラズマにより微結晶シリコン膜を形成する第１の工程と、２．０ｅＶの電子温度より高い電子温度の高電子密度プラズマを用いて超微結晶シリコン膜を形成する第２の工程と、を繰り返し成膜する。 - 特許庁

First, a silicon oxide film is formed thicker than the groove with a bias system high density plasma CVD method to the groove formed on the silicon substrate 101, and thereafter a phosphorus-doped silicon oxide film 107 is deposited in another chamber with similar bias system high density plasma CVD method.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に形成された溝１０４ａから１０４ｃに、最初、バイアス系高密度プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１０６を溝の深さより厚く形成し、次いで、別チャンバーにおいて同様のバイアス系高密度プラズマＣＶＤ法によりリンドープシリコン酸化膜１０７を堆積する。 - 特許庁

Then, a bias high frequency electric power is applied on the wafer stage 3 by a high frequency power source 13, and further, a high frequency electric power, e.g. of 2 MHz is applied to a coil antenna 9 by a high frequency power source 11 to generate a high density plasma in the treating chamber 2.例文帳に追加

そして、高周波電源１３によりウェハステージ３上にバイアス高周波電力を印加すると共に、高周波電源１１によりコイルアンテナ９に例えば２ＭＨｚの高周波電力を印加し、処理チャンバ２内に高密度プラズマを発生させる。 - 特許庁

The residual methane is treated by plasma, having energy density in a range of 15-100 J/L which is generated in a plasma reactor 10 by impressing a high-voltage electric signal between an internal electrode 16 and an external electrode 12 of the plasma reactor 10.例文帳に追加

プラズマ反応器10の内部電極16と外部電極12との間に高電圧の電気信号を印加することによりプラズマ反応器10内に発生させた、１５Ｊ／Ｌ〜１００Ｊ／Ｌの範囲にあるエネルギー密度を有するプラズマによって、残留メタンが処理される。 - 特許庁

With this arrangement, plasma generated by the energy beams is to be with less free expansion than a prior art, and a density of gas of the plasma material in a discharge area can be maintained in a high state.例文帳に追加

このため、エネルギービームによって発生させたプラズマを、従来よりも自由膨張が少ないものにすることができ、放電領域におけるプラズマ原料のガスの密度を高い状態に維持することができる。 - 特許庁

An interaction between an ultra-high density plasma (10^14/cm^3) generated by laser ablation and a plasma (10^14/cm^3) generated using SiH_4, H_2 gas, etc., using RF, VHF, UHF, etc., is utilized.例文帳に追加

レーザーアブレーションによる超高密度プラズマ（１０^１４／ｃｍ^３）とＲＦ、ＶＨＦ、ＵＨＦ等を用いたＳｉＨ_４、Ｈ_２ガス等を用いて生成されるプラズマ（１０^１４／ｃｍ^３）との相互作用を利用する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method capable of generating highly uniform plasma with a high density, while suppressing adhering substances on a dielectric member in radical etching and/or low-speed etching with low substrate bias.例文帳に追加

ラジカル性のエッチング、及び／又は低い基板バイアスで低速のエッチングにおいて、誘電体部材への付着物を抑制しながら、高密度で高い均一性のプラズマを生成できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus capable of generating highly uniform plasma with a high density, while suppressing adhering substances on a dielectric member in radical etching and/or low-speed etching with low substrate bias.例文帳に追加

ラジカル性のエッチング、及び／又は低い基板バイアスで低速のエッチングにおいて、誘電体部材への付着物を抑制しながら、高密度で高い均一性のプラズマを生成できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

A high-density plasma tool provides a high-density plasma having a relatively uniform density at least over the full size of a semiconductor wafer to be treated by impressing VHF/UHF power having a frequency of about 40 MHz or higher upon the generally radial antenna elements of an antenna, and adjusting the phase of the standing-wave component of the voltage in the radial elements.例文帳に追加

アンテナの一般に放射状のアンテナ要素に渡り、約４０ＭＨｚまたはそれ以上の周波数を有するＶＨＦ／ＵＨＦ電力が印加され、一般に放射状の要素内の電圧の定在波成分の位相が調整されて、少なくとも処理される半導体ウエハのサイズの領域に渡り、比較的一様な密度の高密度プラズマを提供する。 - 特許庁

The lower surface of an insulating window 30 is formed such that a distance between the lower surface and a horizontal surface formed by a chuck in a processing chamber becomes larger in a region where the density of a plasma formed within the processing chamber is high than in a region where the density of the plasma is low.例文帳に追加

絶縁窓３０の下部面の形状が、下部面と工程チャンバーの内部のチャックが形成する水平面の間の離隔距離が工程チャンバーの内部に形成されるプラズマの密度が低い領域よりもプラズマの密度が高い領域でさらに遠くなるように形成されている。 - 特許庁

To continuously form stable high-temperature and high-density plasma without damaging surrounding optical elements, an X-ray detector and the like by flying of fast fine particles from a target material.例文帳に追加

ターゲット材から高速の微粒子が飛散して周辺に存在する光学素子、Ｘ線検出器などに損傷を与えることがなく、連続して安定した高温高密度プラズマを生成することができる。 - 特許庁

To raise energy density by feeding powers of a plurality of high frequency power supplies for plasma, and to suppress a phenomenon in which treatment becomes uneven by high frequency powers simultaneously supplied.例文帳に追加

複数のプラズマの高周波電源の電力を投入することでエネルギー密度を高めるとともに、高周波電力が同時に供給されることによって処理が不均一となる現象を抑制する。 - 特許庁

To provide a durable microwave induction device with small dielectric loss that is suitable for executing reliable and stable processes of high performance which induces microwaves of high electric density to a plasma process system.例文帳に追加

耐力性があり、誘電損失が少なく、プラズマプロセス装置に大電力密度のマイクロ波を導入して信頼性、安定性の高い高効率のプロセスを行うに適したマイクロ波導入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an EUV light source device capable of effectively generating EUV light, by maintaining a density of a high temperature plasma material as high as possible when discharge is generated between electrodes.例文帳に追加

電極間に放電が生じた時の高温プラズマ原料の密度をできるだけ高い状態にし、効果的にＥＵＶ光を発生させることが可能なＥＵＶ光源装置を提供すること。 - 特許庁

To enhance a display quality of a plasma display panel based on a gas discharge and enhance durability of a display lighting by providing a manufacturing method and a manufacturing device of the plasma display panel to form an MgO thin film having a high electron emitting characteristic and a high density.例文帳に追加

電子放出性が高く、密度の高いＭｇＯ薄膜を形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法と製造装置を提供することにより、ガス放電に基づくプラズマディスプレイパネルの表示品質を高め、かつ表示点灯の耐久性を高める。 - 特許庁

To reduce electromigration within an aluminum inter-element connec tion by depositing an aluminum layer successively on three layers Ti/TiN/TiNx, having an initial Ti layer formed thereon in a high density plasma.例文帳に追加

優れたエレクトロマイグレーション特性を有するアルミニウム素子間配線を可能にする多数の異なるウエッティング・レイヤーあるいはウエッティング／バリヤー・レイヤーを提供する。 - 特許庁

To improve in-plane uniformity of a process by equalizing or arbitrarily controlling the spatial distribution of density of plasma to be generated by capacitive-coupling high frequency discharge.例文帳に追加

容量結合型の高周波放電によって生成するプラズマの密度の空間的な分布を均一化ないし任意に制御してプロセスの面内均一性を向上させる。 - 特許庁

A point where the reflection factor is largely lowered on the obtained reflection factor frequency characteristic is the strong absorption peak of the high-frequency power caused by the plasma density.例文帳に追加

求出した反射率周波数特性で反射率が大きく低下するところはプラズマ密度に起因して高周波パワーの強い吸収が起こるピークである。 - 特許庁

To realize a plasma display device which defines a range of display cell with an electrode structure, thereby having no improper display caused by the spread of discharge, and having a high display-cell density.例文帳に追加

各表示セルの範囲を電極構造により規定して、放電の広がりによる誤表示が発生せず且つ表示セルの密度が高いＰＤＰ装置の実現。 - 特許庁

To provide a DC high-density plasma source capable of generating arc discharge in a short time and protecting a negative electrode after shifting to arc discharge.例文帳に追加

短時間でアーク放電を生じさせることができるとともに、アーク放電移行後には陰極を保護することができる直流高密度プラズマ源を提供する。 - 特許庁

The inductance of the antenna is made smaller or the antenna conductor 5 is coated with an insulator, whereby abnormal discharge is restricted, resulting in stable high-density plasma.例文帳に追加

またアンテナのインダクタンスを小さくしたり、アンテナ導体を絶縁体で被覆したりして異常放電の発生を抑制し、高密度プラズマの安定化を図っている。 - 特許庁

To provide a method and a device for depositing an amorphous silicon film on a substrate using a high-density plasma chemical vapor deposition(HDP-CVD) technique.例文帳に追加

高密度プラズマ化学的気相堆積（ＨＤＰ−ＣＶＤ）技術を使用して、アモルファスシリコン膜を基板上に堆積するための方法および装置が提供される。 - 特許庁

An HDP-NSG (high-density plasma-NSG) film 2, a tantalum oxide film 3, a titanium nitride film 4, and an NSG film 5 as a sacrifice film formed by the CVD (chemical vapor deposition) method are successively laminated on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜２、タンタル酸化膜３、チタン窒化膜４、犠牲膜としてＣＶＤ法によるＮＳＧ膜５を順次積層する。 - 特許庁

In the method, a layer of fluorinated silicate glass(FSG) is deposited on a substrate by a high-density plasma, which is generated from silicon containing, oxygen containing and fluorine containing gases.例文帳に追加

この方法では、ケイ素含有ガス、酸素含有ガス、及びフッ素含有ガスから生成された高密度プラズマにより、フッ化ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）の層を基板上に堆積させる。 - 特許庁

The hollow visual field section 11a having the index 11b is formed without the occurrence of the roundness at the edge by rectilinear etching using a high-density plasma and RIE.例文帳に追加

指標１１ｂを備えた中空視野部１１ａは、高密度プラズマやＲＩＥによる直線的なエッチングで縁部に丸みが生じることなく形成されている。 - 特許庁

A high-density plasma, generated from a gaseous mixture of silicon-, fluorine- oxygen-, and nitrogen-containing gases, deposits a layer of nitrofluorinated silicate glass onto the substrate.例文帳に追加

ケイ素含有ガスとフッ素含有ガスと窒素含有ガスのガス混合気から生成された高密度プラズマが基板上にニトロフッ化ケイ酸塩ガラスの層を堆積させる。 - 特許庁

As to the deposited metal or metallic nitride film, next, contaminates are removed to make its density high, and then, the film can be exposed to plasma for reducing its specific resistance.例文帳に追加

堆積した金属あるいは金属窒化物膜は、次いで、汚染物を除去し、膜を高密度化し、そして膜の比抵抗を低下させるために、プラズマに曝すことができる。 - 特許庁

The interlayer dielectric 8 has a structure that an HDP (High Density Plasma) layer 10, a gettering layer 12 and an NSG (None-doped Silicate Glass) 11 are laminated in order from the semiconductor substrate 2 side.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜８は、半導体基板２側から順に、ＨＤＰ膜１０、ゲッタリング層１２およびＮＳＧ膜１１が積層された構造を有している。 - 特許庁

Sample gas introduced through a capillary pipe 16 is mixed with the plasma gas and the dilution gas by a turbulent flow generated by a collision between the plasma gas and the dilution gas, and sample components thereof are efficiently ionized by light from plasma without being affected by light shielding by sample components thereof having high density.例文帳に追加

キャピラリ管１６を通して導入された試料ガスはプラズマガスと希釈ガスとの衝突により生じる乱流によりそれらガスと混じり、試料成分は濃い試料成分による光遮蔽の影響を受けずに、プラズマからの光により効率的にイオン化される。 - 特許庁

Therefore, a substrate 8 to be treated can be treated with plasma by generating a uniform high density plasma over the whole surface of the substrate 8, regardless of the size of the substrate 8 by evenly arranging the plasma generating sources 20 in accordance with the size or the shape of the substrate 8.例文帳に追加

このため、かかる複数のプラズマ発生源２０を処理対象となる基板８の大きさや形状に合わせて均等に配置することで、基板８の大きさにかかわらず全面にわたって均一なプラズマ密度のプラズマを生成し、プラズマ処理をすることができる。 - 特許庁

In several aspects of the method, a thin-film oxide layer is superposed on the second silicon layer oxidized and formed by a high-density plasma excitation chemical vapor deposition treatment and the inductively coupled plasma source at a temperature lower than 400°C.例文帳に追加

この方法のいくつかの局面において、薄膜酸化物層は、酸化された第２のシリコン層の上に重なり、４００℃未満の温度で、高密度プラズマ励起化学蒸着処理および誘導結合プラズマソースによって形成される。 - 特許庁

To provide an ion source of compact device constitution in which the operating time for forming plasma can be prolonged in the ion source for forming the plasma of high density, and provide a preparation method of a filament having a long service life which is used for this ion source.例文帳に追加

高密度のプラズマを生成するイオン源において、プラズマ生成のための運用時間を長くすることのできる、コンパクトな装置構成のイオン源及びこのイオン源に用いる寿命の長いフィラメントの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma treatment device capable of generating stable plasma gas of high density by increasing the distance of a gas discharge flow passage excited between a pair of electrodes, and a treatment method using the device.例文帳に追加

一対の電極間で励起するガスの放電流路の距離を長くして、安定した高密度のプラズマガスを発生させて基材の処理を行うことのできる放電プラズマ処理装置及び該装置を用いた処理方法の提供。 - 特許庁