「hillocks」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method for forming an electrode that is substantially smooth or has no hillocks.例文帳に追加

実質的に平滑かまたはヒロックの無い電極を形成する方法。 - 特許庁

To reduce the density of hillocks of a major surface 12A of an InGaP layer 12.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ層１２の主表面１２Ａのヒルロックの密度を低減すること。 - 特許庁

The signal wire has an AlNd alloy used for lowering electric resistance and preventing hillocks.例文帳に追加

信号線は電気抵抗を下げるためとヒロックを防止するためにＡｌＮｄ合金が使用される。 - 特許庁

Next, the surface of the first protecting film 6 is polished to remove projecting parts of the hillocks 8 (Fig.(g)).例文帳に追加

次に、第１保護膜６の表面を研磨して、ヒロック８の突出部分を除去する（図（ｇ））。 - 特許庁

Consequently, current leakage paths in the part of the contricted layer 110 via hillocks are decreased, and scattering of light by the hillocks in the constriction layer 110 is suppressed, and waveguide loss is decreased also.例文帳に追加

これによってヒロックを介した電流狭窄層１１０部分の電流リークパスが減少し、かつ、電流狭窄層１１０部分のヒロックによる光散乱が抑制されるので導波損失も減少する。 - 特許庁

To provide an InP single crystal substrate such that epitaxial layers laminated on the single crystal substrate hardly produce hillocks.例文帳に追加

単結晶基板上に積層したエピタキシャル層にヒロックが発生しにくいＩｎＰ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

The Al layer 306 is physically thicker than the barrier Al layer 304 in order to effectively suppress the generation of hillocks etc.例文帳に追加

また、ヒロック等の発生を効果的に抑制するために、純Ａｌ層３０６がバリアＡｌ層３０４よりも物理的に厚い。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in which hillocks are not generated in wirings and also the controlling of etching form is easy when manufacturing of the device.例文帳に追加

製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

At least one highest upper surface in the plurality of hillocks 108 is in contact with the lower surface of the second interlayer insulating film 116.例文帳に追加

複数のヒロック１０８のうちの高さが最も高い少なくとも一つの上面が、第２の層間絶縁膜１１６の下面と接している。 - 特許庁

and saw a thing like a huge white butterfly go slanting and flittering up into the sky and, circling, disappear over some low hillocks beyond. 例文帳に追加

そして巨大な白いチョウのようなものが、空をめがけて傾きつつ羽ばたいて、旋回しては向こうの低い丘陵の上に消えました。 - H. G. Wells『タイムマシン』

To the north-eastward, the glare of snow lay under the starlight of the sable sky and I could see an undulating crest of hillocks pinkish white. 例文帳に追加

北東部では、雪の照り返しが陰気な空の星明かりの下に横たわり、波状の丘の頂がピンクがかった白となっているのが見えます。 - H. G. Wells『タイムマシン』

Accordingly, the hillocks 8 are prevented from reaching the surface of the second protecting film 7 and brought into a stop at an interface between the first protecting film 6 and the second protecting film 7.例文帳に追加

これにより、ヒロック８は、第２保護膜７の表面に至ることなく、第１保護膜６と第２保護膜７との界面で停止した状態となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which limits the probability of occurrence of hillocks in the manufacturing process to low level while suppressing the deterioration of the signal transmission performance of a wiring pattern.例文帳に追加

配線パターンの信号伝達性能の劣化を低く抑えながら製造時のヒロックの発生確率を低く抑えた半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method which suppresses the growth of hillocks on laminated wirings of a semiconductor device and improves the yield and characteristics.例文帳に追加

半導体装置の積層配線におけるヒロックの発生を抑え、歩留り、特性を向上させることが可能な半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic light emitting device capable of restraining defects caused by hillocks or the like of an electrode film formed on a substrate; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

基板上に形成される電極膜のヒロック等に起因する欠陥を抑制できる有機発光装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide electrode wiring where electrical resistance is low, thermal defects such as hillocks never occurs and high-temperature stability is superior, and which is inexpensive, reliable and suitable for high density.例文帳に追加

電気抵抗が低く、ヒロック等の熱欠陥が発生せず、高熱安定性に優れており、安価で信頼性が高く、高密度化に適した電極配線を提供すること。 - 特許庁

This capacitor solves the problem outlined above via a substantially smooth lower electrode construction, without hillocks that combines the laminar super lattice materials.例文帳に追加

層状超格子材料と組み合わせて用いる実質的に平滑な、すなわちヒロックのない下部電極を提供することによって、上記で略述した問題を克服する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor forming method and semiconductor manufacturing apparatus capable of forming layer insulation films having superior planarization characteristics, without contg. seams or hillocks at a low reflow temp.例文帳に追加

本発明は、シームや鬆を含まず優れた平坦化特性の層間絶縁膜を低いリフロー温度で薄膜形成できる半導体形成方法および半導体製造装置を得る。 - 特許庁

Prior to a cell forming process, heat treatment equivalent to that employed in cell forming process is performed, the pixel electrode is imparted with anti-fragile properties by generating hillocks or whiskers, a light shielding interlayer insulation film is formed on the pixel electrode, hillocks or whiskers are removed by CMP represented by mechanical polishing and the surface of the pixel electrode is made flush with the surface of the light shielding interlayer insulation film.例文帳に追加

セル組み工程以前に、セル組み工程で用いる加熱処理と同等の熱処理を施し、画素電極にヒロックやウィスカーを発生させ耐脆性をもたせ、画素電極上に遮光性層間絶縁膜を形成し、機械研磨に代表されるＣＭＰによってヒロックやウィスカーを除去するとともに画素電極表面と遮光性層間絶縁膜の表面を同一表面にする。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus using a composite structure manufacturing method in which separation of the film or generation of hillocks is suppressed when the film formed on a substrate is heat-treated by an AD method.例文帳に追加

ＡＤ法によって基板上に形成された膜を熱処理する際に、膜の剥離やヒロックの発生を抑制できる複合構造物の製造方法を用いた成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display or the like with a larger area and a higher definition by controlling hillocks without spoiling a low electrical resistance provided by aluminum.例文帳に追加

アルミニウム配線膜の形成方法において、アルミニウムの低い電気抵抗を損なわず、ヒロックを抑制することができ、液晶ディスプレイなどの大面積化、高精細化を可能とすることを目的とする。 - 特許庁

To develop and provide a new stock of Mo-Al and W-Al alloy sputtering targets small in the generation of problems by paying attention to high m.p. metal as a countermeasure against hillocks and voids.例文帳に追加

ヒロックやボイドの対策として高融点金属に着目し、問題発生の少ないＭｏ−ＡｌおよびＷ−Ａｌ合金スパッタリングターゲットの新しい素材を開発し提供することにある。 - 特許庁

In this manner, by limiting the crystal orientation state of the titanium film, the aluminum film 35 orientated preferentially on the crystal orientation (111) plane can be formed, thus obtaining wiring where the generation of hillocks has been suppressed.例文帳に追加

このようにチタン膜の結晶配向状態を限定することにより、結晶方位（１１１）面に優先配向したアルミニウム膜３５を成膜でき、ヒロック発生が抑制された配線を得ることができる。 - 特許庁

To provide a skin-activating composition for external use which exhibits an excellent skin-beautifying action by increasing skin hillocks and improves a skin feeling after used by suppressing decrease in the skin moisture content.例文帳に追加

皮丘数を増加させることにより優れた美肌作用を有し、また皮膚水分量の低下を抑制することにより使用後の皮膚感触を向上させる皮膚賦活外用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a structure capable of restraining generation of projected objects such as whiskers and hillocks on an anode electrode in a simple structure and restraining deterioration of voltage-resistant characteristics and generation of electric discharge, and a flat surface type display device having the structure.例文帳に追加

簡易な構成によりアノード電極におけるウィスカーやヒロック等の突起物の発生を抑制し、耐電圧特性の劣化、放電の発生を抑制できる構造、構成を有する平面型表示装置を提供する。 - 特許庁

Namely, hillocks are decreased, by using AlGaInAsP containing as a composition for the current constriction layer 110, and planarity and crystallinity of the element surface are enhanced, and the reliability of the element such as service life, etc., is improved.例文帳に追加

即ち、電流狭窄層１１０にＡｓを組成として含むＡｌＧａＩｎＡｓＰを用いることでヒロックが減少し、素子表面の平坦性及び結晶性が改善し、寿命などの素子信頼性が向上する。 - 特許庁

To obtain an active matrix liquid crystal display element comprising a thin film transistor in which the resistance of a wiring comprising a gate electrode and a gate line is lowered while retarding occurrence of hillocks in the wiring furthermore.例文帳に追加

薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型の液晶表示素子において、ゲート電極及びゲート線からなる配線の低抵抗化を図るとともに、配線にヒロックがより一層発生しにくいようにする。 - 特許庁

Since no oxide film is formed on the surfaces of Al crystal grains, the Al crystal grains get large in grain diameter and are improved in orientation, hillocks are produced less, even when heat treatment is carried out after the Al thin films 5a and 5c are formed.例文帳に追加

Ａｌの結晶粒表面に酸化膜が形成されないので、粒径が大きくなり、配向性も向上するため、Ａｌ薄膜５a、５cの形成後に熱処理された場合でも、ヒロックの発生が少なくなる。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave (SAW) element in which power resistance characteristics are improved and the occurrence of hillocks or voids is prevented by widely checking a natural oxide film or an insulating film not discussed in conventional technology.例文帳に追加

従来技術では述べられていない自然酸化膜や絶縁膜などについて広く検討し、耐電力特性の向上を図ると共にヒロックやボイドの発生の阻止を図った弾性表面波素子を提供することにある。 - 特許庁

To provide an eutectic crystal substrate for LED and a method for manufacturing the same for AuSn eutectic crystal junction, in order to control the generation of hillocks and surface diffusion of Ni forming an underlayer.例文帳に追加

本発明は、表面のヒロックの発生や下地層を構成するＮｉの表面拡散を抑制するようにした、ＡｕＳｎ共晶接合のためのＬＥＤ用共晶基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Even if a gate insulation film of silicon nitride is deposited subsequently by plasma CVD normally under at 250-350°C, occurrence of hillocks can be retarded furthermore on the surface of the gate electrode 22 and the gate line.例文帳に追加

すると、この後、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜をプラズマＣＶＤにより通常２５０〜３５０℃程度の温度で成膜しても、ゲート電極２２及びゲート線の表面にヒロックがより一層発生しにくいようにすることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sputter target by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputter target manufacturing method by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device which can increase the amount of display light by efficiently reflecting incident light to an element substrate while preventing the occurrence of stray light or hillocks, a method for manufacturing a liquid crystal device, and a projection display device.例文帳に追加

迷光の発生あるいはヒロックの発生を防止しつつ、素子基板に入射した光を効率よく反射して、表示光量を増大させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an Al alloy film for a display device which does not undergo the formation of hillocks even when exposed to high temperature of about 450 to 600°C, and has excellent high temperature heat resistance, low electrical resistance (wiring resistance) and excellent corrosion resistance under alkaline environments.例文帳に追加

４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode forming method for a surface acoustic wave (SAW) device in which power resistance is improved by suppressing the occurrence of hillocks or voids without any residue when etching an Al alloy film containing metal halides low in vapor pressure.例文帳に追加

本発明の目的は、ハロゲン化物の蒸気圧が低い金属を含んでいるＡｌ合金膜のエッチングにおいて、残渣を残さずに、ヒロックやボイドの発生を抑制し耐電力性が向上する弾性表面波デバイスの電極形成方法を提供することにある。 - 特許庁

The skin-activating composition for external use comprises a glucosamine fatty acid amide compound represented by general formula [I] for increasing the number of skin hillocks or enhancing the use feeling after cleansing and/or brown algae.例文帳に追加

<chemistry num="1"> </chemistry>また、本発明は、皮丘数を増加させるための、または、洗浄後の使用感を向上させるための上記一般式（Ｉ）で示されるグルコサミン脂肪酸アミド化合物及び／又は褐藻類を含有することを特徴とする皮膚賦活外用組成物である。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film which can reduce the resistance of a wiring film of a flat panel display device or the like in a process temperature region, and which has heat resistance to suppress hillocks and voids caused in a Cu based film, and to provide a sputtering target material for forming the Cu alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a ferroelectric memory device for preventing the characteristics of a ferroelectric capacitor from deteriorating due to the occurrence of hillocks and further preventing the characteristics of the ferroelectric capacitor from deteriorating by easily forming a contact hole leading to an upper electrode, and to provide a ferroelectric memory device.例文帳に追加

ヒロックの発生に起因して強誘電体キャパシタの特性が劣化するのを防止し、さらには、上部電極に通じるコンタクトホールの形成も容易にして強誘電体キャパシタの特性低下を防止した、強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of hillocks in a bottom electrode by making the bottom electrode such one that metal oxide crystal grains are distributedly precipitated in noble metal crystal grains which constitute the bottom electrode, in an FeRAM type or MFMIS-FET type semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、ＦｅＲＡＭ型若しくはMFMIS-FET型の半導体装置において、下部電極を構成する貴金属結晶粒子の粒内に金属酸化物結晶粒子を分散して析出させた下部電極とすることで、下部電極のヒロックの発生を抑制することである。 - 特許庁

By this method, the flat aluminum film 35 which is high in crystallinity in such a state that the crystals are preferentially oriented in (111)-plane can be formed by controlling the oriented state of crystals in the titanium film 34 by limiting the film quality of the gate insulating film, and the wiring 33 in which the occurrence of hillocks is suppressed can be obtained.例文帳に追加

このようにゲート絶縁膜の膜質を限定することによりチタン膜の結晶配向状態を制御し、結晶方位（１１１）面に優先配向した結晶性の良い平坦なアルミニウム膜３５を成膜できヒロック発生が抑制された配線を得ることができる。 - 特許庁

To provide chemical solution to form an oxide coating that has an improved insulation property and cannot cause hillocks to be generated easily while the chemical solution is used for the anode oxidation of metal, especially aluminum and an aluminum alloy, a method for forming a metal oxide coating using the formation liquid, and metal for forming the oxide coating by the method.例文帳に追加

金属、特にアルミニウムやアルミニウム合金の陽極酸化に用いて、絶縁性に優れ且つヒロックが発生しにくい酸化物皮膜を形成することができる化成液、それを用いる金属酸化物皮膜の形成方法及びその方法により酸化物皮膜を形成してなる金属の提供。 - 特許庁