「inter-first」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The first input/output module receives an output packet in which an inter-area destination address is recorded from the gateway apparatus via the area network.例文帳に追加

第１の入出力モジュールは、地域ネットワークを介して、ゲートウェイ装置から、異地域間宛先アドレスが記録された出力パケットを受信する。 - 特許庁

Then, a film (the diffusion preventing film 8) having compression stress is formed on the first inter-layer insulation film 2 so as to cover the embedded wiring 7.例文帳に追加

次に、埋め込み配線７を覆うように、第一の層間絶縁膜上２に圧縮応力を有する膜（拡散防止膜８）を形成する。 - 特許庁

The Euro Interbank Offered Rate (Euribor), which is an inter-bank interest rate in the euro zone, has steeply fallen since December 2011, when this operation was implemented for the first time.例文帳に追加

ユーロ圏のインターバンク金利である欧州銀行間取引金利（euribor）は同オペが初めて実施された2011年12月以降急速に低下している。 - 経済産業省

A first chamber 1 and a second chamber 3 carrying out given treatments on works are arrayed in a row with an inter-chamber conveying mechanism 7.例文帳に追加

ワークに対して所定の処理を行う第１チャンバー１と第２チャンバー３とを、チャンバー間搬送機構７を挟んで一列に配置している。 - 特許庁

The inter-network interface device is constituted by providing a signal processing part having a plurality of packages for performing signal processing to be performed by an inter-network interface between first and second networks and a control means for performing control so that the signal processing is preferentially assigned to a package with a surplus in the inter-network signal processing to be performed by the packages.例文帳に追加

第一の網と第二の網との網間インタフェースで行う信号処理を行うパッケージを複数有する信号処理部と、該パッケージで行う網間での信号処理に余剰のあるパッケージに対して優先して信号処理を割り付けるように制御する制御手段とを備えて構成される。 - 特許庁

A first switching section 30 applies execution of path diversity to the multicarrier signals when the inter-carrier interference amount is greater and applies execution of maximum ratio composite diversity to the multicarrier signals when the inter-carrier interference amount is smaller.例文帳に追加

第１切替部３０は、キャリア間干渉量が大きければ、複数のマルチキャリア信号に対してパスダイバーシチを実行させ、キャリア間干渉量が小さければ、複数のマルチキャリア信号に対して、最大比合成ダイバーシチを実行させる。 - 特許庁

A second metal pad 112 formed on a semiconductor substrate 100 is directly connected through a second inter-layer insulation layer 106, and a third inter-layer insulation layer 110 to a first metal pad 108 and a P-poly pattern 104.例文帳に追加

半導体基板１００に形成された第２メタルパッド１１２が第２層間絶縁層１０６および第３層間絶縁層１１０を介して第１メタルパッド１０８およびＰ−ポリパターン１０４と直接接続される。 - 特許庁

An inter-site monitoring server monitors the current first DB access part and second DB access part, and the like, and if detecting that the current first DB access part is down, switches the standby first DB access part to the current DB access part.例文帳に追加

サイト間監視サーバが、現用の第一ＤＢアクセス部及び第二ＤＢアクセス部等を監視し、現用の第一ＤＢアクセス部のダウンを検出した場合には、待機用の第一ＤＢアクセス部を現用のＤＢアクセス部に切り替える。 - 特許庁

An encoder device encodes a first portion of a piece of multimedia data using inter-coding to generate a first version, and encodes the first portion of the multimedia data using intra-coding to generate a second version.例文帳に追加

符号器装置は、第１のバージョンを生成するためにインター符号化を使用してマルチメディアデータの第１の部分を符号化し、第２のバージョンを生成するためにイントラ符号化を使用してマルチメディアデータの第１の部分を符号化する。 - 特許庁

After a first metal film and a first silicone oxide film are successively deposited on an insulating film 101 on a semiconductor substrate 100, a first inter-layer insulating film 103A composed of the first silicon oxide film and having an opening part and first metal wiring 102A composed of the first metal film, are formed by etching with a first resist pattern 104 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１００上の絶縁膜１０１の上に、第１の金属膜及び第１のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第１のレジストパターン１０４をマスクとしてエッチングを行なって、第１のシリコン酸化膜からなり開口部を有する第１の層間絶縁膜１０３Ａ及び第１の金属膜からなる第１の金属配線１０２Ａを形成する。 - 特許庁

In addition, the first and second gate insulating films 603 of the first and second memory cell transistors have the same thickness, the first and second floating gates 604 have the same thickness, the first and second inter-gate insulating films 605 have the same thickness and the first and second control gates have the same thickness of film.例文帳に追加

第１、第２メモリセルトランジスタがそれぞれ備える第１、第２ゲート絶縁膜６０３は同一の膜厚を有し、前記第１、第２フローティングゲート６０４は同一の膜厚を有し、前記第１、第２ゲート間絶縁膜６０５は同一の膜厚を有し、前記第１、第２コントロールゲート６０６は同一の膜厚を有する。 - 特許庁

By setting a space width between first-layer aluminum wires for connecting adjacent fuse elements less than twice of sidewall thickness of a first-layer inter-metal insulating film, exposure of hygroscopic SOG is prevented.例文帳に追加

隣り合うヒューズ素子に接続する第１層目のアルミニウム配線間のスペース幅を第１層目の金属間絶縁膜の側壁厚さの２倍未満とすることで、吸湿性のＳＯＧの露出を防止する。 - 特許庁

A second resist is formed on the second metal film 24, in a region where the first metal film 20 is present on the inter-layer insulating film 17 and in a portion of a region where the first metal film 20 does not exist.例文帳に追加

層間絶縁膜１７上に第１金属膜２０が存在する領域及び第１金属膜２０が存在しない領域の一部において第２金属膜２４上に第２レジストを形成する。 - 特許庁

When the first transmission rate differs from the second transmission rate, the first buffer can be operated to buffer data transmitted between the internal bus and the external inter-integrated circuit bus.例文帳に追加

第１の送信速度が、前記第２の送信速度と異なる場合に、前記第１のバッファは、前記内部バスと前記外部集積回路間バスとの間で送信されたデータをバッファリングするように動作できる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first insulating film 14A, first gate electrode 15, inter-electrode insulating film 16, and second gate electrode 3, that are stacked on a semiconductor substrate 1 in a cell transistor region.例文帳に追加

半導体装置は、セルトランジスタ領域において半導体基板１上に積層された、第１絶縁膜１４Ａ、第１ゲート電極１５、電極間絶縁膜１６、第２ゲート電極３を有する。 - 特許庁

A gate electrode consists of a first gate electrode 9 formed on a gate insulating film 7 and a second gate electrode 13, formed on the first gate electrode 9 via an inter-gate electrode insulating film 11.例文帳に追加

ゲート電極は、ゲート絶縁膜７上に形成された第１ゲート電極９と、第１ゲート電極上９にゲート電極間絶縁膜１１を介して形成された第２ゲート電極１３とからなる。 - 特許庁

On the basis of a detection temperature of the battery device, a first processing section extracts relational information of the remaining charge amount of the battery device and the inter-terminal voltage from the storage section.例文帳に追加

第１の処理部は、バッテリ装置の検出温度に基づき、記憶部からバッテリ装置の残り電荷量と端子間電圧との関係情報を取り出す。 - 特許庁

Parts of the plurality of terminals have inter-terminal intervals at the first connecting part set the same as at the second connecting part.例文帳に追加

複数の端子のうち一部の端子は、第一接続部における端子間距離が第二接続部における端子間距離と等しく設定されている。 - 特許庁

In the inter-integrated circuit router for supporting individual transmission rates, an internal bus can be operated so as to transmit data at a first transmission rate.例文帳に追加

本発明にかかる個別の送信速度をサポートする集積回路間ルータにおいて、内部バスは、第１の送信速度でデータを送信するように動作できる。 - 特許庁

In a first mode for implementing virtual active set updates, the network authorizes the user equipment unit (UE) to report the occurrence of events of inter-frequency measurement to the network.例文帳に追加

仮想アクティブセット更新の第１モードにおいて、ネットワークはユーザ装置（ＵＥ）に、周波数間測定イベントの発生をネットワークに報告するよう委任する。 - 特許庁

Information necessary for the succession of the server function is transmitted from the first server process execution means 11 to the second server process execution means 12 by the inter-process communication.例文帳に追加

プロセス間通信により、サーバ機能の承継に必要な情報を第一サーバプロセス実行手段１１から第二サーバプロセス実行手段１２に送信する。 - 特許庁

First, a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3, both of which have openings above an inter-element isolation region are successively formed on the surface of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

まず、Ｐ型シリコン基板１の表面に、素子間分離領域の上方に開口を有するシリコン酸化膜２及びシリコン窒化膜３を形成する。 - 特許庁

Thus, in a subsequent inter-cell signal interconnection processings (S104), signal interconnections oriented in the direction of intersecting the in-cell power supply trunk lines can be arranged in the first interconnection layer.例文帳に追加

そこで、次のセル間信号配線処理（Ｓ１０４）で、セル内電源幹線に交差する方向の信号配線を第１配線層に配置することができる。 - 特許庁

An inter-layer insulating layer 24 is formed in an opening 22 for exposing the second electrode 20 and the first electrode 12, with a third electrode 26 being formed.例文帳に追加

第２の電極２０及び第１の電極１２を露出させる開口部２２に層間絶縁層２４を形成し、第３の電極２６を形成する。 - 特許庁

The connecting step includes a step carrying information of a calling speech or data crossing over a inter-gateway communication link between first gateway 1 and the second gateway 2.例文帳に追加

接続ステップは、第１ゲートウェイと第2ゲートウェイとの間で、ゲートウェイ間通信リンクを渡って、呼スピーチ又はデータの情報を搬送するステップを含む。 - 特許庁

A lower-part electrode thin film 9 is formed on a first inter-layer insulating film 8 on a silicon substrate 4, over which a ferroelectric thin film 10 is formed.例文帳に追加

シリコン基板４上の第１層間絶縁膜膜８上に下部電極薄膜９を形成し、その上に強誘電体薄膜１０を形成する。 - 特許庁

At first, a motion vector detection method calculates a motion vector for each one inter-picture distance from a motion vector average value of a picture coded prior to a coding target picture.例文帳に追加

まず、符号化対象ピクチャよりも先に符号化されたピクチャにおける動きベクトルの平均値から１ピクチャ間距離あたりの動きベクトルを算出する。 - 特許庁

The separator 20 forms a reactant gas passage 40 in a unit cell in the first surface and an inter-cell cooling gas passage in the second surface.例文帳に追加

このセパレータ２０は、第１の面において、単セル内反応ガス流路４０を形成すると共に、第２の面において、セル間冷却ガス流路を形成する。 - 特許庁

To provide a test method of an electron gun wherein an inter-electrode distance L between the first electrode 13 and the second electrode 14 of an electron gun structural body 11 can be measured precisely.例文帳に追加

電子銃構体11の第１電極13と第２電極14との電極間間隔Ｌを正確に測定できる電子銃の検査方法を提供する。 - 特許庁

The frame includes an upper horizontal frame member 24 for pivotably inter-coupling the upper ends 51 and 52 of first and second vertical frame members 20 and 21.例文帳に追加

フレームは、第１及び第２の直立フレーム部材（２０、２１）の上端（５１、５２）を枢動自在に相互連結する上水平フレーム部材（２４）を含む。 - 特許庁

Copper contamination on an inter-metal dielectric layer in via or dual damascene etching is prevented by forming a lid layer on the first copper metallization.例文帳に追加

最初の銅メタライゼーション上に蓋層を形成することによって、ビア又はデュアルダマシンエッチングにおけるインターメタル誘電体層の銅汚染が防止される。 - 特許庁

A piezoelectric transformer is equipped with a first piezoelectric block 22 composed of laminated ceramic piezoelectric sheets 35 that are each provided with inter electrodes 36a and 36b on their surfaces.例文帳に追加

第１圧電体ブロック２２は、内部電極３６ａ，３６ｂを表面に形成したセラミック圧電体シート３５を複数枚積層したものである。 - 特許庁

A memory cell is provided with a floating gate electrode 8 formed on a first channel region between first and second diffusion layers through a first gate insulating film 7, and control gate electrodes 2 and 11 formed on the floating gate electrode 8 through a first inter-electrode dielectric 10.例文帳に追加

メモリセルは、第１及び第２拡散層間の第１チャネル領域上に第１ゲート絶縁膜７を介して形成されるフローティングゲート電極８と、フローティングゲート電極８上に第１電極間絶縁膜１０を介して形成されるコントロールゲート電極２，１１とを有する。 - 特許庁

Then frequency hopping (Inter/Intra-FH) where frequency hopping in a subframe and frequency hopping between subframes are combined to each other is applied to only resent symbols during resending (after first resending), and the transmission data are mapped to different frequency bands by the slots.例文帳に追加

そして、再送時（再送１回目以降）の再送シンボルに対してのみ、サブフレーム内の周波数ホッピングとサブフレーム間の周波数ホッピングを組み合わせた周波数ホッピング（Inter/Intra-FH）を適用し、送信データをスロット毎に異なる周波数帯域にマッピングする。 - 特許庁

This tire has a belt layer 7 including first, second and third belt plies 7A to 7C, and in the second and third belt plies 7B and 7C, an inter- cord distance Ys of the belt ply of the outside area YS is set smaller than an inter-code distance Yc of a central area YC.例文帳に追加

第１、第２、第３のベルトプライ７Ａ〜７Ｃを含むベルト層７を有し、第２、第３のベルトプライ７Ｂ、７Ｃは、外側領域ＹＳのベルトプライのコード間距離Ｙｓを、中央領域ＹＣのコード間距離Ｙｃよりも小としている。 - 特許庁

In the segment 15, an inter-ring joint 13 of a first jointing surface 7a to be joined to the rolled segment ring 1A is set in a position shifted by a rolling angle θ from an inter-ring joint 3 of a second jointing surface 7b.例文帳に追加

ローリング修正用略Ｕ字形セグメント１５は、ローリングした矩形セグメントリング１Ａに接合する第一接合面７ａのリング間継手１３を、第二の接合面７ｂのリング間継手３からローリング角度θだけ偏移した位置に設定する。 - 特許庁

When the command is not the first adjustment discharge start command after the end of BB (No), a storage coin discharge flag is set in a step S1005, and determines the number of inter-storage coin discharge games, based on the number of inter-command games (step S1006).例文帳に追加

そして、ＢＢ終了後の最初の精算排出開始コマンドでない場合（Ｎｏ）、ステップＳ１００５で貯留コイン排出フラグをセットして、貯留コイン排出間ゲーム数をコマンド間遊技数に基づき判定する（ステップＳ１００６）。 - 特許庁

When the diameter of the tube wall structure is made D and an inter-electrode distance between the first electrode 32a and the second electrode 32b is made L, the diameter D and the inter-electrode distance L are substantially orthogonal and satisfy the relation of L/D>4.例文帳に追加

管壁構造の直径をＤとし、第１の電極３２ａと第２の電極３２ｂとの間の電極間距離をＬとすると、直径Ｄと電極間距離Ｌとは実質的に直交しており、かつ、Ｌ／Ｄ＞４という関係を満たす。 - 特許庁

Moreover, on first and second floating gates 6, and on the first gate insulating film 5 between the first and second floating gates 6a and 6b, a control gate 9 is formed respectively through an inter-gate insulating film 7 and a second gate insulating film 8.例文帳に追加

また、第１及び第２の浮遊ゲート６上、並びに第１及び第２の浮遊ゲート６ａ、６ｂ間の第１のゲート絶縁膜５上に、ゲート間絶縁膜７及び第２のゲート絶縁膜８をそれぞれ介して制御ゲート９が設けられている。 - 特許庁

This traveling controller is provided with: a self-vehicle speed detection means for detecting a self-vehicle speed; a preceding vehicle detection means for detecting an inter-vehicle distance to the preceding vehicle; and a first vehicle speed command value calculation means for calculating a first vehicle speed command value based on the inter-vehicle distance detection means.例文帳に追加

本発明による走行制御装置は、自車速を検出する自車速検出手段と、先行車との車間距離を検出する先行車検出手段と、前記車間距離検出手段に基づいて第１の車速指令値を算出する第１車速指令値算出手段とを有する。 - 特許庁

A first inter-layer insulation film 15 is formed on a semiconductor substrate formed with transistors; and lower electrodes 22 electrically connected to the transistors, capacitive insulation films 23, and upper electrodes 24 sequentially formed from the lower side form the capacitive element on the first inter-layer insulation film 15.例文帳に追加

トランジスタが形成された半導体基板の上に、第１の層間絶縁膜１５が形成され、第１の層間絶縁膜１５の上には、トランジスタと電気的に接続され、下から順次形成された下部電極２２と、ＳＢＴＮからなる容量絶縁膜２３と、上部電極２４とによって容量素子が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor storage device comprises a semiconductor substrate, a tunnel insulation layer provided on the semiconductor substrate, a first electrode provided on the tunnel insulation layer, an inter-electrode insulation film provided on the first electrode, and a second electrode provided on the inter-electrode insulation film.例文帳に追加

実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた電極間絶縁膜と、前記電極間絶縁膜上に設けられた第２電極と、を備える。 - 特許庁

The liquid crystal device contains a liquid crystal layer which includes plural pixels insulated from one another by inter-pixel gaps, and each pixel has a first optical state where maximum light attenuation is brought about, and at least one spacer is arranged in the inter-pixel gap and practically has the same optical property as the first optical state of pixels.例文帳に追加

ピクセル間ギャップによって隔離された複数のピクセルを含む液晶層を包含する液晶デバイスであって、ピクセルの各々は、最大光減衰を生じる第１の光学状態を有し、少なくとも１つのスペーサーがピクセル間ギャップに配置され、第１のピクセル光学状態と同じ光学的性質を実質的に有する。 - 特許庁

A first select transistor 22, one end of which is connected to one end of a cell transistor column, comprises a stack of a first conductive film 52, inter-electrode insulating film 53, and second conductive film 54, and source/drain diffusion layers 55.例文帳に追加

第１選択トランジスタ２２は、一端がセルトランジスタ列の一端と接続され、積層された第１導電膜５２と電極間絶縁膜５３と第２導電膜５４と、ソース／ドレイン拡散層５５と、を有する。 - 特許庁

When the first or second inter-vehicle distance that is less than a prescribed distance is measured, the recording of first video data obtained by photographing the front of the own vehicle or second video data obtained by photographing the rear of the vehicle is started.例文帳に追加

所定距離未満である第１又は第２車間距離が計測されると、自車両の前方を撮影した第１映像データ、又は車両の後方を撮影した第２映像データの記録が開始する。 - 特許庁