「inter-first」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The integrated filter includes: a substrate; a first electrode positioned in a predetermined first area on an upper surface of the substrate; a first piezoelectric layer positioned on the first electrode; a second electrode positioned on the first piezoelectric layer; a second piezoelectric layer positioned in a predetermined second area on the upper surface of the substrate; and an inter-digital transducer (IDT) electrode positioned on the second piezoelectric layer.例文帳に追加

本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第１圧電層と、第１圧電層上に位置する第２電極と、基板の上部表面上の所定第２領域に位置する第２圧電層と、第２圧電層上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを含む。 - 特許庁

The first seal portion 116 is provided with a first contact seal element 122 sealing a first inter-member gap 120 formed adjacent to a lubricant retaining section (a vacant place 108a, a reducer 42, and bearings 44, 46, 48) provided for the driving mechanism 34.例文帳に追加

第１シール部１１６は、第１駆動機構３４に与えられる潤滑剤保有部（空所１０８ａ、減速機４２、軸受４４、４６、４８）に隣接して形成される第１の部材間隙１２０をシールする第１の接触シール要素１２２を備える。 - 特許庁

The first electrode 101 is connected to the second electrode 103 by a first inter-chip wiring 108 formed between the main surface of the first semiconductor chip 102, the side surface of the second semiconductor chip 104, and the main surface of the second semiconductor chip 104.例文帳に追加

第１の電極１０１と第２の電極１０３とは、第１の半導体チップ１０２の主面、第２の半導体チップ１０４の側面及び第２の半導体チップ１０４の主面にかけて形成された第１のチップ間配線１０８により接続されている。 - 特許庁

The oil separator further includes: a sixth wall part 86 where engine oil separated through a third partition wall 72A runs down when the oil flows toward the first opening part 7A; and a first inter-chamber passage 62A connecting the first separating chamber 61A with the second separating chamber 61B.例文帳に追加

また、第３隔壁７２Ａを通じて分離されたエンジンオイルが第１開口部７Ａへ向けて流れる際につたう第６壁部８６と、第１分離室６１Ａと第２分離室６１Ｂとをつなぐ通路を第１室間通路６２Ａとを含めて構成される。 - 特許庁

A compensation time calculation means 263 calculates a first correction time by subtracting a theoretical light emitting time from the actual inter-light emitting time interval, and calculates a first compensation time for adjusting the beginning time of light emission of a second light source 241b from the first correction time.例文帳に追加

補正時間算出手段２６３は、実質発光間時間から理論発光時間を差し引くことで第１修正時間を算出し、第１修正時間から第２光源２４１ｂの発光開始時を調整するための第１補正時間を算出する。 - 特許庁

The first seal portion 116 is provided with a first contact seal element 122 sealing a first inter-member gap 120 defined adjacent to a lubricant retaining section (a vacant place 108a, a reducer 42 and bearings 44, 46 and 48) provided in the driving mechanism 34.例文帳に追加

第１シール部１１６は、第１駆動機構３４に与えられる潤滑剤保有部（空所１０８ａ、減速機４２、軸受４４、４６、４８）に隣接して形成される第１の部材間隙１２０をシールする第１の接触シール要素１２２を備える。 - 特許庁

The inter-gate dielectric film includes: an electron trap layer made of a first dielectric material having the ability to trap electrons; and first and second dielectric layers made of a second dielectric material smaller than the first material in the ability to trap electrons, and sandwiching the electron trap layer therebetween.例文帳に追加

前記ゲート間絶縁膜は、電子トラップ性を有する第１の絶縁材料からなる電子トラップ層と、前記第１の材料よりも電子トラップ性が低い第２の絶縁材料からなり、前記電子トラップ層を挟む第１および第２の絶縁層とを含む。 - 特許庁

The potential difference set by the potential difference setting means is applied to the first and the second terminals via the inter-terminal connection control means to test the circuit to be tested.例文帳に追加

電位差設定手段によって設定された電位差を、端子間接続制御手段を介して、第１及び第２の端子に印加して、被試験回路を試験する。 - 特許庁

The laminate 4 is formed by laminating a first insulating layer 5, the primary coil 9, an inter-coil insulating layer 10, the secondary coil 14 and second insulating film 15 and the like.例文帳に追加

また、積層体４は、第１の絶縁層５、１次コイル９、コイル間絶縁層１０、２次コイル１４、第２の絶縁層１５等を積み重ねることによって形成する。 - 特許庁

The calculated inter-device distance is transmitted, from a device where the distance calculation was carried out, between the first and second devices to the other device via radio communication.例文帳に追加

算出された装置間距離は、第１及び第２の装置のうちの距離算出を実行した装置から他方の装置へ、無線通信を介して送信される。 - 特許庁

Moreover, the laminated body 4 is formed by laminating a first insulating layer 5, a primary coil 10, an inter-coil insulating layer 11, a secondary coil 16, and a second insulating layer 17 or the like.例文帳に追加

また、積層体４は、第１の絶縁層５、１次コイル１０、コイル間絶縁層１１、２次コイル１６、第２の絶縁層１７等を積み重ねることによって形成する。 - 特許庁

Then, an etching stopper layer 15 is formed on the ILD 11 so as to cover the first aluminum wiring 17, and an IMD (inter metal dielectric) 21 is formed on the etching stopper layer 15.例文帳に追加

次に、この第１アルミ配線１７を覆うようにＩＬＤ１１上にエッチングストップ層１５を形成し、さらに、このエッチングストッパ層１５上にＩＭＤ２１を形成する。 - 特許庁

On the inter layer insulating film 107, a first passivation film 109 having an opening 131 is formed outside the seal ring 104 viewed from the chip area 102.例文帳に追加

層間絶縁膜１０７の上に、チップ領域１０２から見てシールリング１０４の外側に開口部１３１を有する第１のパッシベーション膜１０９が形成されている。 - 特許庁

First and second control gates CG driving the floating gate through an inter-gate insulating film IGI are formed on both sides of the floating gate, which correspond to the diffusion layers.例文帳に追加

両拡散層に対応した浮遊ゲートの両側にゲート間絶縁膜ＩＧＩを介して浮遊ゲートを駆動する第１、第２の制御ゲートＣＧが形成されている。 - 特許庁

A first call processing processor is fixed, and channel switch control is carried out with a call processor of a switch destination through inter-processor communication led by the 1st call processor.例文帳に追加

初回の呼処理プロセッサを固定して、この初回の呼処理プロセッサの主導により、切替先の呼処理プロセッサとの間でプロセッサ間通信によりチャネル切替制御を行う。 - 特許庁

Rolling bodies of an axially movable cage 36 are connected to each other, and respective rollers are urged toward the first end engaging in between the inter and outer races.例文帳に追加

軸方向に移動可能な保持器３６が、転動体を互いに連結し、転動体のそれぞれが内外レース間に食い込むクラッチの第１端に向けて付勢されている。 - 特許庁

An oxygen barrier film 109 is electrically connected to the contact plug 106 and is composed of a conductive oxide, and is formed on the first inter-layer insulating film 107.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０７上に、コンタクトプラグ１０６と電気的に接続し且つ導電性酸化物からなる酸素バリア膜１０９が形成されている。 - 特許庁

A capacitor C1 and a choke coil L1 constitute a first-stage resonance circuit section and the inter- electrode capacity C2 between a choke coil L2 and a piezoelectric transformer T1 constitute a next-stage resonance circuit section.例文帳に追加

コンデンサＣ_1とチョークコイルＬ_1は初段共振回路部を構成し、チョークコイルＬ_2と圧電トランスＴ_1の電極間容量Ｃ２は次段共振回路部を構成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a contact hole CH is formed up to the surface of the metal silicide MS through the silicon nitride film SNF and the first inter-layer insulating film IIF1.例文帳に追加

半導体装置には、シリコン窒化膜ＳＮＦ、第一の層間絶縁膜ＩＩＦ１を貫通して金属シリサイドＭＳの表面に至るコンタクトホールＣＨが形成されている。 - 特許庁

Further, the laminate 2 is formed by stacking a first insulating layer 3, a primary coil 8, an inter-coil insulating layer 9, a secondary coil 14, a second insulating layer 15, etc.例文帳に追加

また、積層体２は、第１の絶縁層３、１次コイル８、コイル間絶縁層９、２次コイル１４、第２の絶縁層１５等を積み重ねることによって形成する。 - 特許庁

In the high-frequency amplifying apparatus, an intermodulation distortion output from a final-stage amplifier 15 is fed back to an inter-stage matching circuit 14 via a first control circuit 16 and a second control circuit 17.例文帳に追加

最終段増幅器１５が出力する相互変調歪を、第１及び第２の制御回路１６及び１７を介して、段間整合回路１４へ帰還させる。 - 特許庁

A photo film is stopped so that a film base region between a first image frame and a second image frame (inter-image-frame) comes to the middle of the reading aperture of the film mask.例文帳に追加

写真フイルムは、先頭の画像コマと２番目の画像コマとの間（画像コマ間）のフイルムベース領域がフイルムマスクの読取開口の中央に位置するよう停止させられる。 - 特許庁

An opening 31 is provided in the second conductive pattern 9 and the inter-layer insulating film 5 in a position of overlap between the second conductive pattern 9 and the first conductive pattern 3.例文帳に追加

第２導電パターン９と第１導電パターン３とが重なる位置には、第２導電パターン９および層間絶縁膜５に開口部３１が設けられている。 - 特許庁

One end of the corresponding inter-analysis mesh node vector 29 is shifted to a reference point 44 on a surface 20 of the formed article model 10, so that a first vector 30 can be obtained.例文帳に追加

成形品モデル１０の表面２０における基準点４４に、対応する解析メッシュ節点間ベクトル２９の一端をシフトして、第１ベクトル３０を求める。 - 特許庁

The via layer insulation film has a groove including a region adjacent to the via in a width direction of the first and the second wires beneath the inter-wire region.例文帳に追加

前記ビア層絶縁膜は、前記第１および第２の配線の幅方向に前記ビアと隣接する領域を含む溝を前記配線間領域の下に有する。 - 特許庁

Moreover, parts of terminals other than those other parts out of the plurality of terminals, have inter-terminal intervals at the first connecting part set narrower than at the second connecting part.例文帳に追加

また、複数の端子のうち一部以外の一部の端子は、第一接続部における端子間距離が第二接続部における端子間距離よりも狭く設定されている。 - 特許庁

The system also includes a seal layer (68, 72) applied to the first surface of the gradient coil (70, 74) to seal the inter-turn channels (78, 76).例文帳に追加

本システムはさらに、中間周回チャンネル（７８、７６）を封止するために傾斜コイル（７０、７４）の第１の表面に付着させた封止層（６８、７２）を含む。 - 特許庁

The first inter-layer insulation film is evaporated in the predetermined thickness on the semiconductor substrate 100 where the gates 120 are formed in the manner that the gap between the gates 120 is not embedded.例文帳に追加

ゲート１２０の形成された半導体基板１００上にゲート１２０間のギャップが埋め込まれないように所定厚さの第１層間絶縁膜を蒸着する。 - 特許庁

This deflecting electromagnet 30a has first and second magnetic poles 32a and 32b mutually facing via an inter-pole space 34, through which an ion beam 4 passes.例文帳に追加

この偏向電磁石３０ａは、イオンビーム４が通過する磁極間空間３４をあけて相対向する第１および第２の磁極３２ａ、３２ｂを有している。 - 特許庁

At a first joint part 54, the base end of a nozzle chute body 52 is made turnable in a horizontal direction with respect to a nozzle chute attaching member 51 attached to the inter-stand token dispensing machine 13.例文帳に追加

第１の関節部54で、台間メダル貸機13に取り付けるノズルシュート取付部材51に対して、ノズルシュート本体52の基端を水平方向に旋回可能とする。 - 特許庁

A first-layer wiring metal film 3 and an interlayer oxide film 4 are formed on a field oxide film 2, an organic material such as SOG, etc., is applied and then is etched back to flatten the surface of first inter-layer oxide film 4, and a second interlayer oxide film 5 is formed on the first-layer wiring metal film 3 and the first interlayer oxide film 4.例文帳に追加

フィールド酸化膜２上に第１層目の配線用金属膜３と第１層間酸化膜４を形成し、ＳＯＧ等の有機物を塗布し、エッチバックして、第１層間酸化膜４上を平坦化し、第１層目の配線用金属膜３上と第１層間酸化膜４上に第２層間酸化膜５を形成する。 - 特許庁

To prevent a stress at wire bonding, etc. to be applied to a minute wiring pattern in a first multilayer wiring structure, in a semiconductor integrated circuit device comprising a first multilayer wiring structure using a low dielectric constant inter-layer insulating film and a second multilayer wiring structure using an inter-layer insulating film of larger dielectric constant formed thereon.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜を使った第１の多層配線構造とその上に形成されたより誘電率の大きい層間絶縁膜を使った第２の多層配線構造とを有する半導体集積回路装置において、ワイヤボンディングなどの際の応力が第１の多層配線構造中の微細な配線パターンに印加されるのを抑制する。 - 特許庁

Each of semiconductor chips constituting the laminated semiconductor integrated circuit device having a laminate structure constituted by laminating four or more semiconductor chips in the same outward appearance includes a first transmission/reception coil for long-range inter-chip communication, and a second transmission/reception coil for short-range inter-chip communication which has a smaller size than the first transmission/reception coil.例文帳に追加

同一外観形状の半導体チップを４枚以上積層した積層構造を有する積層半導体集積回路装置を構成する前記各半導体チップに長距離チップ間通信用の第１の送受信用コイルと、前記第１の送受信用コイルよりサイズの小さな近距離チップ間通信用の第２の送受信用コイルとを備える。 - 特許庁

In this case, while controlling a laser beam 16 for second recording so as to obtain a width substantially equal to the width of an inter-groove part 9 corresponding to the width of a part 7 whose state is varied by first recording as shown in the figure 1, recording is carried out, and an inter-groove part 19 is formed finally.例文帳に追加

この時、図１に示した用に第１の記録により状態変化した部分７の幅に対応した溝間部９の幅と実質同じ幅になるように、第２の記録用のレーザビーム１６を制御しながら記録を行い、最終的に溝間部１９を形成する。 - 特許庁

A part which connects a lower conductive layer formed on a semiconductor substrate across a first inter-layer insulating layer and an upper conductive layer formed above the lower conductive layer across a second inter-layer insulating layer is divided into one or more plugs and pads.例文帳に追加

第１層間絶縁層を挟んで半導体基板上に形成された下部導電層と、第２層間絶縁層を挟んで下部導電層上部に形成された上部導電層を半導体基板を通じて接続する部分とを、１つ以上のプラグとパッドとに分ける。 - 特許庁

At a correction unit of this endoscope apparatus, a scale factor correcting process is applied to a reference image 14 so that an inter-mark distance being a distance between a first mark 12 and a second mark 13 in the reference image 14 shown in Figure (a) becomes equal to an inter-mark distance in a comparison image 15.例文帳に追加

内視鏡装置の補正部において、まず図（ａ）に示す参照画像１４における第１マーク１２と第２マーク１３間の距離であるマーク間距離が、比較画像１５におけるマーク間距離と等しくなるように参照画像１４に倍率補正処理を施す。 - 特許庁

In the setting client 11 of the first inter-LAN connection apparatus 1, necessary setting items are extracted from these intra-base network setting information integrated file 311 and policy file 312 and setting of the setting items is performed, thereby establishing the connection of a second inter-LAN connection apparatus 2 in the other base.例文帳に追加

第１のＬＡＮ間接続装置１設定クライアント１１では、これら拠点内ネットワーク設定情報統合ファイル３１１及びポリシファイル３１２から必要な設定項目を抽出し、設定項目の設定を行うことで、他拠点の第２のＬＡＮ間接続装置２の接続が確立される。 - 特許庁

Specified spaces 15 surrounded by the board 18, first inter-layer insulating films 19 and a second inter-layer insulating film 21 are formed among the side faces 24 of the resistance-changing film 12 that constitute the memory cell 17 and region isolating films 16 and the resistance-changing film 12 is isolated.例文帳に追加

メモリセル１７を構成する抵抗変化膜１２の側面２４と領域分離膜１６との間には、基板１８と第１の層間絶縁膜１９および第２の層間絶縁膜２１とで囲まれた所定の空間１５が設けられて抵抗変化膜１２が分離されている。 - 特許庁

The method further comprises migrating at least one of the first and second virtual machines so that the first and second virtual machines are allocated to the same compute node and the inter-virtual machine communication between the first and second virtual machines is no longer directed over the network.例文帳に追加

方法はさらに、第１及び第２の仮想マシンのうちの１つを移動させて、第１及び第２の仮想マシンが同じ計算ノードに割り当てられて第１及び第２の仮想マシンの間の仮想マシン間通信がもはやネットワーク上に向けられないようにすることを含む。 - 特許庁

The first capacitor and second capacitor are disposed along a first direction (D1) in a second direction (D2) of the operational amplifier, and a summing node line (LNEG) is wired in the second direction in an inter-capacitor region as a region between the first capacitor and second capacitor.例文帳に追加

第１のキャパシタと第２のキャパシタは、演算増幅器の第２の方向（Ｄ２）において第１の方向（Ｄ１）に沿って配置され、サミングノードライン（ＬＮＥＧ）が、第１のキャパシタと第２のキャパシタの間の領域であるキャパシタ間領域において、第２の方向に沿って配線される。 - 特許庁

The apparatus is equipped with a coupling module for receiving an inter-network connection request message transmitted from a first network, connecting its own network and the first network, setting a security level for the connected first network and controlling a network instruction message according to the set level.例文帳に追加

第１のネットワークから伝送されるネットワーク間の接続要求メッセージを受信して、自分のネットワークと前記第１のネットワークとを接続させ、接続された第１のネットワークに対するセキュリティレベルを設定し、設定されたレベルによってネットワーク命令メッセージを制御する結合モジュールを備える。 - 特許庁

The system can also include: a network arranged so as to connect the first host with the second host; and an inter-host device controller which controls a communication protocol between the first host and the second host so that the first and second consumers can communicate with each other.例文帳に追加

システムは、第１ホストと第２ホストを接続するために配置されたネットワークと、第１ホストと第２ホストの間の通信プロトコルを制御して第１コンシューマ及び第２コンシューマが互いに通信できるようにするために配置されたホスト間デバイス・コントローラとを更に含むことができる。 - 特許庁

The second seal portion 118 arranged outside the first seal portion 116 is provided with a second contact seal element 126 sealing a second inter-member gap 124 formed in a circumferential wall 110 of the first joint section 16, the circumferential wall defining an accommodation space 108 for the first driving mechanism 34.例文帳に追加

第１シール部１１６の外側に配置される第２シール部１１８は、第１駆動機構３４の収容空間１０８を画定する第１関節部１６の周囲壁１１０に形成される第２の部材間隙１２４をシールする第２の接触シール要素１２６を備える。 - 特許庁

In the semiconductor device, a first barrier layer 21 is provided in the state of covering the inner wall of a connection hole 15 provided on a first interlayer insulating film 13 on a substrate 11, and of a wiring groove 16 provided on a second inter-layer insulating film 14.例文帳に追加

基板１１上の第１の層間絶縁膜１３に設けられた接続孔１５および、第２の層間絶縁膜１４に設けられた配線溝１６の内壁を覆う状態で第１のバリア層２１が設けられている。 - 特許庁

A second select transistor 23 is connected between the other end of the first select transistor and a bit line 15, and comprises a stack of a first conductive film 62, inter-electrode insulating film 63, second conductive film 64, and source/drain diffusion layers 65.例文帳に追加

第２選択トランジスタ２３は、第１選択トランジスタの他端とビット線１５との間に接続され、積層された第１導電膜６２と電極間絶縁膜６３と第２導電膜６４と、ソース／ドレイン拡散層６５と、を有する。 - 特許庁