「interlayer structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a surface structure of a solar cell module which is lightweight, superior in transparency, interlayer adhesive property, durability and able to show excellent performance for a long term.例文帳に追加

軽量で、透明性、層間接着性、耐久性に優れ、長期にわたって優れた性能を示すことができる太陽電池モジュールの表層構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which improves adhesive strength of a capacitor electrode and an interlayer dielectric or has a strong capacitor structure, and a production method therefor.例文帳に追加

キャパシタ電極と層間絶縁膜との密着性を向上させる、または堅牢なキャパシタ構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A deposited film having the thickness substantially same as the thickness of a large number of interlayer insulating films is provided in an upper part of the MEMS, and the deposited film forms a part of a structure of the MEMS.例文帳に追加

ＭＥＭＳの上部には多層の層間絶縁膜とほぼ同じ厚みを有する堆積膜を備え、堆積膜はＭＥＭＳの構造体の一部となる。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation film of a semiconductor device which has a low dielectric constant, is free from generation of gases, including CF_x and SiF_4, and is stable, and to provide a wiring structure that includes the film.例文帳に追加

低誘電率で且つＣＦ_ｘ、ＳｉＦ_４等のガスの発生がなく安定な半導体装置の層間絶縁膜とそれを備えた配線構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an alignment mark is formed easily while having a low-profile laminate structure of interlayer insulating film, or the like, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

層間絶縁膜などの積層構造を低背化しつつ、アライメント用のマークが容易に形成された半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated wiring board which is equipped with an interlayer conduction structure increased in connection area and reduced in number of manufacturing processes, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

層間導通構造において，接続面積を拡大するとともに製造の工程数を減らした積層配線板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A stacked structure composed of Ti/Al/TiN/Al-Cu/TiN is employed as the upper wiring layer 5 on the interlayer insulating film 3, whereby an eutectic crystal of Ti and Al is produced.例文帳に追加

層間絶縁膜３上の上層配線層５として、Ｔｉ／Ａｌ／ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／ＴｉＮからなる積層構造を用いることにより、ＴｉとＡｌとの共晶を生成する。 - 特許庁

Metal wiring patterns WP constituting semiconductor device circuits realize a multilayer interconnection structure at an inner circuit side through interlayer dielectrics IL and vias VIA.例文帳に追加

内部回路側では半導体素子回路を構成する金属配線パターンＷＰが層間絶縁膜ＩＬ及びビアＶＩＡを介して多層配線構造を実現している。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a multilayer wiring structure without peeling of an interlayer film and of metal wiring and with an easy and simple process.例文帳に追加

層間膜や金属配線の剥がれを生じることなく、しかも容易かつ簡素な工程で多層配線構造を有する半導体装置を製造できるようにする。 - 特許庁

To provide a support structure of glass plate, which regularly stably and safely supports a glass plate without causing a local load in the glass plate resulting from interlayer displacement.例文帳に追加

本発明は、層間変位に起因してガラス板に局所的負荷を生じさせることなく常に安定で安全にガラス板を支持できるガラス板の支持構造を提供する。 - 特許庁

To enhance conduction reliability of a multilayered wiring board having a structure in which interlayer conduction is obtained through conductive paste filled in a via hole, in the environment of cooling and heating cycles.例文帳に追加

ビアホールに充填した導電性ペーストにより層間導通を得る構造の多層配線板において、冷熱サイクルの環境下における導通信頼性を高める。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a connecting structure for materializing an interlayer connection or the like which is high in density of integration or productivity and is extremely low in connection resistance.例文帳に追加

集積密度や生産性が高くかつ接続抵抗がきわめて低い層間接続等を実現するための接続構造の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device having a contact passing through an interlayer insulating film and having a multilayered wiring structure.例文帳に追加

本発明は層間絶縁膜を貫通するコンタクトを備える半導体装置の製造方法に関し、配線抵抗の小さな多層配線構造を形成することを目的とする。 - 特許庁

In the above structure, first, on a first etching condition, a hole is formed in such a way that it penetrates up and down the interlayer insulating film 5 and exposes the surface of the etching stopper film 4.例文帳に追加

前述の構造においては、まず、第１のエッチング条件で、層間絶縁膜５を上下に貫通し、エッチングストッパ膜４の表面を露出させるホールが形成される。 - 特許庁

By this setup, a laminated wiring board 100 having an interlayer conduction structure in which conductor layers 11 and 21 are electrically connected together through the vias 13 and 23 can be manufactured.例文帳に追加

これにより，導体層１１と導体層２１とが，ビア１３およびビア２３により導通した層間導通構造を有する積層配線板１００が製造される。 - 特許庁

The light shielding film 120 formed on a TFT substrate 10 is constituted of a three layered structure wherein an interlayer thin film 122a is held between light shielding thin films 121a and 121a of upper and lower layers.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１０に形成する遮光膜１２０を、上層と下層の遮光薄膜１２１ａ，１２１ａで層間薄膜１２２ａを挟んだ三層構造とする。 - 特許庁

In the support structure of glass plate, when interlayer displacement is eliminated, floating glass plates G1-G4 are tilted in reverse directions by the dead weights and returned to original positions.例文帳に追加

実施の形態のガラス板の支持構造は、層間変位が無くなると、浮き上がったガラス板Ｇ１〜Ｇ４は自重により逆方向に傾動して元の位置に戻る。 - 特許庁

The storage capacitance has such a lamination structure that the fixed potential side electrode is laminated on the dielectric film which is exposed from an opening opened in the interlayer insulating film.例文帳に追加

蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 - 特許庁

An anionic benzophenone-type organic ultraviolet absorber is chemically bonded to the interlayer of a hydrotalcite structure to form an inorganic-organic composite in which an organic substance is guarded by an inorganic substance.例文帳に追加

アニオン性のベンゾフェノン系有機紫外線吸収剤を、ハイドロタルサイト類構造の層間に化学結合させ、有機物が無機物でガードされた無機−有機複合体にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a rewiring structure, which inhibits deterioration in bondability of an external connection electrode, interlayer detachment, occurring of cracks and the like to improve reliability.例文帳に追加

再配線構造を有する半導体装置において、外部接続電極の接合性の低下、層間剥離、クラックの発生等を抑制して信頼性を向上する。 - 特許庁

To improve quality of defect correction while remarkably improving work efficiency in a defect correcting process against an interlayer short-circuit defect between upper and lower parts of a multilayer structure.例文帳に追加

多層構造の上下間での層間ショート欠陥に対する欠陥修正工程の作業効率を著しく向上させつつ、欠陥修正の品質を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a multilayer wiring structure which assuredly prevents the occurrence of cracks or peeling in an interlayer insulating film due to mechanical or thermal stresses.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置において、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止する。 - 特許庁

The interlayer dielectric 8 has a structure that an HDP (High Density Plasma) layer 10, a gettering layer 12 and an NSG (None-doped Silicate Glass) 11 are laminated in order from the semiconductor substrate 2 side.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜８は、半導体基板２側から順に、ＨＤＰ膜１０、ゲッタリング層１２およびＮＳＧ膜１１が積層された構造を有している。 - 特許庁

To improve electric characteristics and process stability by suppressing the deterioration of degree of margin of deviation in the mating of lithography treatment of an interlayer wiring structure accompanied by a detailed circuitry designing rule.例文帳に追加

回路設計ルールの微細化に伴う層間配線構造におけるリソグラフィ処理合わせズレの余裕度の低下を抑制して電気的特性、プロセス安定性を高める。 - 特許庁

The build-up layer 31 has a structure that interlayer insulation layers 33 and 35 and a conductive layer 42 are alternately laminated on the core main surface 12 and the chip main surface 102.例文帳に追加

ビルドアップ層３１は、層間絶縁層３３，３５及び導体層４２をコア主面１２及びチップ主面１０２の上にて交互に積層した構造を有する。 - 特許庁

The method of forming the contact structure of wiring contains a step of forming the wiring on the upper face of a substrate, a step of forming an interlayer reactive layer on the wiring by performing an annealing, and a step of forming an electrically conductive layer that is to be electrically connected to the wiring via the interlayer reactive layer.例文帳に追加

基板上部に配線を形成する段階；アニーリングを実施して配線上に層間反応層を形成する段階；層間反応層を経由して配線と電気的に連結される導電層を形成する段階を含む配線の接触構造形成方法。 - 特許庁

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁

To form a polishing stopper film with a low dielectric constant on an organic interlayer insulating film of a semiconductor device having a multi-layered wiring structure with the organic interlayer insulating film and to form a wiring pattern of an upper layer stably in a favorable yield even if a lower-layer wire is dished.例文帳に追加

有機層間絶縁膜を有する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記有機層間絶縁膜上に、低誘電率の研磨ストッパ膜を形成し、さらに下層配線パターンにディッシングが生じた場合にも上層の配線パターンを歩留まり良く、安定して形成する。 - 特許庁

Only the dummy structure 16 is removed to leave the sidewall films 17, a part of lower-layer wiring 14 is exposed, an opening 18a formed on the interlayer insulation film 18 is embedded with Cu, and the surface layer of Cu is flattened in plane with the surface of the interlayer insulation film 18.例文帳に追加

そして、側壁膜１７が残るようにダミー構造物１６のみを除去し、下層配線１４の表面の一部を露出させ、層間絶縁膜１８に形成された開口１８ａをＣｕで埋め込み、Ｃｕの表層を層間絶縁膜１８の表面に合わせて平坦化する。 - 特許庁

To provide an apparatus for cutting an interlayer which has a simple structure, is compact, can easily adjust each part, provides a simple motion of a cutter, can cut an interlayer of a laminated glass during transportation thereof, has a long cutter life, and can reduce breakage of a glass end, and to provide a method using the apparatus.例文帳に追加

単純な構造でコンパクトであり各部の調整が簡単で、カッターの動きが単純で搬送中の合わせガラスの中間膜も切断可能で、しかもカッター寿命が長く、ガラス端部の破損を削減することが可能な中間膜の切断装置及び切断方法を提供する。 - 特許庁

The carbon nanotube structure is constituted of a first wiring layer 21, an interlayer insulating film 22, and a second wiring layer 23 laminated sequentially; and a via 26 with the carbon nanotube bundle 25 formed to connect electrically the first wiring layer 21 to the second wiring layer 23 in a via hole 24 passing through the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

第１配線層２１、層間絶縁膜２２、第２配線層２３が順次積層され、層間絶縁膜２２を貫通するビアホール２４に、第１配線層２１と第２配線層２３を電気的に接続するカーボンナノチューブ束２５が形成されてなるビア２６から構成する。 - 特許庁

A multilayer wiring structure is formed on a substrate 2, which comprises an interlayer insulating film where fluorinated arylene films 6, 16, and 26 which do not contain vacancy as an organic film and SiC films 8, 14, 18, 24, and 28 as an inorganic film are laminated, and wirings 12 and 32 formed in the interlayer insulating film.例文帳に追加

基板２上に、空孔を含まない有機膜としてのフッ素化アリレン膜６，１６，２６と無機膜としてのＳｉＣ膜８，１４，１８，２４，２８とを積層してなる層間絶縁膜と、この層間絶縁膜内に形成された配線１２，３２とを有する多層配線構造を形成する。 - 特許庁

To provided a structure in which an opening to an interlayer insulating film for multilayer wiring can be formed in a stable shape, even if the thickness of the interlayer insulating film that uses a silicon oxide film varies is a wafer surface, or even if there occurs a difference in wet-etching time in the wafer surface.例文帳に追加

シリコン酸化膜を用いた層間絶縁膜の膜厚がウェハ面内でばらついたとしても、また、ウエットエッチング時間がウェハ面内で差が生じたとしても、多層配線のための層間絶縁膜に対する開口を安定した形状で形成することが可能な構造を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit breaker having insulating barrier attaching structure, capable of fixing firmly an insulating barrier without reducing remarkably a strength of an interlayer wall, even when a wall thickness of the interlayer wall for separating connection terminals of the circuit breaker in every pole is thin.例文帳に追加

回路遮断器の接続端子を各極毎に隔てる相間壁の壁厚が薄い場合でも相間壁の強度を著しく低下させることなく、絶縁障壁を強固に固定可能な絶縁障壁取り付け構造を有する回路遮断器を得ることを目的とする。 - 特許庁

To mutually connect wiring, electrodes, devices, etc., which form a layered structure on a substrate and which are separated from each other by interlayer insulation in a way no ruggedness is created on the upper layer of the layered structure above connecting spots and around its circumference.例文帳に追加

基板上で積層構造をなし且つ相互に層間絶縁される配線、電極、素子等間を、接続個所及びその周辺における当該積層構造の上層に凹凸が殆ど生じないように相互に接続する。 - 特許庁

The structure minimizes variations caused in the manufacturing processes of the circuit board, dimension changes of the insulation base material or the insulation base material for the interlayer connection, and the like and improves the positioning accuracy of the lamination of the circuit board having the multilayer structure.例文帳に追加

これにより、回路基板の製造過程でのバラツキや、絶縁基材あるいは層間接続用絶縁基材の寸法変化等を最小にし、多層構造の回路基板の位置決め積層精度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a cleaning composition for sufficiently removing plasma etching residue on a semiconductor substrate without damaging a wiring structure and interlayer insulation structure, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the cleaning composition.例文帳に追加

配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, second recovery annealing is sequentially performed to the first structure and the second structure 102 having the second interlayer insulating film in a nitrogen atmosphere, an oxygen atmosphere and a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

その後、第１構造体と、第２層間絶縁膜とを備える第２構造体１０２に対して、窒素雰囲気内、酸素雰囲気内、及び窒素雰囲気内の順でそれぞれ熱処理することによって、第２の回復アニールを行う。 - 特許庁

A trench 102 is formed in a beltlike region sandwiched by a pixel array belonging to an OPB region and an adjoining pixel array out of a laminate structure 90 consisting of an interlayer dielectric, and the like.例文帳に追加

層間絶縁層等からなる積層構造体９０のうち、ＯＰＢ領域に属する画素列とその隣接画素列とに挟まれた帯状領域に、トレンチ１０２を形成する。 - 特許庁

To provide an electric junction box and a structure of interlayer connection in multilayer wiring board wherein the weight thereof is reduced, heat radiation is facilitated, and man-hours for assembly is reduced to accomplish cost saving.例文帳に追加

軽量化及び高放熱化が図れ、組立工数の削減によるコスト低減を図ることができる電気接続箱及び多層配線基板の層間接続構造を提供する。 - 特許庁

To obtain such a structure that a fuse can be burnt out with a laser blow without giving any damage to an interlayer insulating layer, a base layer, or adjacent fuses with respect to a semiconductor device and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

半導体装置およびその製造方法に関し、層間絶縁層、下地層または隣接する他のヒューズにダメージを与えることなく、レーザブローでヒューズを溶断できる構造を得る。 - 特許庁

To minimize deterioration in electric characteristics of a ferroelectric film to be generated in a heat treatment when a conductive film is formed on an interlayer insulation film coating a structure containing the ferroelectric film.例文帳に追加

強誘電体膜を含む構造を覆う層間絶縁膜上に導電性膜を形成する際の熱処理において生じる、強誘電体膜の電気特性の劣化を最小化する。 - 特許庁

To provide a glass load receiving structure of vertical band windows capable of following the great interlayer displacement of a building even though a horizontal joint between upper and lower glass panes can be made even narrower (slenderer).例文帳に追加

上下のガラス間の横目地をさらに狭く（細く）できるにも関わらず、建物の大きな層間変位に追従できる縦連続窓のガラス荷重受け構造を提供する。 - 特許庁

The electro-optic device has a layered structure comprising scanning lines 3, data lines 6, TFTs 30 and pixel electrodes 9 and various kinds of interlayer insulating films (51, 52, 53, 61, 62, 80) appropriately arranged among these elements.例文帳に追加

電気光学装置は、走査線３、データ線６、ＴＦＴ３０及び画素電極９と、これらの間に適宜配された各種の層間絶縁膜（５１，５２，５３，６１，６２，８０）からなる積層構造物を備える。 - 特許庁

An interlayer insulating film is formed on a substrate 1 with lamination structure that pinches an SiO_2 film 3 as a protection film between an organic film 2 and an SiOC-based film 4 as a low dielectric constant film.例文帳に追加

低誘電率膜である有機膜２とＳｉＯＣ系膜４との間に、保護膜としてＳｉＯ_2膜３を挟持してなる積層構造の層間絶縁膜を、基板１上に形成する。 - 特許庁