「interlayer structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device uniform in product performance and a method of manufacturing the same, wherein an interlayer insulating film uniform in thickness can be obtained in a multilayer interconnection structure.例文帳に追加

多層配線構造において、均一な厚さの層間絶縁膜が得られ、製品動作のばらつきが少ない半導体装置及びその製造法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a wiring structure of a semiconductor device which can have an interlayer insulating film, having a low dielectric constant and can suppress generation of crackings in the insulating film under an electrode pad.例文帳に追加

層間絶縁膜を低誘電率化する一方、電極パッド下で層間絶縁膜にクラックが発生することを抑制することができる半導体装置の配線構造を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated wiring board and its manufacturing method which can solve the problem of hole depth during formation of interlayer joint structure for multiple layers and to realize diversified overlapping via structures.例文帳に追加

多層間の層間接続構造を形成する際の穴の深さの問題を解消した積層配線板およびその製造方法を提供し，多彩な重ねビア構造を実現すること。 - 特許庁

To make a source of a hole removable at low temperatures and reducing a damage to the molecular structure of a raw material when removing the source of the hole in a low dielectric constant interlayer insulating film.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜中の空孔源を除去する際に、低温で空孔源を除去することができ、母材分子構造へのダメージも軽減することができる。 - 特許庁

To provide a composite coating structure free from interlayer separation and showing excellent crack following properties/waterproofness to a concrete and a mortar construction, a metallic driver, etc., and adhesion with the driver.例文帳に追加

層間剥離がなく、コンクリート及びモルタル構造物、金属駆体等に対して亀裂追従性、防水性、駆体との接着性に優れた複合構造体を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a structure in which recessed parts such as grooves for wiring and via holes are formed in the porous interlayer insulating film, part of voids 16B are shown on the inner face of the recessed part.例文帳に追加

前記多孔質間絶縁膜に配線用溝及びビアホール等の凹部が形成されている構造においては、前記凹部の内面に一部の空隙１６Ｂが表出している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device containing an improved method for forming a contact hole in which inclination of the contact hole is suppressed and a film of high reflow properties is applied in an interlayer structure.例文帳に追加

層間構造にリフロー性の高い膜を適用しつつ、コンタクト孔傾斜を抑制する改良されたコンタクト孔形成法を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The capacitor is formed in the multi-layer wiring structure of a semiconductor device, and the via plugs 1a to 1c and the via plugs 2a to 2c are arranged so as to be faced to each other with a portion of an interlayer insulating film interposed.例文帳に追加

キャパシタは、半導体装置の多層配線構造内に形成されており、ビアプラグ１ａ〜１ｃとビアプラグ２ａ〜２ｃとは、層間絶縁膜の一部を挟んで互いに対向している。 - 特許庁

To provide a substrate with a built-in electronic component which has a structure capable of establishing interlayer connection by easily burying a conductive body into via hole formed at an insulating layer of a thick film into which the electronic component is buried.例文帳に追加

電子部品が埋設される厚膜の絶縁層に設けられるビアホールに容易に導電体を埋め込んで層間接続できる構造の電子部品内蔵基板を提供する。 - 特許庁

To suppress stripping of film due to stress on the sealing resin layer of a semiconductor chip having a multilayer wiring structure including a low-k film as an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜としてｌｏｗ−ｋ膜を含んだ多層配線構造を備えた半導体チップが封止樹脂層の応力に起因して膜剥がれを生じるのを抑制すること。 - 特許庁

An interlayer insulating film 405 constituting the multilayer wiring structure is made of a material having a relative permittivity of 1.0 to 3.7 and a dielectric loss tangent of 0.0001 to 0.02.例文帳に追加

多層配線構造を構成する層間絶縁膜４０５を、１．０以上３．７以下の比誘電率を有し、０．０００１以上０．０２以下の誘電正接を有する材料により構成する。 - 特許庁

To provide a multi-layer circuit board and semiconductor integrated circuit device, wherein a multi-layer wiring structure causing no generation of delamination of a wiring layer and of a crack in an interlayer insulating film is formed at a low cost.例文帳に追加

多層回路基板及び半導体集積回路装置に関し、配線層の剥離や層間絶縁膜へのクラックの発生のない多層配線構造を低コストで形成する。 - 特許庁

To provide an economical interlayer adhesive preventing excessive migration of the interlayer adhesive sprayed or coated between sheet plies into the sheet plies even when receiving strong water squeezing actions such as suction in a pressing step or thereafter after forming a multiply sheet when papermaking of a combination paperboard having a multiply structure or the like is carried out.例文帳に追加

多層構造を有する抄き合わせ板紙などの抄造に際して、多層シート形成後のプレス工程以降におけるサクションなどの強い搾水作用を受けた場合でも、シート層間へ噴霧、塗布された層間接着剤のシート層内への過度の移行を防ぐ経済的な層間接着剤を提供する。 - 特許庁

To provide a configuration for achieving a uniform polishing rate without thickening of interlayer insulation films to be polished in a liquid crystal panel substrate having a layered film structure of the interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor element region for pixel selection thereon.例文帳に追加

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。 - 特許庁

To provide a configuration for achieving a uniform polishing rate without thickening of an interlayer insulation film to be polished in a liquid crystal panel substrate having a stacked film structure consisting of interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor region for pixel selection thereon.例文帳に追加

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。 - 特許庁

To provide a configuration capable of achieving a uniform polishing rate without thickening of interlayer insulation films to be polished in a liquid crystal panel substrate having a layered film structure of the interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor element region for pixel selection thereon.例文帳に追加

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。 - 特許庁

The method for manufacturing the element includes a process, in which a plurality of ferroelectric capacitors are formed on the semiconductor substrate on which the lower-part interlayer film has been formed, and after the hydrogen preventing spacer is formed on the side wall of the ferroelectric capacitor, the upper-part interlayer film and a plurality of plate lines are formed on the resultant structure.例文帳に追加

この素子の製造方法は下部層間絶縁膜が形成された半導体基板上に複数の強誘電体キャパシタを形成し、強誘電体キャパシタの側壁に水素防止スペーサを形成した後に、その結果物上に上部層間絶縁膜及び複数のプレートラインを形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide an electronic apparatus possessed of a laminated film structure composed of W film/WNx barrier film/organic interlayer insulating film and a manufacturing method thereof, where the WNx barrier film is enhanced in its adhesion to the interlayer insulating film, and the W film is acceleratedly grown on the WNx barrier film.例文帳に追加

Ｗ膜／ＷＮｘバリア膜／有機系層間絶縁膜の積層膜構造を有する電子装置およびその製造方法において、ＷＮｘバリア膜と層間絶縁膜との密着性を向上させるとともに、ＷＮｘバリア膜上でのＷ膜の成長を促進させることが課題である。 - 特許庁

A wiring structure 30 formed in a semiconductor device is provided with lower layer embedded wiring 3A, an interlayer insulating film laminated structure 32, a connection hole plug 34, an interwiring insulating film laminated structure 36, and upper layer embedded wiring 18A connected through the connection hole plug to the lower layer embedded wiring and an SiC film 20(oxidation preventing layer).例文帳に追加

本半導体装置に設けた配線構造３０は、下層埋め込み配線３Ａ、層間絶縁膜積層構造３２、接続孔プラグ３４、配線間絶縁膜積層構造３６と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線１８Ａ、及びＳｉＣ膜２０（酸化防止層）を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulation film and a structure capable of suppressing the increase of the dielectric constant of an interlayer insulation film accompanying change of Si-CnH2n+1 combination to Si-OH combination in the film.例文帳に追加

膜中のＳｉ−Ｃ_nＨ_2n+1結合がＳｉ−ＯＨ結合へと変化することに伴う層間絶縁膜の誘電率の上昇を抑制し得る、絶縁膜の形成方法及び構造を得る。 - 特許庁

To provide a both-side flexible printed circuit board and a method for manufacturing the same having the interlayer connection that is suitable for fine structure of the wiring layer and is assuring higher connection reliability and productivity.例文帳に追加

配線層の微細化に好適な、接続信頼性及び生産性に優れる層間接続を有する両面フレキシブルプリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This multi-layer mat structure 1 for the bottom sediment purification is provided with an intermediate layer including silt 4a having ferric oxide as its main component in an interlayer of a base material composed of a biodegradable sheet or a vegetation mat.例文帳に追加

底泥浄化用の複層マット構造体(1)は、生分解性シートまたは植生マットからなる基盤材の層間に、酸化第二鉄を主成分とするシルト(4a)を含む中間層(4)を有する。 - 特許庁

A contact plug 23 connected to both of an upper surface 6a of a gate electrode 6 included in the gate structure 4c and an upper surface 8a of the semiconductor layer 8 is formed in the interlayer dielectric 20.例文帳に追加

層間絶縁膜２０内には、ゲート構造４ｃに含まれるゲート電極６の上面６ａと、半導体層８の上面８ａとの両方に接続されたコンタクトプラグ２３が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3, which is an SiOC film which includes a skeletal structure part containing an SiOC, and a hole formation material part containing a hydrocarbon compound, is formed on a semiconductor substrate SB.例文帳に追加

半導体基板ＳＢ上に、ＳｉＯＣを含有する骨格構造部と、炭化水素化合物を含有する空孔形成材料部とを有するＳｉＯＣ膜である層間絶縁膜３が形成される。 - 特許庁

A second conductive barrier layer 20 adopts such structure that a metallic layer 7, a metallic alloy layer 8, and a metallic 9 are stacked order when viewed from a first copper wiring 2 and an interlayer insulating layer 5.例文帳に追加

第２の導電性バリア層２０を、第１の銅配線２や層間絶縁層５から見て順に、金属層７、金属化合物層８、金属層９が積層された構造を採用している。 - 特許庁

A plurality of wiring layers is laminated that are composed of an interlayer insulation film 405 and interconnect 407 made of copper, a solder resist layer 408 is formed at an uppermost layer, and a multi-layer wiring structure is constituted.例文帳に追加

層間絶縁膜４０５および銅からなる配線４０７からなる配線層が複数層積層し、最上層にソルダーレジスト層４０８を形成し、多層配線構造体を構成する。 - 特許庁

To provide a pavement structure in which an anti-icing effect or the like can be displayed stably for a prolonged term by preventing interlayer exfoliation between an asphalt concrete matrix and a surface treating layer containing rubber grains.例文帳に追加

母体アスファルトコンクリートとゴム粒子を含む表面処理層との間の層間剥離を防止して、長期間に亘って安定して氷結防止効果等を発揮し得る舗装構造を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting device having a structure preventing deterioration of a light emitting element due to water and oxygen contained in an interlayer dielectric formed between a TFT and the light emitting element.例文帳に追加

ＴＦＴと発光素子の間に形成される層間絶縁膜に含まれる水や酸素により発光素子が劣化するのを防ぐ構造を有する発光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a lamination wiring board which makes filing of a via hole easy when an interlayer connection structure, wherein the thickness of an insulation layer is relatively large, is formed and enables high density pattern formation.例文帳に追加

絶縁層の厚さが比較的大きい層間接続構造を形成する際のビアホールの充填を容易にし，高密度なパターン形成ができる積層配線板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an elevator device for a building of an intermediate base isolation structure absorbing displacement in a specific part of a guide rail, when an interlayer displacement is generated between a high-rise part and a low-rise part.例文帳に追加

高層部と低層部との間で層間変位が生じた場合、ガイドレールの特定部分においてこの変位を吸収することができる中間免震構造の建造物用エレベーター装置を提供する。 - 特許庁

With such a structure, since the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as TFT on the first interlayer insulating film 11 on the peripheral regions of the peripheral NMOS Tr 52 and the peripheral PMOS Tr 53, a dedicated deep N-well is dispensed with.例文帳に追加

かかる構成においては、負電圧NMOSTr50は、周辺NMOSTr52および周辺PMOSTr53の周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されているため、専用のディープNウェルが不要となる。 - 特許庁

A plurality of wiring layers formed of wiring 407 constituted by an interlayer insulating film 405 and copper are laminated, and a solder resist layer 408 is formed on the uppermost layer to form a multilayer wiring structure body.例文帳に追加

層間絶縁膜４０５および銅からなる配線４０７からなる配線層が複数層積層し、最上層にソルダーレジスト層４０８を形成し、多層配線構造体を構成する。 - 特許庁

A photoelectric conversion apparatus includes: a photoelectric conversion element and a MOS transistor disposed on a semiconductor substrate; and a multilayer wiring structure, and also has a first interlayer insulation film disposed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子およびＭＯＳトランジスタと、多層配線構造と、を有し、半導体基板上に配された第１の層間絶縁膜を有する。 - 特許庁

To achieve excellent reliability and a high production yield using a fluorine-containing silicon oxide film as an interlayer dielectric film, relating to a semiconductor device having a multilayer interconnection structure.例文帳に追加

本発明は多層配線構造を有する半導体装置に関し、フッ素含有シリコン酸化膜を層間絶縁膜として用いつつ、優れた信頼性と、高い歩留まりとを実現することを目的とする。 - 特許庁

This rubber composition comprises the butyl rubber having a specific phosphonium salt structure bearing phenyl group as the functional group and the layered clay mineral organized with an organic onium salt, or the like, to effect interlayer spacing expansion.例文帳に追加

官能基としてフェニル基を有する特定なホスホニウム塩構造を有するブチルゴム、および有機オニウム塩などで有機化処理され層間距離を拡張したた層状粘土鉱物からなるゴム組成物。 - 特許庁

A material principally comprising a carbon fluoride compound having a polycyclic structure in molecule is subjected to plasma polymerization to form interlayer insulation films 202, 204 of fluorinated amorphous carbon film.例文帳に追加

分子中に多環構造を有する弗化炭素化合物を主成分とする原料をプラズマ重合反応させることによって、弗素化アモルファスカーボン膜よりなる層間絶縁膜２０２，２０４を形成する。 - 特許庁

To provide a steel floor slab pavement structure, easy in construction, superior in durability, without causing interlayer separation and a crack, easy in disassembling even in repairing, short in a work period, and reducing even generation of noise.例文帳に追加

施工が容易で、耐久性に優れ、層間剥離やひび割れなどが発生し難く、また補修時にも解体が容易で工事期間が短く騒音発生も少ない鋼床版舗装構造を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element capable of providing a structure without exposing a high-wetness interlayer insulation film to a sidewall of a through-hole by a further small number of treatment processes.例文帳に追加

スルーホールの側壁に湿性の高い層間絶縁膜が露出しない構造を、より少ない処理工程数で実現可能な半導体素子の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Whether a volume structure and a file system of the recording layer 0 moving next exists in the recording layer 1 currently read/written is determined (S7) if an interlayer changeover instruction is issued (S6) in the recording and reproducing apparatus.例文帳に追加

層間切換命令が発行されたとすると（Ｓ６）、次に移動する記録層０のボリューム構造及びファイルシステムが、現在リード・ライトを行っている記録層１に存在するかどうか判定する（Ｓ７）。 - 特許庁

To provide a thin film transistor of self-align structure where reliability of the thin film transistor can be improved by reducing defects caused by an interlayer insulating film, and to provide a display device with this thin film transistor.例文帳に追加

層間絶縁膜に起因する不良を抑え、セルフアライン構造の薄膜トランジスタの信頼性を向上させることが可能な薄膜トランジスタおよびこれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

The second p-type cladding layer 19, the p-type interlayer 20, and the p-type cap layer 21 have laser structure wherein a belt-shaped ridge 23 and a belt-shaped dummy ridge 25 are arranged alternately in the upper part.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１９，ｐ型中間層２０およびｐ型キャップ層２１は、その上部に、帯状のリッジ部２３と、帯状のダミーリッジ部２５とを交互に配列してなるレーザ構造を有する。 - 特許庁

In the manufacturing method for the semiconductor device, the interlayer insulating film 12 is formed on a substrate 11 so as to maintain the cyclic structure of an Si-O bond by plasma treatment using a film-forming gas having the cyclic structure of the Si-O bond.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を有する成膜ガスを用いたプラズマ処理により、Ｓｉ−Ｏ結合の環状構造を維持するように、層間絶縁膜１２を基板１１上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

In a preferable embodiment of the absorption layer 4, a laminated structure which is made by laminating a plurality of layers comprising an aggregate of fibers is provided, and the water absorbing polymer is inserted into at least one interlayer of interlayers in the laminated structure.例文帳に追加

吸収層４の好ましい一実施形態は、繊維集合体からなる複数の層を積層してなる積層構造を備え、該積層構造における層間のうちの少なくとも１つの層間に前記吸水性ポリマーが介在されているものである。 - 特許庁

A multilayer wiring structure is formed by laminating multiple layers of interlayer insulating films 15, 17, and 19 using a Low-k film having a porous structure to assure low dielectricity and laser dicing is conducted along a scribe line until the front surface of a semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

低誘電性を確保するために多孔質な構造を有するＬow‐ｋ膜を用いた層間絶縁膜１５,１７,１９を多層に積層して多層配線構造を形成し、スクライブラインに沿ってレーザーダイシングを半導体基板１１表面が露出するまで行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁