「interlayer structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a structure of an interlayer connection hole, a method of manufacturing the interlayer connection holes and a printed wiring board which lowers the inductance of a connecting conductor composed of a leading line and a led line on a printed circuit board for processing signals at a high speed, thereby stabilizing operation of a signal processor circuit.例文帳に追加

本発明は、高速な信号処理を行なうプリント回路板の誘導ラインおよび被誘導ラインからなる接続導体の層間接続穴の構造に関わり、接続導体のインダクタンス を低下させて信号処理回路の安定した動作をはかることができる層間接続穴の構造と層間接続穴の製造方法とプリント配線板とを提供する。 - 特許庁

Apertures 51A, 53A are formed on a part of the upper layer conducting layer and the interlayer insulating layer below the upper-layer conducting layer, and a chip-mounting part 23 of a bump connection system, which has a structure exposing the lower- layer conducting layer is formed.例文帳に追加

上層導電層とその下層の層間絶縁層の一部に開口（５１Ａ，５３Ａ）を形成して、下層導電層を露出させる構造としたバンプ接続方式のチップ実装部（２３）を形成する。 - 特許庁

A TFT 12 has a structure formed by laminating a bottom gate electrode 20, a bottom gate insulating film 17, a semiconductor layer 13, a top gate insulating film 18, a top gate electrode 14, and an interlayer insulating film 19 in this order.例文帳に追加

ＴＦＴ１２は、ボトムゲート電極２０、ボトムゲート絶縁膜１７、半導体層１３、トップゲート絶縁膜１８、トップゲート電極１４及び層間絶縁膜１９がこの順に積層された構造を有する。 - 特許庁

After forming a film 132 including a substance having a high selectivity for a medium used in an ashing process on an interlayer insulation film 121, a dual damascene structure is formed by deforming the film 132 through the ashing process.例文帳に追加

アッシング工程で使われる媒体に対して高い選択性を有する物質を含む膜１３２を層間絶縁膜１２１上に形成した後で、それをアッシング工程で変成させてデュアルダマシン構造を作る。 - 特許庁

To provide a lamination wiring board which enables high density pattern formation and its manufacturing method by making charging of a via hole easy when an interlayer connection structure, wherein the thickness of an insulation layer is relatively large, is formed.例文帳に追加

絶縁層の厚さが比較的大きい層間接続構造を形成する際のビアホールの充填を容易にし，高密度なパターン形成ができる積層配線板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Consequently, a film structure is damaged by the deformation of an interlayer insulating film 22 formed of a soft material in association with pressing to the spacer 31, thereby avoiding short circuit of the pixel electrode film 29 and common electrode film 23.例文帳に追加

このため、スペーサ３１への押圧に伴う軟材料からなる層間絶縁膜２２の変形によって膜構造が破損し画素電極膜２９と共通電極膜２３とが短絡することが回避される。 - 特許庁

In the organic EL display device having a micro-cavity structure, a convex curvature shape portion 15 is formed swelling at an organic EL element 3 forming part of an interlayer insulating film 14 so as to correspond to a pixel aperture.例文帳に追加

マイクロキャビティ構造を備えた有機ＥＬ表示装置において、凸状湾曲形状部１５を画素開口部に対応するように層間絶縁膜１４の有機ＥＬ素子３形成箇所に膨出形成する。 - 特許庁

The interlayer film for the laminated glass has multilayer structure, wherein a break of 10 mm or longer in length is generated when measuring the head injury criteria (HIC) value as the laminated film held between 2 pieces of glass.例文帳に追加

多層構造であり、かつ、２枚のガラスの間に挟着して合わせガラスとして頭部衝撃指数（Ｈｅａｄ ＩｎｊｕｒｙＣｒｉｔｅｒｉａ；ＨＩＣ）値を測定したときに、１０ｍｍ以上の長さの裂けが発生する合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

To prevent a conductive material from being diffused into an interlayer dielectric being exposed by removing a barrier film when a line for interconnecting the layers of a semiconductor device having a multilayer wiring structure is formed.例文帳に追加

多層配線構造が形成される半導体装置の層間を接続する接続線を形成するに際して、バリア膜を除去することにより露出する層間絶縁膜に導電材料が拡散することを防止する。 - 特許庁

The interlayer insulating film comprises an organic/inorganic hybrid film, and the organic/inorganic hybrid film has a main chain structure, formed by the first region (a) comprising siloxane and the second region (b) comprising organic molecule bonded mutually with the other.例文帳に追加

層間絶縁膜は有機無機ハイブリッド膜からなり、該有機無機ハイブリッド膜は、シロキサンよりなる第１の部位ａと、有機分子よりなる第２の部位ｂとが交互に結合してなる主鎖を有している。 - 特許庁

In a pixel 1a of the solid-state imaging device 1, there is provided a light blocking interlayer connection member 15 for connecting each layer of a multilayered structure to at least a part of a peripheral wiring part 14 in a periphery of a photodiode 17.例文帳に追加

固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。 - 特許庁

The backing material 6 is formed of a mesh fabric of a double raschel structure having a moisture absorbing layer 10 on the inner surface, a moisture releasing layer 11 facing to the air venting holes 7 and an interlayer 12 formed between both the layers 10 and 11.例文帳に追加

裏材６は、内面の吸湿層１０と、通気孔７に臨む放湿層１１と、これら両層１０・１１の間に形成される中間層１２とを備えたダブルラッセル構造のメッシュ生地で形成してある。 - 特許庁

A passivation film 109 on the stacked structure of the interlayer insulating films 105 to 109 has an opening on the seal ring 104, while a cap layer 125 connecting to the seal ring 104 is formed in the opening.例文帳に追加

層間絶縁膜１０５〜１０９の積層構造上のパッシベーション膜１０９はシールリング１０４上に開口部を有すると共に該開口部にはシールリング１０４と接続するキャップ層１２５が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which completely prevents peel-off of a structure such as an alignment mark or a step monitor mark after dicing, and also prevents exposure of an interface of an interlayer insulating film after the dicing.例文帳に追加

ダイシング後のアライメントマークや工程モニターマーク等の構造物の剥がれを皆無にでき、さらにはダイシング後に層間絶縁膜の界面を露出させることがない半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a laminated wiring board in which a high density pattern can be formed by filling a via hole easily when an interlayer connection structure having a relatively thick insulating layer is formed, and to provide its production process.例文帳に追加

絶縁層の厚さが比較的大きい層間接続構造を形成する際のビアホールの充填を容易にし，高密度なパターン形成ができる積層配線板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor interlayer insulating film is obtained by dissolving the siloxane-based resin having a new structure, in an organic solvent and coating the solution on a substrate and then thermally curing the same.例文帳に追加

本発明は、新規構造を有するシロキサン系樹脂を有機溶媒に溶かし、これを基板上にコーティングした後、熱硬化させることにより製造される半導体層間絶縁膜により上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a core substrate being useful for manufacturing a multilayer circuit board, that can achieve low resistance and fine patterns, since the interlayer connection of an entire layer can be made by series structure formed by an electrical copper-plated member.例文帳に追加

全層の層間接続を電気銅めっき材で形成される直列構造でとることができるので低抵抗・ファインパターン化を実現可能な多層回路基板を製造するために有用なコア基板を提供する。 - 特許庁

An interlayer provided with a circumferential area consisting of a polyvinyl acetal layer containing lower plasticizer than the layer 12 at around three-layered sound insulating area including the layer 12 is provided for easily manufacturing a structure.例文帳に追加

また、この構造を容易に製造するために、層１２を含む３層の遮音領域の周囲に層１２よりも可塑剤の含有率が低いポリビニルアセタール層からなる周縁領域を配置した中間膜を提供する。 - 特許庁

To realize manufacture of a semiconductor device, etc., having a multilayer wiring structure of fine wiring in high yield even when a material having a brittle mechanical strength is used as an interlayer insulating film.例文帳に追加

たとえ層間絶縁膜として機械的強度が脆弱な材料を用いた場合であっても、微細配線の多層配線構造を有する半導体装置等をより高い歩留りで製造できるようにする。 - 特許庁

To provide a hydrogen barrier structure for preventing or suppressing the diffusion of hydrogen into an oxide dielectric wherein the hydrogen as a reducer is supplied when an interlayer insulating film is formed in a reducing atmosphere.例文帳に追加

層間絶縁膜を還元性雰囲気中で形成する際に供給される還元剤としての水素が、酸化物誘電体中に拡散されるのを防止或いは抑制する水素バリア構造を提供する。 - 特許庁

In a pixel 1a of the solid-state imaging device 1, a light shielding interlayer connection member 15 for connecting each layer of a multilayered structure are provided to at least a part of a peripheral wiring part 14 in a periphery of a photodiode 17.例文帳に追加

固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。 - 特許庁

To provide a wiring structure which enhances reliability on performances as well as yield of a semiconductor device by preventing the occurrence of diffusion between an interlayer dielectric and wiring, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

層間絶縁膜と配線との間の拡散を防止し、半導体デバイスの性能に関する信頼性および製造歩留まりを向上させることが可能な配線構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an intercalation compound by which the increase of the internal pressure can be suppressed or prevented at a step of inserting a carbon-based intercalant such as fullerene into an interlayer of a hexagonal crystal having a layered structure.例文帳に追加

層状構造を有する六方結晶の層間へのフラーレンなど炭素系インターカラントの挿入工程における内圧上昇を抑制又は回避できる層間化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The polycrystalline thin film has an interlayer 25 formed by laminating a first layer 23 and a second layer 24 sequentially on a metal base 21, wherein the crystal structure of the first and second layers 23, 24 is a rock salt structure and a fluorite structure, respectively, and the orientation axis of the first layer 23 and the second layer 24 are the same and both with <100> orientation.例文帳に追加

本発明は、金属基材２１上に順に、第一層２３と第二層２４を積層してなる中間層２５をなし、前記第一層２３と前記第二層２４の結晶構造はそれぞれ、岩塩構造と蛍石構造であり、前記第一層２３と前記第二層２４の配向軸が同じであり何れも＜１００＞配向していることを特徴とする。 - 特許庁

In the surface side of a semiconductor substrate 10; there are formed an interlayer insulation film 17 which has two-layer structure including a first layer film 18 consisting of an insulation material of an organic system, and a second layer film 19 consisting of an insulation material of an inorganic system.例文帳に追加

半導体基板１０の表面側に、有機系の絶縁材料からなる第１層膜１８、無機系の絶縁材料からなる第２層膜１９の２層構造を有する層間絶縁膜１７が形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic part packaging structure including electronic parts embedded in an interlayer dielectric on a wiring board therein, which eliminates bumps due to thickness of the electronic parts to flatten it.例文帳に追加

電子部品が配線基板上の層間絶縁膜に埋設された構造を有する電子部品実装構造の製造方法において、電子部品の厚みに起因する段差を容易に解消して平坦化できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multi-layer film including a resin composition layer having an alicyclic structure-containing polymer which has high interlayer adhesive property, and a polypropylene resin composition layer having transparency and capable of being used as a film for a package body.例文帳に追加

層間接着強度及び透明性が高く、包装体用フィルムとして用いることのできる、脂環式構造含有重合体を含有してなる樹脂組成物層と、ポリプロピレン樹脂組成物層との多層フィルムを提供すること。 - 特許庁

In a manufacturing process of a semiconductor device having a multilayered wiring structure by the dual damascene method, an opening 260A is formed by removing a second interlayer insulating film 260 with an essential first hard mask layer 270 as a mask.例文帳に追加

デュアルダマシン法を利用した多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、実質的には第一のハードマスク膜２７０をマスクとして、第二の層間絶縁膜２６０を除去し、開口部２６０Ａを形成する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion composition that can form a primer layer that has excellent interlayer adhesion to the topcoat layer including fluorine plastic resin and can improve the hardness and the abrasion resistance as a whole, and provide a coating film structure by using the same.例文帳に追加

フッ素樹脂を含むトップコート層との層間密着性に優れ、塗膜全体としての硬度と耐磨耗性を向上させることができるプライマー層を形成し得る水性分散組成物とそれを用いた塗膜構造を提供する。 - 特許庁

A wiring substrate (package) 10 has a structure, in which a plurality of wiring layers 11, 14, 17, and 20 are laminated having insulating layers 12, 15, and 18 therebetween and the wiring layers are interlayer connected via vias 13, 16, and 19 formed in the insulating layers.例文帳に追加

配線基板（パッケージ）１０は、複数の配線層１１，１４，１７，２０が絶縁層１２，１５，１８を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビア１３，１６，１９を介して層間接続された構造を有している。 - 特許庁

To provide an electronic circuit device which has a multilayer structure and wherein parts are built in by a simple step by electrically connecting interlayer conductor wirings and built-in electronic parts by using the same anisotropic conductive resin layer.例文帳に追加

層間の導体配線接続と内蔵する電子部品の電気的接続とを同一の異方導電性樹脂層を用いて行うことにより、簡単な製造工程で部品を内蔵した多層構成の電子回路装置を提供する。 - 特許庁

This is thin and low price laminated glass using at least three glass plates and it is excellent in penetration-proof property compared with the current one having a structure sandwiching an organic resin film (interlayer film) between two glass plates.例文帳に追加

ガラス板を少なくとも３枚以上用いる事で、従来の２枚のガラス板の間に有機樹脂膜（中間膜）を挟持させた構造の合わせガラスに比べ、厚みが薄く、かつ安価な耐貫通性に優れる合わせガラスである。 - 特許庁

To provide a feed block the maintenance of which is easy because of a simple structure and which dissolves the interlayer instability phenomenon at the time of coextrusion molding to afford a product stable in appearance quality.例文帳に追加

簡単な構造であるのでメンテナンスが容易であるとともに、共押出成形時における層間不安定現象を解消して、外観品質の安定した製品を得ることができるフィードブロックを提供することを目的としている。 - 特許庁

To improve interlayer adhesion strength, and hence to prevent problems of separation, or the like from occurring in reflow treatment, or the like, in a wiring board in a structure where a ceramic dielectric layer and a polymer material dielectric layer are laminated compositely.例文帳に追加

セラミック誘電体層と高分子材料誘電体層とが複合積層された構造を有する配線基板において、層間の密着強度を高め、ひいてはリフロー処理時等における剥がれ等の問題も生じにくくする。 - 特許庁

To prevent occurrence of interfacial delamination of a hydrophobic membrane to be used for interlayer dielectrics and a hydrophilic membrane to be used for a liner membrane or a barrier membrane in a multilayer wiring structure using the hydrophobic membrane like a low-k membrane.例文帳に追加

ｌｏｗ−ｋ膜のような疎水性膜を使用した多層配線構造において、層間絶縁膜に使用する疎水性膜とライナー膜又はバリア膜として使用する親水性膜との界面剥離の発生を防止する。 - 特許庁

Thereafter, oxygen or hydrogen is bonded to a dangling bond of a semiconductor thin film 34 constituting the TFT 40, 43 by subjecting the resulting structure to heat treatment in a water atmosphere, and the interlayer insulating film 44 is made to be dense.例文帳に追加

その後、水分雰囲気中において熱処理を行うことによりＴＦＴ４０、４３を構成する半導体薄膜３４のダングリングボンドに酸素または水素を結合させると共に、層間絶縁膜４０の緻密化を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device where an interlayer insulating film having a hollow structure and a relative permittivity as near as 1 is formed by employing an oxide film having a high selectivity and carrying out a selective etching process.例文帳に追加

高い選択性を有する酸化膜を使用して選択エッチング処理を行うことにより、比誘電率が限りなく１に近い中空構造の層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor capable of easing stress when connecting a conductive wiring member to the front surface of a pad, even if a buffer structure, such as an interlayer insulating film, is not formed directly under the pad.例文帳に追加

パッドの直下に層間絶縁膜などの緩衝構造を形成しなくても、パッドの表面に導電性の配線部材を接続するときの応力を緩和することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The wiring 111 applied with high frequency has such a wiring structure as electrically connected with the wiring 106 in parallel via a plurality of contact holes arranged along the longitudinal direction of the wiring 111 across an interlayer film 107.例文帳に追加

高周波が印加される配線１１１は、層間絶縁膜１０７を介して、配線１１１の線方向にそって複数設けられたコンタクトホールにより配線１０６と電気的に並列接続している配線構造を採用する。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent variations in the thickness of an interlayer insulating film during formation of a multi-layered wiring structure, by a resist etch back process to thereby obtain a semiconductor device having a stable capacity between wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造のレジストエッチバックによる形成プロセスにおいて、層間絶縁膜厚の変動を防ぎ、配線層間容量の安定した半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The positive electrode active material has an olivine structure and is expressed by Li_xM_1-xMnPO_4 (in the formula, 0<x≤1, and M is an alkaline metal element having an ion radius larger than Li), in which the interlayer spacing of MnO_6 layer is larger than the interlayer spacing of MnO_6 layer contained in LiMnPO_4 as a reference substance.例文帳に追加

本発明は、オリビン構造を有し、Ｌｉ_ｘＭ_１−ｘＭｎＰＯ_４（式中、０＜ｘ≦１であり、ＭはＬｉよりもイオン半径の大きなアルカリ金属元素である。）で表され、かつ、ＭｎＯ_６層の層間隔が、基準物質としてのＬｉＭｎＰＯ_４に含まれるＭｎＯ_６層の層間隔よりも大きいことを特徴とする正極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide prefabricated support blocks with enhanced soundproof effects, whose blocks are constructed to support heat medium circulation pipes on building slabs for improving soundproof effects, and used for the construction of building floor structure that can much reduce its in-layer and interlayer propagation of noises, as well as the floor structure constructed using these blocks and a construction method for this floor structure.例文帳に追加

建物のスラブ上で熱媒体循環管を支持するように、組み立て式に設けられる支持ブロックを防音効果が向上するように構成し、これを用いて建物の床構造物を施工することにより、層内及び層間の騒音の伝播を著しく低減できる防音効果を高めた組み立て式の支持ブロックとこれを用いた床構造物及びその施工方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulation film composed of 3-dimensional polymeric macromolecules by polymerizing first cross-linked molecules having 3-dimensional structure by having three functionality groups or more in a same molecule and second cross-linked molecules having 2-dimensional structure by having two functionality groups in a same molecule is formed.例文帳に追加

同一分子内に３つ以上の官能基群を持つことにより３次元構造を有している第１の架橋分子と、同一分子内に２つの官能基群を持つことにより２次元構造を有している第２の架橋分子とを重合させて３次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To achieve a laminated type IEJ junction, without having to creating a mesa structure, since the deterioration of the film quality of an interlayer insulation film cannot be avoided due to the regulation of deposition temperature, in a process for utilizing the mesa structure when creating the lamination type IEJ junction regarding a high-temperature superconducting device.例文帳に追加

高温超電導体装置に関し、積層型ＩＥＪ接合を作成するに際し、メサ構造を利用するプロセスでは、堆積温度が規制されることに起因し、層間絶縁膜の膜質劣化を回避できないので、メサ構造を作成せずに積層型ＩＥＪ接合を実現することが基本になっている。 - 特許庁

To provide a PFA coated polyimide tube having a two-layer structure that a heat shrinkable PFA tube is thermally fusion-bonded on the outer peripheral surface of a thermally curable polyimide tube and is excellent in terms of interlayer adhesion, durability, abrasion resistance, etc., and a manufacturing method of the PFA coated polyimide tube.例文帳に追加

熱硬化型ポリイミドチューブの外周面に、熱収縮性ＰＦＡチューブが熱融着した２層構造を有し、層間密着性、耐久性、耐摩耗性などに優れたＰＦＡ被覆ポリイミドチューブとその製造方法を提供すること。 - 特許庁