「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a means for preventing a deterioration in a light emitting element caused by a difference in the temperature characteristics between an interlayer insulating film and an anode in a light emitting device having the anode, an organic compound layer, and a cathode.例文帳に追加

陽極、有機化合物層及び陰極からなる発光素子を有する発光装置において、層間絶縁膜と陽極との温度特性の違いにより生じる発光素子の劣化を防ぐ手段を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition for circuit boards, which is excellent in heat dissipation property and workability such as drill wear property or blanking property, and to provide an interlayer prepreg, a composite laminated board and a printed wiring board using the same.例文帳に追加

放熱性、及びドリル磨耗性、打ち抜き性等の加工性に優れる回路基板用熱硬化性樹脂組成物を提供し、並びに、それを用いた中間層プリプレグ、コンポジット積層板及びプリント配線板を提供すること。 - 特許庁

Since the wettability of the surface of the interlayer insulating film is satisfactorily improved by etching a drain signal line 14 consisting of an Al film in a wet process after the nitrogen plasma treatment, an etchant is easily put in a contact hole part and Al does not remain in the contact hole part.例文帳に追加

この窒素プラズマ処理後に、Ａｌ膜からなるドレイン信号線１４をウェットエッチングすると、層間絶縁膜表面のぬれ性が良好であるため、エッチャントがコンタクトホール部に入り込み易く、コンタクトホール部にＡｌが残らない。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, by which an interlayer insulating film, composed of a silicon oxide based material, is etched back at a high selectivity ratio with respect to a silicon nitride film as a stopper layer and can be planarized.例文帳に追加

酸化シリコン系材料からなる層間絶縁膜を、ストッパ層となる窒化シリコン膜に対して高い選択比でエッチバックして平坦化することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Portions 42a, 43a interposed between a power supply line 26 (VDD), FD 12, and a wire 40 in interlayer insulating films 42, 43 are composed of a material with lower specific inductive capacity than that of silicon oxide.例文帳に追加

層間絶縁膜４２，４３における電源線２６（ＶＤＤ）とＦＤ１２及び配線４０との間に介在する部分４２ａ，４３ａを、酸化珪素の比誘電率よりも低い比誘電率を有する材料で構成する。 - 特許庁

This light transmitting window material 1 having electromagnetic wave shielding property is constituted by integrating a transparent substrate 2, an antireflection film 8, an electrically conductive mesh 3 and a near infrared ray cutting film 5 into one body with interlayer films 4A, 4B for adhesion and an adhesive agent 4C.例文帳に追加

１枚の透明基板２と、反射防止フィルム８と、導電性メッシュ３と、近赤外線カットフィルム５を接着用中間膜４Ａ，４Ｂ及び粘着剤４Ｃで一体化した電磁波シールド性光透過窓材１。 - 特許庁

An etching stopper film 13 is adhered to the surface of a ferroelectric substance capacitor, composed of a lower electrode 10, a ferroelectric substance film 11 and an upper electrode 12, and an interlayer insulating film 15 of a different kind is formed on the etching stopper film 13.例文帳に追加

下部電極１０、強誘電体膜１１、上部電極１２で構成される強誘電体キャパシタ表面にエッチングストッパ膜１３が被着し、エッチングストッパ膜上に別種の層間絶縁膜１５が形成される。 - 特許庁

An interlayer insulating film 10 is formed in a region other than the region in which the source electrode 11 is formed, that is, in a region on surfaces of a p-type SiC region 13 and the gate insulating film 8 or the gate electrode 9.例文帳に追加

層間絶縁膜１０は、ｐ型ＳｉＣ領域１３およびゲート絶縁膜８またはゲート電極９の表面上であってソース電極１１が形成された領域以外の領域において形成されている。 - 特許庁

An unbalanced side wiring film 14 and a balanced side wiring film 10 are stacked via an interlayer insulating film 12, and electromagnetic coupling between both wiring films 14 and 10 is attained by separating the wiring films in a stacking direction (in the direction of balun thickness).例文帳に追加

不平衡側配線膜１４と平衡側配線膜１０を層間絶縁膜１２を介して積層して、その両配線膜１４・１０間の電磁結合を積層方向（バランの厚み方向）に離間させて行うようにする。 - 特許庁

Any of a plurality of contact plugs CP0 which reaches a diffusion layer 3 serving as a drain layer of an MOS transistor Q1 has its end provided in contact with the lower surface of a thin insulating film 19 provided selectively on an interlayer insulating film IL1.例文帳に追加

複数のコンタクトプラグＣＰ０のうちＭＯＳトランジスタＱ１のドレイン層となる拡散層３に達するものは、その端部が層間絶縁膜ＩＬ１上に選択的に配設された薄膜絶縁膜１９の下面に接している。 - 特許庁

On the surface of the interlayer dielectric of the side opposite to the semiconductor layer, a hollow part locally recessed toward the semiconductor layer is formed in the region of the channel region, which light shields at least the edge part of the channel region.例文帳に追加

層間絶縁膜における半導体層とは反対側の表面には、チャネル領域のうち少なくともチャネル領域の縁部を遮光可能な領域において、半導体層に向かって局所的に窪んだ凹部が形成されている。 - 特許庁

An insulating film used for a TFT such as, for example, a gate insulating film, protection film, undercoating film, interlayer insulating film or the like, is formed by sputtering a silicon nitride film containing 0.1-50 atoms % or 1-50 atoms %, preferably 0.1-10 atoms % of boron.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを０．１〜５０atoms ％又は１〜５０atoms ％、望ましくは０．１〜１０atoms ％含む窒化珪素膜をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide an electronic component built-in substrate, along with a manufacturing method thereof and an inspection method thereof, capable of readily and accurately inspecting the state of an interlayer connection between an electronic component and a wiring layer on a multilayer printed wiring board.例文帳に追加

多層プリント配線基板における電子部品と配線層との層間接続の状態を、簡便且つ精度よく検査することが可能な電子部品内蔵基板、その製造方法、及びその検査方法を提供する。 - 特許庁

Two sheets of core board 1, in which the wiring layers which are connected via an interlayer wiring layer are formed on both front and rear surfaces, are prepared, and a supporting plate 101 is provided between the core boards to form a laminated body 30 of the core boards by lamination and fixing.例文帳に追加

表裏両面に、層間配線層を介して連なる配線層が形成されたコア基板１を２枚用意し、その間に支持板１０１を介在させて貼り合わせて固定してコア基板貼り合せ体３０とする。 - 特許庁

The interlayer connection viaholes 51a to 51d are continuously connected one another in the direction of lamination of the insulating sheets 41a to 41i to compose a relay via conductor 51 for electrically interconnecting inductors L1 and L2 and a capacitor C2.例文帳に追加

層間接続用ビアホール５１ａ〜５１ｄは、それぞれ絶縁シート４１ａ〜４１ｉの積み重ね方向に連接することにより、インダクタＬ１，Ｌ２とコンデンサＣ２相互間を電気的に接続する中継用ビア導体５１を構成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 6 is applied on the electrodes 5 and a P-type buffer region 10, which is used as a pressing buffer region 21, is formed in the surface layer of the substrate 1 in the vicinity of a contact terminal body 9 to come into contact with an edge part 12.例文帳に追加

ゲート電極５上に層間絶縁膜６を被覆し、コンタクト端子体９のエッジ部１２が接触する近傍では、半導体基板１の表面層に加圧緩衝領域２１となるｐバッファ領域１０を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing delamination for a package constructed by carrying out resin-sealing for a semiconductor element comprising a vulnerable interlayer insulating film having a low dielectric constant, which is caused by a stress applied to the peripheral portion of the semiconductor element, thereby making it possible to improve the element reliability.例文帳に追加

脆弱な低比誘電率層間絶縁膜を備えた半導体素子を樹脂封止したパッケージに対し、素子周辺部に加わる応力に起因する層間隔離を防止することができ、信頼性の向上をはかる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 is formed on a Cu wiring layer 2 formed on a semiconductor substrate 1 as a lower wiring layer and a groove 5 which becomes a via hole is opened in the insulating film 3 until the Cu wiring layer 2 appears by using a resist 4 as a mask.例文帳に追加

半導体基板１上に下層配線層として形成されているＣｕ配線層２上に、層間絶縁膜３を形成し、レジスト４をマスクとしてヴィアホールとなる溝５をＣｕ配線層２があらわれるまで開口する。 - 特許庁

Since this configuration prevents the narrowing of an area between adjacent leading portions, interlayer peeling hardly occurs, the shortest path of currents intputted and outputted into and from the leading-out portions is ensured, and thus, equivalent serial inductance can be reduced.例文帳に追加

隣接する引出部間の面積が狭くならなくなるので層間剥離を生じにくく、しかも引出部に入出力する電流のうち最も短い電流経路が確保され等価直列インダクタンスを低くすることができる。 - 特許庁

By the interlayer displacement or response speed difference of the building generated during earthquake, the plate is pushed and pulled in the plate axis direction, that is, a tensile force or compressive force acts, and the ring body 12 mainly generates bending stress.例文帳に追加

このプレート１４が地震時に生じる建物の層間変位や応答速度差により、板軸方向へ押し引きされると、すなわち、引張力或いは圧縮力が作用すると、リング体１２には主として曲げ応力が発生する。 - 特許庁

Interconnects 10 are formed on the upper layer of an interlayer insulating film 9 that covers MISFETs Q1 formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, and dummy interconnects 11 are arranged in regions where the interconnects 10 has a wide distance from each other.例文帳に追加

半導体基板１の主面上に形成されたＭＩＳＦＥＴＱ１を覆う層間絶縁膜９の上層に配線１０を形成するとともに、その配線１０間の間隔が広い領域にダミー配線１１を配置する。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 104 (or 104a and 104b), there is formed upper layer wiring comprising a barrier metal film 106 (or 106a and 106b) and a copper-containing metal film 111 (or 111a and 111b).例文帳に追加

この層間絶縁膜１０４（または１０４ａおよび１０４ｂ）中にバリアメタル膜１０６（または１０６ａおよび１０６ｂ）および銅含有金属膜１１１（または１１１ａおよび１１１ｂ）からなる上層配線を形成する。 - 特許庁

To provide a technology of suppressing the propagation of cracks caused at the time of dicing to a seal ring part and improving the reliability of the semiconductor device even in the semiconductor device using a low-k film as an interlayer insulating film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置であっても、ダイシング時に発生するクラックがシールリング部へ伝播するのを抑制し、半導体装置の信頼性を向上する技術を提供する。 - 特許庁

The transmission line interlayer connector 100 comprises a conductor layer 3B, a dielectric layer 1C, a ground conductor layer 2B, a dielectric layer 1B, a ground conductor layer 2A, a dielectric layer 1A, and a conductor layer 3A which are stacked from the bottom in this order.例文帳に追加

伝送線路層間接続器１００は、導体層３Ｂ、誘電体層１Ｃ、地導体層２Ｂ、誘電体層１Ｂ、地導体層２Ａ、誘電体層１Ａ、導体層３Ａがこの順に下から積層されて構成されている。 - 特許庁

On the interlayer insulating film 20, a wire 22b is formed as connected to the gate electrode 5b via the first connecting hole 20b, and a dummy pattern 22a is formed as connected to the MNOS element 10 via the second connecting hole 20a.例文帳に追加

層間絶縁膜２０上に、第1の接続孔２０ｂを介してゲート電極５ｂに接続する配線２２ｂを形成すると共に、第２の接続孔２０ａを介してＭＮＯＳ素子１０に接続するダミーパターン２２ａを形成する。 - 特許庁

Drain - drain connection layers 31a and 31b are formed on a first-layer interlayer insulation layer 65, and each connects the drain of the drive transistor Q3 and that of the load transistor Q5, and that of the drive transistor Q4 and that of the load transistor Q6.例文帳に追加

ドレイン−ドレイン接続層３１ａ，３１ｂは第１層目の層間絶縁層６５上に形成され、其々が駆動トランジスタＱ_3のドレインと負荷トランジスタＱ_5のドレイン、駆動トランジスタＱ_4のドレインと負荷トランジスタＱ_6のドレインを接続する。 - 特許庁

Since all capacitor cells are placed on a groove part of a LO COS oxide film 9 on an N-type well region 6, the position of an upper electrode 18 can be made low, and as a result, an interlayer insulation film 19 is formed evenly.例文帳に追加

キャパシタ・セルは、すべてＮ型ウエル領域６上のＬＯＣＯＳ酸化膜９の溝部１２上に配置されているので、上部電極１８の位置が低くでき、その結果、層間絶縁膜１９を平坦に形成できる。 - 特許庁

In the multilayer substrate, partial holes 15 of a plurality of holes which penetrate an insulating base material 11 and an adhesion layer 13 are filled with an adhesive 17, and temporarily adhered by the adhesive 17 before interlayer adhesion by the adhesion layer 13.例文帳に追加

絶縁性基材１１と接着層１３を貫通する複数個の穴のうちの一部の穴１５に接着剤１７を充填し、接着層１３による層間接着に先だって接着剤１７によって仮接着を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, in which the occurrence of very small projections on the surface of an inorganic SOG film containing an Si-H bond can be prevented at forming of an interlayer insulating film, using the SOG film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｓｉ−Ｈ結合を含む無機ＳＯＧ膜を用いて層間絶縁膜を形成する際に、Ｓｉ−Ｈ結合を含む無機ＳＯＧ膜の表面に微小突起が発生するのを防ぐ。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer circuit board which can cause less deformation in a conductor pattern or less mutual positional displacement therein, and can suppress an increase in the resistance of a conductive material for interlayer connection, with a high reliability.例文帳に追加

導体パターンの変形や相互の位置ズレが起き難く、導体パターンを層間接続する導電材料の抵抗上昇を抑制することができ、高い信頼性を有する多層回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device that prevents increase in the contact resistance due to etching of a semiconductor layer when etching an interlayer dielectric, and is excellent in writing characteristics and charge retention characteristics; and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタクト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

Since the planar shape of the dielectric capacitor 10B in a plane parallel to the film surface of the interlayer insulating film 17 is almost a regular polygon, unwanted deformations hardly occur during the processing of the surface of the dielectric capacitor 10B.例文帳に追加

誘電体キャパシタ１０Ｂの、層間絶縁膜１７の膜面と平行な面内における平面形状は略正多角形であるため、誘電体キャパシタ１０Ｂの表面を加工する際の不要な変形が生じにくい。 - 特許庁

To provide a printed circuit board capable of improving productivity by forming dams and printing bumps for interlayer conduction in the dams, and of solving the problem of expansion of the bump; and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ダムを形成し、ダム内部に層間導通のためのバンプを印刷することにより、生産性を向上することができ、バンプの拡がりの問題を解決することができる印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic siloxane interlayer insulating film of a film-thickness reduction ratio being 14% or less when oxygen plasma process is applied is used which comprises oxygen being 1.5 times or more of the number of silicon atoms and carbon being 1-2 times of silicon atoms.例文帳に追加

珪素原子数の１．５倍以上の酸素、珪素原子の１倍以上２倍以下の炭素を含み、かつ酸素プラズマ処理を加えた時の膜厚減少率が１４％以下の有機シロキサン系層間絶縁膜を用いる。 - 特許庁

A method for dispersing inorganic particles comprises dispersing a laminar compound in an interlayer-peeled state into a continuous phase solution containing a thermosetting resin, and adding a metal alkoxide to cause hydrolysis, to thereby precititate the inorganic particles.例文帳に追加

熱硬化性樹脂を含む連続相溶液に層状化合物を層間剥離する状態に分散させ、次に金属アルコキシドを加える加水分解して無機粒子を析出させる事により、無機粒子の分散を行う製造方法。 - 特許庁

A resistor is provided on a semiconductor substrate through a field oxide film, and a first metal wiring is provided on the resistor, and an intermetallic interlayer film with good flatness having a hygroscopic film is formed on the first metal wiring.例文帳に追加

半導体基板上にフィールド酸化膜を介して抵抗体を設け、抵抗体上に第一の金属配線を設け、第一の金属配線上に吸湿性膜を含む平坦性の良い金属間層間膜を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device and the method of manufacturing the same, the device includes a substrate 100 of a single crystal semiconductor substance that is extended in the horizontal direction, and a plurality of interlayer dielectrics 105a to 105e on the substrate.例文帳に追加

半導体素子及びその製造方法において、半導体素子は単結晶半導体物質からなり、水平方向に延長される基板１００と前記基板上に複数の層間絶縁膜１０５ａ〜１０５ｅを含む。 - 特許庁

This method preserves the coating liquid, which contains a silane coupling agent and provides for forming a semiconductor interlayer insulating film, in a container having a liquid contact surface made of plastic, wherein plastics is preferably a material selected from fluorine resin.例文帳に追加

シランカップリング剤を含有する半導体層間絶縁膜形成用塗布液を、接液面がプラスティックである容器に保存することを特徴とし、前記プラスティックがポリエチレン、弗素樹脂から選ばれる材質であることが好ましい。 - 特許庁

When the semiconductor substrate 2 is to be machined from a main-surface side, the machining by the plasma CVM method and the mechanical polishing using the grinding wheel 1 are combined, an interlayer insulating film and wiring that have different etching rates are machined uniformly.例文帳に追加

半導体基板２を主面側から加工する場合においては、プラズマＣＶＭ法による加工と砥石車１による機械的な研磨とを複合させて、エッチングレートの異なる層間絶縁膜と配線とを均一に加工する。 - 特許庁

To achieve a flexible printed circuit that allows for high density and excellent high-frequency properties by using thermosetting adhesive as interlayer adhesive, and by achieving a wiring board of a specific characteristic impedance at a narrower circuit width with less costs.例文帳に追加

熱硬化型接着剤を層間接着剤として用い、ある特定の特性インピーダンスの配線基板をより細い回路幅にて低コストで実現し、高密度化が可能であり高周波特性に優れたフレキシブルプリント回路を実現する。 - 特許庁

When forming an embedded contact in the semiconductor device composed by fabricating one or more semiconductor elements on a silicon substrate 101, an interlayer insulation film 109 is formed on the entire surface of a semiconductor element layer (first process).例文帳に追加

シリコン基板１０１上に１又は複数の半導体素子が作り込まれてなる半導体装置に埋め込みコンタクトを形成するにあたり、半導体素子層の全面に層間絶縁膜１０９を形成する（第１工程）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display device, restraining increase in contact resistance between a conductive layer exposed by a contact hole of an interlayer insulating film formed between a pair of electrodes, and the electrodes.例文帳に追加

一対の電極間に形成される層間絶縁膜のコンタクトホールによって露出される導電層と電極とのコンタクト抵抗が大きくなるのを抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this interlayer film for laminated glass, a polyvinyl acetal resin, phillosilicate, plasticizer, adhesive power adjusting agent, ITO fine particle and dispersant are included and the ITO fine particle and laminar silicate are dispersed microscopically-uniformly. The laminated glass is also provided.例文帳に追加

ポリビニルアセタール樹脂、層状珪酸塩、可塑剤、接着力調製剤、ＩＴＯ微粒子、分散剤を含有し、ＩＴＯ微粒子及び層状珪酸塩が微細に均一分散されてなる合わせガラス用中間膜及び合わせガラス。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for a prepreg that enhances interlayer adhesion of a printed wiring board after moisture absorption and thereby enhances insulation reliability of the printed wiring board, and to provide a prepreg, a laminated board and a printed wiring board using the same.例文帳に追加

吸湿後のプリント配線板の層間密着性が向上し、プリント配線板の絶縁信頼性を高めることができるプリプレグ用エポキシ樹脂組成物、それを用いたプリプレグ、積層板、およびプリント配線板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated glass using an interlayer containing EVA and a crosslinking agent by using a step including pressurization using a nip roll, wherein bubbles in the laminated glass can be removed well.例文帳に追加

ＥＶＡ及び架橋剤を含む中間膜を用いた合わせガラスを、ニップロールを用いる加圧を含む工程を用いて製造する方法であって、合わせガラス内の気泡除去を良好に行うことができる製造方法を提供する。 - 特許庁