「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a polyvinyl acetal resin, interlayer for laminated glass, and laminated glass, which contain a metal component derived from an alkali neutralizer at a low content, have excellent transparency, moisture resistance, and electric nonconductivity, and are colorless.例文帳に追加

アルカリ中和剤に由来する金属成分の含有量が極めて少なく、透明性、耐湿性及び電気絶縁性に優れ、しかも着色のないポリビニルアセタール樹脂及び合わせガラス用中間膜並びに合わせガラスを得る。 - 特許庁

To form an aperture to a ferroelectric capacitor in an interlayer insulation film and a hydrogen diffusion prevention film especially without increasing the number of processes, and without damaging the ferroelectric capacitor, and to remove unneeded residuals.例文帳に追加

徒に工程数を増加させることなく、強誘電体キャパシタにダメージを与えずに強誘電体キャパシタに対する開孔を層間絶縁膜及び水素拡散防止膜に形成し、しかも不要な残存物を除去する。 - 特許庁

To provide a polyester film suitable as a support for forming filmy interlayer insulating material which is used for a multilayer printed circuit board manufactured by the buildup method for corresponding to micro-fabrication or high density of wiring.例文帳に追加

配線の微細化および高密度化に対応するための、ビルドアップ法で製造する多層プリント配線板に用いられる、フィルム状の層間絶縁材料を形成するための支持体として好適なポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

Dielectric films (75) configurating the storage capacitors among these consist of a plurality of layers including materials different from each other and one layer among these layers includes a silicon nitride film and the surfaces of the interlayer insulating film are subjected to planarization processing.例文帳に追加

このうち蓄積容量を構成する誘電体膜（７５）は、相異なる材料を含む複数の層からなるとともに、そのうちの一の層は窒化シリコン膜を含み、層間絶縁膜の表面は平坦化処理が施されている。 - 特許庁

The layered manganese oxide porous body being cross-linked by aluminum hydroxide or nano particles of aluminum oxide and having an interlayer distance of ≥1.7 nm is realized by heat-treating the aforementioned layered manganese oxide porous body.例文帳に追加

この層状マンガン酸化物多孔体を熱処理することにより、水酸化アルミニウムもしくは酸化アルミニウムのナノ粒子で架橋され、かつ１．７ｎｍ以上の層間距離を有する層状マンガン酸化物多孔体を実現する。 - 特許庁

The interlayer conductive part comprises a core hole 1 formed in the coating layer; surface layer holes 21, 22 formed in an offset position with respect to the core hole in the core substrate; and connection patterns 31, 32 for electrically connecting the core hole and the surface layer hole.例文帳に追加

層間導電部は，被覆層に設けたコア孔１と，コア基板におけるコア孔に対してオフセットの位置に設けた表層孔２１，２２と，コア孔と表層孔の間を電気的に接続する接続パターン３１，３２とからなる。 - 特許庁

To improve the yield at the time of burying a metal by dissipating micro voids from the worked surface of a via hole, etc., even when a porous material is used for an interlayer insulating film and, in addition, to manufacture a semiconductor device exhibiting a stable performance.例文帳に追加

層間絶縁膜に多孔質材料を用いた場合でも、ビアホール等の加工表面のマイクロボイドを消失せしめ、メタルを埋設する際の歩留りを向上させ、且つ、安定した性能の半導体装置の製造を可能にする。 - 特許庁

To obtain this change in light, either a thin surface layer containing much C and O can be formed on a surface of the lower portion of the interlayer insulating film, or a modified layer containing much C and O can be formed in the surface of the lower portion.例文帳に追加

また、この光の変化を得るために層間絶縁膜の下部分の表面に薄くＣ及びＯが多い表面層を形成するか、あるいは、下部分表面のＣ及びＯの多い改質層を形成することができる。 - 特許庁

To provide a multilayer printed circuit board with built-in capacitor, capable of avoiding a lowering in reliability due to a defect of interlayer adhesion, and having capacitor individual pieces avoiding a defect of short circuit in the inside thereof, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

層間密着性不具合による信頼性の低下を回避すると共に、短絡する不具合を回避したキャパシタ個片を内部に配置したキャパシタ内蔵型多層プリント配線板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a film-forming composition affording a film that is uniform, causes no deposition of impurities, achieves a low dielectric constant and high metal diffusion barrier property and is therefore suitably used for producing an interlayer insulation film in an electronic device or the like.例文帳に追加

形成された膜が均一であり、不純物の析出がなく、低い誘電率や高い金属拡散バリア性が得られるため、電子デバイスなとにおける層間絶縁膜として適する膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

In addition, a second wiring layer 40 and a third wiring layer 42, which are set to the ground potential, are provided, in the same layer as the second bit line pair BS, /BS, opposed with each other via each bit line and interlayer insulation film 32.例文帳に追加

第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳと同層で、第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭの各々のビット線と層間絶縁膜３２を介してそれぞれ対向し、互いにグランド電位に設定される第２，第３の配線層４０，４２を有する。 - 特許庁

These pins 30, 31 are inserted into vias 11, 13 of an opposing sub-assembly 2, and the pins are positioned, and thus, a substrate excellent in interlayer alignment accuracy of the sub-assembly wiring boards 1, 2 can be manufactured.例文帳に追加

これらのピン３０、３１を、対向するサブアセンブリ配線板２のビア１１、１３にそれぞれ挿入して位置決めすることで、サブアセンブリ配線板１及び２の層間位置合わせ精度が優れた基板を製作することができる。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition which shows an excellent long- term shelf stability of the solution, yields a coated film which shows an excellent uniformity and mechanical strength and has a dielectric constant of ≤2.5 and is therefore suitable as a material for interlayer insulating films for semiconductor elements, etc.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、溶液の長期保存安定性、塗膜の均一性や機械的強度に優れ、比誘電率２．５以下の塗膜が得られる膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

To provide a porous polybenzazole-based film useful as a member of a cell and the like which simultaneously exhibits excellent heat resistance, mechanical strengths, resistance to interlayer separation and impregnatability with a functional agent, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、優れた耐熱性、機械的強度、耐層間剥離性および機能性剤の含浸性を兼ね備えた電池部材などに有用な多孔質ポリベンゾアゾール系フィルムおよびその製造法を提供することを目的としている。 - 特許庁

In the solid electrolytic capacitor 1, as an amount of entrance of a conductive paste part 13 into an interlayer of a capacitor element 2 is restricted by a nonconductive bonding agent 21, the ESR variation between the solid electrolytic capacitors 1 can be reduced.例文帳に追加

固体電解コンデンサ１では、コンデンサ素子２の層間への導電性ペースト部１３の入り込み量が非導電性接着剤２１によって規制されるので、固体電解コンデンサ１間でのＥＳＲばらつきを低減できる。 - 特許庁

To prevent loss in an SAC nitride film formed on an upper portion of a gate and improve the hump characteristics of a transistor in a planarizing process of an interlayer dielectric for subsequent formation of a contact plug, even if a surface roughness exists on a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層に表面粗さが存在しても、後続のコンタクトプラグの形成のための層間絶縁膜の平坦化工程の際、ゲートの上部に形成されたSAC窒化膜の損失を防止し、トランジスタのハンプ特性を改善すること。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device which can prevent variations in the thickness of an interlayer insulating film during formation of a multi-layered wiring structure, by a resist etch back process to thereby obtain a semiconductor device having a stable capacity between wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造のレジストエッチバックによる形成プロセスにおいて、層間絶縁膜厚の変動を防ぎ、配線層間容量の安定した半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To keep manufacturing costs of a thin-film solar cell lower than before, and obtain a method of manufacturing the thin-film solar cell that does not cause decrease of the efficiency of photoelectric conversion in a photoelectric conversion layer, which is formed under the interlayer.例文帳に追加

従来に比して薄膜太陽電池の製造コストを抑えるとともに、中間層の下に形成される光電変換層の光電変換効率の低下を引き起こさない薄膜太陽電池の製造方法を得ること。 - 特許庁

The interlayer connector 100 of the transmission line is constituted by lamination of a conductive layer 3B, a dielectric layer 1C, a ground conductor layer 2B, a dielectric layer 1B, a ground conductor layer 2A, a dielectric layer 1A and a conductive layer 3A from the bottom in this order.例文帳に追加

伝送線路層間接続器１００は、導体層３Ｂ、誘電体層１Ｃ、地導体層２Ｂ、誘電体層１Ｂ、地導体層２Ａ、誘電体層１Ａ、導体層３Ａがこの順に下から積層されて構成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with a spacer pole 100 for maintaining the gap of a liquid crystal layer and a recessed part adjusted to the spacer pole 100 and the recessed part is formed by removing a part of an interlayer insulating film 10 and a part of a passivation film 22.例文帳に追加

本発明による液晶表示装置は、液晶層のギャップを保持するスペーサ支柱（100）と、スペーサ支柱（100）の下部が整合する凹部を備え、凹部は、層間絶縁膜（１０）及びパッシベーション膜（２２）の一部を除去して形成される。 - 特許庁

The interlayer conduction portion 23 electrically connects, for example, a conduction portion 21a formed at a first insulation portion 11a and a conduction portion 21b formed at another first insulation portion 11b disposed over the first insulation portion 11a to each other.例文帳に追加

層間導通部２３は、例えば、第一絶縁部１１ａに形成された導電部２１ａと、第一絶縁部１１ａに重ねて配された別な第一絶縁部１１ｂに形成された導電部２１ｂとの間を電気的に接続する。 - 特許庁

For this reason, the width of the trench 13 in which only the p^+-type contact buried layer 14 is disposed can be narrow compared to a trench in which, for example, an interlayer insulating film and gate wiring are disposed, like a conventional semiconductor device.例文帳に追加

これにより、ｐ^+型コンタクト埋込層１４のみしか配置されないトレンチ１３の幅を、従来の半導体装置のように層間絶縁膜やゲート配線などが配置されるトレンチと比較して、狭くすることが可能となる。 - 特許庁

To provide a waterproof moisture-permeable laminate that hardly causes interlayer peeling and simultaneously satisfies high air permeability and moisture permeability in spite of being a waterproof moisture-permeable layer composed of an extra fine fiber and a waterproof moisture-permeable laminate material using the same.例文帳に追加

極細繊維からなる防水透湿層でありながら層間剥離がほとんどなく、高い通気性、透湿性を同時に具備できる防水透湿積層体およびそれを用いた防水透湿積層材を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the electro-optical device which has TFD elements 21, formed on a substrate 7a and an interlayer insulating film 22, equipped with the projecting and recessing pattern on its surface and formed on the TFD elements 21 is provided.例文帳に追加

【解決手段】 基板７ａ上に形成されたＴＦＤ素子２１と、表面に凹凸パターンを備えると共にＴＦＤ素子２１上に形成された層間絶縁膜２２とを有する電気光学装置の製造方法である。 - 特許庁

An interlayer insulating film 33 or an upper layer wiring (conducting film) on the lower layer wiring 16a is not eliminated before the flattened film 37 is formed, so that the flattened film 37 on the lower layer wiring 16a is formed relatively thin.例文帳に追加

また、下層配線１６ａ上の層間絶縁膜３３又は上層配線（導電膜）を平坦化膜３７の形成前には除去しないことで下層配線１６ａ上の平坦化膜３７を相対的に薄く形成する。 - 特許庁

An SiCOH film (interlayer insulating film) 7 is provided on the Cu wiring 4 through an SiCNH film (dispersion preventive insulating film) 5 and an SiCH film (etching stopper film) 6, and Cu dual damascene wiring 15 is formed in the insulating films 5-7.例文帳に追加

Ｃｕ配線４上に、ＳｉＣＮＨ膜（拡散防止用絶縁膜）５、ＳｉＣＨ膜（エッチングストッパ膜）６を介して、ＳｉＣＯＨ膜（層間絶縁膜）７を設け、これらの絶縁膜５〜７内にＣｕデュアルダマシン配線１５を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing an electronic part capable of producing a compact electronic part by thinning stacked layers and further capable of effectively preventing the occurrence of failures such as interlayer detachment between a conductor layer and a dielectric layer.例文帳に追加

積層体層の厚みを薄くして小型の電子部品を製作することができ、しかも導体層や誘電体層に層間剥離等の不具合が生じるのを有効に防止することができる電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: an element isolation groove formed in the mark portion; an element isolation insulating film formed within the element isolation groove; an etching stopper film covering at least a part of an surface of the element isolation insulating film; an interlayer insulating film formed on the whole surface of the substrate; and a contact hole extending from a surface of the interlayer insulating film to a surface of the substrate.例文帳に追加

活性領域を分離するための素子分離領域を含む回路部と、マーク部とを基板に有する半導体装置であって、該マーク部に形成された素子分離溝と、該素子分離溝内に形成された素子分離絶縁膜と、該素子分離絶縁膜の表面の少なくとも一部を覆うエッチングストッパー膜と、該基板の全面に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面から該基板の表面まで達するコンタクトホールと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This organic EL device includes an insulating substrate, a pixel electrode disposed above the insulating substrate, a barrier plate disposed around the pixel electrode, an interlayer insulating film extending from the barrier plate to the peripheral part of the pixel electrode and exposing the center part of the pixel electrode, and organic layer disposed on the interlayer insulating film and the center part of the pixel electrode, and a counter electrode disposed on the organic layer.例文帳に追加

絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された画素電極と、前記画素電極の周囲に配置された隔壁と、前記隔壁から前記画素電極の周縁部に亘って延在するとともに前記画素電極の中央部を露出する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上、及び、前記画素電極の中央部の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。 - 特許庁

To provide a PFA coated polyimide tube having a two-layer structure that a heat shrinkable PFA tube is thermally fusion-bonded on the outer peripheral surface of a thermally curable polyimide tube and is excellent in terms of interlayer adhesion, durability, abrasion resistance, etc., and a manufacturing method of the PFA coated polyimide tube.例文帳に追加

熱硬化型ポリイミドチューブの外周面に、熱収縮性ＰＦＡチューブが熱融着した２層構造を有し、層間密着性、耐久性、耐摩耗性などに優れたＰＦＡ被覆ポリイミドチューブとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce the effect of moisture that penetrates through the damage to an irreducible minimum so as to prevent moisture from penetrating into an interlayer insulating film where a circuit unit is formed even if damage, such as tissue etc, occurs in a pad.例文帳に追加

パッドに亀裂のような損傷が生じた場合でも、その損傷部分から侵入する水分の影響を最小限の範囲にとどめることで、回路部が形成された層間絶縁膜への水分の浸透を阻止することを可能とする。 - 特許庁

The electric discharge is suppressed as a result, so that high voltage is not applied to an external input/output terminal, and melting of not only an IC circuit but also the circuit metal line connected to the IC circuit, and breakage of the interlayer insulation film 18 are prevented.例文帳に追加

結果的に、放電が抑制されることで、高電圧が外部入出力端子に印加されず、ＩＣ回路はもちろんの事、ＩＣ回路につながる回路用金属配線の溶断や層間絶縁膜１８の破壊を防止することが可能となる。 - 特許庁

At least one of the through-hole 40 is so constituted that at least one part of the first wiring layer 20 is eliminated, and the bottom surface is a continuous surface constituted of a surface 30a of the interlayer insulating layer and a surface 20a of the first wiring layer.例文帳に追加

少なくとも１つのスルーホール４０は、少なくとも第１の配線層２０の一部が、除去されて構成され、かつ、その底面は、層間絶縁層の面３０ａと第１の配線層の面２０ａとで構成された連続面である。 - 特許庁

In a specific region of an interlayer insulating film 2 formed on a silicon substrate 1, an insulating film projection part 3 or insulating film recessed part is formed, and the wiring layer 4 is arranged to cover the insulating film projection part 3 or insulating film recessed part.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成した層間絶縁膜２の所定の領域に絶縁膜凸部３あるいは絶縁膜凹部が形成され、上記絶縁膜凸部３あるいは絶縁膜凹部を被覆するようにして配線層４が配設される。 - 特許庁

A side wall protective film 4 which is formed in a plasma etching process for forming a viahole 2a as the electric continuity hole in a silicon based oxide film 2 as the interlayer insulating film of a substrate is reformed so as to be easily dissolved in water in plasma treatment for eliminating a resist mask 3.例文帳に追加

基板の層間絶縁膜であるシリコン系酸化膜２に導通孔であるビアホール２ａを設けるためのプラズマエッチング工程で形成される側壁保護膜４を、レジストマスク３を除去するプラズマ処理において水に溶けやすく改質する。 - 特許庁

A second interlayer insulating film and first wiring, or a second wiring layer and a hard mask are formed on the surface of a silicon substrate 2, the silicon substrate 2 is conveyed to a reaction chamber S, and N_2 gas excited by microwaves is introduced to the reaction chamber S.例文帳に追加

第２層間絶縁膜と第１配線、あるいは、第２配線層とハードマスクをシリコン基板２の表面に形成し、そのシリコン基板２を反応室Ｓに搬送させ、その反応室Ｓに、マイクロ波によって励起されたＮ_２ガスを導入する。 - 特許庁

To provide a compound copper foil and the method of drilling improved in biting of a drill to the copper foil and facilitated in drilling property while suitable for forming a small diameter interlayer connecting hole, by improving the surface of the copper foil upon manufacturing a printed circuit substrate.例文帳に追加

プリント回路基板の製造に際し、銅箔の表面を改善することにより、銅箔のドリルによる食いつきを良くし、穴開け性が容易となり、小径層間接続孔の形成に適した複合銅箔及び穴開け方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing laminated ceramic electronic components, that can prevent the interlayer peeling between an internal electrode and a ceramic layer and the generation of cracks or the like, and can reduce insulation and appearance fail, when forming an external electrode after polishing a sintering body.例文帳に追加

焼結体を研磨した後に外部電極を形成する際、内部電極とセラミック層との層間剥離やクラック等の発生を防止し、絶縁不良や外観不良を低減できる積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

The capacitive film 4 and the protective film 6 are etched using the interlayer insulating film 7 as a mask, so that openings 9, 12 for contact with the lower electrode 3 and the upper electrode 5 are formed, respectively, on the capacitive film 4 and the protective film 6.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜７をマスクとして、容量膜４および保護膜６がエッチングされることにより、容量膜４および保護膜６にそれぞれ下部電極３および上部電極５とのコンタクトのための開口９，１２が形成される。 - 特許庁

At this point, projections 4a and 4b are formed on the gate electrodes 2 which extend vertical in the direction of a channel, whereby a leakage current generated by electric changes accumulated in the recesses or the gaps generated on an interlayer insulating film can be restrained.例文帳に追加

このとき、ゲート電極２上であって、チャネル長方向に対して垂直に突起部４ａ，４ｂを形成して、層間絶縁膜９に生じた窪みあるいは空隙に電荷等が蓄積されることにより発生するリーク電流を抑制する。 - 特許庁

In the multilayer wiring board, at least one wiring circuit attached substrate (30) previously processed of outer shape, is subjected to interlayer-conduction with a conductive layer (12) and stuck on a mother board printed wiring board (10) comprising the conductive layer (12) on one side only.例文帳に追加

多層配線板は、導電層（１２）を片面にのみ備えたマザーボードプリント配線板（１０）に、予め外形加工がなされた少なくとも１枚の配線回路付き基材（３０）を導電層（１２）と層間導通させて貼り合わせたものである。 - 特許庁

To provide a composite film for packaging which is durable to heating sterilization treatment and is easily openable by interlayer releasing and has heat sealing strength as a film for packaging used for such a content as foods and a packaging container using the film.例文帳に追加

食品等の内容物に用いられる包装用フィルムとして層間剥離によって加熱殺菌処理に耐え、容易に開封することができる熱封緘強度を有する包装用複合フィルム並びに該フィルムを用いた包装容器を提供する。 - 特許庁

To provide a curable composition for an interlayer film of laminated glass, which is prevented from whitening, maintains weather-resistant adhesivity for a long period, can reduce breakages of glass, and can prevent scattering of glass at the time of breakage of the glass; and to provide the laminated glass using the same.例文帳に追加

白色化を防止し、また長期にわたり耐候接着性を有し、ガラスの破損を低減し、更に破損時のガラスの飛散を防止することができる合わせガラス中間膜用硬化性組成物およびそれを用いた合わせガラスの提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a printed wiring board which is excellent in each of reliability, durability and product stability without lowering flexibility by remarkably raising adherence performance and adherence strength between an interlayer dielectric and a conductor layer.例文帳に追加

層間絶縁層と導体層との間の密着性能及び接着強度を飛躍的に高め、屈曲性能を低下させることなく、信頼性、耐久性、及び製品安定性のいずれにも優れたプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

(2) The fabric for the swimming wear is a knitted fabric having a three- layer structure of polyester multifilament yarns and arranged in the surface layer, the polyurethane elastic fibers arranged in the interlayer and bulky yarns of polyester fibers containing modified-cross section yarns having grooved streaks and arranged in the back surface layer and described in (1).例文帳に追加

(2) ポリエステルマルチフィラメント糸を表面層に、ポリウレタン弾性繊維を中層に、溝状筋を有する異形断面糸を含むポリエステル繊維の嵩高糸を裏面層に配した三層構造を有する編地である(1) に記載の水着用布帛。 - 特許庁