「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

The capacitor is built or housed in a multilayered printed wiring board, interlayer resin insulating layers, and conductor circuits are successively formed on a board for the formation of the multilayered printed wiring board, and the capacitor, the conductor circuit, and the upper and lower conductor circuit are connected through via holes.例文帳に追加

上記コンデンサを内臓または収納する多層プリント配線板では、基板上に層間樹脂絶縁層と導体回路とが順次形成され、前記コンデンサと導体回路および上下の導体回路がバイアホールを介して接続されている。 - 特許庁

To provide a polishing composition for a semiconductor substrate and a method for polishing the semiconductor substrate, with and by which the semiconductor substrate having an insulating film layer wherein recess and projection patterns are different in size can be planarized at high level in an interlayer insulating film and element separating process for a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの層間絶縁膜や素子分離工程における、凹凸パターンのサイズが異なる絶縁膜層を持つ半導体基板を高度に平坦化できる半導体基板研磨組成物、半導体基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative radiation-sensitive composition suitable for forming a cured pattern that constitutes an interlayer insulating film low in dielectric constant, and to provide a method for forming a cured pattern using the composition, and a cured pattern obtained by the method for forming a cured pattern.例文帳に追加

比誘電率の低い層間絶縁膜を構成する硬化パターンの形成に好適なネガ型感放射線性組成物、それを用いた硬化パターン形成方法及びこの硬化パターン形成方法により得られた硬化パターンを提供する。 - 特許庁

The reliability of the multiple printed circuit board is improved, so that delaminations between an inter layer resin insulation layer 50 and a core substrate 30, and the interlayer resin insulation layer 50 and the IC chip near the corner are prevented, also the cracking in the inter layer insulation layer 50 is prevented.例文帳に追加

このため、角部の近傍で、コア基板３０と層間樹脂絶縁層５０、ＩＣチップと層間樹脂絶縁層５０との剥離、及び、層間樹脂絶縁層５０でのクラックの発生を防ぎ、多層プリント配線板の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display of a highly reliable FFS mode capable of preventing a crack from being generated between an interlayer insulating film while securing a numerical aperture of a pixel, capable of enhancing thereby a transmittance, and capable of preventing display from getting defective.例文帳に追加

画素の開口率を確保しつつも層間絶縁膜にクラックが発生することを防止でき、これにより透過率の向上が図られ、かつ表示不良が防止された信頼性の高いＦＦＳモードの液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In this process, an acidic compound 19 is diffused from the protective film 16A adding to acid produced by an acid producing agent in the resist film 17, and this makes the resist film in the hole 14a acidic even though the basic compound 18 is diffused from the interlayer insulating film 14.例文帳に追加

このとき、レジスト膜１７中の酸発生剤から発生する酸に加えて、保護膜１６Ａから酸性化合物１９が拡散し、層間絶縁膜１４から塩基性化合物１８が拡散しても孔部１４ａのレジスト膜は酸性となる。 - 特許庁

After a field oxide film is formed on a semiconductor substrate and an active region of the substrate is set, a tunnel oxide film, a first conductive layer, an interlayer dielectric field, a second conductive layer, and a first insulating film are sequentially formed on the substrate.例文帳に追加

半導体基板の上部にフィールド酸化膜を形成して前記基板にアクティブ領域を設定した後、基板の上部にトンネル酸化膜、第１導電層、層間誘電膜、第２導電層、および第１絶縁膜を順次に形成する。 - 特許庁

The raw-material coal composition includes the volatile matter of 6.0 to 15 mass% and shows an average interlayer distance d_002 of the plumbago crystal obtained through the X-ray diffraction is 0.3445 nm or less.例文帳に追加

揮発分が６．０〜１５質量％であり、かつＸ線回折によって求められる黒鉛結晶の平均層間距離ｄ_００２が０．３４４５ｎｍ以下であることを特徴とする、電気二重層キャパシタの電極用炭素材の原料炭組成物。 - 特許庁

Next, after forming an interlayer insulating film 32, the signal lines 18 are formed and a colored layer 26 is formed thereon, then, the colored layer 26 in the hole forming areas is formed with a base 27 relatively lower than wall parts 34 in the peripheral parts.例文帳に追加

つぎに、層間絶縁膜３２を形成した後、信号線１８を形成し、その上に着色層２６を形成すると、穴形成領域の着色層２６は周辺部分の壁部３４よりも相対的に低くなった下地２７が形成される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a layered ceramic electronic component wherein the position precision of internal electrodes is improved effectively and a fault, such as interlayer delamination, is hardly caused even in a case that thickness of a ceramic green sheet becomes small and the number of layers increases.例文帳に追加

セラミックグリーンシートの厚みが薄くなり、積層数が増大した場合であっても、内部電極の位置精度が効果的に高められ、かつ層間剥離等の不具合が生じ難い積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the DRAM and logic circuit forming region of a semiconductor device on which a DRAM and logic circuit are mixedly mounted, contact holes 8 for diffusion layers 6 and metallic wiring M1 are formed at prescribed positions by depositing interlayer insulating films 7 on the diffusion layers 6.例文帳に追加

ＤＲＡＭとロジック回路とが混載される半導体装置にあって、ＤＲＡＭ及びロジック回路の形成領域において、拡散層６上に層間絶縁膜７を堆積し、所定位置に拡散層６とメタル配線Ｍ１とのコンタクトホール８を形成する。 - 特許庁

After a MOS type transistor having a gate insulating film 14, a gate electrode layer 16, a source region 24, and a drain region 26 is formed on one main surface of a silicon substrate 10, an interlayer insulating film 28 is formed to cover the transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０の一方の主面には、ゲート絶縁膜１４、ゲート電極層１６、ソース領域２４及びドレイン領域２６を有するＭＯＳ型トランジスタを形成した後、このトランジスタを覆って層間絶縁膜２８を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can not be affected by the sizes and layouts of its wirings and whereby the step of the surface of its semiconductor substrate can be eliminated and the thicknesses of its interlayer films present on its wirings can be made constant with good reproducibility.例文帳に追加

配線のサイズやレイアウトに影響されず、半導体基盤の表面を段差なく、かつ、配線上の層間膜厚を再現性よく一定にすることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the reinforcing tape 1 for the slide fastener which is made up by laminating an adhesive layer 3 on the back face of the transparent elastomer film 2, an interlayer 4 (an anchor coat layer) which is thinner than thickness of each layer is intervened between the elastomer film and the adhesive layer.例文帳に追加

透明なエラストマーフィルム２の裏面に接着層３を積層してなるスライドファスナーの補強テープ１において、上記エラストマーフィルムと接着層との間にこれら各層の厚さよりも薄い中間層４（アンカーコート層）を介在させる。 - 特許庁

The refractory for the interlayer of the nozzle for continuous casting contains ≥10 volume% and ≤75 volume% of a hollow refractory aggregate which satisfies the relation of R/t≥10, wherein R is an average radius of a particle and t is an average wall thickness.例文帳に追加

本発明の連続鋳造用ノズルの中間層用の耐火物は、粒の平均半径Ｒと前記粒の平均の壁の厚みｔの比がＲ／ｔ≧１０を満たす中空耐火骨材を１０体積％以上７５体積％以下含むものである。 - 特許庁

A first SiN film is formed at a low temperature as a diffusion prevention film such that it covers the surface of Cu wiring pattern embedded in an interlayer insulation film, and then a second SiN film is formed thereon at a higher temperature as an etching stopper film.例文帳に追加

層間絶縁膜中に埋設されたＣｕ配線パターン表面を覆うように低温において第１のＳｉＮ膜を拡散防止膜として形成し、その上により高温で第２のＳｉＮ膜をエッチングストッパ膜として形成する。 - 特許庁

Thereby, in the optical disk device, a tracking error signal in which influence of stray light patterns W5, W50 formed respectively by interlayer stray beam from a plurality of recording layers is excluded can be generated, then, tracking control can be accurately performed.例文帳に追加

これにより光ディスク装置は、複数の記録層からの層間迷光ビームによりそれぞれ形成される迷光パターンＷ５、Ｗ５０の影響を排除したトラッキングエラー信号を生成でき、精度良くトラッキング制御を行うことができる。 - 特許庁

Until the first-layer wiring metal film 3 is exposed, the surface protective film 7 and the second interlayer oxide film 5 are selectively etched into a tapered shape 10, removed, and then a barrier metal 8 is formed at this point, on which a projection electrode 9 is formed.例文帳に追加

第１層目の配線用金属膜３が露出するまで、表面保護膜７と第２層間酸化膜５を選択的にテーパー状１０にエッチングして、除去し、この箇所にバリアメタル８を形成し、バリアメタル８上に突起電極９を形成する。 - 特許庁

To maintain operating characteristic of a peripheral circuit by a method wherein distance between an intralayer micro lens and a light receiving part formed in a semiconductor substrate is reflected on value on design in which condensing efficiency is considered, and the interlayer dielectric of the peripheral circuit is kept thick.例文帳に追加

層内マイクロレンズと半導体基板に形成された受光部との間の距離を、集光効率を考慮した設計上の値に作り込むとともに周辺回路部の層間絶縁膜を厚く保ち、周辺回路部の動作特性を維持する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an interlayer insulating film as materially one film using same insulating material in locations where arrangement densities of interconnection differ each other and causing parasitic capacitances each corresponding to the arrangement density of the interconnection in the each location, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

１の層間絶縁膜について、配線の配置密度が異なる場所に同じ絶縁材料を使用し、且つ、配線の配置密度に対応した寄生容量を有する半導体装置或いは半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the flow rates of the gases, the temperature of the substrate, the pressure in the chamber and the electric power to be applied on the plasma formation are controlled so that the Ti film is deposited on the interlayer insulation film or insulation film at a high selection ratio.例文帳に追加

この際に、ホール部位に、層間絶縁膜または絶縁膜に対して高選択比でＴｉ膜が成膜されるように、前記ガスの流量、基板温度、チャンバー内圧力およびプラズマを形成する際の投入電力を調整する。 - 特許庁

Since etching of the interlayer insulating film in the lateral direction is prevented in a boundary between a DRAM memory and a logic unit, it is no longer necessary to provide a margin which takes into consideration this etching, and the area of the DRAM memory can be reduced.例文帳に追加

エッチストッパ部材により、ＤＲＡＭメモリ部とロジック部との境界における層間絶縁膜の横方向のエッチングが阻止されるので、このエッチングを考慮したマージンを設ける必要がなくなり、ＤＲＡＭメモリ部の面積の縮小が可能になる。 - 特許庁

On an interlayer insulating film 5, a signal line 7 (SL) that comes into contact with a contact plug 6 in contact with a source 4s via a titanium (Ti) film 8, and a lower electrode 9 that comes into contact with the contact plug 6 in contact with a drain 4d via the titanium film 8 are formed.例文帳に追加

層間絶縁膜５上に、ソース４ｓに接するコンタクトプラグ６にチタン（Ｔｉ）膜８を介して接する信号線７（ＳＬ）、及びドレイン４ｄに接するコンタクトプラグ６にチタン膜８を介して接する下部電極９が形成されている。 - 特許庁

To obtain a resin composition which, in the form of a cured product, is excellent in flexibility, soldering-heat resistance, thermal deterioration resistance electroless gold plating resistance, and flame-retardancy and is capable of being developed in an organic solvent or an alkali solution, and is suited for solder resists and interlayer insulation layers.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、難燃性であり、有機溶剤又はアルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain an additive for two layer board, having a low viscosity, ready handleability, excellent storage stability, dilutable in an arbitrary ratio, capable of providing a two layer board having improved interlayer strength and/or paper quality by spraying the hygroscopic paper layer of the two layer board.例文帳に追加

粘度が低く取扱い易く、貯蔵安定性に優れ、任意の割合に希釈でき、抄き合わせ紙の湿潤紙層にスプレーして、層間強度及び／または紙質が向上した抄き合わせ紙を提供でき抄き合わせ紙用添加剤を提供する。 - 特許庁

This dew condensation-preventing device for a greenhouse 12 at least whose ceiling portion 17 has a double layered structure comprising transparent films or transparent plates has a dry air-charging means 22 for charging dry air into an interlayer space 20 between the two layers.例文帳に追加

少なくとも天面部１７を透明フィルムまたは透明板で２層構造としたグリーンハウス１２において、前記２層間の層間空間２０に乾燥空気を供給する乾燥空気供給手段２２とを有するグリーンハウス用結露防止装置。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition developable with an aqueous alkali solution, giving a cured product excellent in heat resistance, etc., and useful as one for a solder resist used for a printed wiring board or for an interlayer insulating layer, and to provide a cured product of the photosensitive resin composition.例文帳に追加

耐熱性等に優れた硬化物を与え、プリント配線板に使用されるソルダーレジスト用あるいは層間絶縁層用として有用なアルカリ水溶液で現像可能な感光性樹脂組成物及びその硬化物を提供する。 - 特許庁

The insulating barrier 7 is provided with a circuit breaker attaching part 5, and the interlayer wall 3 is provided with an insulating barrier attaching part 4 for locking the circuit breaker attaching part 5, and clamping parts 8a, 8b for clamping the circuit breaker attaching part 5.例文帳に追加

絶縁障壁７には回路遮断器取り付け部５が設けられ、相間壁３には回路遮断器取り付け部５を係止する絶縁障壁取り付け部４と回路遮断器取り付け部５を挟持する挟持部８ａ、８ｂとが設けられた。 - 特許庁

To provide a functionally gradient material which prevents the generation of cracks, interlayer separation or collapse in shape by an inexpensive and simple way, by applying a freeze-drying method even in the case of a deposit having a small filling rate, a method and a device for manufacturing the same.例文帳に追加

充填率が小さい沈積物でも凍結乾燥法を適用することにより、安価で且つ簡単な方法でひびや層間剥離或いは型崩れを生じることのない傾斜機能材料、並びにその製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This allows focus control to be stably performed with respect to the second recording layer in which focusing is newly performed in a state that the spherical aberration has already been carried out, thereby, preventing the focus control from failing due to an unsuccessful interlayer jump.例文帳に追加

これにより、新に焦点を合わせる第２の記録層に対して球面収差補正が行われた状態で安定した焦点制御を行うことができ、層間ジャンプの失敗によって焦点制御がはずれることを防止できる。 - 特許庁

To provide a film-forming composition and an insulation film-forming material capable of forming a silicious film having small specific dielectric constant, excellent crack resistance, mechanical strength and adhering ability for use as an interlayer insulation material in a semiconductor element or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率が小さく、クラック耐性や機械的強度や密着性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料を得る。 - 特許庁

A capacitor groove 10 is provided inside an interlayer dielectric 9 formed on a semiconductor substrate 1; and a capacitance element is composed of an lower electrode 12, a capacitance insulating film 13, and an upper electrode 15, which are formed on the bottom and side of the groove 10, respectively.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された層間絶縁膜９内にキャパシタ溝１０が設けられ、その底面及び側面上に形成された下部電極１２、容量絶縁膜１３、上部電極１５で容量素子を構成する。 - 特許庁

A polysilicon layer 6 connected to a gate electrode is formed on a silicon substrate 7, an interlayer insulating film 5 is formed thereupon, and further the bonding pad where a metal layer 2, 3, 4, having a three-layer structure, is contacted directly and laminated, is formed thereupon.例文帳に追加

シリコン基板７上にゲート電極につながる多結晶シリコン層６が形成され、その上に層間絶縁膜５が形成され、さらにその上に３層構造のメタル層２，３，４が直接接触して積層されたボンディングパッドが形成されている。 - 特許庁

An intermediate layer 3 is formed on a silicon substrate 1, and an interlayer dielectric 4 formed thereon is etched vertically, with respect to the silicon substrate 1 by an anisotropic etching to form an opening 11, and then a ferrodielectric material 5 is formed in the opening 11.例文帳に追加

シリコン基板１上に中間層３を成膜し、ぞの上の層間絶縁膜４を異方性エッチングで、シリコン基板１に対して垂直に加工し、開口部１１を形成し（ｄ）、強誘電体５をその開口部１１に形成する（ｅ）。 - 特許庁

To provide film-reinforced glass without a fear of environmental pollution, excellent in adhesiveness and in durability and with high transparency, and to provide an interlayer for laminated glass that is useful as a transparent adhesive layer for laminated glass or the like, and laminated glass.例文帳に追加

環境汚染の恐れがなく、接着性及び耐久性に優れ且つ高い透明性を有するフィルム強化ガラス及び合わせガラス等の透明接着剤層として有用な合わせガラス用中間膜；及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To offer a copper-plated laminated board which facilitates piercing with a laser beam to make a hole very easy and is suitable for forming an interlayer junction hole of a small diameter, by improving the surface of a copper foil which is to be the incident plane of a laser beam at the manufacture of a printed circuit board.例文帳に追加

プリント回路基板の製造に際し、レーザー光入射面となる銅箔の表面を改善することにより、レーザーによる穴開けが極めて容易となり、小径層間接続孔の形成に適した銅張り積層板を提供する。 - 特許庁

A high-resistance layer 5 is provided at the connection between the side face of the lower wiring 2 and the via plug 4 in case the via plug 4 extending from the upper surface of the interlayer insulating film 3 to the lower wire 2 fails to be formed correctly landing on the lower wiring 2.例文帳に追加

層間絶縁膜３の上面から下層配線２に至るビアプラグ４が、下層配線２に対して踏み外して形成され場合において、下層配線２の側面部とビアプラグ４とが接続している部分に高抵抗層５を備える。 - 特許庁

To provide a material for forming an interlayer insulation film for a semiconductor device or the like which has a low dielectric property and enables the formation of a coating film by short-time baking if being used on a base material (or substrate), with the coating film having superior heat resistance, crack resistance, and CMP resistance.例文帳に追加

基材（又は基板）上に適用すると短時間焼成で塗膜が形成され、この塗膜は耐熱性、クラック耐性、ＣＭＰ耐性に優れ、低誘電性であり半導体素子などにおける層間絶縁膜形成用材料を得る。 - 特許庁

Following to the formation of an interlayer dielectric 15 and a via contact 16, a part of a wiring pattern related to each circuit is formed of a first layer metal wiring layer 17 and a contact path 171 to a substrate contact area 14 is also formed simultaneously.例文帳に追加

層間絶縁膜１５、ビア接続部１６の形成後、第１層目の金属配線層１７で各回路に関係する配線パターンの一部を形成すると共に、基板コンタクト領域１４への接続経路１７１も同時に形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 15 includes a first part 15b joined to the lower end of the angled portion 14a at the upper surface, and a second part 15a provided between the side surface yoke layer 14 and the side surface of the free ferromagnetic layer 9.例文帳に追加

前記層間絶縁層１５は、上面において前記角部１４ａの下端に接合する第１部分１５ｂと、前記側面ヨーク層１４と前記自由強磁性層９の前記側面との間に介設された第２部分１５ａとを含む。 - 特許庁

The electrode pad PAD is essentially an aluminum layer 11 connected to an inside conductive region, is formed on an interlayer insulation film 10 such as an SiO_2 film, and is so structured as to be exposed in an opening of a passivation film 12 formed in the most upper layer.例文帳に追加

電極パッドＰＡＤは、内部の導電領域と接続される実質的なアルミニウム層１１で、ＳｉＯ_2膜などの層間絶縁膜１０上に形成され、最上層のパッシベーション膜１２の開口部に露出するように構成されている。 - 特許庁

A contact hole CH is formed in an interlayer dielectric IL of a silicon substrate 1 where an n-type MIS transistor Qn is formed (steps s03 to s07), and the electrode conductor film E1 is formed filling the contact hole (steps s11 to s14).例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタＱｎを形成したシリコン基板１の層間絶縁膜ＩＬにコンタクトホールＣＨを形成し（工程ｓ０３〜工程ｓ０７）、それを埋め込むようにして電極導体膜Ｅ１を形成する（工程ｓ１１〜工程ｓ１４）。 - 特許庁

Since an interlayer film 3 is formed in such a way that it covers the proximity of a scribe line 10, the surface of a silicon wafer 2 is not damaged by anisotropic etching for forming aluminum wiring 4 and passivation films 5a and 5b during manufacturing operations.例文帳に追加

層間膜３はスクライブライン１０近傍を覆って形成されているため、製造工程において、アルミ配線４やパッシベーション膜５ａ、５ｂを形成するための異方性エッチングによってシリコンウエハー２表面がダメージを受けることがない。 - 特許庁

To obtain a film-forming composition capable of forming a silicone-based film having an appropriate uniform thickness and suitable for use as an interlayer insulation film in a semiconductor, or the like, and excellent in heat resistance, permittivity characteristics and CMP (chemical mechanical polishing) resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一の厚さを有するシリコーン系膜が形成可能で、耐熱性、誘電率特性、ＣＭＰ耐性に優れた膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition for film formation that is capable of forming a silicone film having an appropriate uniform thickness suitable for use as an interlayer insulating film in a semiconductor device or the like and is capable of affording an insulating film excellent in dielectric properties and film strength.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有するシリコーン系膜が形成可能であり、しかも誘電率特性、膜強度に優れた絶縁膜を提供できる膜形成用組成物。 - 特許庁