「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

A structure on which the MOS capacitor 4 and the transistor 3 are formed has an interlayer insulating membrane 120, and a contact electrode 126 connects the source/drain 118 of the cell transistor 3 or the storage node electrode 114 of the MOS capacitor 4.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシター４及びセルトランジスター３が形成された構造物には層間絶縁膜１２０を有し、コンタクト電極１２６は、セルトランジスター３のソース／ドレーン１１８またはＭＯＳキャパシター４のストレージノード電極１１４を連結する。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device includes an MIM structure capacitor connected between power supply potential electrode wiring and ground potential electrode wiring via at least one layer of interlayer connecting wiring.例文帳に追加

本発明の実施の一形態に係る半導体集積回路装置は、電源電位電極配線と接地電位電極配線との間に、それぞれ少なくとも一層の層間接続配線を介して接続されたＭＩＭ構造キャパシタを備えているものである。 - 特許庁

After a plurality of charge storage electrodes 11 spaced apart from each other is formed on an interlayer insulating film 3 formed on a silicon substrate 1, silicon nitride spacers 10 which respectively encircle the electrodes 11 are formed separately from each other.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された層間絶縁膜３上に、互いに離れて複数の電荷蓄積電極１１を形成し、電荷蓄積電極１１の各々の周囲を取り囲む複数の窒化シリコン・スペーサ１０を互いに離して形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method, after a wiring groove 3 is formed in an interlayer insulation film 2 on a semiconductor substrate 1, a Cu layer 5 and a Cu alloy layer 7 are laminated by a sputtering method via a barrier metal layer 4, thereby burying into a Cu groove by a plating film forming methods.例文帳に追加

半導体基板上の層間絶縁膜に配線用の溝を形成した後、バリアメタル層を介してスパッタ法によりＣｕ層と、次いでＣｕ合金層を積層して、めっき成膜法によってＣｕの溝への埋め込みを行う。 - 特許庁

To provide a construction structure for a platelike building member in which a stress applied on a platelike building member is small even if an interlayer displacement arises in a skeleton and only a broken platelike building member can be exchanged even when the platelike building member is broken.例文帳に追加

躯体に層間変位が生じても板状建材に加えられる応力が小さいと共に、１枚の板状建材が破損した場合でもその板状建材だけを交換することができる板状建材の施工構造を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive polymer composition good in photosensitivity and flattening property of wiring level difference and a method for manufacturing electronic parts capable of forming a good interlayer insulating film or a surface protective layer capable of well flattening the level difference of the circuit.例文帳に追加

良好な感光性を有し、かつ、配線段差の平坦化性が良好な感光性重合体組成物、配線段差の平坦化性が良好な層間絶縁膜又は表面保護膜を形成できる電子部品の製造法を提供する。 - 特許庁

The roving prepreg is composed of a reinforcing fibrous material and a matrix resin, ensuring at least 50% interlayer adhesion area ratio and exhibiting at most 10 N peeling strength when it is molded at 80°C under pressure of 0.02 MPa.例文帳に追加

強化繊維材とマトリックス樹脂とからなるロービングプリプレグであって、成形温度８０℃、成形圧力０．０２ＭＰａで成形したときの層間接着面積率が５０％以上であり、かつ剥離強力が１０Ｎ以下であるロービングプリプレグ。 - 特許庁

After forming a lower electrode and an interlayer dielectric (first insulating film) , a capacitive opening region (first opening) is formed and a second insulating film is deposited to form a sidewall on the sidewall of the first opening by overall etching.例文帳に追加

半導体基板上に下部電極および層間絶縁膜（第１の絶縁膜）を形成した後、容量開口領域（第１の開口部）を形成し、第２の絶縁膜を堆積して全面エッチングにより、第１の開口部の側壁にサイドウォールを形成する。 - 特許庁

A connection confirming bump 13 rises from the surface of an interlayer insulation film 23 facing the through hole 27, and projects from the surface protective film 25 at a projection quantity smaller than the projection quantity of the functional bump 12, piercing the through hole 27.例文帳に追加

また、接続確認用バンプ１３は、貫通孔２７に臨む層間絶縁膜２３の表面から隆起し、貫通孔２７を貫通して、表面保護膜２５上に機能バンプ１２の突出量よりも小さな突出量で突出している。 - 特許庁

To solve the problem that the heat-insulating laminated glass, in which electroconductive ultra-fine particles having heat-ray-shielding property are dispersed in a laminated interlayer film, has small reflectance in a near infrared region of ≤1,000 nm and the heat-insulating performance of the glass is insufficient.例文帳に追加

合わせ中間膜中に熱線遮蔽性を有する導電性超微粒子を分散させてなる断熱合わせガラスは、１０００ｎｍ以下の近赤外領域の反射率が小さく、断熱性能が十分なものとは言い難い。 - 特許庁

Then, a titanium nitride film 6 is formed on the entire inner wall of the connection hole 4 and on the interlayer insulation film 3, and the titanium nitride film 6 is formed at the bottom of the connection hole 4 and the lamination film of the titanium film 5/titanium nitride film 6 is formed at a side wall part.例文帳に追加

次に、接続孔４の内壁一面及び層間絶縁膜３上に窒化チタン膜６を成膜し、接続孔４の底部には窒化チタン膜６、側壁部にはチタン膜５／窒化チタン膜６の積層膜が形成されている状態にする。 - 特許庁

To provide a method of polishing a metal laminated film, which polishes the film without thinning of an interlayer insulation film, after the surface of the metal laminated film is relieved of irregularities by filling the recessed parts of the metal laminated film with resin.例文帳に追加

金属積層膜の凹部を樹脂で充填し表面の凹凸を軽減してから研磨することにより、層間絶縁膜を削りすぎること（シニング）なく研磨前に凹凸を解消した金属積層膜を研磨する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for transferring lead frames capable of deciding as to whether or not a transfer head mistakes a pickup when the lead frames laminated with interlayer paper held in a magazine are picked up by the transfer head and transferred to a carrying path.例文帳に追加

マガジン内に層間紙を挟んで積層されたリードフレームを転送ヘッドでピックアップして搬送路へ転送する際に、転送ヘッドがピックアップミスをしていないかどうかを判断できるリードフレームの転送装置および転送方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a protection film or an interlayer insulating film for a display element or a touch panel, which has excellent transparency, surface hardness, scratch resistance, heat crack resistance, crack resistance and adhesiveness to an ITO transparent conductive film, and further has sufficient sensitivity.例文帳に追加

透明性、表面硬度、耐擦傷性、耐熱クラック性、耐クラック性及びＩＴＯ透明導電膜に対する密着性に優れ、さらに十分な感度をも有する表示素子用又はタッチパネル用の保護膜又は層間絶縁膜の提供。 - 特許庁

To provide a protective article based on ePTFE which is effective for wide possible exposure venues and has higher durability and/or more resists interlayer peeling from other layers which are often desirably laminated.例文帳に追加

広範囲の可能な暴露現場(venue)に対して有効であるばかりでなく、より耐久性が高く及び／又は積層するのが望ましいことがある他の膜からの層間剥離に対してより耐性でもあるｅＰＴＦＥに基づく保護物品を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminated electronic component hard to cause pressure strain during temporary pressing and hard to cause a defect such as interlayer separation on a laminated ceramic chip due to an impact by a cutting blade even when the number of laminations of a ceramic laminated blocks is large.例文帳に追加

セラミック積層ブロックの積層枚数が多くなっても、仮プレス時に圧力歪が生じにくく、カット刃による衝撃によって積層セラミックチップに層間剥れなどの不具合が生じにくい積層型電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide polishing liquid for CMP and a polishing method using the polishing liquid that can increase a polishing speed for a low-k film as an interlayer insulating film layer with keeping an excellent polishing speed for barrier metal of a barrier layer and silicon dioxide of a cap layer.例文帳に追加

バリア層のバリア金属とキャップ層の二酸化珪素に対する良好な研磨速度を維持しつつ、層間絶縁膜層であるｌｏｗ−ｋ膜に対する高い研磨速度を達成できるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

A wiring layer 14 having a reflection prevention film 14c such as TiN or the like is formed on an insulating film 12 covering one main surface of a semiconductor substrate 10, and then the wiring layer 14 is covered and an interlayer insulating film including insulating films 16a to 16c are formed.例文帳に追加

半導体基板１０の一主面を覆う絶縁膜１２の上にＴｉＮ等の反射防止膜１４ｃを有する配線層１４を形成した後、配線層１４を覆って絶縁膜１６ａ〜１６ｃを含む層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer printed wiring board which disperses with the process to remove an insulation film by preventing the formation of the insulation film at the bottom portion of a hole when the hole having the bottom portion is bored for interlayer conducting with the laser to the insulation resin layer.例文帳に追加

多層プリント配線板の製造において、絶縁樹脂層にレーザで層間導通部用の非貫通穴をあけるとき、非貫通穴底部に絶縁膜の形成を防止し、この絶縁膜を除去する処理が不要な方法を提供する。 - 特許庁

Then, after a first opening 50 for a lower electrode contact is formed in the ferroelectric thin film 46, a first recovery anneal is performed at a first structure 100 having the semiconductor substrate, the first interlayer insulating film, and the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

次に、強誘電体薄膜４６に下部電極コンタクト用の第１開口部５０を形成した後、半導体基板と、第１層間絶縁膜と、強誘電体キャパシタとを備える第１構造体１００に対して、第１の回復アニールを行う。 - 特許庁

At this time, since the conductive adhesive 6 is injected into the hole sagging 2a by press pressing, the electrical connection between the metal reinforcing plate 7 and the ground circuit 2 is attained by interlayer conduction with the conductive adhesive 6, and there is also no residual air.例文帳に追加

このとき、プレス押圧によって導電性接着剤６が穴ダレ２ａに注入されるので、導電性接着剤６とによる層間導通によって金属補強板７とグラウンド回路２との電気的接続がとれると共に、エアの残留もない。 - 特許庁

The laminated polyolefinic foamed film comprises a foamed layer (A), an interlayer (B), and a sealing layer (C).例文帳に追加

発泡層（Ａ）、中間層（Ｂ）及びシール層（Ｃ）の３層構成からなる積層ポリオレフィン系発泡フイルムであり、中間層（Ｂ）が実質的に発泡しておらず、以下の（１）〜（３）の物性を有するプロピレン系重合体を主成分とすることを特徴とするヒートシール性発泡フイルム。 - 特許庁

To provide a capacity cell where a capacitive element with a wiring layer for holding an interlayer insulating film with a small leakage current as an electrode layer can be arranged according to the shape of an unused region, and to provide a semiconductor device and an arrangement method of the capacitive element.例文帳に追加

リーク電流の少ない層間絶縁膜を挟む配線層を電極層とする容量素子を、未使用領域の形状に応じて配置することが可能な容量セル、半導体装置、および容量素子の配置方法を提供すること。 - 特許庁

This forming method is characterized by inclusion of a process in which chemical mechanical polishing is performed on a polycrystalline silicon layer and an interlayer dielectric layer until a hard mask nitride film is exposed by means of a chemical mechanical polishing slurry for oxide films with a pH of 2 to 7 including an oxidizer.例文帳に追加

酸化剤を含むｐＨ２〜７の酸性の酸化膜用ＣＭＰスラリーを利用し、ハードマスク窒化膜が露出するまで多結晶シリコン層及び層間絶縁膜層に対するＣＭＰ工程を行う段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a laminate sheet containing a polyarylate resin and a polyphenylene sulfide resin as main components, excellent in dimensional stability, flame retardancy, interlayer adhesiveness, heat resistance and surface smoothness, while keeping an electric insulation property, and reduced in anisotropy of a mechanical property.例文帳に追加

ポリアリレート樹脂およびポリフェニレンサルファイド樹脂を主成分とし、電気絶縁性を維持しつつ、寸法安定性、難燃性、層間接着性、耐熱性および表面平滑性に優れ、機械特性の異方性が少ない積層板を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an instrument for measuring a heat quantity of a metal foil, in order to efficiently form an interlayer connection hole (through hole) for a printed circuit board of excellent quality.例文帳に追加

プリント回路基板の層間接続孔（スルーホール）を効率良く形成するために金属箔の熱量を測定し、レーザーによる穴開けが容易となり、品質に優れ安定した小径層間接続孔が形成できる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To obtain an electromagnetic induction heating device in which separately from temperature detection of a heated material, temperature detection of the electromagnetic induction coil is carried out by a simple constitution, and faults occurring by localized heating accompanying the interlayer short-circuit in the electromagnetic induction coil is prevented beforehand.例文帳に追加

被加熱物の温度検知とは別に、簡易な構成で電磁誘導コイルの温度検知を行い、電磁誘導コイル内での層間短絡に伴う局部加熱により発生する不具合を未然に防止できる電磁誘導加熱装置得る。 - 特許庁

In the FUSI contact 41, a contact opening CH1, passing through inside the interlayer insulating film 4, is filled with a FUSI contact layer 411 which is completely turned into silicide, and the contact 41 has the same height as the FUSI gate electrode 32.例文帳に追加

ＦＵＳＩコンタクト部４１は、層間絶縁膜４を貫通するコンタクト開口部ＣＨ１内に、完全にシリサイド化されたＦＵＳＩコンタクト層４１１を充填して構成されており、ＦＵＳＩゲート電極３２と同じ高さを有している。 - 特許庁

An exit (40) of the nozzle chamber (35) exits from the suction chamber (42), and includes a plurality of nozzles (48) so that the high-pressure fluid flow stream exits from the nozzle chamber (35) by a plurality of flow streams having a plurality of surface sections against an interlayer drag between the streams.例文帳に追加

ノズルチャンバ（３５）の出口（４０）は、吸込チャンバ（４２）に出ていき、高圧流体流ストリームが、流れの間の層間抗力に対して複数の表面区域を有する複数流れストリームでノズルチャンバ（３５）から出るように複数のノズル（４８）を含む。 - 特許庁

To prevent interfacial delamination between an etching stopper layer and an SiOF film which are used when a wiring trench for buried wiring is formed, in a semiconductor integrated circuit device where the buried wiring is formed in an interlayer dielectric containing the SiOF film by a damascene process.例文帳に追加

ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。 - 特許庁

The printed substrate 10 has circuit patterns 11, an interlayer insulating layer 12 positioned between the circuit patterns 11, a through-hole 13 passed through the printed substrate 10, and a metal ring 15 passed through the printed substrate 10 to surround the through-hole 13.例文帳に追加

プリント基板１０は，回路パターン１１と，回路パターン１１の層間に位置する層間絶縁層１２と，プリント基板１０を貫通するスルーホール１３と，プリント基板１０を貫通するとともにスルーホール１３を取り囲む金属リング１５とを有している。 - 特許庁

The layered double hydroxide comprises: a fundamental layer of a metal double hydroxide expressed by formula (I): Mg_1-xAl_x(OH)_2 (wherein, x denotes 0.2 to 0.33); and an accumulation in which magnesium lactate and interlayer water are intercalated into the middle of the fundamental layer.例文帳に追加

式（Ｉ）： Ｍｇ_１−ｘＡｌ_ｘ（ＯＨ）_２ （Ｉ）（式中、ｘは０．２ないし０．３３である。）の金属複水酸化物の基本層と、乳酸マグネシウムおよび層間水が該基本層の中間にインタカレートされている累積物よりなる層状複水酸化物。 - 特許庁

To obtain a composition for forming a film which is curable at ≤450°C, provides a film having proper uniform thickness, dielectric constant characteristics, water absorption characteristics and a small void size, useful as interlayer dielectrics in a semiconductor element.例文帳に追加

４５０℃以下での硬化可能であり、得られる膜が適当な均一な厚さを有し、誘電率特性、吸水性特性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

A lower electrode is formed over the entire region including the region for forming a capacitor and is patterned, and a second interlayer insulating film 6 is formed and a second insulating film 6 for a region to be formed as a ferroelectric film 7 is removed.例文帳に追加

キャパシタ形成予定領域を含む全面に下部電極５を堆積し、ＣＭＰ法を用いて下部電極５をパターニングし、第２の層間絶縁膜６を形成して強誘電体膜７の形成予定領域の第２絶縁膜６を除去する。 - 特許庁

In this semiconductor device, a pad section serving as an electrode for an external connection comprises: a first pad metal layer 61 formed in a top layer; a second pad metal layer 62 formed under the first pad metal layer 61 at both sides of an interlayer insulating film 71; and vias 63 which penetrate the interlayer insulating film 71 and electrically connect the first and second pad metal layers 61, 62.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、外部接続用電極であるパッド部が、最上層に形成された第１のパッドメタル層６１と、第１のパッドメタル層６１の下に層間絶縁膜７１を挟んで形成された第２のパッドメタル層６２と、層間絶縁膜７１を貫通して第１のパッドメタル層６１と第２のパッドメタル層６２を電気的に接続するビア６３とからなり、第１のパッドメタル層６１の端部と第２のパッドメタル層６２の端部とが各層の厚み方向に沿って一致しないように互いにずれて配置される。 - 特許庁

To provide: an insulating film, suitable to be used as an interlayer insulating film for a semiconductor element and so on, excellent in film characteristics such as dielectric characteristics, especially in mechanical strength; and a manufacturing method capable of efficiently manufacturing the insulating film.例文帳に追加

本発明は、半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、誘電特性などの膜特性、特に、機械強度に優れた絶縁膜、および、該絶縁膜を効率よく製造することができる製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The extra buried metal is removed by chemical- mechanical polishing to form a plug and a wiring, and then the resist pattern is removed to form an interlayer insulating film which includes an exposed plug and wiring on the first wiring 2 and made of SOG on the substrate 1.例文帳に追加

埋め込んだ金属の余剰分を化学機械的研磨で除去してプラグ及び配線を形成した後、レジストパターンを除去し、第１の配線２上に露出されたプラグ及び配線を含み基板１上にＳＯＧからなる層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is constructed by alternately stacking first to fourth metal layers 2 to 5 and A to D interlayer films 6 to 9 on a semiconductor substrate 1 and forming a liquid crystal layer 10 and a counter (transparent) electrode 11 on the uppermost layer.例文帳に追加

反射型液晶表示装置は、半導体基板１上に第１メタル層２〜第４メタル層５とＡ層間膜６〜Ｄ層間膜９とが交互に積層され、最上層に液晶層１０と対向電極（透明）１１とを形成することで構成されている。 - 特許庁

A capacitor opening is provided inside a first interlayer insulating film 7 formed on a substrate 1; and a capacitor element is provided which is composed of a lower electrode 8, a capacitance insulating film 9, and an upper electrode 10 that are all formed on the bottom and side of the opening.例文帳に追加

基板１上に形成された第１の層間絶縁膜７内にキャパシタ開口部が設けられ、キャパシタ開口部の底面及び側面上に形成された下部電極８、容量絶縁膜９、及び上部電極１０からなる容量素子を備えている。 - 特許庁

After a gate insulating film 2 and a first lower electrode 3 are formed on the channel area 6 of a silicon substrate 1, a BPSG interlayer insulating film 7 is formed on the substrate 1 so as to cover the electrode 3 and insulating film 2 and a contact hole 8 is made on the insulating film 7.例文帳に追加

シリコン基板１のチャネル領域６上にゲート絶縁膜２及び第１の下部電極３が形成され、第１の下部電極３及びゲート絶縁膜２を覆うようにシリコン基板１上にＢＰＳＧからなる層間絶縁膜７が形成される。 - 特許庁

A contact hole 12a is first formed by performing dry etching on an interlayer insulator film 12, thereafter, a barrier layer 14 consisting of TiN and an adhesive layer 15 consisting of Ti are sequentially deposited over the entire surface including the bottom surface and peripheral surface of the contact hole 12a.例文帳に追加

まず、層間絶縁膜１２に対してドライエッチングを行なってコンタクトホール１２ａを形成し、その後、該コンタクトホール１２ａの底面及び周面を含む全面にわたって、ＴｉＮよりなるバリア層１４及びＴｉよりなる密着層１５を順次堆積する。 - 特許庁

As the result, during a heat treatment process after the formation of the Cu seed film 10 and the Cu plating film 11, it can be prevented that Cu is diffused anomalously from the Cu seed film 10 and the Cu plating film 11 into the interlayer insulating film 6 to change the device properties.例文帳に追加

その結果、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１を形成した後の工程における熱処理中に、Ｃｕシード膜１０やＣｕめっき膜１１からＣｕが層間絶縁膜６中に異常拡散して、デバイス特性を変動させることを防止できる。 - 特許庁

Furthermore, a metal film is formed on the semiconductor thin film 5, with an interlayer insulation film interposed in between to block the source region side and drain region side, and the metal film is patterned to make wirings 8D, 8S and 8Z so that the channel region does not become blocked.例文帳に追加

更に、半導体薄膜５の上に層間絶縁膜を介して金属膜を成膜し、ソース領域側及びドレイン領域側を遮閉する一方、チャネル領域を遮閉しない様に金属膜をパタニングして配線８Ｄ，８Ｓ，８Ｚに加工する。 - 特許庁

To provide a densified multilayer printed wiring board of high reliability that is easy to manufacture by utilizing a B2it method in which a conductive paste is printed on a metal foil to form a bump, and then the bump is made to pierce through an organic insulating film for interlayer connection of a multilayer wiring.例文帳に追加

導電ペーストを金属箔に印刷してバンプを形成しバンプに有機絶縁膜を貫通させて多層配線の層間接続を行うＢ^2 ｉｔ法を用いて、信頼性が高く、高密度化された製造が容易な多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

Hereupon, even when heating the intermediate film, hydrogen atoms are so fed sufficiently from the interlayer dielectric 25 formed by using the hydrogenized silicon nitride film to the defective levels present between an active layer 12 and the gate dielectric 21, as to be able to flatten the thin-film transistor without deteriorating its characteristics.例文帳に追加

中間膜を加熱した際でも、活性層12とゲート絶縁膜21との間の欠陥準位に水素化窒化シリコン膜により形成した層間絶縁膜25から水素原子を充分に供給するので、特性を劣化させることなく平坦化が可能になる。 - 特許庁